JPH05102222A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPH05102222A
JPH05102222A JP3257283A JP25728391A JPH05102222A JP H05102222 A JPH05102222 A JP H05102222A JP 3257283 A JP3257283 A JP 3257283A JP 25728391 A JP25728391 A JP 25728391A JP H05102222 A JPH05102222 A JP H05102222A
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JP
Japan
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bonding
inner lead
bonding pad
semiconductor element
relay member
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Koji Miyamoto
孝司 宮本
Kiyoaki Tsumura
清昭 津村
Hitoshi Fujimoto
仁士 藤本
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】ボンディングワイヤの半導体素子に対する短絡
不良を防いだ上で、ボンディングパッドの形成位置を自
由化すること。 【構成】半導体素子１の電源供給用ボンディングパッド
６ａとインナーリード３との間に中継部材４を設け、か
つボンディングパッド６ａおよびインナーリード３のそ
れぞれを中継部材４にボンディングワイヤ５ｂ，５ｃで
接続している。これにより、電源供給用ボンディングパ
ッド６ａと中継部材４とを接続するボンディングワイヤ
５ｂや中継部材４と電源供給用インナーリード３とを接
続するボンディングワイヤ５ｃの長さ寸法を、電極供給
用ボンディングパッド６とインナーリード３とを直接的
に接続するボンディングワイヤよりも短くでき、ボンデ
ィングワイヤがだれにくくなる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、樹脂封止型の半導体装
置に係り、特に、半導体素子のボンディングパッドとイ
ンナーリードとを接続するボンディングワイヤの形成処
理を行う上での制約を軽減するように改良した技術に関
する。
【０００２】
【従来の技術】従来のこの種の樹脂封止型の半導体装置
は、半導体素子の四辺端部に形成しているボンディング
パッドと、リードフレームのインナーリードとを金など
のボンディングワイヤで１対１にそれぞれ接続し、全体
をエポキシ樹脂などの外装樹脂で封止する構造になって
いる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来の半導
体装置では、インナーリードと半導体素子のボンディン
グパッドとを１対１に接続するボンディングワイヤがだ
れて半導体素子の表面や端縁角部に接触する、といった
短絡不良の発生を防止するために、ボンディングパッド
を半導体素子の四辺の端縁部に形成しなければならな
い、といった制約を受けることになる。しかも、このボ
ンディングパッドの形成位置は、外装樹脂におけるアウ
ターリードの突出形態に応じても制約される。
【０００４】このように、ボンディングパッドの形成位
置が制約されていると、ボンディングパッドと回路素子
とを結ぶ引き出し配線の引き回しが複雑化することにな
り、半導体素子における回路パターンの設計自由度が制
限される他、前記引き出し配線の占める面積が大きくな
って回路素子の集積度アップの妨げになる。
【０００５】本発明は、このような課題を解決するため
に創案されたもので、ボンディングワイヤの半導体素子
に対する短絡不良の発生を防いだ上で、ボンディングパ
ッドの形成位置を自由化することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、本発明は、半導体素子と、インナーリード
と、外装樹脂とからなる樹脂封止型の半導体装置におい
て、次のような構成をとる。
【０００７】本発明の半導体装置は、前記半導体素子の
ボンディングパッドとインナーリードとの間に中継部材
が設けられ、かつ前記ボンディングパッドおよびインナ
ーリードのそれぞれが中継部材にボンディングワイヤで
接続されていることに特徴を有する。
【０００８】前述の中継部材は、絶縁テープの上に導電
層を積層したものとするのが好ましい。また、この中継
部材は半導体素子またはインナーリードの上に絶縁状態
で接着するのが好ましい。
【０００９】
【作用】中継部材を用いれば、ボンディングワイヤが短
くて済むようになってボンディングワイヤのだれによる
半導体素子との短絡不良が発生しにくくなる。
【００１０】このことから、ボンディングパッドを半導
体素子の回路素子近傍に形成できるようになって、ボン
ディングパッドを半導体素子の四辺端部に設けなければ
ならないという従来の固定観念を打破できるようにな
る。この結果、回路素子とボンディングパッドとを結ぶ
引き出し配線を可及的に短くすることが可能になり、回
路パターンの設計自由度や回路素子の集積度を向上する
のに有利となる。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細
に説明する。
【００１２】図１に本発明の一実施例を示している。図
中、１は半導体素子、２はリードフレームのダイパッ
ド、３はリードフレームのインナーリード、４は中継部
材、５ａ〜５ｃはボンディングワイヤであり、外装樹脂
は図示していない。
【００１３】半導体素子１の表面には、複数の電源供給
用のボンディングパッド６ａと、グランド用や信号用な
どのボンディングパッド６ｂとが交互に一直線に並べら
れている。
【００１４】中継部材４は、帯状の絶縁テープ７の上に
導電層８を全面的に積層したものからなり、半導体素子
１の表面において一直線に配列されたボンディングパッ
ド６ａ，６ｂの列と平行に貼着されている。なお、絶縁
テープ７としては、例えばポリイミドなどのように絶縁
性と耐熱性（３００℃程度まで）をもつものが選択さ
れ、また、導電層８としては、金やアルミニウムなどの
金属が選択される。
【００１５】ボンディングワイヤ５ａは、グランド用や
信号用などのボンディングパッド６ｂそれぞれとそれら
に対応するインナーリード３それぞれとを接続するもの
で、ボンディングワイヤ５ｂは、電源供給用のボンディ
ングパッド６ａそれぞれと中継部材４の導電層８とを接
続するもので、さらに、ボンディングワイヤ５ｃは、中
継部材４と電源供給用のインナーリード３とを接続する
ものである。
【００１６】本実施例では、中継部材４を複数個の電源
供給用のボンディングパッド６ａの共通電極として用い
ることにより、電源供給用のボンディングパッド６ａそ
れぞれと中継部材４とを接続するボンディングワイヤ５
ｂや中継部材４と電源供給用のインナーリード３とを接
続するボンディングワイヤ５ｃの長さ寸法を、電極供給
用のボンディングパッド６とインナーリード３とを直接
的に接続するボンディングワイヤよりも短く設定できる
ようにしている。
【００１７】このようにボンディングワイヤ５ｂ，５ｃ
を短く設定できれば、ボンディングワイヤのだれによる
半導体素子との短絡不良が発生しにくくなる。このこと
から、例えば、電源供給用のボンディングパッド６ａを
半導体素子１の端縁部分ではなく中程部分に設けること
も可能になるので、ボンディングパッドと回路素子とを
結ぶ引き出し配線を短くできて、回路パターンの設計自
由度や回路素子の集積度を向上するのに有利となる。
【００１８】ところで、本実施例のように、電源供給用
のボンディングパッド６ａを複数設けた構造とした場
合、半導体素子１の回路素子それぞれに対する電気信号
の供給が迅速に行えるようになり、半導体素子１の高速
動作が可能となる。もちろん、中継部材４を用いてグラ
ンド用のボンディングパッド６ｂを複数設けるようにす
ることも可能である。
【００１９】なお、本発明は上記実施例のみに限定され
ない。例えば、中継部材４は、図２に示すように、隣り
合うインナーリード３の上に貼着してもよい。また、中
継部材４は、図３に示すように、絶縁テープ７の上に二
つ（あるいはそれ以上）の導電層８ａ、８ｂを設けたも
のとしてもよく、一方の導電層８ａを電源供給用電極の
共通電極とし、他方の導電層８ｂをグランド用電極の共
通電極として利用することができる。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ボンディングパッドと中継部材とを接続するボンディン
グワイヤや中継部材とインナーリードとを接続するボン
ディングワイヤの長さ寸法を、ボンディングパッドとイ
ンナーリードとを直接的に接続していた従来のボンディ
ングワイヤよりも短くできるから、ボンディングワイヤ
のだれによる半導体素子との短絡不良が発生しにくくな
る。
【００２１】このことから、ボンディングパッドを半導
体素子の回路素子近傍に形成することができるようにな
り、結果的に、回路素子とボンディングパッドとを結ぶ
引き出し配線を可及的に短くすることが可能になって、
回路パターンの設計自由度や回路素子の集積度を向上す
るのに有利となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例の半導体装置を示す斜視図。
【図２】本発明の他の実施例の半導体装置を示す斜視
図。
【図３】本発明のさらに他の実施例の半導体装置を示す
斜視図。
【符号の説明】
１ 半導体素子 ３ インナー
リード ４ 中継部材 ５ａ〜５ｃ ボンディ
ングワイヤ ６ａ 電源供給用のボンディングパッド ６ｂ グランド用、信号用のボンディングパッド ７ 中継部材の絶縁テープ ８ 中継部材
の導電層
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成３年１２月１９日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００７】本発明の半導体装置は、前記半導体素子の
ボンディングパッドとインナーリードとの間に中継部材
が設けられ、かつ前記ボンディングパッドおよびインナ
ーリードの一部、又は全部が中継部材にボンディングワ
イヤで接続されていることに特徴を有する。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】半導体素子と、インナーリードと、外装樹
    脂とからなる樹脂封止型の半導体装置であって、 前記半導体素子のボンディングパッドとインナーリード
    との間に中継部材が設けられ、かつ前記ボンディングパ
    ッドおよびインナーリードのそれぞれが中継部材にボン
    ディングワイヤで接続されている、ことを特徴とする半
    導体装置。
  2. 【請求項２】請求項１に記載の半導体装置において、前
    記中継部材が、絶縁テープの上に導電層を積層したもの
    である、ことを特徴とする半導体装置。
  3. 【請求項３】請求項１に記載の半導体装置において、前
    記中継部材が、半導体素子またはインナーリードの上に
    絶縁状態で接着されるものである、ことを特徴とする半
    導体装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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