JPH0499383A - 半導体装置 - Google Patents
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- JPH0499383A JPH0499383A JP2217873A JP21787390A JPH0499383A JP H0499383 A JPH0499383 A JP H0499383A JP 2217873 A JP2217873 A JP 2217873A JP 21787390 A JP21787390 A JP 21787390A JP H0499383 A JPH0499383 A JP H0499383A
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 8
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- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 10
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- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 7
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- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 6
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- H01L2924/13091—Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体装置に関し、さらに詳しくは、半導
体装置におけるｉ （アルミニウム）電極の改良構造に
係るものである。
体装置におけるｉ （アルミニウム）電極の改良構造に
係るものである。
従来の半導体装置の概要構成を樹脂封止型のサイリスク
を例にして第３図に示す。
を例にして第３図に示す。
この第３図の従来装置の構成において、樹脂封止型サイ
リスクは、よ（知られているように、シリコン基板１に
形成された。いわゆるｐｎｐｎ ４層構造を有しており
、そのカソード部２とゲート部３とのそれぞれの表面に
形成されたＡｌカソード電極１１とＡｌゲート電極１２
とは、それぞれにｌワイヤ６を用いて外部リード７．８
に接続され、かつアノード電極側は、フレーム９によっ
て兼ねられると共に、シリコン基板１ならびに１２ワイ
ヤ６については、樹脂封止、すなわち、エポキシ樹脂１
０などにより封止されている。
リスクは、よ（知られているように、シリコン基板１に
形成された。いわゆるｐｎｐｎ ４層構造を有しており
、そのカソード部２とゲート部３とのそれぞれの表面に
形成されたＡｌカソード電極１１とＡｌゲート電極１２
とは、それぞれにｌワイヤ６を用いて外部リード７．８
に接続され、かつアノード電極側は、フレーム９によっ
て兼ねられると共に、シリコン基板１ならびに１２ワイ
ヤ６については、樹脂封止、すなわち、エポキシ樹脂１
０などにより封止されている。
こ＼で、前記電極材料としてのＡ４は、シリコン（Ｓｉ
）に対する良好なオーミック材料として知られており、
この従来構成の場合、 ＡＩ２カソード電極１１は、
シリコンによるカソード部２と良好なオーミックコンタ
クトをなし、また同様に、 Ａｌゲート電極１２は、シ
リコンによるゲート部３と良好なオーミックコンタクト
をなすと共に、これらのＡｌカソード電極１１とＡｌゲ
ート電極１２とは、それぞれにＡβワイヤ６によって外
部リード７８に接続される。
）に対する良好なオーミック材料として知られており、
この従来構成の場合、 ＡＩ２カソード電極１１は、
シリコンによるカソード部２と良好なオーミックコンタ
クトをなし、また同様に、 Ａｌゲート電極１２は、シ
リコンによるゲート部３と良好なオーミックコンタクト
をなすと共に、これらのＡｌカソード電極１１とＡｌゲ
ート電極１２とは、それぞれにＡβワイヤ６によって外
部リード７８に接続される。
従って、以上の構成からなる樹脂封止型サイリスタでは
、オン電圧ＶＴに安定した特性が得られており、かつ外
部環境からはエポキシ樹脂などにより封止されていて、
一般に高い信頼性を有するものとされている。
、オン電圧ＶＴに安定した特性が得られており、かつ外
部環境からはエポキシ樹脂などにより封止されていて、
一般に高い信頼性を有するものとされている。
〔発明が解決しようとする課題］
２かしながら、前記のように構成される従来の樹脂封止
型サイリスタの場合にあって、形成されろそれぞれの各
Ａ（２Ｑ極には、通常の場合、高純度のＡ Ｉ２ （９
９，９！ｈｖｔ％）が使用されており、これが高温、か
−）高温、特に、高湿度の雰囲気下に曝されると、その
封止樹脂自体、ならびに当該封止樹脂と夕（部リードと
の界面から侵入する水分によって、 Ａ２電極が腐食さ
れ易く、オン電圧ＶＴが不良になるという装置特性、な
らびに信頼性上の問題点があった。
型サイリスタの場合にあって、形成されろそれぞれの各
Ａ（２Ｑ極には、通常の場合、高純度のＡ Ｉ２ （９
９，９！ｈｖｔ％）が使用されており、これが高温、か
−）高温、特に、高湿度の雰囲気下に曝されると、その
封止樹脂自体、ならびに当該封止樹脂と夕（部リードと
の界面から侵入する水分によって、 Ａ２電極が腐食さ
れ易く、オン電圧ＶＴが不良になるという装置特性、な
らびに信頼性上の問題点があった。
この発明は 従来のこのような問題点を解消するために
なされたもので、その目的とするところは、エポキシ樹
脂などによる樹脂封止によって、も窩い耐（’！ｅ？性
を発揮し得るようにした。この種の半導体装置、１：Ｓ
では、半導体装置における電極構造を提供することであ
る。
なされたもので、その目的とするところは、エポキシ樹
脂などによる樹脂封止によって、も窩い耐（’！ｅ？性
を発揮し得るようにした。この種の半導体装置、１：Ｓ
では、半導体装置における電極構造を提供することであ
る。
［課題を解決するための手段］
前記目的を達成するために、この発明に係る半導体装置
においては、半導体基板の主面上に設けられる電極の形
成材料として、Ｎｉにッケル）を倉荷する八βを用いた
ものである。
においては、半導体基板の主面上に設けられる電極の形
成材料として、Ｎｉにッケル）を倉荷する八βを用いた
ものである。
すなわち、この発明は、少なくとも半導体基板の主面上
盛こ電極を備えた半導体装置において、前記電極がＮｉ
を含有する八βによって形成されていることを特徴とす
る半導体装置であり、また、当該半導体装置において、
電極を形成するＡｊ２中におけるＮｉ濃度が、０．０５
〜０．２ｗｔ％の範囲内であることを特徴としている。
盛こ電極を備えた半導体装置において、前記電極がＮｉ
を含有する八βによって形成されていることを特徴とす
る半導体装置であり、また、当該半導体装置において、
電極を形成するＡｊ２中におけるＮｉ濃度が、０．０５
〜０．２ｗｔ％の範囲内であることを特徴としている。
〔作 用１
従って、この発明の半導体装置においては、半導体基板
の主面上に設けられる電極の形成材料として、Ｎｉにッ
ケル）を含有するｌを用いているために、二のＮｉ添加
Ａｊ２電極では、耐湿性が充分に向トされて腐食され難
くなる。
の主面上に設けられる電極の形成材料として、Ｎｉにッ
ケル）を含有するｌを用いているために、二のＮｉ添加
Ａｊ２電極では、耐湿性が充分に向トされて腐食され難
くなる。
［実 施 例１
以下、この発明に係る半導体装置の一実施例に−）き、
第１図および第２図を参照して詳細に説明する。
第１図および第２図を参照して詳細に説明する。
第１図はこの実施例を適用した樹脂封止型サイリスタの
概要構成を模式的に示す断面図であり、この第１図実施
例構成において、前記第３図従来例構成と同一符号は同
一または均等部分を示している。
概要構成を模式的に示す断面図であり、この第１図実施
例構成において、前記第３図従来例構成と同一符号は同
一または均等部分を示している。
この第１図に示す実施例構成においても、樹脂封止型サ
イリスタは、シリコン基板ｌに形成されたｐｎｐｎ ４
層構造を有し、その主面上のカソード部２とゲート部３
とに形成されたＮｉ添加Ａｆ２カソード電極４とＮｉ添
加Ａｌゲート電極５とは、それぞれにＡβワイヤ６を用
いて外部リード７．８に接続されており、かつアノード
電極側は、フレーム９によって兼ねられ、シリコン基板
１ならびにＡｌワイヤ５については、エポキシ樹脂１０
などにより樹脂封止されている。
イリスタは、シリコン基板ｌに形成されたｐｎｐｎ ４
層構造を有し、その主面上のカソード部２とゲート部３
とに形成されたＮｉ添加Ａｆ２カソード電極４とＮｉ添
加Ａｌゲート電極５とは、それぞれにＡβワイヤ６を用
いて外部リード７．８に接続されており、かつアノード
電極側は、フレーム９によって兼ねられ、シリコン基板
１ならびにＡｌワイヤ５については、エポキシ樹脂１０
などにより樹脂封止されている。
しかして、この実施例構成に用いる電極材料としてのＮ
ｉを含有する。ｌについても、これは、シリコン（Ｓｉ
）に対する良好なオーミック材料であり、この実施例構
成の場合、Ｎｉ添加１カソード電極４は、シリコンによ
るカソード部２と良好なオーミックコンタクトをなし、
同様に、Ｎｊ添加Ａｆｆゲート電極５は、シリコンによ
るゲート部３と良好なオーミックコンタクトをなしてい
て、かつこれらのＮｉ添加１カソード電極４とＮｉ添加
ｉゲート電極５とは、それぞれに、ｌワイヤ６によって
外部リード７．８に接続される。
ｉを含有する。ｌについても、これは、シリコン（Ｓｉ
）に対する良好なオーミック材料であり、この実施例構
成の場合、Ｎｉ添加１カソード電極４は、シリコンによ
るカソード部２と良好なオーミックコンタクトをなし、
同様に、Ｎｊ添加Ａｆｆゲート電極５は、シリコンによ
るゲート部３と良好なオーミックコンタクトをなしてい
て、かつこれらのＮｉ添加１カソード電極４とＮｉ添加
ｉゲート電極５とは、それぞれに、ｌワイヤ６によって
外部リード７．８に接続される。
こ１で、これらの各Ｎ１添加Ａｌ電極４．５でのＡｌに
対するＮｉの添加量は、発明者らによる実験結果から０
．０５〜０．２ｗｔ％の範囲内にあることが好ましい。
対するＮｉの添加量は、発明者らによる実験結果から０
．０５〜０．２ｗｔ％の範囲内にあることが好ましい。
すなわち、第２図には、この実施例構成による樹脂封止
型サイリスタのプレッシャークツカー不飽和試験による
オン電圧ＶＴ特性の変動をグラフにより示しており、当
該グラフから明らかなように、従来構成での高純度Ａ４
によって形成された電極に比較するとき、この実施例構
成によるＮｉ添加へβ電極では、オン電圧ＶＴ特性の変
動が大幅に改善されていることが判る。
型サイリスタのプレッシャークツカー不飽和試験による
オン電圧ＶＴ特性の変動をグラフにより示しており、当
該グラフから明らかなように、従来構成での高純度Ａ４
によって形成された電極に比較するとき、この実施例構
成によるＮｉ添加へβ電極では、オン電圧ＶＴ特性の変
動が大幅に改善されていることが判る。
また一方で、試験後の素子を分析した結果によると、従
来品での高純度１電極に腐食の進行が確認されたのに対
し、この実施例品でのＮｉ添加Ａｌ電極には腐食が見ら
れなかった。
来品での高純度１電極に腐食の進行が確認されたのに対
し、この実施例品でのＮｉ添加Ａｌ電極には腐食が見ら
れなかった。
このようにして、この実施例構成によるＮｉ添加Ａｌ電
極を備える樹脂封止型サイリスクでは、オン電圧ＶＴに
継続的に安定した特性が得られると共に、併せて、外部
環境からはエポキシ樹脂などによる樹脂封止により高い
信頼性を有することになる。
極を備える樹脂封止型サイリスクでは、オン電圧ＶＴに
継続的に安定した特性が得られると共に、併せて、外部
環境からはエポキシ樹脂などによる樹脂封止により高い
信頼性を有することになる。
なお、前記実施例においては、樹脂封止型サイリスタを
例にとって説明したが、その他の半導体装置９例えば、
通常のトランジスタ、パワーＭＯＳＦＥＴ、ＩＧＢＴ、
ＩＣなどにも適用して同様な効果が得られることは勿論
である。
例にとって説明したが、その他の半導体装置９例えば、
通常のトランジスタ、パワーＭＯＳＦＥＴ、ＩＧＢＴ、
ＩＣなどにも適用して同様な効果が得られることは勿論
である。
［発明の効果］
以上詳述したように、この発明によれば、少なくとも半
導体基板の主面上に電極を備える半導体装置において、
当該電極の形成材料として、Ｎｉを含有する八ρを用い
ているために、このＮｉ添加Ａｌ電極では、耐湿性が充
分に向上されて腐食され難く、この結果１従来の高純度
へβ電極の場合に比較して信頼性を格段に向上できるも
のであり、また、電極を形成するＡｌ中におけるＮｉ濃
度を０．０５〜０．２ｗｔ％の範囲内にするときは、こ
の効果をより一層助長し得るほか、構造的にも比較的簡
単で容易に実施できるなどの優れた特長を有する。
導体基板の主面上に電極を備える半導体装置において、
当該電極の形成材料として、Ｎｉを含有する八ρを用い
ているために、このＮｉ添加Ａｌ電極では、耐湿性が充
分に向上されて腐食され難く、この結果１従来の高純度
へβ電極の場合に比較して信頼性を格段に向上できるも
のであり、また、電極を形成するＡｌ中におけるＮｉ濃
度を０．０５〜０．２ｗｔ％の範囲内にするときは、こ
の効果をより一層助長し得るほか、構造的にも比較的簡
単で容易に実施できるなどの優れた特長を有する。
第１図はこの発明に係る半導体装置の一実施例を適用し
た樹脂封止型サイリスクの概要構成を模式的に示す断面
図、第２図は同上樹脂封止型サイリスタのプレッシャー
クツカー不飽和試験によるオン電圧特性を示すグラフで
あり、また、第３図は従来例による樹脂封止型サイリス
タの概要構成を模式的に示す断面図である。 １・・・・シリコン基板、 ２・・・・カソード部、 ３・・・・ゲート部、４ ・
・ ５ ・・ ６ ・・ ９ ・・ １０・ ・・Ｎｉ添加Ａｌカソード電極、 ・・Ｎｉ添加、ｌゲート電極、 ・Ａｌワイヤ、 ７，８・・・・リード部、・・フレー
ム（アノード）、 ・・エポキシ樹脂（封止樹脂）。 第１図
た樹脂封止型サイリスクの概要構成を模式的に示す断面
図、第２図は同上樹脂封止型サイリスタのプレッシャー
クツカー不飽和試験によるオン電圧特性を示すグラフで
あり、また、第３図は従来例による樹脂封止型サイリス
タの概要構成を模式的に示す断面図である。 １・・・・シリコン基板、 ２・・・・カソード部、 ３・・・・ゲート部、４ ・
・ ５ ・・ ６ ・・ ９ ・・ １０・ ・・Ｎｉ添加Ａｌカソード電極、 ・・Ｎｉ添加、ｌゲート電極、 ・Ａｌワイヤ、 ７，８・・・・リード部、・・フレー
ム（アノード）、 ・・エポキシ樹脂（封止樹脂）。 第１図
Claims (2)
- （１）少なくとも半導体基板の主面上に電極を備えた半
導体装置において、前記電極がＮｉを含有するＡｌによ
って形成されていることを特徴とする半導体装置。 - （２）前記電極を形成するＡｌ中におけるＮｉ濃度が、
０．０５〜０．２ｗｔ％の範囲内であることを特徴とす
る請求項１記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2217873A JPH0499383A (ja) | 1990-08-17 | 1990-08-17 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2217873A JPH0499383A (ja) | 1990-08-17 | 1990-08-17 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0499383A true JPH0499383A (ja) | 1992-03-31 |
Family
ID=16711111
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2217873A Pending JPH0499383A (ja) | 1990-08-17 | 1990-08-17 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0499383A (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51136283A (en) * | 1975-04-28 | 1976-11-25 | Ncr Co | Method and apparatus for protecting ultra small electronic devices |
| JPS5356971A (en) * | 1976-10-29 | 1978-05-23 | Bosch Gmbh Robert | Semiconductor device |
| JPS5817628A (ja) * | 1981-07-24 | 1983-02-01 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置およびその製造方法 |
| JPS63117463A (ja) * | 1986-11-05 | 1988-05-21 | Nec Kansai Ltd | 半導体装置 |
-
1990
- 1990-08-17 JP JP2217873A patent/JPH0499383A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51136283A (en) * | 1975-04-28 | 1976-11-25 | Ncr Co | Method and apparatus for protecting ultra small electronic devices |
| JPS5356971A (en) * | 1976-10-29 | 1978-05-23 | Bosch Gmbh Robert | Semiconductor device |
| JPS5817628A (ja) * | 1981-07-24 | 1983-02-01 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置およびその製造方法 |
| JPS63117463A (ja) * | 1986-11-05 | 1988-05-21 | Nec Kansai Ltd | 半導体装置 |
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