JPH0494532A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH0494532A JPH0494532A JP21231490A JP21231490A JPH0494532A JP H0494532 A JPH0494532 A JP H0494532A JP 21231490 A JP21231490 A JP 21231490A JP 21231490 A JP21231490 A JP 21231490A JP H0494532 A JPH0494532 A JP H0494532A
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Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置の製造、特にウェハ状の材料を加
工して、半導体装置を製造方法に関するものであり、そ
の中でＲＴＡ （ラビット・サーマル・アニ、−ル）を
用いた製造工程に関するものである。
工して、半導体装置を製造方法に関するものであり、そ
の中でＲＴＡ （ラビット・サーマル・アニ、−ル）を
用いた製造工程に関するものである。
本発明は、ＲＴＡ （ラビッド・サーマル・アニール）
を用いてウェハのアニールを行う前に、ウェハの裏面を
洗浄して裏面酸化膜を除去するものである。
を用いてウェハのアニールを行う前に、ウェハの裏面を
洗浄して裏面酸化膜を除去するものである。
半導体の製造工程においては、いくつかの段階において
アニール工程（熱処理工程）が存在する。
アニール工程（熱処理工程）が存在する。
特にＣＶ Ｄ （Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｕｒ Ｄ
ｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）によって薄膜を形成したあとに、
膜を安定化させるために熱処理を行う場合には、下層に
存在するデバイスに大きな影響を与えないために、高温
短時間の熱処理を行うことがある０通常の炉を用いた熱
処理では、炉内へのウェハ挿入し、炉からのウェハ引き
出し時間があって、短時間処理が難しい。
ｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）によって薄膜を形成したあとに、
膜を安定化させるために熱処理を行う場合には、下層に
存在するデバイスに大きな影響を与えないために、高温
短時間の熱処理を行うことがある０通常の炉を用いた熱
処理では、炉内へのウェハ挿入し、炉からのウェハ引き
出し時間があって、短時間処理が難しい。
このため強力なランプを用いて、ウェハに赤外線を照射
してウェハに熱を加えるランプアニール、あるいはラビ
ッド・サーマル・アニール（、ＲＴＡ）と呼ばれる方法
が用いられている。ところがこのＲＴＡ法ではウェハ温
度を感知するのが難しい、炉では炉内に熱電対を入れて
、炉全体が均一な温度になるようにすることにより、ウ
ェハの温度も測定できることになるが、ＲＴＡ法ではつ
工ハに直接熱電対を取りつけなければならなくなるが、
これではウェハの取り扱いが極めて困難になる。そこで
ＲＴＡ法ではウェハの裏面からの熱輻射を用いて温度を
測定する方法が用いられる。
してウェハに熱を加えるランプアニール、あるいはラビ
ッド・サーマル・アニール（、ＲＴＡ）と呼ばれる方法
が用いられている。ところがこのＲＴＡ法ではウェハ温
度を感知するのが難しい、炉では炉内に熱電対を入れて
、炉全体が均一な温度になるようにすることにより、ウ
ェハの温度も測定できることになるが、ＲＴＡ法ではつ
工ハに直接熱電対を取りつけなければならなくなるが、
これではウェハの取り扱いが極めて困難になる。そこで
ＲＴＡ法ではウェハの裏面からの熱輻射を用いて温度を
測定する方法が用いられる。
ところが裏面の熱輻射を用いて温度を測定する方法では
、裏面の状態に変化したときに熱輻射の状態を変化して
、輻射とウェハ温度との関係が変化するという問題があ
った。したがって、裏面についた膜厚が変化するとウェ
ハの温度変化するといったことが起こり、この温度変化
により素子特性が変化するという課題があった。
、裏面の状態に変化したときに熱輻射の状態を変化して
、輻射とウェハ温度との関係が変化するという問題があ
った。したがって、裏面についた膜厚が変化するとウェ
ハの温度変化するといったことが起こり、この温度変化
により素子特性が変化するという課題があった。
本発明は、この問題を解決するため、ＲＴＡ法を行う前
に、裏面についた膜を除去するものである。
に、裏面についた膜を除去するものである。
裏面の熱輻射状態を変えるものとして特に重要なのは裏
面についた膜の膜厚である。半導体工程では諸種の工程
のおいて裏面にも、裏面と同じ膜が形成される。この膜
の膜厚が変化すると、熱輻射状態が変化するわけである
。特に這明な膜は輻射温度計（パイロメータ）の温度較
正に大きな影響を与える。そこで、これらの透明膜をＲ
ＴＡ前に除去すれば裏面からの輻射状態は一定となり、
ウェハ温度も一定とすることができる。
面についた膜の膜厚である。半導体工程では諸種の工程
のおいて裏面にも、裏面と同じ膜が形成される。この膜
の膜厚が変化すると、熱輻射状態が変化するわけである
。特に這明な膜は輻射温度計（パイロメータ）の温度較
正に大きな影響を与える。そこで、これらの透明膜をＲ
ＴＡ前に除去すれば裏面からの輻射状態は一定となり、
ウェハ温度も一定とすることができる。
本発明の実施例を図１に従って説明する。
まず、シリコンウェハ１０を用意し、これを酸化してゲ
ート酸化膜１を形成する（図１−ａ）。このとき裏面に
も酸化膜１′がつく。次にこの上にポリシリコン膜２を
ＣＶＤ法によってつける（図１−ｂ）、このときも裏面
にポリシリコン膜２′がつく１次にフォトレジストをマ
スクとして、ポリシリコンとゲート酸化膜をエツチング
して、ゲート部を作る（図１−ｃ）、このとき裏面はそ
のまま残る。次にフォトレジストをマスクとしてリンを
インプラして、ソース・ドレイン部３を作る（図１−ｄ
）。次にこの上に中心絶縁ＳｉＯ□膜４をＣＶＤ法によ
りつける（図１−ｅ）。このとき裏面にもＳｉＯ□膜４
′がつく０次に裏面のＳｉＯ□膜４′をとるために、表
面全面をレジストで覆い、ウェハをウェットエツチング
槽を入れる。すると裏面ＳｉＯ□をとると図１−ｆのよ
うになる。この状態でＲＴＡアニールを行う０次にコン
タクトホールを開けてその上からアルミニウム薄Ｍ５を
デポジションして、これをレジストをマスクとしてエツ
チングして配線パターンをつくる（図１−ｇ）、こうし
て半導体素子が作成される。このときＲＴＡを行う状態
（図１−ｆ）では裏面にポリシリコン２′ とゲート酸
化膜１′がついているが、ポリシリコン２′が不透明膜
であるので、この裏面状態では裏面輻射はほぼ一定とな
る。
ート酸化膜１を形成する（図１−ａ）。このとき裏面に
も酸化膜１′がつく。次にこの上にポリシリコン膜２を
ＣＶＤ法によってつける（図１−ｂ）、このときも裏面
にポリシリコン膜２′がつく１次にフォトレジストをマ
スクとして、ポリシリコンとゲート酸化膜をエツチング
して、ゲート部を作る（図１−ｃ）、このとき裏面はそ
のまま残る。次にフォトレジストをマスクとしてリンを
インプラして、ソース・ドレイン部３を作る（図１−ｄ
）。次にこの上に中心絶縁ＳｉＯ□膜４をＣＶＤ法によ
りつける（図１−ｅ）。このとき裏面にもＳｉＯ□膜４
′がつく０次に裏面のＳｉＯ□膜４′をとるために、表
面全面をレジストで覆い、ウェハをウェットエツチング
槽を入れる。すると裏面ＳｉＯ□をとると図１−ｆのよ
うになる。この状態でＲＴＡアニールを行う０次にコン
タクトホールを開けてその上からアルミニウム薄Ｍ５を
デポジションして、これをレジストをマスクとしてエツ
チングして配線パターンをつくる（図１−ｇ）、こうし
て半導体素子が作成される。このときＲＴＡを行う状態
（図１−ｆ）では裏面にポリシリコン２′ とゲート酸
化膜１′がついているが、ポリシリコン２′が不透明膜
であるので、この裏面状態では裏面輻射はほぼ一定とな
る。
〔発明の効果Ｊ
本発明によればＲＴＡによる温度バラツキが抑制され、
素子特性のバラツキが抑えられる。
素子特性のバラツキが抑えられる。
図１は本発明による半導体素子の製造工程図でｌ・・・
・ゲート酸化膜 １′ ・・・ゲート酸化膜工程において裏面につく酸化
膜 ２・・・・ポリシリコン膜 ２′ ・・・ポリシリコン膜堆積工程で裏面につくポリ
シリコン膜 ３・・・・ソース・ドレインインプラ部４・・・・中間
絶縁５ｉ０ｚ膜 ４′ ・・・中間絶縁Ｓｉｎ、膜堆積工程で裏面につ（
５４０ｇ膜 ５・・・・配線用アルミニウム薄膜 ｌＯ・・・・Ｓｉウェハ基板 以上 出願人 セイコー電子工業株式会社 代理人 弁理士 林 敬 之 助 ある。
・ゲート酸化膜 １′ ・・・ゲート酸化膜工程において裏面につく酸化
膜 ２・・・・ポリシリコン膜 ２′ ・・・ポリシリコン膜堆積工程で裏面につくポリ
シリコン膜 ３・・・・ソース・ドレインインプラ部４・・・・中間
絶縁５ｉ０ｚ膜 ４′ ・・・中間絶縁Ｓｉｎ、膜堆積工程で裏面につ（
５４０ｇ膜 ５・・・・配線用アルミニウム薄膜 ｌＯ・・・・Ｓｉウェハ基板 以上 出願人 セイコー電子工業株式会社 代理人 弁理士 林 敬 之 助 ある。
Claims (1)
- ＲＴＡ（ラビッド・サーマル・アニール）法を用いる半
導体装置の製造方法において、ＲＴＡによるアニール工
程を行う前に、ウェハの裏面洗浄を行うことを特徴とす
る半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21231490A JPH0494532A (ja) | 1990-08-10 | 1990-08-10 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21231490A JPH0494532A (ja) | 1990-08-10 | 1990-08-10 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0494532A true JPH0494532A (ja) | 1992-03-26 |
Family
ID=16620502
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21231490A Pending JPH0494532A (ja) | 1990-08-10 | 1990-08-10 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0494532A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004152920A (ja) * | 2002-10-30 | 2004-05-27 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法及び半導体製造工程の管理方法 |
-
1990
- 1990-08-10 JP JP21231490A patent/JPH0494532A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004152920A (ja) * | 2002-10-30 | 2004-05-27 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法及び半導体製造工程の管理方法 |
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