JPH0489263A - 薄膜サーマルヘッドの製造方法 - Google Patents

薄膜サーマルヘッドの製造方法

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JPH0489263A
JPH0489263A JP20446990A JP20446990A JPH0489263A JP H0489263 A JPH0489263 A JP H0489263A JP 20446990 A JP20446990 A JP 20446990A JP 20446990 A JP20446990 A JP 20446990A JP H0489263 A JPH0489263 A JP H0489263A
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Toshiya Endo
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、サーマルプリンタに使用される7i9股サー
マルヘツドおよびその製造方法に関する。
〔従来の技術〕
整列配置された複数の発熱抵抗体を有し、いずれかの発
熱抵抗体に選択的に通電を行なうことにより、感熱記録
紙を部分的に発色したり、あるいはインクリボンのイン
クを部分的に溶融して記録紙に転写したりして印字を行
なうサーマルヘッドは広く知られており、このようなサ
ーマルヘッドに、15いては、厚膜のものより簿躾のも
のの方が圧倒的に多く使用されている。
前述した薄膜サーマルヘッドおよびその製造方法は、一
般に、第2図に示すように、アルミナなどからなる絶縁
性早板1上にガラスなどからなる蓄熱のためのグレーズ
岡2が焼付けなとにより積層されている。このグレーズ
層2上には、導電率の悪い丁a −3i Q 2などか
らなる複数の発熱抵抗体3が、全体的に積層された後に
フォトリソグラフィ技術のエツチングを行なうことによ
り直線状に整列するように形成されている。これらの各
発熱抵抗体3の両側の上面には、各発熱抵抗体3に対し
て通電するための共通電極4Aおよび個別電極4Bがそ
れぞれ形成されており、これらの共通電極4Aおよび個
別電極4B間において露出している部位の発熱抵抗体3
が、印字に実際に寄与する発熱ドラ1〜3Aとされてい
る。なお、これらのグレーズ層2、発熱抵抗体3および
共通電極4A、個別電極4Bの上方は保護層5により被
覆されている。
前述した従来の薄膜サーマルヘッドを使用する熱転写プ
リンタにおいては、この薄膜サーマルヘッドをインクリ
ボンを介して記録紙に圧接させ、所定の印字上方に基づ
いて所望の発熱抵抗体3に対応する個別電極4Bに通電
づることにより、イの発熱抵抗体3を発熱させ、前記イ
ンクリボンのインクを部分的に溶融して前12に縁組に
転写することにより、記録紙上に所定の印字を行なうこ
とができる。
〔発明が解決しようとする課題〕
前述したグレーズ層2上に発熱抵抗体3を形成するに際
しては、従来から、まずグレーズ層2」−に真空チャン
バ内においてスパッタを行なうことによりT a −S
 i 02などの月利を成膜していたが、この場合、製
造ロットごとに発熱抵抗体3の電気抵抗値にばらつきが
生じていた。この原因は、主に成膜中の雰囲気が製造ロ
ットごとに微妙に変動している点にあった。すなわち、
真空チャンバの内壁に吸着していたH20分子からO原
子が成膜中に解離し、発熱抵抗体層に取り込まれてしま
うだめに発熱抵抗体3としての所望の電気抵抗値からの
ずれが生じてしまった。
前)ホしたT!A造ロツ1〜ごとにお(Jる発熱抵抗体
3の電気抵抗値のばらつきを低下させるI)法のひとつ
どじて、発熱抵抗体層の成膜前にグレーズ層2上に電気
絶縁性の材料からなるアンダー二】−ト層を成1?jる
ことが考えられる。このようにすれば、スパッタの際に
真空チャンバの内壁から解HしたO原子は、そのほとん
どがアンダーコート層に取り込まれてしまうため、発熱
抵抗体3自体は、このO原子の影響を受ける比率が低下
し、このため製造ロット間における電気抵抗値のばらつ
きを低下させることができる。
しかしながら、このように発熱抵抗体層の成膜前にグレ
ーズ層2上にアンダーコート層を成膜して、発熱抵抗体
3の電気抵抗値のばらつきを防止するのには、アンダー
コート層と各発熱抵抗体3との界面の密着性が不十分に
なるし、また、各電極4A、4Bへの通電を高電圧によ
り行なうと、アンクコ−1−層の絶縁性が破壊されてし
まうおそれがある。さらに、アンターヨー1−層用のス
パッタターゲットを用い% LJれLiならず、工程が
煩雑である。
また、製造ロットごとに、113()る発熱抵抗体3の
電気抵抗値のばらつきを防止づる他の方法として、光熱
抵抗体層を一1分助間をかけて厚く成膜することが元え
られる。このようにすれば、前述したO原子は、はと/
Vど発熱抵抗体3の上部に取り込まれるので、電流が多
く流れる発熱抵抗体3の上部はO原子の影響を受tjる
ことがな少なく、したがって、製造ロット間における発
熱抵抗体3の電気抵抗値のばらつきを低下させることが
できる。
しかしながら、この場合には、発熱抵抗体層の膜厚が厚
いため発熱抵抗体3のパターニングがガかしいし、発熱
抵抗体層の膜内の応力増大などによる密着性の劣化、製
造工程のスルーブツト時間の増加等の問題があり、この
ため、発熱抵抗体層の膜厚の上限は自ずと決ってしまっ
ていた。
本発明は、このような従来のものにおける問題点を克服
し、簡単な製造工程で効率よくしかも安定的に製造ロッ
トごとにおける発熱抵抗体の電気抵抗値のばらつきを防
止するようにした薄膜サーマルヘッドおよび製造方法を
提供することを目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
前述した目的を達成するため本発明の請求項第1項のN
膜す−マルヘッドは、発熱抵抗体を下層およびこの下層
上に積層された上層により構成し、前記下層の面積抵抗
値を上層のそれよりも大きくしたことを特徴としている
また、請求項第2項の薄膜サーマルヘッドは、請求項第
1項において、発熱抵抗体の上層および下層を同じ材料
により形成したことを特徴としている。
さらに、請求項第3項の薄膜サーマルヘッドは、発熱抵
抗体の下層を上層より薄い膜厚に形成したことを特徴と
している。
一方、本発明の請求項第4項の薄膜サーマルヘッドの製
造方法は、発熱抵抗体の上層および下層の材料として同
じ材料を用い、下層および上層の成膜条件を違えること
により下層の面積抵抗値を上層のそれよりも大きくした
ことを特徴としている。
また、請求項第5項の薄膜サーマルヘッドの製造方法は
、発熱抵抗体の上層および下層の材料として同じ材料を
用い、上客ど上層の材料の組成比を違えることにより下
層の面積抵抗値を上層のイれよりも大きくしたことを特
徴としている。
〔作 用〕
前述した構成からなる本発明の薄膜サーマルヘッドによ
れば、製造ロフト間における成膜中の真空チャンバ内の
雰囲気の変動に伴なう電気抵抗釦のばらつきは、下層の
成膜に吸収されることになる。すなわち、上層の面積抵
抗値をR1、下層の面積抵抗値をR2、製造ロフト間に
おける電気抵抗値の変化の割合をαとすると、発熱抵抗
体の上層と下層の合成面積抵抗1iIRは、 R−(1+α)R1R2/R2+(1+α)R2となる
。そして、本発明においては、特に、R1〈R2である
から、RζR1となり、合成面積抵抗値Rは、製造ロッ
トにおける電気抵抗値の変化の割合の影響をあまり受け
ない。
〔実施例〕
以下、本発明を図面に示す実施例にJ:り説明づる。な
お、前述した従来のものと同一の構成については、図面
中に同一の符号を(=J L、その説明は省略する。
第1図は、本発明に係る薄膜サーマルヘッドの実施例を
示すものであり、絶縁性基板1上に形成されたグレーズ
層2上には、グレーズ層2上に形成された下層3aと、
この下層3a上に形成された上13bとか、らなる発熱
抵抗体3がWAHされている。このうち下層3aはスパ
ッタの際の真空チャンバ内の雰囲気を安定化させるため
のものであり、この下層3aは本実施例においては約5
00人の膜厚に形成されている。また、この下層3a上
に形成された上層3bは通電された際に発熱する主発熱
層であり、この上1!3bは下層3aの約5倍の約25
00Aの膜厚に形成されている。
前記下層3 a l、;らびに上層3bの成膜は、それ
ぞれスパッタにJ、り行なわれるが、このスパッタの条
件は、上層3bと下層3aの成膜とて異なっている。
まず、T層3aのスパッタは、ターゲットをTa−3+
0  、スパッタガスをAr(圧力6×10  Pa>
、RFパワーを1.6KWとして行なう。一方、上層の
スパッタは、ターゲットを、下層3aにおりるときと全
く同様の材料ならびに組成比のT a −S i O2
、スパッタガスをAr(圧力1xlO”Pa ) 、R
Fパワーを1.6KWとしで前記下層3a上に行う。な
お、その後エツチングなどにより所定形状の複数の発熱
抵抗体3を形成する。
このような条例で下層3aと上113bの成膜を行うと
、下層3aの比抵抗は約60mΩ−α、上方の比抵抗は
約30mΩ−1となる。したがって、下層3aの面積抵
抗値は上層3bのそれの約10倍となり、サーマルヘッ
ドを駆動した場合、その投入電力の9割強は上層3bに
おいて消費されることになる。
このような実施例によれば、発熱抵抗体3を構成づる下
層3aと上層3bは、まず、下層3aの成膜を行った後
に上層3bの成膜を行うので、製造ロットごとに発熱抵
抗体3の電気抵抗値にばらつきを−[じさける原因とな
るスパッタ時における真空チPンバの内壁に吸肴しでい
たH、、O分子中のO原子の解離がほとんど下層3aの
成膜中に行なわれ、取り込まれてしまうことになる。と
ころで、サーマルヘッド駆動時の投入電力の9割強が上
層3bにおいて消費され、下層3aにおいては、投入電
力の1割弱しか消費されないため、スパッタにおける真
空ヂャンバの内壁の○原子が下層3aにほとんど取り込
まれてしまっても、発熱抵抗体3の全体的な電気抵抗値
にあまり影響を与えることはない。
したがって、製造ロット間において電気抵抗値にばらつ
きの生じない発熱抵抗体3を形成することができる。例
えば、従来±10.0%程度あった製造ロツ1へ間にお
ける発熱抵抗体3の電気抵抗値のばらつきを±5.4%
程度にまで減少することができる。
しかも、下層3a、上層3bは同じ材料により形成され
ているので、下1i13aおよび上1i13bの相η間
における密着性に問題はないし、また、単一のスパッタ
ターゲットにより下Eq 3 a、上層3bの両否を形
成するので、製造工程も簡略化することができる。
なお、本発明は、前述した実施例に限定されるものでは
なく、必要に応じて種々の変更が可能である。
例えば、前述した実施例においては、組成比までも同一
の同じ材料を用い、下層3aより上層3bの膜厚を厚く
して上層3bにおける電力消費を大きくしたが、上層3
bと下層3aの材料を同じにしてその組成比のみ変える
ことにより、下層3aを上層3bより電気的に高抵抗に
して製造ロット間における発熱抵抗体3の電気抵抗値に
ばらつきを生じないようにすることも可能である。−例
としては、発熱抵抗体3の上H3t)F3よび下層3a
のlをTa−810とし、7aと8102の比を1−層
3bに15いては1.1とするのに夕・]シ、下層3a
tこJ5いて(、L23としでT xi 3 aの電気
抵抗値を人きくづることができる。
〔発明の効果] 1ス上説明したように本発明に係る薄膜サーマルヘッド
およびその製造方法によれば、簡単な製造工程で効率よ
くしかも支足的に製造ロフトごとにお(プる発熱抵抗体
の電気抵抗値のばらつきを防止することができるという
優れた効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に係る薄膜サーマルヘッドの実施例を示
す縦断面図、第2図は従来の薄膜サーマルヘッドを示す
縦断面図である。 1・・・絶縁性基板、2・グレーズ層、3・・・発熱抵
抗体、3△・・・発熱ドツト、3a・・・下層、3b・
・・上層、4△・・・共通電極、4B・・・個別電極、
5・・・保護層。 第1図 第2図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1)発熱抵抗体を下層およびこの下層上に積層された上
    層により構成し、前記下層の面積抵抗値を上層のそれよ
    りも大きくしたことを特徴とする薄膜サーマルヘッド。 2)前記発熱抵抗体の上層および下層を同じ材料により
    形成したことを特徴とする請求項第1項記載の薄膜サー
    マルヘッド。 3)前記発熱抵抗体の下層を上層より薄い膜厚に形成し
    たことを特徴とする請求項第1項または第2項記載の薄
    膜サーマルヘッド。 4)請求項第1項記載の薄膜サーマルヘッドの製造方法
    において、前記発熱抵抗体の上層および下層の材料とし
    て同じ材料を用い、下層および上層の成膜条件を違える
    ことにより下層の面積抵抗値を上層のそれよりも大きく
    したことを特徴とする薄膜サーマルヘッドの製造方法。 5)請求項第1項記載の薄膜サーマルヘッドの製造方法
    において、前記発熱抵抗体の上層および下層の材料とし
    て同じ材料を用い、下層と上層の材料の組成比を違える
    ことにより下層の面積抵抗値を上層のそれよりも大きく
    したことを特徴とする薄膜サーマルヘッドの製造方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015020318A (ja) * 2013-07-18 2015-02-02 東芝ホクト電子株式会社 サーマルプリントヘッドおよびその製造方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5853459A (ja) * 1981-09-24 1983-03-30 Hitachi Ltd 発熱抵抗体
JPS62105645A (ja) * 1985-11-01 1987-05-16 Alps Electric Co Ltd サ−マルヘツドの構造

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