JPH0494154A - ヒートシンクの取付構造 - Google Patents
ヒートシンクの取付構造Info
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- JPH0494154A JPH0494154A JP2211964A JP21196490A JPH0494154A JP H0494154 A JPH0494154 A JP H0494154A JP 2211964 A JP2211964 A JP 2211964A JP 21196490 A JP21196490 A JP 21196490A JP H0494154 A JPH0494154 A JP H0494154A
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- heat sink
- case
- lsi
- heat
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 20
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract 3
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 claims description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 3
- BGPVFRJUHWVFKM-UHFFFAOYSA-N N1=C2C=CC=CC2=[N+]([O-])C1(CC1)CCC21N=C1C=CC=CC1=[N+]2[O-] Chemical compound N1=C2C=CC=CC2=[N+]([O-])C1(CC1)CCC21N=C1C=CC=CC1=[N+]2[O-] BGPVFRJUHWVFKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 4
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16195—Flat cap [not enclosing an internal cavity]
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明はヒートシンクの取付構造に関し、特に半導体の
大規模集積回路（ＬＳＩ）等の発生する熱の放熱を行う
ヒートシンクの取付構造に関する。
大規模集積回路（ＬＳＩ）等の発生する熱の放熱を行う
ヒートシンクの取付構造に関する。
［従来の技術］
従来、この種のＬＳＩ等の半導体集積回路の放熱作用を
行うヒートシンク取付構造を第２図を用いて説明する。
行うヒートシンク取付構造を第２図を用いて説明する。
図において、基板７上には半導体素子４が搭載されてい
るＬＳＩケース２が取付けられている。
るＬＳＩケース２が取付けられている。
このＬＳＩケース２の上面は断面櫛歯状に形成されてい
るヒートシンクｌの底面が取付は安いように平坦に形成
されている。このヒートシンク１は半導体素子４より発
生する熱の放熱作用を行うものである。このヒートシン
ク１の底面と前記ＬＳＩケース２の上面とは接着剤３で
接着固定されている。この接着剤３としては、例えば銀
粒子などの良熱伝導性のフィラーの入ったもの等が使用
されている。
るヒートシンクｌの底面が取付は安いように平坦に形成
されている。このヒートシンク１は半導体素子４より発
生する熱の放熱作用を行うものである。このヒートシン
ク１の底面と前記ＬＳＩケース２の上面とは接着剤３で
接着固定されている。この接着剤３としては、例えば銀
粒子などの良熱伝導性のフィラーの入ったもの等が使用
されている。
［発明が解決しようとする課題］
しかしながら、従来のヒートシンク取付構造は、ヒート
シンク１の底面とＬＳＩケース２の上面とを接着剤３に
より接着固定しているので、ヒートシンクｌとＬＳＩケ
ース２とを取り外すことができない。したがって、フラ
ットパック等の表面実装部品のプリント基板両面用搭載
時の組み立てにおいて、片面に部品を搭載した後、裏面
搭載時にヒートシンクの凹凸面があるためプリント基板
の保持が難しく、部品装着時やハンダ取付は時に障害と
なり、作業性が損なわれるという欠点がある。
シンク１の底面とＬＳＩケース２の上面とを接着剤３に
より接着固定しているので、ヒートシンクｌとＬＳＩケ
ース２とを取り外すことができない。したがって、フラ
ットパック等の表面実装部品のプリント基板両面用搭載
時の組み立てにおいて、片面に部品を搭載した後、裏面
搭載時にヒートシンクの凹凸面があるためプリント基板
の保持が難しく、部品装着時やハンダ取付は時に障害と
なり、作業性が損なわれるという欠点がある。
また、半導体素子の高集積化による発熱量の増大に伴い
ヒートシンクも大型化してヒートシンクの熱容量も大き
いため、ハンダ付工程での過熱ムラが生じてしまうとい
う欠点がある。
ヒートシンクも大型化してヒートシンクの熱容量も大き
いため、ハンダ付工程での過熱ムラが生じてしまうとい
う欠点がある。
更に、組立後のプリント基板の配線パターン改良時にも
ヒートシンクが接着固定されているので、配線パターン
カットや布線追加の作業が困難となるという欠点もある
。
ヒートシンクが接着固定されているので、配線パターン
カットや布線追加の作業が困難となるという欠点もある
。
［課題を解決するための手段］
本発明は上記欠点に鑑みてなされたものであって、内部
に半導体が搭載されたケースと、該ケースの放熱面に埋
め込まれた磁性体と、前記ケースの放熱面より発生する
熱を放熱させるヒートシンクと、該ヒートシンクの前記
ケースとの接触面倒に埋め込まれた航記ｍ性体と極性の
異なる磁性体とを備え、前記ケースとヒートシンクとを
吸着させることにより半導体で発生する熱を放熱させる
ように構成したものである。
に半導体が搭載されたケースと、該ケースの放熱面に埋
め込まれた磁性体と、前記ケースの放熱面より発生する
熱を放熱させるヒートシンクと、該ヒートシンクの前記
ケースとの接触面倒に埋め込まれた航記ｍ性体と極性の
異なる磁性体とを備え、前記ケースとヒートシンクとを
吸着させることにより半導体で発生する熱を放熱させる
ように構成したものである。
［実施例］
次に、本発明の実施例について図面を参照して詳細に説
明する。
明する。
第１図は１本発明の一実施例に係るヒートシンクの取付
構造を示す縦断面図である。なお、第２図に示す従来の
ヒートシンクの取付構造と同じ構成及び機能を有するも
のについては同じ符号を用いている。
構造を示す縦断面図である。なお、第２図に示す従来の
ヒートシンクの取付構造と同じ構成及び機能を有するも
のについては同じ符号を用いている。
第１図において、基板７上には半導体素子４が搭載され
ているＬＳＩケース２が取付けられている。このＬＳＩ
ケース２の上面にはＮ極の極性を有する磁石が埋め込ま
れており、その上面は凹凸面がないように形成されてい
る。また、このＬＳＩケース２の上面に取付けられる断
面櫛歯状に形成されたヒートシンク１の底部には、Ｓ極
の極性を有する磁石を埋め込み、その低面は凹凸面かな
いように形成されている。このヒートシンク１は半導体
素子４より発生する熱の放熱作用を行うものである。
ているＬＳＩケース２が取付けられている。このＬＳＩ
ケース２の上面にはＮ極の極性を有する磁石が埋め込ま
れており、その上面は凹凸面がないように形成されてい
る。また、このＬＳＩケース２の上面に取付けられる断
面櫛歯状に形成されたヒートシンク１の底部には、Ｓ極
の極性を有する磁石を埋め込み、その低面は凹凸面かな
いように形成されている。このヒートシンク１は半導体
素子４より発生する熱の放熱作用を行うものである。
上記構成よりなるヒートシンク１とＬＳＩケース２との
取付は方法について説明すると、まず基板７に半導体素
子４が搭載されているＬＳＩケース２を取付けた後、ヒ
ートシンク１の底面に埋め込まれたＳ極性の磁石とＬＳ
Ｉケース２の上面に埋め込まれたＮ極性の磁石とを合せ
る。これらヒートシンクｌの低面及びＬＳＩケース２の
上面には、凹凸面がないので両者は容易に吸着されて固
定される。したがって、ＬＳＩケース２内の半導体素子
４で発生した熱は、ＬＳＩケース２かもヒートシンク１
に伝わり空気中に放熱される。
取付は方法について説明すると、まず基板７に半導体素
子４が搭載されているＬＳＩケース２を取付けた後、ヒ
ートシンク１の底面に埋め込まれたＳ極性の磁石とＬＳ
Ｉケース２の上面に埋め込まれたＮ極性の磁石とを合せ
る。これらヒートシンクｌの低面及びＬＳＩケース２の
上面には、凹凸面がないので両者は容易に吸着されて固
定される。したがって、ＬＳＩケース２内の半導体素子
４で発生した熱は、ＬＳＩケース２かもヒートシンク１
に伝わり空気中に放熱される。
また、ヒートシンク１とＬＳＩケース２とを取り外す時
は両者は磁石により吸着されているのでヒートシンクｌ
をＬＳＩケース２より引き離せばよい。
は両者は磁石により吸着されているのでヒートシンクｌ
をＬＳＩケース２より引き離せばよい。
なお、本実施例ではヒートシンク１側に埋メ込まれだ磁
石にＳ極性のものを用い、ＬＳＩケース側に埋め込まれ
た磁石にＮ極性のものを用いているが、逆の場合でもよ
いことは勿論である。
石にＳ極性のものを用い、ＬＳＩケース側に埋め込まれ
た磁石にＮ極性のものを用いているが、逆の場合でもよ
いことは勿論である。
［発明の効果］
以上説明したように本発明によれば、半導体が搭載され
たケースの放熱面に磁性体を埋め込み、ヒートシンク側
に極性の異なる磁性体をケースとの接触面側に埋め込み
、ケースとヒートシンクとを吸着させて半導体素子より
発生する熱を放熱させるまうにしたので、ヒートシンク
の取付け、取外しを容易に行なうことができる。また１
本発明はヒートシンクを取外すことが容易にできるため
ケースをプリント基板にハンダ付けするときゃ検査のと
き、プリント基板のパターン改造時、布線追加時などに
おいてヒートシンクが障害となることがないという効果
がある。
たケースの放熱面に磁性体を埋め込み、ヒートシンク側
に極性の異なる磁性体をケースとの接触面側に埋め込み
、ケースとヒートシンクとを吸着させて半導体素子より
発生する熱を放熱させるまうにしたので、ヒートシンク
の取付け、取外しを容易に行なうことができる。また１
本発明はヒートシンクを取外すことが容易にできるため
ケースをプリント基板にハンダ付けするときゃ検査のと
き、プリント基板のパターン改造時、布線追加時などに
おいてヒートシンクが障害となることがないという効果
がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明の一実施例を示す縦断面図、第２図は
、従来のヒートシンクの取付構造を示す縦断面図である
。 ■ ・ヒートシンク、 ・ＬＳＩケー ス、 ・接着剤、 ・半導体素子、 Ｎ極磁石、 Ｓ極磁石、 ・・基 板。
、従来のヒートシンクの取付構造を示す縦断面図である
。 ■ ・ヒートシンク、 ・ＬＳＩケー ス、 ・接着剤、 ・半導体素子、 Ｎ極磁石、 Ｓ極磁石、 ・・基 板。
Claims (1)
- 内部に半導体が搭載されたケースと、該ケースの放熱
面に埋め込まれた磁性体と、前記ケースの放熱面より発
生する熱を放熱させるヒートシンクと、該ヒートシンク
の前記ケースとの接触面側に埋め込まれた前記磁性体と
極性の異なる磁性体とを備え、前記ケースとヒートシン
クとを吸着させることにより半導体で発生する熱を放熱
させるようにしたことを特徴とするヒートシンクの取付
構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2211964A JPH0494154A (ja) | 1990-08-10 | 1990-08-10 | ヒートシンクの取付構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2211964A JPH0494154A (ja) | 1990-08-10 | 1990-08-10 | ヒートシンクの取付構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0494154A true JPH0494154A (ja) | 1992-03-26 |
Family
ID=16614624
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2211964A Pending JPH0494154A (ja) | 1990-08-10 | 1990-08-10 | ヒートシンクの取付構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0494154A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20120014068A1 (en) * | 2010-07-15 | 2012-01-19 | Fujitsu Limited | Electronic device |
| JP2019012736A (ja) * | 2017-06-29 | 2019-01-24 | 三菱マテリアル株式会社 | 熱電変換モジュール、及び、熱電変換モジュールの使用方法 |
| US11557527B2 (en) | 2019-11-26 | 2023-01-17 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device and method of manufacturing radiation fin |
-
1990
- 1990-08-10 JP JP2211964A patent/JPH0494154A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20120014068A1 (en) * | 2010-07-15 | 2012-01-19 | Fujitsu Limited | Electronic device |
| JP2012104796A (ja) * | 2010-07-15 | 2012-05-31 | Fujitsu Ltd | 電子機器 |
| US8472195B2 (en) * | 2010-07-15 | 2013-06-25 | Fujitsu Limited | Electronic device |
| JP2019012736A (ja) * | 2017-06-29 | 2019-01-24 | 三菱マテリアル株式会社 | 熱電変換モジュール、及び、熱電変換モジュールの使用方法 |
| US11557527B2 (en) | 2019-11-26 | 2023-01-17 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device and method of manufacturing radiation fin |
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