JPH11243234A - 超伝導素子、及びその製造方法 - Google Patents
超伝導素子、及びその製造方法Info
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- JPH11243234A JPH11243234A JP10043782A JP4378298A JPH11243234A JP H11243234 A JPH11243234 A JP H11243234A JP 10043782 A JP10043782 A JP 10043782A JP 4378298 A JP4378298 A JP 4378298A JP H11243234 A JPH11243234 A JP H11243234A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Containers, Films, And Cooling For Superconductive Devices (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 安価な基板上に軸配向が整いかつ超伝導特性
の優れた超伝導薄膜を有する超伝導素子、及びその製造
方法を提供する。 【解決手段】 下地基板と、下地基板上に形成されたＡ
ｌ膜と、Ａｌ膜上に形成されたｃ軸配向ＹＢＣＯ膜と、
から超伝導素子を構成する。下地基板とＹＢＣＯ膜との
間にＡｌ膜を中間層として介在させることにより、その
上に成膜するＹＢＣＯ膜のｃ軸配向性を高めることがで
きる。下地基板としてはアモルファス基板であっても良
く、中でもＹＢＣＯ膜と線膨張率のほぼ等しいソーダカ
リガラスが好適である。Ａｌ膜とｃ軸配向ＹＢＣＯ膜と
の間にアモルファス層を介在させることにより、成膜時
および熱処理時の基板材料と超伝導材料との相互拡散を
効果的に抑制することができる。このアモルファス層と
しては、ＡｌＯＸを用いることが好適である。
の優れた超伝導薄膜を有する超伝導素子、及びその製造
方法を提供する。 【解決手段】 下地基板と、下地基板上に形成されたＡ
ｌ膜と、Ａｌ膜上に形成されたｃ軸配向ＹＢＣＯ膜と、
から超伝導素子を構成する。下地基板とＹＢＣＯ膜との
間にＡｌ膜を中間層として介在させることにより、その
上に成膜するＹＢＣＯ膜のｃ軸配向性を高めることがで
きる。下地基板としてはアモルファス基板であっても良
く、中でもＹＢＣＯ膜と線膨張率のほぼ等しいソーダカ
リガラスが好適である。Ａｌ膜とｃ軸配向ＹＢＣＯ膜と
の間にアモルファス層を介在させることにより、成膜時
および熱処理時の基板材料と超伝導材料との相互拡散を
効果的に抑制することができる。このアモルファス層と
しては、ＡｌＯＸを用いることが好適である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、種々の基板上に超
伝導薄膜を形成することのできる超伝導素子の製造方
法、及び超伝導素子に関し、特にｃ軸配向を有するＹＢ
ＣＯ系超伝導素子及びその製造方法に関する。
伝導薄膜を形成することのできる超伝導素子の製造方
法、及び超伝導素子に関し、特にｃ軸配向を有するＹＢ
ＣＯ系超伝導素子及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】現在、超伝導体を電子回路に応用するた
めの研究が多数行われている。このような研究におい
て、十分な超伝導特性を得るためには軸配向の揃った高
配向（エピタキシャル）の超伝導薄膜を成膜する必要が
あり、その成膜方法の確立が重要な課題となっている。
めの研究が多数行われている。このような研究におい
て、十分な超伝導特性を得るためには軸配向の揃った高
配向（エピタキシャル）の超伝導薄膜を成膜する必要が
あり、その成膜方法の確立が重要な課題となっている。
【０００３】従来より、ＹＢＣＯ系超伝導薄膜を下地基
板上に成膜するに際しては、成膜中あるいは成膜後の熱
処理時に起こる下地基板と超伝導材料との化学反応によ
る相互拡散が問題となっている。この相互拡散による超
伝導特性の劣化を防ぐために、下地基板と超伝導薄膜と
の間にバッファ層を介在させる方法が一般的に行われて
いる。この場合、バッファ層にはＺｒＯ2やＡｇ等が好
適な材料として用いられている。しかし、これらの材料
は超伝導材料との格子定数の不整合が大きく、成膜時及
び成膜後の熱処理時に超伝導体に大きな歪みが生じる結
果、得られる超伝導薄膜の配向は無秩序となり、その結
果、膜は平滑なものとはならず、相互拡散は防止できる
ものの、超伝導特性の劣化という新たな問題を引き起こ
すことになる。
板上に成膜するに際しては、成膜中あるいは成膜後の熱
処理時に起こる下地基板と超伝導材料との化学反応によ
る相互拡散が問題となっている。この相互拡散による超
伝導特性の劣化を防ぐために、下地基板と超伝導薄膜と
の間にバッファ層を介在させる方法が一般的に行われて
いる。この場合、バッファ層にはＺｒＯ2やＡｇ等が好
適な材料として用いられている。しかし、これらの材料
は超伝導材料との格子定数の不整合が大きく、成膜時及
び成膜後の熱処理時に超伝導体に大きな歪みが生じる結
果、得られる超伝導薄膜の配向は無秩序となり、その結
果、膜は平滑なものとはならず、相互拡散は防止できる
ものの、超伝導特性の劣化という新たな問題を引き起こ
すことになる。
【０００４】一方、下地基板と超伝導材料との格子定数
の不整合の問題を解消する方法として、成膜する超伝導
材料の格子定数と近い格子定数を有する材料を下地基板
として用いる方法がとられている。この方法において
は、例えば、ＮｄＧａＯ3、ＳｒＴｉＯ3、ＬａＡｌＯ3
等の単結晶基板が下地基板として用いられる。これらの
材料を下地基板として用いることにより、良好な超伝導
特性を有するｃ軸配向ＹＢＣＯ系超伝導薄膜が現実に得
られており、そのデバイス応用のための研究が進められ
ている。
の不整合の問題を解消する方法として、成膜する超伝導
材料の格子定数と近い格子定数を有する材料を下地基板
として用いる方法がとられている。この方法において
は、例えば、ＮｄＧａＯ3、ＳｒＴｉＯ3、ＬａＡｌＯ3
等の単結晶基板が下地基板として用いられる。これらの
材料を下地基板として用いることにより、良好な超伝導
特性を有するｃ軸配向ＹＢＣＯ系超伝導薄膜が現実に得
られており、そのデバイス応用のための研究が進められ
ている。
【０００５】しかしながら、ＮｄＧａＯ3、ＳｒＴｉ
Ｏ3、ＬａＡｌＯ3等は、その単結晶基板の作成が非常に
困難なため極めて高価であり、また大面積のものが得ら
れにくく、実用化には不向きであるという欠点を有して
いる。
Ｏ3、ＬａＡｌＯ3等は、その単結晶基板の作成が非常に
困難なため極めて高価であり、また大面積のものが得ら
れにくく、実用化には不向きであるという欠点を有して
いる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】このように、従来にお
いてはＹＢＣＯ系超伝導材料を用いて、軸配向が整いか
つ超伝導特性の優れた超伝導薄膜を作成するためには、
極めて高価な単結晶基板を使用する必要があった。
いてはＹＢＣＯ系超伝導材料を用いて、軸配向が整いか
つ超伝導特性の優れた超伝導薄膜を作成するためには、
極めて高価な単結晶基板を使用する必要があった。
【０００７】従って本発明の目的は、安価な基板上に軸
配向が整いかつ超伝導特性の優れた超伝導薄膜を有する
超伝導素子、及びその製造方法を提供することにある。
配向が整いかつ超伝導特性の優れた超伝導薄膜を有する
超伝導素子、及びその製造方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに、本発明の請求項１記載の超伝導素子は、下地基板
と、下地基板上に形成されたＡｌ膜と、Ａｌ膜上に形成
されたｃ軸配向ＹＢＣＯ膜と、からなる。
めに、本発明の請求項１記載の超伝導素子は、下地基板
と、下地基板上に形成されたＡｌ膜と、Ａｌ膜上に形成
されたｃ軸配向ＹＢＣＯ膜と、からなる。
【０００９】このように、下地基板とＹＢＣＯ膜との間
にＡｌ膜を中間層として介在させることにより、高配向
なｃ軸配向を有するＹＢＣＯ膜を形成することができ
る。この時、下地基板には既知の種々の基板を使用する
ことができる。つまり、使用する下地基板の違いに拘わ
らず、Ａｌ膜を中間層として介在させることによりその
上に成膜するＹＢＣＯ膜のｃ軸配向性を高めることがで
きる。
にＡｌ膜を中間層として介在させることにより、高配向
なｃ軸配向を有するＹＢＣＯ膜を形成することができ
る。この時、下地基板には既知の種々の基板を使用する
ことができる。つまり、使用する下地基板の違いに拘わ
らず、Ａｌ膜を中間層として介在させることによりその
上に成膜するＹＢＣＯ膜のｃ軸配向性を高めることがで
きる。
【００１０】下地基板としてはアモルファス基板であっ
ても良く、中でもＹＢＣＯ膜と線膨張率のほぼ等しいソ
ーダカリガラスが好適である。その他の好適な下地基板
としては、製造コストが安く、大型の単結晶基板を比較
的容易に作成することのできるシリコン、サファイア等
が挙げられる。
ても良く、中でもＹＢＣＯ膜と線膨張率のほぼ等しいソ
ーダカリガラスが好適である。その他の好適な下地基板
としては、製造コストが安く、大型の単結晶基板を比較
的容易に作成することのできるシリコン、サファイア等
が挙げられる。
【００１１】中間層となるＡｌ膜は、その表面が（１１
１）面となるように成膜することが望ましい。（１１
１）面の膜上にＹＢＣＯ膜を形成することにより、より
配向性の高いｃ軸配向ＹＢＣＯ膜を形成することができ
るからである。
１）面となるように成膜することが望ましい。（１１
１）面の膜上にＹＢＣＯ膜を形成することにより、より
配向性の高いｃ軸配向ＹＢＣＯ膜を形成することができ
るからである。
【００１２】また、本発明の請求項２記載の超伝導素子
は、請求項１記載のＡｌ膜とｃ軸配向ＹＢＣＯ膜との間
に、アモルファス層が介在している。
は、請求項１記載のＡｌ膜とｃ軸配向ＹＢＣＯ膜との間
に、アモルファス層が介在している。
【００１３】このように、Ａｌ膜とｃ軸配向ＹＢＣＯ膜
との間にアモルファス層を介在させることにより、成膜
時および熱処理時の基板材料と超伝導材料との相互拡散
を効果的に抑制することができる。このアモルファス層
としては、ＡｌＯXを用いることが好適である。なぜな
ら、特段の成膜工程を追加しなくても、中間層であるＡ
ｌ膜の形成後に所定の酸素雰囲気中にさらすことで容易
にＡｌＯXを形成することができるからである。また、
このアモルファス層はＡｌ（１１１）面の原子の同期性
を反映しているので、ｃ軸配向ＹＢＣＯ膜のシード層と
しても作用する。
との間にアモルファス層を介在させることにより、成膜
時および熱処理時の基板材料と超伝導材料との相互拡散
を効果的に抑制することができる。このアモルファス層
としては、ＡｌＯXを用いることが好適である。なぜな
ら、特段の成膜工程を追加しなくても、中間層であるＡ
ｌ膜の形成後に所定の酸素雰囲気中にさらすことで容易
にＡｌＯXを形成することができるからである。また、
このアモルファス層はＡｌ（１１１）面の原子の同期性
を反映しているので、ｃ軸配向ＹＢＣＯ膜のシード層と
しても作用する。
【００１４】さらに、本発明の請求項６に記載の超伝導
素子の製造方法は、下地基板の準備工程と、下地基板に
Ａｌ膜を形成する工程と、Ａｌ膜上にＹＢＣＯ膜を形成
する工程と、を有してなる。
素子の製造方法は、下地基板の準備工程と、下地基板に
Ａｌ膜を形成する工程と、Ａｌ膜上にＹＢＣＯ膜を形成
する工程と、を有してなる。
【００１５】加えて、本発明の請求項７に記載の超伝導
素子の製造方法は、下地基板の準備工程と、下地基板に
Ａｌ膜を形成する工程と、Ａｌ膜表面を酸化する工程
と、表面の酸化されたＡｌ膜上にＹＢＣＯ膜を形成する
工程と、を有してなる。
素子の製造方法は、下地基板の準備工程と、下地基板に
Ａｌ膜を形成する工程と、Ａｌ膜表面を酸化する工程
と、表面の酸化されたＡｌ膜上にＹＢＣＯ膜を形成する
工程と、を有してなる。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の超伝導素子の具体
的な実施例について、図を参照して説明する。
的な実施例について、図を参照して説明する。
【００１７】［第１実施例、図１〜図４］図１は、本発
明の超伝導素子５の膜構成を示す断面図である。図１に
おいて、４は超伝導薄膜を作成するための下地基板を示
しており、本実施例では、安価なアモルファス基板であ
るソーダカリガラスを使用している。３はＡｌ膜を示し
ており、膜は（１１１）配向でその表面は（１１１）面
となっている。２はアモルファス層を示しており、本実
施例では、Ａｌ膜３の表面を酸化して形成したＡｌＯX
からなる。１は超伝導薄膜を示しており、ＹＢＣＯ系超
伝導材料からなる。
明の超伝導素子５の膜構成を示す断面図である。図１に
おいて、４は超伝導薄膜を作成するための下地基板を示
しており、本実施例では、安価なアモルファス基板であ
るソーダカリガラスを使用している。３はＡｌ膜を示し
ており、膜は（１１１）配向でその表面は（１１１）面
となっている。２はアモルファス層を示しており、本実
施例では、Ａｌ膜３の表面を酸化して形成したＡｌＯX
からなる。１は超伝導薄膜を示しており、ＹＢＣＯ系超
伝導材料からなる。
【００１８】以下、超伝導素子５の製造方法について説
明する。
明する。
【００１９】まず、ソーダカリガラスからなる下地基板
４を用意する。
４を用意する。
【００２０】次いで、一般的な真空蒸着法を用いて、下
地基板４上にＡｌ膜３を形成する。成膜条件としては、
例えば、真空度：１×１０-5Ｔｏｒｒ、基板温度：１０
０℃の条件下で、膜厚２０００Åとなるまで成膜を行
う。これにより、Ａｌ膜３はその優先配向面である（１
１１）面が表面となるように成膜される。図２に、前記
条件の下で成膜したＡｌ膜３のＸ線回折の結果を示す。
図より、ガラスのアモルファス状態に対応するブロード
のピークとともに、Ａｌ膜３の（１１１）面のピークが
見られ、表面が（１１１）面となっていることが確認で
きる。
地基板４上にＡｌ膜３を形成する。成膜条件としては、
例えば、真空度：１×１０-5Ｔｏｒｒ、基板温度：１０
０℃の条件下で、膜厚２０００Åとなるまで成膜を行
う。これにより、Ａｌ膜３はその優先配向面である（１
１１）面が表面となるように成膜される。図２に、前記
条件の下で成膜したＡｌ膜３のＸ線回折の結果を示す。
図より、ガラスのアモルファス状態に対応するブロード
のピークとともに、Ａｌ膜３の（１１１）面のピークが
見られ、表面が（１１１）面となっていることが確認で
きる。
【００２１】その後、Ａｌ膜３の形成された下地基板４
を（Ｏ2＋８％Ｏ3）ガス雰囲気、１×１０-3Ｔｏｒｒの
もとで、超伝導薄膜１の成膜温度である５９０℃まで昇
温する。これにより、Ａｌ膜３の表面が酸化されＡｌＯ
Xからなるアモルファス層２が形成される。アモルファ
ス層２は、通常１００〜２００Åの膜厚に形成される。
を（Ｏ2＋８％Ｏ3）ガス雰囲気、１×１０-3Ｔｏｒｒの
もとで、超伝導薄膜１の成膜温度である５９０℃まで昇
温する。これにより、Ａｌ膜３の表面が酸化されＡｌＯ
Xからなるアモルファス層２が形成される。アモルファ
ス層２は、通常１００〜２００Åの膜厚に形成される。
【００２２】さらに、５９０℃に保ったまま、引き続き
同雰囲気中でＡｒＦエキシマレーザを用いたレーザアブ
レーション法により、ＹＢａ2Ｃｕ3Ｏ7-yからなる超伝
導薄膜１を成膜する。本実施例においては、超伝導薄膜
１の膜厚が１５００Åとなるまで成膜を行う。図３に、
超伝導薄膜１の表面のＸ線回折の結果を示す。図より、
ＹＢＣＯの（００ｌ）のピークが観察されており、ｃ軸
配向のＹＢＣＯ膜が得られていることが確認できる。
同雰囲気中でＡｒＦエキシマレーザを用いたレーザアブ
レーション法により、ＹＢａ2Ｃｕ3Ｏ7-yからなる超伝
導薄膜１を成膜する。本実施例においては、超伝導薄膜
１の膜厚が１５００Åとなるまで成膜を行う。図３に、
超伝導薄膜１の表面のＸ線回折の結果を示す。図より、
ＹＢＣＯの（００ｌ）のピークが観察されており、ｃ軸
配向のＹＢＣＯ膜が得られていることが確認できる。
【００２３】以上の工程を経て形成された超伝導素子５
の超伝導特性を、図４に示す。図から明らかなように、
素子５の抵抗値は、ＹＢＣＯのオンセット温度（９０
Ｋ）までは温度に依存することなく一定の値であるが、
その温度以下で急激な低下を示しており、良好な超伝導
特性を示している。なお超伝導臨界温度Ｔｃゼロは７５
Ｋである。
の超伝導特性を、図４に示す。図から明らかなように、
素子５の抵抗値は、ＹＢＣＯのオンセット温度（９０
Ｋ）までは温度に依存することなく一定の値であるが、
その温度以下で急激な低下を示しており、良好な超伝導
特性を示している。なお超伝導臨界温度Ｔｃゼロは７５
Ｋである。
【００２４】なお、本実施例において、下地基板にソー
ダカリガラスを用いたのは、ＹＢＣＯ膜との線膨張率が
ほぼ等しいというメリットによるものであるが、その他
の種々の基板の使用が可能である。すなわち、本発明
は、下地基板とＹＢＣＯ膜との間にＡｌ膜を介在させる
ことにより、使用する下地基板の種類に拘わらず、その
上に成膜するＹＢＣＯ膜の配向性を高めることができる
ことを特徴としている。
ダカリガラスを用いたのは、ＹＢＣＯ膜との線膨張率が
ほぼ等しいというメリットによるものであるが、その他
の種々の基板の使用が可能である。すなわち、本発明
は、下地基板とＹＢＣＯ膜との間にＡｌ膜を介在させる
ことにより、使用する下地基板の種類に拘わらず、その
上に成膜するＹＢＣＯ膜の配向性を高めることができる
ことを特徴としている。
【００２５】［比較例、図５］本発明の効果を確認する
ために、以下の比較実験を行った。
ために、以下の比較実験を行った。
【００２６】比較例においては、第１実施例と同様にソ
ーダカリガラスを準備した後、Ａｌ膜およびアモルファ
ス層（ＡｌＯX）を形成することなく、ガラス基板上に
直接、ＹＢＣＯ膜を形成した。なお、ＹＢＣＯ膜の成膜
条件は、第１実施例のそれと同一条件とした。
ーダカリガラスを準備した後、Ａｌ膜およびアモルファ
ス層（ＡｌＯX）を形成することなく、ガラス基板上に
直接、ＹＢＣＯ膜を形成した。なお、ＹＢＣＯ膜の成膜
条件は、第１実施例のそれと同一条件とした。
【００２７】このようにして得られたＹＢＣＯ膜のＸ線
回折の結果を、図５に示す。図からは、多結晶ＹＢＣＯ
の最大ピーク（１１０）（１１３）がわずかに観測され
るだけで、ｃ軸配向したＹＢＣＯ膜は得られていないこ
とがわかる。
回折の結果を、図５に示す。図からは、多結晶ＹＢＣＯ
の最大ピーク（１１０）（１１３）がわずかに観測され
るだけで、ｃ軸配向したＹＢＣＯ膜は得られていないこ
とがわかる。
【００２８】以上の実験結果から、下地基板上に良好な
ｃ軸配向を有しかつ良好な超伝導特性を有するＹＢＣＯ
膜を形成するために、その間に介在するＡｌ膜およびＡ
ｌＯXが寄与していることが確認できる。
ｃ軸配向を有しかつ良好な超伝導特性を有するＹＢＣＯ
膜を形成するために、その間に介在するＡｌ膜およびＡ
ｌＯXが寄与していることが確認できる。
【００２９】
【効果】以上の説明から明らかなように、本発明の超伝
導素子は以下の優れた効果を有する。
導素子は以下の優れた効果を有する。
【００３０】すなわち、下地基板とＹＢＣＯ膜との間に
Ａｌ膜を中間層として介在させることにより、下地基板
の種類に拘わらず、高配向なｃ軸配向を有するＹＢＣＯ
膜を形成することが可能となる。これにより、高価なＮ
ｄＧａＯ3、ＳｒＴｉＯ3、ＬａＡｌＯ3等の単結晶基板
を下地基板として用いなくても、良好なｃ軸配向と優れ
た超伝導特性とを有するＹＢＣＯ膜を形成することがで
き、従来に比べてはるかに安価に、良好なｃ軸配向と優
れた超伝導特性とを有するＹＢＣＯ膜、およびＹＢＣＯ
系超伝導素子を提供することが可能になる。
Ａｌ膜を中間層として介在させることにより、下地基板
の種類に拘わらず、高配向なｃ軸配向を有するＹＢＣＯ
膜を形成することが可能となる。これにより、高価なＮ
ｄＧａＯ3、ＳｒＴｉＯ3、ＬａＡｌＯ3等の単結晶基板
を下地基板として用いなくても、良好なｃ軸配向と優れ
た超伝導特性とを有するＹＢＣＯ膜を形成することがで
き、従来に比べてはるかに安価に、良好なｃ軸配向と優
れた超伝導特性とを有するＹＢＣＯ膜、およびＹＢＣＯ
系超伝導素子を提供することが可能になる。
【００３１】また、Ａｌ膜とＹＢＣＯ膜との間に例えば
ＡｌＯX等のアモルファス層を介在させることにより、
成膜時と熱処理時の基板材料と超伝導材料との相互拡散
を効果的に抑制することができるとともに、ＹＢＣＯ膜
のｃ軸配向を助長することができる。この結果、得られ
る超伝導素子の超伝導特性を向上させることができる。
ＡｌＯX等のアモルファス層を介在させることにより、
成膜時と熱処理時の基板材料と超伝導材料との相互拡散
を効果的に抑制することができるとともに、ＹＢＣＯ膜
のｃ軸配向を助長することができる。この結果、得られ
る超伝導素子の超伝導特性を向上させることができる。
【図１】 本発明の超伝導素子５の膜構成を示す断面図
である。
である。
【図２】 第１実施例のＡｌ膜のＸ線回折の結果示す図
である。
である。
【図３】 第１実施例のＹＢＣＯ薄膜のＸ線回折の結果
示す図である。
示す図である。
【図４】 超伝導素子１の超伝導特性を示す図である。
【図５】 比較例のＹＢＣＯ薄膜のＸ線回折の結果示す
図である。
図である。
１ ・・・ 超伝導薄膜（ＹＢＣＯ薄膜） ２ ・・・ アモルファス層（ＡｌＯX） ３ ・・・ Ａｌ膜 ４ ・・・ 下地基板 ５ ・・・ 超伝導素子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 39/02 Ｈ０１Ｌ 39/02 Ｂ Ｗ (72)発明者 川合 知二 大阪府箕面市小野原東５−26−15−615
Claims (7)
- 【請求項１】 下地基板と、下地基板上に形成されたＡ
ｌ膜と、Ａｌ膜上に形成されたｃ軸配向ＹＢＣＯ膜と、
からなることを特徴とする超伝導素子。 - 【請求項２】 前記Ａｌ膜とｃ軸配向ＹＢＣＯ膜との間
に、アモルファス層が介在していることを特徴とする請
求項１に記載の超伝導素子。 - 【請求項３】 前記アモルファス層は、ＡｌＯXからな
ることを特徴とする請求項２記載の超伝導素子。 - 【請求項４】 前記下地基板に、ソーダカリガラスを用
いたことを特徴とする請求項１ないし請求項３に記載の
超伝導素子。 - 【請求項５】 前記Ａｌ膜は、その表面が（１１１）面
であることを特徴とする請求項１ないし請求項４に記載
の超伝導素子。 - 【請求項６】 下地基板の準備工程と、下地基板にＡｌ
膜を形成する工程と、Ａｌ膜上にＹＢＣＯ膜を形成する
工程と、を有してなることを特徴とする超伝導素子の製
造方法。 - 【請求項７】 下地基板の準備工程と、下地基板にＡｌ
膜を形成する工程と、Ａｌ膜表面を酸化する工程と、表
面の酸化されたＡｌ膜上にＹＢＣＯ膜を形成する工程
と、を有してなることを特徴とする超伝導素子の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10043782A JPH11243234A (ja) | 1998-02-25 | 1998-02-25 | 超伝導素子、及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10043782A JPH11243234A (ja) | 1998-02-25 | 1998-02-25 | 超伝導素子、及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11243234A true JPH11243234A (ja) | 1999-09-07 |
Family
ID=12673340
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10043782A Pending JPH11243234A (ja) | 1998-02-25 | 1998-02-25 | 超伝導素子、及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11243234A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012064519A (ja) * | 2010-09-17 | 2012-03-29 | Fujikura Ltd | 酸化物超電導導体用基材及びその製造方法と酸化物超電導導体及びその製造方法 |
| JP2013147723A (ja) * | 2012-01-23 | 2013-08-01 | Toshiba Corp | 超電導線材の製造装置及び製造方法 |
-
1998
- 1998-02-25 JP JP10043782A patent/JPH11243234A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012064519A (ja) * | 2010-09-17 | 2012-03-29 | Fujikura Ltd | 酸化物超電導導体用基材及びその製造方法と酸化物超電導導体及びその製造方法 |
| JP2013147723A (ja) * | 2012-01-23 | 2013-08-01 | Toshiba Corp | 超電導線材の製造装置及び製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060104 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061212 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20070508 |