KR100739098B1 - 실리콘 웨이퍼 및 그 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
바륨이 도핑되지 않은 경우 | 바륨 ~E8atoms/cc | 바륨 ~E10atoms/cc | 바륨 ~E12atoms/cc |
95개/㎠ | None | None | None |
샘플 | 비저항 6Ω·㎝ | 비저항 14Ω·㎝ | 비저항 27Ω·㎝ |
바륨이 도핑되지 않은 경우 | None | None | 95개/㎠ |
바륨 ~E10 atoms/cc | None | None | None |
초기산소농도 | 10ppma | 13ppma | 14ppma |
바륨이 도핑되지 않은 경우 | None | 95개/㎠ | 145개/㎠ |
바륨 ~E10atoms/cc | None | None | None |
Claims (17)
- 쵸크랄스키 법으로 성장된 실리콘 단결정 잉곳으로부터 제작되는 실리콘 웨이퍼에 있어서,Ba 농도가 1E8~1E10 atoms/cc인 실리콘 웨이퍼.
- 제 1 항에 있어서,초기산소농도가 8.0 ~ 14ppma[New ASTM] 인 실리콘 웨이퍼.
- 제 1 항에 있어서,비저항 값이 15 Ω·㎝ 이상인 실리콘 웨이퍼.
- 제 1 항에 있어서,900 ~ 1000℃ 온도구간에서 수행되는 열처리 공정 후 산화유도적층결함(OiSFs) 링이 베이컨시 풍부 영역 안에서 발생되지 않은 실리콘 웨이퍼.
- 제 1 항에 있어서,산소 분위기의 800℃에서 5℃/min로 온도를 상승시켜 1100℃에서 100min동안 유지하고 3℃/min씩 온도를 하강시키는 열처리 공정 후 산화유도적층결함(OiSFs) 링이 베이컨시 풍부 영역 안에서 발생되지 않는 실리콘 웨이퍼.
- 제 1 항에 있어서,베이컨시 풍부 영역이 전체 웨이퍼 반경의 80% 이상을 차지하는 실리콘 웨이퍼.
- 제 5 항에 있어서,상기 산화유도적층결함(OiSFs) 링이 상기 웨이퍼 반경의 90% 이상 바깥쪽에 위치하는 실리콘 웨이퍼.
- 제 7 항에 있어서,상기 열처리 공정을 통해서 베이컨시 풍부 영역과 상기 산화유도적층결함(OiSFs)-링이 X선 토포그래피에 의해서 구별되지 않은 실리콘 웨이퍼.
- 제 8 항에 있어서,상기 열처리 공정은 800℃에서 4시간 동안 수행되고 1000℃에서 16시간 동안 수행되는 실리콘 웨이퍼.
- 바륨을 도핑하면서 실리콘 단결정 잉곳을 인상시키는 단계,상기 잉곳의 수직단면을 산소 분위기하에 800℃에서 4시간 열처리하고, 이어서 1000℃에서 16시간 열처리하는 단계,상기 잉곳을 슬라이싱하여 실리콘 웨이퍼를 제조하는 실리콘 웨이퍼 제조방법.
- 제 10 항에 있어서,상기 인상속도를 V (mm/분)로 하고, 실리콘 융점에서 1300℃까지의 온도 범위로 상기 잉곳의 중심에서의 축 방향의 온도 구배를 G (℃/mm)로 하는 경우, V/G값을 제어하는 실리콘 웨이퍼 제조방법.
- 제 10 항에 있어서,상기 바륨은 탄산바륨의 형태로 첨가되지만, 바륨 산소염, 바륨 탄산염, 바륨 규산염 등에 의해 원소 또는 이온의 형태로 첨가되는 실리콘 웨이퍼 제조방법.
- 제 10 항에 있어서,초기산소농도를 8.0 ~ 14ppma[New ASTM] 으로 하는 실리콘 웨이퍼 제조방법.
- 제 10 항에 있어서,상기 바륨의 농도가 1E8~1E10 atoms/cc인 실리콘 웨이퍼 제조방법.
- 제 10 항에 있어서,상기 단결정 잉곳의 비저항 값이 15 Ω·㎝ 이상인 실리콘 웨이퍼 제조방법.
- 제 10 항에 있어서,상기 바륨이 도핑된 경우 바륨이 도핑되지 않은 경우에 비해 10% 이상 증가되는 산화적층영역을 갖는 실리콘 웨이퍼 제조방법.
- 제 10 항에 있어서,상기 바륨이 도핑된 경우 바륨이 도핑되지 않은 경우에 비해 30℃ 고온 영역에서 보이드 핵 형성영역을 갖는 실리콘 웨이퍼 제조방법.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020050127357A KR100739098B1 (ko) | 2005-12-21 | 2005-12-21 | 실리콘 웨이퍼 및 그 제조 방법 |
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KR1020050127357A KR100739098B1 (ko) | 2005-12-21 | 2005-12-21 | 실리콘 웨이퍼 및 그 제조 방법 |
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KR20070066327A KR20070066327A (ko) | 2007-06-27 |
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Family
ID=38365392
Family Applications (1)
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KR1020050127357A KR100739098B1 (ko) | 2005-12-21 | 2005-12-21 | 실리콘 웨이퍼 및 그 제조 방법 |
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Country | Link |
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KR (1) | KR100739098B1 (ko) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60161635A (ja) | 1984-02-02 | 1985-08-23 | Nec Corp | 電子デバイス用基板 |
US4996187A (en) | 1988-10-17 | 1991-02-26 | Allied-Signal Inc. | Epitaxial Ba-Y-Cu-O superconductor film |
JPH03153022A (ja) * | 1989-11-10 | 1991-07-01 | Seiko Epson Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH0494129A (ja) * | 1990-08-09 | 1992-03-26 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
2005
- 2005-12-21 KR KR1020050127357A patent/KR100739098B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (4)
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JPS60161635A (ja) | 1984-02-02 | 1985-08-23 | Nec Corp | 電子デバイス用基板 |
US4996187A (en) | 1988-10-17 | 1991-02-26 | Allied-Signal Inc. | Epitaxial Ba-Y-Cu-O superconductor film |
JPH03153022A (ja) * | 1989-11-10 | 1991-07-01 | Seiko Epson Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH0494129A (ja) * | 1990-08-09 | 1992-03-26 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
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KR20070066327A (ko) | 2007-06-27 |
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