JPH0499699A - 携帯形半導体記憶装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は、例えばコンピュータの外部記憶媒体として用
いられるＩＣカートなどの携帯形半導体記憶装置に係り
、詳しくは静電気放電に対処した構造に関する。

〈従来の技術〉 従来のＩＣカードには、外装に金属パネルを用いたもの
がある。その外観を第３図の斜視図に示す。

同図において、ｌはＩＣカードの本体、２は本体１の表
面に設けられた外装用の金属パネル、３はコネクタ、４
は内蔵基板の回路グランドに接続されるＩＣカードのグ
ランド端子である。

該ＩＣカートの内部構造を第４図の断面図に示す。同図
において、５は回路基板、６は回路基板５に搭載された
素子、７は内蔵電池、８は電池７の負電極に接触する電
極片、９は正電極に接触する電極片である。このうち、
負電極用の電極片８は、回路基板５の回路グランドパタ
ーンを通してコネクタ３の回路グランド端子４に直結さ
れており、該回路グランド端子４は、ＩＣカートを所定
ノシステム機器に装着すると、ンステム機器の回路グラ
ンドを通じて接地されるようになっている。

ここで、上記の素子６や部材どうしが金属パネル２を通
じて短絡しないように、金属パネル２の内面には、絶縁
層１０が形成されている。この絶線層１０は、金属パネ
ル２に絶縁材を均一な厚みで塗布することにより形成さ
れている。

そして、表裏の金属パネル２．２どうしは、その間に介
装したコンタクトばね１１により互いに接続されて導通
しており、このように導通することで、内部回路に対し
て電磁ノールドを構成している。

このように従来の金属パネル２を有するＩＣカードでは
、金属パネル２と回路グランド端子４とが電気的に分離
された構造となっている。

ここで、ＩＣカードが回路グランド端子４を通じて接地
されている状態で、金属パネル２に静電気放電によるノ
イズ（Ｅ　Ｓ　Ｄノイズ）が印加された場合を考えてみ
ると、そのノイズが比較的低レベル（具体的には、金属
パネル２と回路グランド端子４との間の最小静電耐圧以
下のレベル）であるときは、両金属パネル２．２のシー
ルド効果て、ノイズは内部回路の信号に重畳することか
なく、内部回路に悪影響を及ぼさない。

〈発明が解決しようとする課題〉 しかしながら、外来のＥＳＤノイズのレベルが高く、金
属パネル２と回路グランド端子４との間の静電耐圧を越
えるレベルである場合には、金属パネル２から内部回路
、回路グランド端子４を経由して放電が起こる。この放
電の際、ＩＣカード内部では特定の放電経路はなく、放
電経路か不定であるから、多（の場合、内部の素子６に
放電電流が流れ、素子６の破壊や、データの変成（デー
タ化け）といった不都合が発生する。

本発明は、上述の問題点に鑑みてなされたものであって
、低レベルのＥＳＤノイズに対しては、従来通り、シー
ルド効果を発揮することができ、高レベルのノイズに対
しては、常に最も安全な放電経路が形成されるようにし
て、素子の破壊やデータの変成等の不都合の発生を未然
に防止することができるＩＣカードを提供することを課
題とする。

く課題を解決するための手段〉 本発明は、上記の課題を達成するために、本体表面に金
属パネルか設けられ、金属パネルの内面に絶縁層が形成
されたＩＣカードであって、絶縁層に、回路グランド端
子に直結された金属片が近接配置され、絶縁層の各部分
のうち、前記金属片に対向する部分が、絶縁層の他の部
分より静電耐圧が低い低耐圧部に形成されている構成と
した。

〈作用〉 上記の構成において、低レベルのＥＳＤノイズが金属パ
ネルに印加された場合は、金属パネルのシールド効果で
、ノイズは遮断され、内部回路には加わらない。

高レベルのノイズが金属パネルに印加されると、金属パ
ネル、絶縁層の低耐圧部、金属片から回路グランド端子
に至る放電経路が形成され、放電電流は最短経路を通っ
て回路グランド側に流れ、内部の素子に悪影響を与えな
い。

〈実施例〉 以下、本発明を図面に示す実施例に基づいて詳細に説明
する。

第１図は本発明の一実施例に係るＩＣカードの断面図で
ある。

この実施例のＩＣカードが、本体の表面に設けられた外
装用の金属パネル２と、金属パネル２の内面に設けられ
た絶縁層１０と、各種素子を搭載した回路基板５と、内
蔵電池７と、電池７の負電極に接触する電極片８と、正
電極に接触する電極片９と、表裏の金属パネル２．２を
導通接続するコンタクトばね１１とを有する点は、第３
図および第４図に示した従来のＩＣカードと同じであり
、ここでは、第３図および第４図と同一の符号を付して
、詳細な説明は省略する。

この実施例のＩＣカードでは、負電極用の電極片８が、
回路基板５の回路グランドパターンを通じて回路グラン
ド端子４に接続されているのであるが、この電極片８は
、金属パネル２側に近接配置されている。なお、この回
路グランド端子４は、端末機の接地端子に接続されてい
る。そして、絶縁層１０の各部分のうち、負電極用の電
極片８と対向する部分は、ピンホール１２を多数穿設す
ることで、絶縁層ＩＯの他の部分より静電耐圧が低い低
耐圧部１０ａに形成されている。ビンホールｌ２の孔径
は、絶縁層１０に負電極用の電極片８が密着しても、該
電極片８と金属パネル２とが短絡しない程度に充分に小
さいものとする。

上記の構成において、絶縁層１０の低耐圧部ｌＯａが、
ピンポール１２の部分に誘電率の低い空気を含んでいる
ことから、金属パネル２と、低耐圧部１０ａと、負電極
用の電極片８とは、静電容量の小さな平行板コンデンサ
を構成している。

ここで、ＩＣカードがその回路グランド端子４を介して
接地されている状態で、高いレベルのＥＳＤノイズが金
属パネル２に印加されると、金属パネル２から回路グラ
ンド端子４に放電電流が流れるが、その場合の放電経路
には、静電容量の小さな部分が選択される。前記したよ
うに、低耐圧部１０ａと負電極用の電極片８とに対応す
る部分は、静電容量が他の部分より小さいから、金属パ
ネル２、低耐圧部１０ａ、負電極用の電極片８から回路
グランド端子４に至る放電経路が形成され、放電電流は
最短経路を通って回路グランド側に流れる。したがって
、素子が破壊されたり、データが変成することがない。

一方、内部回路は、表裏の金属パネル２．２でシールド
されているから、低レベルのノイズが金属パネル２に印
加された場合は、ノイズは、金属パネル２のシールド効
果で遮断され、内部回路には加わらない。

第１図の実施例では、ピンホール１２を穿設することで
低耐圧部１０ａを形成したが、この低耐圧部１０ａは、
第２図に示すように、負電極用の電極片８に゛対向する
個所を、他の部分より薄くすることによっても、低耐圧
部１０ａとすることができる。

さらに、負電極用の電極片８に対向する部分を、絶縁層
１０の他の部分より誘電率の低い絶縁材に置き換えるこ
とでも、低耐圧部１０ａとすることができる。

以上のような手段により低耐圧部１０ａを形成した場合
も、ＥＳＤノイズに対して、第１図の実施例に関して説
明したのと同様の作用効果か得られる。

また、上記各実施例では、負電極用の電極片８を金属パ
ネル２に近接させて、該電極片８が放電経路の一部を構
成するようにしたか、その他、回路グランド端子４に直
結される他の搭載金属片を金属パネル２に近接させて、
該金属片を放電経路の一部としてもよい。

〈発明の効果〉 以上述べたように、本発明によれば、金属パネルと、絶
縁層の低耐圧部と、負電極用の電極片のような近接金属
片とが、高いレベルのＥＳＤノイズに対して、回路グラ
ンド端子に至る最短で安全な放電経路を形成するから、
放電電流は内部回路を通らずに回路グランドに流れるこ
とになり、素子が破壊されたり、記憶データか変成され
るようなことがなく、静電気放電に対する耐性が向上す
る。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例に係るＩＣカードの要部断面
図、第２図は他の実施例の要部断面図である。 第３図および第４図は従来例に係り、第３図は外観斜視
図、第４図はその要部断面図である。 ２　・金属パネル、４・−・回路グランド端子、５・・
・回路基板、７・電池、８・・・負電極用の電極片（近
接金属片）、１０・絶縁層、ＩＯａ　　低耐圧部。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）本体表面に金属パネルが設けられ、金属パネルの
   内面に絶縁層が形成された携帯形半導体記憶装置であっ
   て、 絶縁層に、内蔵基板の回路グランドに直結された金属片
   が近接配置され、 絶縁層の各部分のうち、前記金属片に対向する部分が、
   絶縁層の他の部分より静電耐圧が低い低耐圧部に形成さ
   れている ことを特徴とする携帯形半導体記憶装置。