JPH01170078A - 超電導体層を有する半導体基板 - Google Patents
超電導体層を有する半導体基板Info
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- JPH01170078A JPH01170078A JP62328493A JP32849387A JPH01170078A JP H01170078 A JPH01170078 A JP H01170078A JP 62328493 A JP62328493 A JP 62328493A JP 32849387 A JP32849387 A JP 32849387A JP H01170078 A JPH01170078 A JP H01170078A
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Landscapes
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体基板に関する。より詳細には、酸化物
基板上に形成された複合酸化物超電導体薄膜上に半導体
層が積層された構造を有する半導体基板に関するもので
ある。
基板上に形成された複合酸化物超電導体薄膜上に半導体
層が積層された構造を有する半導体基板に関するもので
ある。
本発明の半導体基板は上記超電導体層を半導体回路の配
線材料として用いるだけで無く、上記超電導体にジョセ
フソン結合を形成したジョセフソン素子、あるいは超電
導体と半導体とを組み合わせたトランジスターやホット
エレクトロントランジスター等の超電導体素子材料とし
て用いることができる。
線材料として用いるだけで無く、上記超電導体にジョセ
フソン結合を形成したジョセフソン素子、あるいは超電
導体と半導体とを組み合わせたトランジスターやホット
エレクトロントランジスター等の超電導体素子材料とし
て用いることができる。
従来の技術
従来の半導体集積回路はシリコン等の半導体単結晶基板
上に絶縁膜を形成してパターニングを施し、熱拡散、イ
オン注入等で不純物をドープすることにより必要な素子
を作製し、金属を蒸着させて配線している。
上に絶縁膜を形成してパターニングを施し、熱拡散、イ
オン注入等で不純物をドープすることにより必要な素子
を作製し、金属を蒸着させて配線している。
上記金属配線パターンは、蒸着で形成されるため断面積
が非常に微小となり、信号電流のロスがあった。
が非常に微小となり、信号電流のロスがあった。
また、超電導体と半導体とを組み合わせたトランジスタ
ーやホットエレクトロントランジスター等の超電導体と
半導体を組み合わせた素子は概念的には提案されている
が複合酸化物超電導材料を具体的に用いたものは無い。
ーやホットエレクトロントランジスター等の超電導体と
半導体を組み合わせた素子は概念的には提案されている
が複合酸化物超電導材料を具体的に用いたものは無い。
発明が解決しようとする問題点
半導体集積回路の金属配線パターンは、蒸着等で形成さ
れるため断面積が微小で信号電流のロスが避けられなか
った。また、半導体集積回路の動作速度を向上させるに
は、素子そのものの動作速度を向上させることも重要で
あるが、配線における信号伝播速度を向上させることも
必要である。
れるため断面積が微小で信号電流のロスが避けられなか
った。また、半導体集積回路の動作速度を向上させるに
は、素子そのものの動作速度を向上させることも重要で
あるが、配線における信号伝播速度を向上させることも
必要である。
ところが、従来の半導体集積回路では配線部分における
ロスのため信号伝播速度を向上させるのに限界があった
。また、配線部分におけるロスのため素子の集積度があ
がり高密度化が進むと、消費電力が上昇し、それに伴う
発熱のため集積度の限界も自ずから決まってしまってい
た。
ロスのため信号伝播速度を向上させるのに限界があった
。また、配線部分におけるロスのため素子の集積度があ
がり高密度化が進むと、消費電力が上昇し、それに伴う
発熱のため集積度の限界も自ずから決まってしまってい
た。
さらに、超電導体と半導体とを組み合わせた超電導トラ
ンジスタやホットエレクトロントランジスタ等の超電導
素子を形成する場合には半導体単結晶層と超電導材料の
層が均一に積層された半導体単結晶基板が必須であるが
、従来のＮｂ系の超電導材料では半導体単結晶層と超電
導材料の層が均一に積層されているものはなかった。
ンジスタやホットエレクトロントランジスタ等の超電導
素子を形成する場合には半導体単結晶層と超電導材料の
層が均一に積層された半導体単結晶基板が必須であるが
、従来のＮｂ系の超電導材料では半導体単結晶層と超電
導材料の層が均一に積層されているものはなかった。
本発明の目的は、上記の問題を解決して半導体単結晶層
と複合酸化物超電導体層が均一に積層された構造を有す
る超電導体と半導体からなる基板を提供することにある
。
と複合酸化物超電導体層が均一に積層された構造を有す
る超電導体と半導体からなる基板を提供することにある
。
問題点を解決するための手段
本発明に従うと、Ｓｉ基板上にＩｎＡ ＩＡｓ 半導
体層が形成され、該半導体層上に周期律表ＩＩａ族元素
から選択された少なくとも１種の元素α、周期律表１１
ｉａ族元素から選択された少なくとも１種の元素β、周
期律表１ｂ、ＩＩｂ、ｌｌＩｂ、ｒＶａ、■ａ族元素か
ら選択された少なくとも１種の元素Ｔを含有する複合酸
化物超電導体層が積層されてい゛ることを特徴とする超
電導体層を有する半導体基板が提供される。
体層が形成され、該半導体層上に周期律表ＩＩａ族元素
から選択された少なくとも１種の元素α、周期律表１１
ｉａ族元素から選択された少なくとも１種の元素β、周
期律表１ｂ、ＩＩｂ、ｌｌＩｂ、ｒＶａ、■ａ族元素か
ら選択された少なくとも１種の元素Ｔを含有する複合酸
化物超電導体層が積層されてい゛ることを特徴とする超
電導体層を有する半導体基板が提供される。
本発明に従うと、上記超電導体は複合酸化物超電導材料
によって形成されているのが好ましい。
によって形成されているのが好ましい。
この複合酸化物超電導材料としては公知の任意の材料を
用いることができる。特に、下記一般式＝（αｌ−Ｘ
βｘ）ＴｙＯｇ （但し、αは周期律表ＩＩａ族に含まれる元素であり、
βは周期律表１ｎａ族に含まれる元素であり、γは周期
律表Ｉ ｂ ｓ ■ｂ ｓ ＩＩＩ ｂ ｓ ■ａおよ
び■族から選択される少なくとも一つの元素であり、ｘ
、ｙ、ｚはそれぞれ０．１≦ｘ≦０．９．０．４≦ｙ≦
３．０．１≦ｚ≦５を満たす数である） で示される複合酸化物が好ましい。これらの複合酸化物
はペロブスカイト型または酸素欠陥型ペロブスカイト型
酸化物を主体としたものと考えられる。
用いることができる。特に、下記一般式＝（αｌ−Ｘ
βｘ）ＴｙＯｇ （但し、αは周期律表ＩＩａ族に含まれる元素であり、
βは周期律表１ｎａ族に含まれる元素であり、γは周期
律表Ｉ ｂ ｓ ■ｂ ｓ ＩＩＩ ｂ ｓ ■ａおよ
び■族から選択される少なくとも一つの元素であり、ｘ
、ｙ、ｚはそれぞれ０．１≦ｘ≦０．９．０．４≦ｙ≦
３．０．１≦ｚ≦５を満たす数である） で示される複合酸化物が好ましい。これらの複合酸化物
はペロブスカイト型または酸素欠陥型ペロブスカイト型
酸化物を主体としたものと考えられる。
上記周期律表ＩＩａ族元素αとしては、Ｂａ、 Ｓｒ。
Ｃａ、 ｉＡｇ、、 Ｂｅ等が好ましく、例えば、Ｂａ
、 Ｓｒを挙げることができ、この元素αの１０〜８０
％をＭｇ５Ｃａ、Ｓｒから選択された１種または２種の
元素で置換することもできる。また上記周期律表ｆｆ１
ａ族元素βはとしては、Ｙの他Ｌａ５ＳｃＳＣｅ、 Ｇ
ｄ、 Ｈｏ、ε「、Ｔｍ。
、 Ｓｒを挙げることができ、この元素αの１０〜８０
％をＭｇ５Ｃａ、Ｓｒから選択された１種または２種の
元素で置換することもできる。また上記周期律表ｆｆ１
ａ族元素βはとしては、Ｙの他Ｌａ５ＳｃＳＣｅ、 Ｇ
ｄ、 Ｈｏ、ε「、Ｔｍ。
Ｙｂ、 Ｌｕ等ランタノイド元素が好ましく、例えばＹ
ｌＬａ、 Ｈｏとすることができ、さらにこの元素βの
うち、１０〜８０％をＳｃまたはランタノイド元素から
選択された１種または２種の元素で置換することもでき
る。前記元素Ｔは一般にＣｕであるが、その−部を周期
律表１ｂ％ ＩＩｂ、ＩＩ［ｂ、ＩＶａおよび■ａ族か
ら選択される他の元素、例えば、Ｔｉ、 Ｖ等で置換す
ることもできる。
ｌＬａ、 Ｈｏとすることができ、さらにこの元素βの
うち、１０〜８０％をＳｃまたはランタノイド元素から
選択された１種または２種の元素で置換することもでき
る。前記元素Ｔは一般にＣｕであるが、その−部を周期
律表１ｂ％ ＩＩｂ、ＩＩ［ｂ、ＩＶａおよび■ａ族か
ら選択される他の元素、例えば、Ｔｉ、 Ｖ等で置換す
ることもできる。
作用
本発明の超電導体層を有する半導体基板は、３１基板上
に形成された半導体層上に複合酸化物超電導体薄膜が形
成されているところにその主要な特徴がある。すなわち
、本発明の超電導層を有する半導体基板は、公知任意の
半導体と複合酸化物超電導体を組み合わせた新規な半導
体デバイスの材料となるものである。
に形成された半導体層上に複合酸化物超電導体薄膜が形
成されているところにその主要な特徴がある。すなわち
、本発明の超電導層を有する半導体基板は、公知任意の
半導体と複合酸化物超電導体を組み合わせた新規な半導
体デバイスの材料となるものである。
本発明の超電導体層を有する半導体基板は、複合酸化物
超電導体を単なる配線用材料として使用するだけでな（
、複合酸化物超電導体の部分にジョセフソン接合を形成
した半導体デバイスあるいは半導体基板と超電導体とを
組み合わせた超電導トランジスタやホットエレクトロン
トランジスタのような新規な超電導素子を形成するため
の集積回路基板あるいはデバイス用基材として用いるこ
とができる。
超電導体を単なる配線用材料として使用するだけでな（
、複合酸化物超電導体の部分にジョセフソン接合を形成
した半導体デバイスあるいは半導体基板と超電導体とを
組み合わせた超電導トランジスタやホットエレクトロン
トランジスタのような新規な超電導素子を形成するため
の集積回路基板あるいはデバイス用基材として用いるこ
とができる。
本発明の超電導体層を有する半導体基板に使用する複合
酸化物超電導体としては、ＹＢＣＯと称されるＹ １Ｂ
ａ２Ｃｕ３０ｔ−）ｌで代表されるような多層ペロブス
カイト結晶構造を有する複合酸化物が好ましい。しかし
ながらこれに限定されるものではなく、公知の超電導体
の中から任意のものを選択して使用することが可能であ
る。
酸化物超電導体としては、ＹＢＣＯと称されるＹ １Ｂ
ａ２Ｃｕ３０ｔ−）ｌで代表されるような多層ペロブス
カイト結晶構造を有する複合酸化物が好ましい。しかし
ながらこれに限定されるものではなく、公知の超電導体
の中から任意のものを選択して使用することが可能であ
る。
本発明の超電導体層を有する半導体基板を作製するには
、以下の手順によることが好ましい。Ｓｉ基板上にＣＶ
Ｄ法、ＭＢＥ法等の公知の方法でＩｎＡｌＡｓ半導体単
結晶層を形成し、該１ｎＡＩＡｓ半導体層上にスパッタ
リング、真空蒸着、分子線エピタキシ、イオンビーム蒸
着等の物理蒸着法またはプラズマＣＶＤ法、ＭｏＣＶＤ
法等のＣＶＤ法で複合酸化物超電導体薄膜を形成する。
、以下の手順によることが好ましい。Ｓｉ基板上にＣＶ
Ｄ法、ＭＢＥ法等の公知の方法でＩｎＡｌＡｓ半導体単
結晶層を形成し、該１ｎＡＩＡｓ半導体層上にスパッタ
リング、真空蒸着、分子線エピタキシ、イオンビーム蒸
着等の物理蒸着法またはプラズマＣＶＤ法、ＭｏＣＶＤ
法等のＣＶＤ法で複合酸化物超電導体薄膜を形成する。
物理蒸着法としては、特にマグネトロンスパッタリング
が好ましい。また、成膜後、酸素雰囲気中で熱処理を行
うとかあるいは酸素プラズマに曝す等の後処理を行い、
上記の薄膜を構成している複合酸化物超電導体結晶中の
酸素濃度を適正に調整することが好ましい。これらの処
理を行う際に、半導体の特性を損なわないよう十分注意
する必要がある。そこで、特に超電導体薄膜を成膜する
際の基板温度は７（１４）℃以下にすることが好ましく
、また、後処理の際にも基板温度を必要以上に高くする
ことは避けなければならない。
が好ましい。また、成膜後、酸素雰囲気中で熱処理を行
うとかあるいは酸素プラズマに曝す等の後処理を行い、
上記の薄膜を構成している複合酸化物超電導体結晶中の
酸素濃度を適正に調整することが好ましい。これらの処
理を行う際に、半導体の特性を損なわないよう十分注意
する必要がある。そこで、特に超電導体薄膜を成膜する
際の基板温度は７（１４）℃以下にすることが好ましく
、また、後処理の際にも基板温度を必要以上に高くする
ことは避けなければならない。
実施例
以下、本発明を実施例により具体的に説明するが、以下
に記載するものは本発明の単なる実施例に過ぎず、以下
の開示により、本発明の範囲が同等制限されないことは
勿論である。
に記載するものは本発明の単なる実施例に過ぎず、以下
の開示により、本発明の範囲が同等制限されないことは
勿論である。
８１基板上にＩｎＡｌＡｓ半導体単結晶層を形成し、さ
らに複合酸化物超電導体層を積層した第１図に示す本発
明の超電導体層を有する半導体基板を作製した。
らに複合酸化物超電導体層を積層した第１図に示す本発
明の超電導体層を有する半導体基板を作製した。
８１基板上に、公知のＣＶＤ法でＩｎＡｌＡｓ単結晶層
を形成した後、該１ｎＡＩＡｓ単結晶層上にＹＢａ２Ｃ
ｕ＜、 ｓ Ｏｘ焼結体粉末および）ｌｏ３ａ２．ｓＣ
ｕ、、ｆｆ Ｏｘ焼結体粉末をターゲットとして、マグ
ネトロンスパッタリング法により、複合酸化物超電導体
薄膜を形成した。
を形成した後、該１ｎＡＩＡｓ単結晶層上にＹＢａ２Ｃ
ｕ＜、 ｓ Ｏｘ焼結体粉末および）ｌｏ３ａ２．ｓＣ
ｕ、、ｆｆ Ｏｘ焼結体粉末をターゲットとして、マグ
ネトロンスパッタリング法により、複合酸化物超電導体
薄膜を形成した。
基板とターゲットの位置関係および高周波電力の大きさ
に特に注意し、基板温度７（１４）℃でスパッタリング
を行い、複合酸化物超電導体層を１（１４）０人まで成
長させた。
に特に注意し、基板温度７（１４）℃でスパッタリング
を行い、複合酸化物超電導体層を１（１４）０人まで成
長させた。
上記のように作製した本発明の超電導体層を有する半導
体基板は、いずれのものも半導体と超電導体との界面の
状態がよく、半導体デバイス材料として優れた特性を有
していた。また、それぞれの試料の超電導体層の超電導
臨界温度を以下の第１表に示す。
体基板は、いずれのものも半導体と超電導体との界面の
状態がよく、半導体デバイス材料として優れた特性を有
していた。また、それぞれの試料の超電導体層の超電導
臨界温度を以下の第１表に示す。
第１表
以上説明したように、本発明の超電導体層を有する半導
体基板は、超電導臨界温度も液体窒素が十分使用できる
程度に高く、また、超電導体−半導体界面の状態もよい
ので半導体デバイス用基板としてたいへん有効である。
体基板は、超電導臨界温度も液体窒素が十分使用できる
程度に高く、また、超電導体−半導体界面の状態もよい
ので半導体デバイス用基板としてたいへん有効である。
発明の効果
本発明により、新規な半導体デバイス材料としてたいへ
ん有効な超電導体層を有する半導体基板が提供される。
ん有効な超電導体層を有する半導体基板が提供される。
本発明により、半導体デバイスの高速化、高密度化がさ
らに推進される。さらに、本発明はジョセフソン素子と
異なり、３端子以上の端子を有する超電導体を利用した
半導体デバイス等に応用が可能である。
らに推進される。さらに、本発明はジョセフソン素子と
異なり、３端子以上の端子を有する超電導体を利用した
半導体デバイス等に応用が可能である。
第１図は、本発明の超電導体層を有する半導体基板の一
例である。 〔主な参照番号〕 １・・複合酸化物超電導体、 ２・・ＩｎＡｌＡｓ半導体単結晶層、 ３・・Ｓｉ単結晶基板、 特許出願人 住友電気工業株式会社
例である。 〔主な参照番号〕 １・・複合酸化物超電導体、 ２・・ＩｎＡｌＡｓ半導体単結晶層、 ３・・Ｓｉ単結晶基板、 特許出願人 住友電気工業株式会社
Claims (25)
- （１）Ｓｉ基板上にＩｎＡｌＡｓ半導体層が形成され、
該ＩｎＡｌＡｓ半導体層上に周期律表IIａ族元素から選
択された少なくとも１種の元素α、周期律表IIIａ族元
素から選択された少なくとも１種の元素β、周期律表
I ｂ、IIｂ、IIIｂ、IVａ、VIIIａ族元素から選択され
た少なくとも１種の元素γを含有する複合酸化物超電導
体層が積層されていることを特徴とする超電導体層を有
する半導体基板。 - （２）上記複合酸化物超電導体が、 一般式：（α＿１＿−＿ｘβ＿ｘ）γ＿ｙＯ＿ｚ（但し
、α、β、γは、上記定義の元素でありｘはα＋βに対
するβの原子比で、０．１≦ｘ≦０．９であり、ｙおよ
びｚは（α＿１＿−＿ｘβ＿ｘ）を１とした場合に０．
４≦ｙ≦３．０、１≦ｚ≦５となる原子比である） で表される組成の酸化物であることを特徴とする特許請
求の範囲第１項に記載の超電導体層を有する半導体基板
。 - （３）上記複合酸化物超電導体が、ペロブスカイト型結
晶または酸素欠損ペロブスカイト型結晶を有する酸化物
であることを特徴とする特許請求の範囲第１項または第
２項に記載の超電導体層を有する半導体基板。 - （４）上記複合酸化物超電導体が、ＢａおよびＹを含み
、さらにＡｌ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ａｇ、
Ｔｉによって構成される群から選択される少なくとも１
種の元素を含む複合酸化物超電導体であることを特徴と
する特許請求の範囲第１項乃至第３項のいずれか１項に
記載の超電導体層を有する半導体基板。 - （５）上記複合酸化物超電導体が、 Ｙ＿１Ｂａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿７＿−＿ｘ（ただしｘは０
＜ｘ＜１を満たす数である） で表される複合酸化物であることを特徴とする特許請求
の範囲第４項に記載の超電導体層を有する半導体基板。 - （６）上記複合酸化物超電導体が、Ｂａ、ＬａおよびＡ
ｌ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｔｉによっ
て構成される群から選択される少なくとも１種の元素を
含むことを特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第３項
のいずれか１項に記載の超電導体層を有する半導体基板
。 - （７）上記複合酸化物超電導体が、 Ｌａ＿１Ｂａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿７＿−＿ｘ（ただしｘは
０＜ｘ＜１を満たす数である） で表される複合酸化物であることを特徴とする特許請求
の範囲第６項に記載の超電導体層を有する半導体基板。 - （８）上記複合酸化物超電導体が、Ｓｒ、ＬａおよびＡ
ｌ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｔｉによっ
て構成される群から選択される少なくとも１種の元素を
含むことを特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第３項
のいずれか１項に記載の超電導体層を有する半導体基板
。 - （９）上記複合酸化物超電導体が、 Ｌａ＿１Ｓｒ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿７＿−＿ｘ（ただしｘは
０＜ｘ＜１を満たす数である） で表される複合酸化物であることを特徴とする特許請求
の範囲第８項に記載の超電導体層を有する半導体基板。 - （１０）上記複合酸化物超電導体が、Ｂａ、Ｈｏおよび
Ａｌ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｔｉによ
って構成される群から選択される少なくとも１種の元素
を含むことを特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第３
項のいずれか１項に記載の超電導体層を有する半導体基
板。 - （１１）上記複合酸化物超電導体が、 Ｈｏ＿１Ｂａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿７＿−＿ｘ（ただしｘは
０＜ｘ＜１を満たす数である） で表される複合酸化物であることを特徴とする特許請求
の範囲第１０項に記載の超電導体層を有する半導体基板
。 - （１２）上記複合酸化物超電導体が、Ｂａ、Ｎｄおよび
Ａｌ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｔｉによ
って構成される群から選択される少なくとも１種の元素
を含むことを特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第３
項のいずれか１項に記載の超電導体層を有する半導体基
板。 - （１３）上記複合酸化物超電導体が、 Ｎｄ＿１Ｂａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿７＿−＿ｘ（ただしｘは
０＜ｘ＜１を満たす数である） で表される複合酸化物であることを特徴とする特許請求
の範囲第１２項に記載の超電導体層を有する半導体基板
。 - （１４）上記複合酸化物超電導体が、Ｂａ、Ｓｍおよび
Ａｌ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｔｉによ
って構成される群から選択される少なくとも１種の元素
を含むことを特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第３
項のいずれか１項に記載の超電導体層を有する半導体基
板。 - （１５）上記複合酸化物超電導体が、 Ｓｍ＿１Ｂａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿７＿−＿ｘ（ただしｘは
０＜ｘ＜１を満たす数である） で表される複合酸化物であることを特徴とする特許請求
の範囲第１４項に記載の超電導体層を有する半導体基板
。 - （１６）上記複合酸化物超電導体が、Ｂａ、Ｅｕおよび
Ａｌ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｔｉによ
って構成される群から選択される少なくとも１種の元素
を含むことを特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第３
項のいずれか１項に記載の超電導体層を有する半導体基
板。 - （１７）上記複合酸化物超電導体が、 Ｅｕ＿１Ｂａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿７＿−＿ｘ（ただしｘは
０＜ｘ＜１を満たす数である） で表される複合酸化物であることを特徴とする特許請求
の範囲第１６項に記載の超電導体層を有する半導体基板
。 - （１８）上記複合酸化物超電導体が、Ｂａ、Ｇｄおよび
Ａｌ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｔｉによ
って構成される群から選択される少なくとも１種の元素
を含むことを特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第３
項のいずれか１項に記載の超電導体層を有する半導体基
板。 - （１９）上記複合酸化物超電導体が、 Ｇｄ＿１Ｂａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿７＿−＿ｘ（ただしｘは
０＜ｘ＜１を満たす数である） で表される複合酸化物であることを特徴とする特許請求
の範囲第１８項に記載の超電導体層を有する半導体基板
。 - （２０）上記複合酸化物超電導体が、Ｂａ、Ｄｙおよび
Ａｌ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｔｉによ
って構成される群から選択される少なくとも１種の元素
を含むことを特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第３
項のいずれか１項に記載の超電導体層を有する半導体基
板。 - （２１）上記複合酸化物超電導体が、 Ｄｙ＿１Ｂａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿７＿−＿ｘ（ただしｘは
０＜ｘ＜１を満たす数である） で表される複合酸化物であることを特徴とする特許請求
の範囲第２０項に記載の超電導体層を有する半導体基板
。 - （２２）上記複合酸化物超電導体が、Ｂａ、Ｅｒおよび
Ａｌ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｔｉによ
って構成される群から選択される少なくとも１種の元素
を含むことを特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第３
項のいずれか１項に記載の超電導体層を有する半導体基
板。 - （２３）上記複合酸化物超電導体が、 Ｅｒ＿１Ｂａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿７＿−＿ｘ（ただしｘは
０＜ｘ＜１を満たす数である） で表される複合酸化物であることを特徴とする特許請求
の範囲第２２項に記載の超電導体層を有する半導体基板
。 - （２４）上記複合酸化物超電導体が、Ｂａ、Ｙｂおよび
Ａｌ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｔｉによ
って構成される群から選択される少なくとも１種の元素
を含むことを特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第３
項のいずれか１項に記載の超電導体層を有する半導体基
板。 - （２５）上記複合酸化物超電導体が、 Ｔｂ＿１Ｂａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿７＿−＿ｘ（ただしｘは
０＜ｘ＜１を満たす数である） で表される複合酸化物であることを特徴とする特許請求
の範囲第２４項に記載の超電導体層を有する半導体基板
。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62328493A JPH01170078A (ja) | 1987-12-25 | 1987-12-25 | 超電導体層を有する半導体基板 |
| DE3853273T DE3853273T2 (de) | 1987-12-25 | 1988-12-26 | Ein Halbleitersubstrat mit einem supraleitenden Dünnfilm. |
| EP88403328A EP0323345B1 (en) | 1987-12-25 | 1988-12-26 | A semiconductor substrate having a superconducting thin film |
| US07/856,824 US5221660A (en) | 1987-12-25 | 1992-03-25 | Semiconductor substrate having a superconducting thin film |
| US07/972,903 US5401715A (en) | 1987-12-25 | 1992-11-06 | Semiconductor substrate having a superconducting thin film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62328493A JPH01170078A (ja) | 1987-12-25 | 1987-12-25 | 超電導体層を有する半導体基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01170078A true JPH01170078A (ja) | 1989-07-05 |
Family
ID=18210896
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62328493A Pending JPH01170078A (ja) | 1987-12-25 | 1987-12-25 | 超電導体層を有する半導体基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01170078A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6688676B1 (en) | 2000-02-18 | 2004-02-10 | Nissan Motor Co., Ltd. | Vehicle structure with load transmission elements |
-
1987
- 1987-12-25 JP JP62328493A patent/JPH01170078A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6688676B1 (en) | 2000-02-18 | 2004-02-10 | Nissan Motor Co., Ltd. | Vehicle structure with load transmission elements |
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