JPH0494129A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（概要〕
半導体装置の製造方法に関し、
通常の集積回路で用いられる半導体酸化物上に高温超伝
導体をエピタキシャル成長することができ、高温超伝導
体配線を形成することができる半導体装置の製造方法を
提供することを目的とし、半導体基板内に加速された粒
子を注入する工程と、該半導体基板を熱処理して該粒子
と該半導体基板の間で化学結合により該半導体基板内に
絶縁層を形成するとともに、該絶縁層上に半導体層を形
成する工程と、該半導体層上に該半導体層の結晶方位に
対して一定の方位を有する多結晶あるいは単結晶層を形
成する工程とを含むように構成する。
導体をエピタキシャル成長することができ、高温超伝導
体配線を形成することができる半導体装置の製造方法を
提供することを目的とし、半導体基板内に加速された粒
子を注入する工程と、該半導体基板を熱処理して該粒子
と該半導体基板の間で化学結合により該半導体基板内に
絶縁層を形成するとともに、該絶縁層上に半導体層を形
成する工程と、該半導体層上に該半導体層の結晶方位に
対して一定の方位を有する多結晶あるいは単結晶層を形
成する工程とを含むように構成する。
本発明は情報処理用の集積回路、特に高温超伝導配線を
備えた集積回路の製造方法に関するものである。
備えた集積回路の製造方法に関するものである。
集積回路はその集積度の向上とともに、二つの論理ゲー
ト間を結ぶ配線の長さが長くなり、２Ｃ１１に及ぶもの
も珍しくな（なってきている。そのため、ゲート当たり
の信号遅延速度は長い配線を伴うゲートにおいては、配
線での信号遅延で律速されるようになった。この配線で
の信号遅延は主に、配線容量と配線抵抗で決定される。
ト間を結ぶ配線の長さが長くなり、２Ｃ１１に及ぶもの
も珍しくな（なってきている。そのため、ゲート当たり
の信号遅延速度は長い配線を伴うゲートにおいては、配
線での信号遅延で律速されるようになった。この配線で
の信号遅延は主に、配線容量と配線抵抗で決定される。
従って、より抵抗値の低い配線材料が要求されている。
現在集積回路で使用されている配線材料は、ポリシリコ
ン、シリサイド、Ｗ、Ｍｏ１，１等である。このうち最
も低抵抗の配線材料はＡ１であるので、長い配線に対し
ては通常Ａｌが用いられているが、このＡｌよりも更に
低抵抗の材料が望ましい。
ン、シリサイド、Ｗ、Ｍｏ１，１等である。このうち最
も低抵抗の配線材料はＡ１であるので、長い配線に対し
ては通常Ａｌが用いられているが、このＡｌよりも更に
低抵抗の材料が望ましい。
近年、液体窒素温度程度の比較的高温で超伝導となる、
セラミックの高温超伝導体が発見されたので、この材料
を集積回路に用いようという期待が高まっている。従来
からの金属の超伝導体では、超伝導体状態を保つには液
体Ｈｅ温度近くまで素子を冷却しなければならずコスト
がかかるがこの高温超伝導体の場合は液体窒素温度程度
の冷却で済むので比較的安価に冷却が可能である。また
将来室温の超伝導体が発見される期待もある。
セラミックの高温超伝導体が発見されたので、この材料
を集積回路に用いようという期待が高まっている。従来
からの金属の超伝導体では、超伝導体状態を保つには液
体Ｈｅ温度近くまで素子を冷却しなければならずコスト
がかかるがこの高温超伝導体の場合は液体窒素温度程度
の冷却で済むので比較的安価に冷却が可能である。また
将来室温の超伝導体が発見される期待もある。
集積回路は、半導体基板を用い、配線は半導体基板の上
につ（られた酸化股上に形成される。
につ（られた酸化股上に形成される。
方、セラミック高温超伝導体薄膜は、スパッタ、蒸着、
ＣＶＤ、ＭＢＥ等で形成されているが、どのような材料
の上にも付けられるわけではなく、特定の下地の上にエ
ピタキシャル成長しないと高い転移温度（Ｔｃ）をもつ
膜を得ることはできないや使用可能の下地材料は、Ｍｇ
Ｏ，Ｓ ｒＴｉｏ３、ＹＳＺ、Ｓｉ等の結晶に限られる
。
ＣＶＤ、ＭＢＥ等で形成されているが、どのような材料
の上にも付けられるわけではなく、特定の下地の上にエ
ピタキシャル成長しないと高い転移温度（Ｔｃ）をもつ
膜を得ることはできないや使用可能の下地材料は、Ｍｇ
Ｏ，Ｓ ｒＴｉｏ３、ＹＳＺ、Ｓｉ等の結晶に限られる
。
上記した従来の半導体装置の製造方法では、集積回路で
配線が形成される酸化膜はアモルファス状態であるため
、通常の集積回路で用いられる半導体酸化物上に高温超
伝導体をエピタキシャル成長することができず、高温超
伝導体配線を形成することができないという問題があっ
た。
配線が形成される酸化膜はアモルファス状態であるため
、通常の集積回路で用いられる半導体酸化物上に高温超
伝導体をエピタキシャル成長することができず、高温超
伝導体配線を形成することができないという問題があっ
た。
そこで、本発明は、通常の集積回路で用いられる半導体
酸化物上に高温超伝導体をエピタキシャル成長すること
ができ、高温超伝導体配線を形成することができる半導
体装置の製造方法を提供することを目的としている。
酸化物上に高温超伝導体をエピタキシャル成長すること
ができ、高温超伝導体配線を形成することができる半導
体装置の製造方法を提供することを目的としている。
本発明による半導体装置の製造方法は上記目的達成のた
め、半導体基板内に加速された粒子を注入する工程と、
該半導体基板を熱処理して該粒子と該半導体基板の間で
化学結合により該半導体基板内に絶縁層を形成するとと
もに、該絶縁層上に半導体層を形成する工程と、該半導
体層上に該半導体層の結晶方位に対して一定の方位を有
する多結晶あるいは単結晶層を形成する工程とを含むも
のである。
め、半導体基板内に加速された粒子を注入する工程と、
該半導体基板を熱処理して該粒子と該半導体基板の間で
化学結合により該半導体基板内に絶縁層を形成するとと
もに、該絶縁層上に半導体層を形成する工程と、該半導
体層上に該半導体層の結晶方位に対して一定の方位を有
する多結晶あるいは単結晶層を形成する工程とを含むも
のである。
本発明に係る半導体基板にはＳｉ等からなる基板が挙げ
られ、絶縁層（請求項１記載）にはシリコン酸化物から
なる絶縁層が挙げられる。
られ、絶縁層（請求項１記載）にはシリコン酸化物から
なる絶縁層が挙げられる。
本発明においては、多結晶あるいは単結晶層が導電性層
である場合であってもよく、この導電性層にはセラミッ
ク高温超伝導体からなる導電性層が挙げられる。また、
導電性層を形成する際、半導体層を酸化物に変換する場
合であってもよく、この酸化物に変換される半導体層に
はＳｉ等からなる半導体層が挙げられる。
である場合であってもよく、この導電性層にはセラミッ
ク高温超伝導体からなる導電性層が挙げられる。また、
導電性層を形成する際、半導体層を酸化物に変換する場
合であってもよく、この酸化物に変換される半導体層に
はＳｉ等からなる半導体層が挙げられる。
本発明においては、多結晶あるいは単結晶層が絶縁層で
ある場合であってもよく、この絶縁層にはスピネルとＭ
ｇＯが積層された絶縁層が挙げられる。また、このＭｇ
Ｏ膜上にこのＭｇＯ膜の結晶方位に対して一定の方位を
有する例えばセラミ、７り高温超伝導体等の多結晶ある
いは単結晶の導電性層を形成する場合であってもよい。
ある場合であってもよく、この絶縁層にはスピネルとＭ
ｇＯが積層された絶縁層が挙げられる。また、このＭｇ
Ｏ膜上にこのＭｇＯ膜の結晶方位に対して一定の方位を
有する例えばセラミ、７り高温超伝導体等の多結晶ある
いは単結晶の導電性層を形成する場合であってもよい。
本発明では、第１図に示すように、絶縁層２形成をいわ
ゆるＳ Ｉ ＭＯＸ （Ｓｅｐａｒａｔｉｏｎ ｂｙ
Ｉａ＋ｐｌａｒ＋ｔｅｄ Ｏｘｙｇｅｎ）で行う。即ち
、半導体基板ｌと化学反応をおこして絶縁物を形成する
物質（例えば酸素）を加速し、半導体基板１の中に絶縁
層２形成可能な濃度まで注入する。次いで、高温のアニ
ルを行うことにより、注入された物質と半導体が反応し
て絶縁層２を形成する。この時、加速された物質のエネ
ルギーを適宜選択することにより、絶縁層２上には薄い
結晶層の半導体層３が形成される。そして、この薄い半
導体層３上に高温超伝導体膜４を形成する。この場合、
この薄い半導体層３が充分薄いか、あるいは成長する高
温超伝導体膜４が充分厚ければ、高温超伝導体膜４形成
時にこの薄い半導体層３を半導体の酸化物に変えて絶縁
層３ａを形成することもできる（第２図）。
ゆるＳ Ｉ ＭＯＸ （Ｓｅｐａｒａｔｉｏｎ ｂｙ
Ｉａ＋ｐｌａｒ＋ｔｅｄ Ｏｘｙｇｅｎ）で行う。即ち
、半導体基板ｌと化学反応をおこして絶縁物を形成する
物質（例えば酸素）を加速し、半導体基板１の中に絶縁
層２形成可能な濃度まで注入する。次いで、高温のアニ
ルを行うことにより、注入された物質と半導体が反応し
て絶縁層２を形成する。この時、加速された物質のエネ
ルギーを適宜選択することにより、絶縁層２上には薄い
結晶層の半導体層３が形成される。そして、この薄い半
導体層３上に高温超伝導体膜４を形成する。この場合、
この薄い半導体層３が充分薄いか、あるいは成長する高
温超伝導体膜４が充分厚ければ、高温超伝導体膜４形成
時にこの薄い半導体層３を半導体の酸化物に変えて絶縁
層３ａを形成することもできる（第２図）。
また、本発明の別の方法としては、第３図に示すように
、上記薄い半導体層３の上に、スビぶル膜１１を成長し
、スピネル膜ｌｌ上にＭ ｇ Ｏ膜１２を成長した後、
ＭｇＯ膜１膜上２上温超伝導体膜４を成長することもで
きる。
、上記薄い半導体層３の上に、スビぶル膜１１を成長し
、スピネル膜ｌｌ上にＭ ｇ Ｏ膜１２を成長した後、
ＭｇＯ膜１膜上２上温超伝導体膜４を成長することもで
きる。
〔実施例］
以下、本発明を図面に基づいて説明する。
第１図は本発明に係る半導体装置の製造方法の一実施例
を説明する図であり、第１図において、１はＳｉ等から
なり面方位が例えば（１００）の基板、２はＳｉＯ□等
からなる絶縁層、３は単結晶Ｓｉ等からなる半導体層、
４は配線として機能し得るＹＢａ ｚ Ｃｕ ３０７−
Ｘ等からなる高温超伝導体膜である。
を説明する図であり、第１図において、１はＳｉ等から
なり面方位が例えば（１００）の基板、２はＳｉＯ□等
からなる絶縁層、３は単結晶Ｓｉ等からなる半導体層、
４は配線として機能し得るＹＢａ ｚ Ｃｕ ３０７−
Ｘ等からなる高温超伝導体膜である。
次に、その製造方法について説明する。
まず、第１図（ａ）、（ｂ）に示すように、例えば５７
０℃に基板ｌ加熱をした状態で、（１００）Ｓｉ基板１
ｃこ例えば酸素イオンを１５０ ＫｅＶで１．７ＸＩＯ
”ｃａ＋−２イオン注入し、基板１上に膜厚が例えば３
０００人のＣＶＤ法により形成したＳｉｎ、からなるキ
ヤ、７ブ膜（図示せず）を形成した後、例えば窒素雰囲
気で１２００℃、３時間のアニールを行って酸素粒子と
基板１の間で化学結合により基板ｌ内に膜厚が例えば０
．３μｍ程度のＳｉＯ□からなる絶縁層２を形成すると
ともに、絶縁層２上に膜厚が例えば０．２μｍ程度の単
結晶Ｓｉからなる半導体層３を形成する。この時、基板
１内に絶縁層２及び半導体層３が形成された３層構造の
ＳＩＭｏＸ構造が形成される。次いで、キャップ膜を除
去する。
０℃に基板ｌ加熱をした状態で、（１００）Ｓｉ基板１
ｃこ例えば酸素イオンを１５０ ＫｅＶで１．７ＸＩＯ
”ｃａ＋−２イオン注入し、基板１上に膜厚が例えば３
０００人のＣＶＤ法により形成したＳｉｎ、からなるキ
ヤ、７ブ膜（図示せず）を形成した後、例えば窒素雰囲
気で１２００℃、３時間のアニールを行って酸素粒子と
基板１の間で化学結合により基板ｌ内に膜厚が例えば０
．３μｍ程度のＳｉＯ□からなる絶縁層２を形成すると
ともに、絶縁層２上に膜厚が例えば０．２μｍ程度の単
結晶Ｓｉからなる半導体層３を形成する。この時、基板
１内に絶縁層２及び半導体層３が形成された３層構造の
ＳＩＭｏＸ構造が形成される。次いで、キャップ膜を除
去する。
次に、第１図（ｃ）に示すように、酸素プラズマ中で、
Ｙ ｓ Ｂ ａ 、Ｃｕを例えば蒸着により半導体層３
上に付着させて膜厚が例えば０．３μｍのＹＢ ａ ２
Ｃｕ ３０７−Ｘからなる高温超伝導体膜４を形成し
た。この時、基板１温度は例えば５２０°Ｃ１真空度は
例えば１ ｘｔｏ−”ｐ ａ 、成長速度は約０．２μ
ｍ ／ ｈであった。得られた高温超伝導体膜４はＣ軸
配向を示し、転移温度ＴＣ＝６３にであった。
Ｙ ｓ Ｂ ａ 、Ｃｕを例えば蒸着により半導体層３
上に付着させて膜厚が例えば０．３μｍのＹＢ ａ ２
Ｃｕ ３０７−Ｘからなる高温超伝導体膜４を形成し
た。この時、基板１温度は例えば５２０°Ｃ１真空度は
例えば１ ｘｔｏ−”ｐ ａ 、成長速度は約０．２μ
ｍ ／ ｈであった。得られた高温超伝導体膜４はＣ軸
配向を示し、転移温度ＴＣ＝６３にであった。
なお、上記実施例では、絶縁層２及び高温超伝導体膜４
間に導電性の高温超伝導体膜４を形成する場合について
説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、
第２図に示すように、高温超伝導体膜４を形成する際に
、薄膜の半導体層３を酸化して酸化物に変換して絶縁層
３ａを形成する場合であってもよい。
間に導電性の高温超伝導体膜４を形成する場合について
説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、
第２図に示すように、高温超伝導体膜４を形成する際に
、薄膜の半導体層３を酸化して酸化物に変換して絶縁層
３ａを形成する場合であってもよい。
上記各実施例は、半導体層３上に高温超伝導体膜４を形
成した場合と、半導体層３を酸化して形成された絶縁層
３ａ上に高温超伝導体膜４を形成する場合について説明
したが、本発明はこれらに限定されるものではなく、半
導体層３上に絶縁性の結晶層を成長させた後、高温超伝
導体膜４をその絶縁性結晶層上に形成する場合であって
もよい。
成した場合と、半導体層３を酸化して形成された絶縁層
３ａ上に高温超伝導体膜４を形成する場合について説明
したが、本発明はこれらに限定されるものではなく、半
導体層３上に絶縁性の結晶層を成長させた後、高温超伝
導体膜４をその絶縁性結晶層上に形成する場合であって
もよい。
以下、具体的に図面を用いて説明する。
第３図は本発明に係る半導体装置の製造方法の他の実施
例を説明する図である。第３図において、第１図と同一
符号は同一または相当部分を示し、１１はＡｆ−Ｍｇ−
０等からなるスピネル膜、１２はＭｇＯ膜である。
例を説明する図である。第３図において、第１図と同一
符号は同一または相当部分を示し、１１はＡｆ−Ｍｇ−
０等からなるスピネル膜、１２はＭｇＯ膜である。
次に、その製造方法について説明する。
まず、第３図（ａ）、（ｂ）に示すように、例えば５７
０°Ｃに基板１加熱をした状態で、（１００）Ｓｉ基板
１に例えば酸素イオンを１５０ ＫｅＶテ１．７ＸＩＯ
１８ｃｍ−”イオン注入し、基板１上に膜厚が例えば３
０００人のＣＶＤ法により形成したＳｉＯ□からなるキ
ャップ膜（図示せず）を形成した後、例えば窒素雰囲気
で１２００°Ｃ１３時間のアニールを行って酸素粒子と
基板１の間で化学結合により基板１内に膜厚が例えば０
．３μｍ程度のＳｉｎ、からなる絶縁層２を形成すると
ともに、絶縁層２上に膜厚が例えば０．２μｍ程度の単
結晶Ｓｉからなる半導体層３を形成する。この時、基板
ｌ内に絶縁層２及び半導体層３が形成された３層構造の
ＳＩＭＯＸ構造が形成される。次いで、キャップ膜ヲ除
去する。
０°Ｃに基板１加熱をした状態で、（１００）Ｓｉ基板
１に例えば酸素イオンを１５０ ＫｅＶテ１．７ＸＩＯ
１８ｃｍ−”イオン注入し、基板１上に膜厚が例えば３
０００人のＣＶＤ法により形成したＳｉＯ□からなるキ
ャップ膜（図示せず）を形成した後、例えば窒素雰囲気
で１２００°Ｃ１３時間のアニールを行って酸素粒子と
基板１の間で化学結合により基板１内に膜厚が例えば０
．３μｍ程度のＳｉｎ、からなる絶縁層２を形成すると
ともに、絶縁層２上に膜厚が例えば０．２μｍ程度の単
結晶Ｓｉからなる半導体層３を形成する。この時、基板
ｌ内に絶縁層２及び半導体層３が形成された３層構造の
ＳＩＭＯＸ構造が形成される。次いで、キャップ膜ヲ除
去する。
次に、第３図（ｃ）に示すように、例えばＣＶＤ法によ
り半導体層３上に１４２−’Ｍ’ｇ−０を堆積して膜厚
が例えば０．２μｍのスピネル膜１１を形成する。
り半導体層３上に１４２−’Ｍ’ｇ−０を堆積して膜厚
が例えば０．２μｍのスピネル膜１１を形成する。
次に、第３図（ｄ）に示すように、例えばＣＶＤ法によ
りスピネル膜１１上に膜厚が例えば０．２μｍのＭｇＯ
膜１２を形成する。
りスピネル膜１１上に膜厚が例えば０．２μｍのＭｇＯ
膜１２を形成する。
次に、第３図（ｅ）に示すように、酸素プラズマ中で、
Ｙ、Ｂａ、Ｃｕを例えば蒸着により半導体層３上に付着
させて膜厚が例えば０，３μｍのＹＢａｚ Ｃｕ、Ｏ，
ｒ−ｘからなる高温超伝導体膜４を形成した。基板１温
度は、例えば５２０”Ｃ１真空度は例えば１ ｘｔｏ−
”ｐ ａ、成長温度は約０．２ｐｍ／ｈであった。得ら
れた高温超伝導体膜４はＣ軸配向を示し、転移温度ＴＣ
＝６３にであった。
Ｙ、Ｂａ、Ｃｕを例えば蒸着により半導体層３上に付着
させて膜厚が例えば０，３μｍのＹＢａｚ Ｃｕ、Ｏ，
ｒ−ｘからなる高温超伝導体膜４を形成した。基板１温
度は、例えば５２０”Ｃ１真空度は例えば１ ｘｔｏ−
”ｐ ａ、成長温度は約０．２ｐｍ／ｈであった。得ら
れた高温超伝導体膜４はＣ軸配向を示し、転移温度ＴＣ
＝６３にであった。
〔発明の効果］
本発明によれば、通常の集積回路で用いられる半導体酸
化物上に高温超伝導体をエピタキシャル成長することが
でき、高温超伝導体配線を形成することかできるという
効果がある。
化物上に高温超伝導体をエピタキシャル成長することが
でき、高温超伝導体配線を形成することかできるという
効果がある。
第１図は本発明に係る半導体装置の製造方法の一実施例
の製造方法を説明する図、 第２図及び第３図は他の実施例の製造方法を説明する図
である。 ３ａ、絶縁層 他の実施例の製造方法を説明する同 第２図 ■・・・・・・基板、 ２・・・・・・絶縁層、 ３・・・・・・半導体層、 ３ａ・・・・・・絶縁層、 ４・・・・・・高温超伝導体膜、 １１・・・・・・スピネル膜、 １２・・・・・・ＭｇＯ膜。 他の実施例の製造方法を説明する図 第３図 奪 ＝ 艙 報 １ｌＩＩｉｌｌ 四 升 （ →鄭 ・叶 Ｏ ′１ｊ− Ｋ 芝
の製造方法を説明する図、 第２図及び第３図は他の実施例の製造方法を説明する図
である。 ３ａ、絶縁層 他の実施例の製造方法を説明する同 第２図 ■・・・・・・基板、 ２・・・・・・絶縁層、 ３・・・・・・半導体層、 ３ａ・・・・・・絶縁層、 ４・・・・・・高温超伝導体膜、 １１・・・・・・スピネル膜、 １２・・・・・・ＭｇＯ膜。 他の実施例の製造方法を説明する図 第３図 奪 ＝ 艙 報 １ｌＩＩｉｌｌ 四 升 （ →鄭 ・叶 Ｏ ′１ｊ− Ｋ 芝
Claims (5)
- （１）半導体基板（１）内に加速された粒子を注入する
工程と、 該半導体基板（１）を熱処理して該粒子と該半導体基板
（１）の間で化学結合により該半導体基板（１）内に絶
縁層（２）を形成するとともに、該絶縁層（２）上に半
導体層（３）を形成する工程と、 該半導体層（３）上に該半導体層（３）の結晶方位に対
して一定の方位を有する多結晶あるいは単結晶層を形成
する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方
法。 - （２）前記多結晶あるいは単結晶層が酸化物の導電性層
（４）であることを特徴とする請求項１記載の半導体装
置の製造方法。 - （３）前記多結晶あるいは単結晶層が絶縁層（１１、１
２）であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置
の製造方法。 - （４）前記導電性層（４）を形成する際に、半導体層（
３）を酸化物に変換することを特徴とする請求項２記載
の半導体装置の製造方法。 - （５）前記絶縁層（１２）の結晶方位に対して一定の方
位を有する多結晶あるいは単結晶の酸化物の導電性層（
４）を前記絶縁層（１２）上に形成することを特徴とす
る請求項３記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02212385A JP3096050B2 (ja) | 1990-08-09 | 1990-08-09 | 半導体装置の製造方法 |
| EP91307200A EP0470806B1 (en) | 1990-08-09 | 1991-08-06 | Active device having an oxide superconductor and a fabrication process thereof |
| DE69116471T DE69116471T2 (de) | 1990-08-09 | 1991-08-06 | Aktive Einrichtung mit oxydischem Supraleiter und deren Herstellungsprozess |
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| US07/742,231 US5231077A (en) | 1990-08-09 | 1991-08-08 | Active device having an oxide superconductor and a fabrication process thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02212385A JP3096050B2 (ja) | 1990-08-09 | 1990-08-09 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0494129A true JPH0494129A (ja) | 1992-03-26 |
| JP3096050B2 JP3096050B2 (ja) | 2000-10-10 |
Family
ID=16621708
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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Country Status (5)
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|---|---|
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| EP (1) | EP0470806B1 (ja) |
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| DE (1) | DE69116471T2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0605300A1 (fr) * | 1992-12-28 | 1994-07-06 | Commissariat A L'energie Atomique | Procédé de fabrication d'accéléromètres utilisant la technologie silicium sur isolant et accéléromètre obtenu par un tel procédé |
| KR100739098B1 (ko) * | 2005-12-21 | 2007-07-12 | 주식회사 실트론 | 실리콘 웨이퍼 및 그 제조 방법 |
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|---|---|---|---|---|
| US5821598A (en) * | 1995-02-01 | 1998-10-13 | Research Corporation Technologies, Inc. | Uncooled amorphous YBaCuO thin film infrared detector |
| US5572060A (en) * | 1995-02-01 | 1996-11-05 | Southern Methodist University | Uncooled YBaCuO thin film infrared detector |
| US6329703B1 (en) * | 1998-02-25 | 2001-12-11 | Infineon Technologies Ag | Contact between a monocrystalline silicon region and a polycrystalline silicon structure and method for producing such a contact |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4749660A (en) * | 1986-11-26 | 1988-06-07 | American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories | Method of making an article comprising a buried SiO2 layer |
| US5017551A (en) * | 1987-05-04 | 1991-05-21 | Eastman Kodak Company | Barrier layer containing conductive articles |
| CA1336566C (en) * | 1987-05-31 | 1995-08-08 | Naoji Fujimori | Superconducting thin film |
| JPH0244781A (ja) * | 1988-08-05 | 1990-02-14 | Canon Inc | 超伝導素子およびその製造方法 |
| US5047390A (en) * | 1988-10-03 | 1991-09-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Josephson devices and process for manufacturing the same |
| US4970395A (en) * | 1988-12-23 | 1990-11-13 | Honeywell Inc. | Wavelength tunable infrared detector based upon super-schottky or superconductor-insulator-superconductor structures employing high transition temperature superconductors |
| JPH02212306A (ja) * | 1989-02-14 | 1990-08-23 | Seiko Epson Corp | 酸化物超伝導薄膜 |
-
1990
- 1990-08-09 JP JP02212385A patent/JP3096050B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1991
- 1991-08-06 EP EP91307200A patent/EP0470806B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-08-06 DE DE69116471T patent/DE69116471T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1991-08-07 KR KR1019910013633A patent/KR940003745B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1991-08-08 US US07/742,231 patent/US5231077A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0605300A1 (fr) * | 1992-12-28 | 1994-07-06 | Commissariat A L'energie Atomique | Procédé de fabrication d'accéléromètres utilisant la technologie silicium sur isolant et accéléromètre obtenu par un tel procédé |
| KR100739098B1 (ko) * | 2005-12-21 | 2007-07-12 | 주식회사 실트론 | 실리콘 웨이퍼 및 그 제조 방법 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR940003745B1 (ko) | 1994-04-28 |
| DE69116471T2 (de) | 1996-05-30 |
| DE69116471D1 (de) | 1996-02-29 |
| EP0470806A2 (en) | 1992-02-12 |
| KR920005397A (ko) | 1992-03-28 |
| JP3096050B2 (ja) | 2000-10-10 |
| EP0470806B1 (en) | 1996-01-17 |
| EP0470806A3 (en) | 1992-06-10 |
| US5231077A (en) | 1993-07-27 |
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