JPH0489263A - 薄膜サーマルヘッドの製造方法 - Google Patents
薄膜サーマルヘッドの製造方法Info
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- JPH0489263A JPH0489263A JP20446990A JP20446990A JPH0489263A JP H0489263 A JPH0489263 A JP H0489263A JP 20446990 A JP20446990 A JP 20446990A JP 20446990 A JP20446990 A JP 20446990A JP H0489263 A JPH0489263 A JP H0489263A
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Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、サーマルプリンタに使用される7i9股サー
マルヘツドおよびその製造方法に関する。
マルヘツドおよびその製造方法に関する。
整列配置された複数の発熱抵抗体を有し、いずれかの発
熱抵抗体に選択的に通電を行なうことにより、感熱記録
紙を部分的に発色したり、あるいはインクリボンのイン
クを部分的に溶融して記録紙に転写したりして印字を行
なうサーマルヘッドは広く知られており、このようなサ
ーマルヘッドに、15いては、厚膜のものより簿躾のも
のの方が圧倒的に多く使用されている。
熱抵抗体に選択的に通電を行なうことにより、感熱記録
紙を部分的に発色したり、あるいはインクリボンのイン
クを部分的に溶融して記録紙に転写したりして印字を行
なうサーマルヘッドは広く知られており、このようなサ
ーマルヘッドに、15いては、厚膜のものより簿躾のも
のの方が圧倒的に多く使用されている。
前述した薄膜サーマルヘッドおよびその製造方法は、一
般に、第2図に示すように、アルミナなどからなる絶縁
性早板1上にガラスなどからなる蓄熱のためのグレーズ
岡2が焼付けなとにより積層されている。このグレーズ
層2上には、導電率の悪い丁a −3i Q 2などか
らなる複数の発熱抵抗体3が、全体的に積層された後に
フォトリソグラフィ技術のエツチングを行なうことによ
り直線状に整列するように形成されている。これらの各
発熱抵抗体3の両側の上面には、各発熱抵抗体3に対し
て通電するための共通電極4Aおよび個別電極4Bがそ
れぞれ形成されており、これらの共通電極4Aおよび個
別電極4B間において露出している部位の発熱抵抗体3
が、印字に実際に寄与する発熱ドラ1〜3Aとされてい
る。なお、これらのグレーズ層2、発熱抵抗体3および
共通電極4A、個別電極4Bの上方は保護層5により被
覆されている。
般に、第2図に示すように、アルミナなどからなる絶縁
性早板1上にガラスなどからなる蓄熱のためのグレーズ
岡2が焼付けなとにより積層されている。このグレーズ
層2上には、導電率の悪い丁a −3i Q 2などか
らなる複数の発熱抵抗体3が、全体的に積層された後に
フォトリソグラフィ技術のエツチングを行なうことによ
り直線状に整列するように形成されている。これらの各
発熱抵抗体3の両側の上面には、各発熱抵抗体3に対し
て通電するための共通電極4Aおよび個別電極4Bがそ
れぞれ形成されており、これらの共通電極4Aおよび個
別電極4B間において露出している部位の発熱抵抗体3
が、印字に実際に寄与する発熱ドラ1〜3Aとされてい
る。なお、これらのグレーズ層2、発熱抵抗体3および
共通電極4A、個別電極4Bの上方は保護層5により被
覆されている。
前述した従来の薄膜サーマルヘッドを使用する熱転写プ
リンタにおいては、この薄膜サーマルヘッドをインクリ
ボンを介して記録紙に圧接させ、所定の印字上方に基づ
いて所望の発熱抵抗体3に対応する個別電極4Bに通電
づることにより、イの発熱抵抗体3を発熱させ、前記イ
ンクリボンのインクを部分的に溶融して前12に縁組に
転写することにより、記録紙上に所定の印字を行なうこ
とができる。
リンタにおいては、この薄膜サーマルヘッドをインクリ
ボンを介して記録紙に圧接させ、所定の印字上方に基づ
いて所望の発熱抵抗体3に対応する個別電極4Bに通電
づることにより、イの発熱抵抗体3を発熱させ、前記イ
ンクリボンのインクを部分的に溶融して前12に縁組に
転写することにより、記録紙上に所定の印字を行なうこ
とができる。
前述したグレーズ層2上に発熱抵抗体3を形成するに際
しては、従来から、まずグレーズ層2」−に真空チャン
バ内においてスパッタを行なうことによりT a −S
i 02などの月利を成膜していたが、この場合、製
造ロットごとに発熱抵抗体3の電気抵抗値にばらつきが
生じていた。この原因は、主に成膜中の雰囲気が製造ロ
ットごとに微妙に変動している点にあった。すなわち、
真空チャンバの内壁に吸着していたH20分子からO原
子が成膜中に解離し、発熱抵抗体層に取り込まれてしま
うだめに発熱抵抗体3としての所望の電気抵抗値からの
ずれが生じてしまった。
しては、従来から、まずグレーズ層2」−に真空チャン
バ内においてスパッタを行なうことによりT a −S
i 02などの月利を成膜していたが、この場合、製
造ロットごとに発熱抵抗体3の電気抵抗値にばらつきが
生じていた。この原因は、主に成膜中の雰囲気が製造ロ
ットごとに微妙に変動している点にあった。すなわち、
真空チャンバの内壁に吸着していたH20分子からO原
子が成膜中に解離し、発熱抵抗体層に取り込まれてしま
うだめに発熱抵抗体3としての所望の電気抵抗値からの
ずれが生じてしまった。
前)ホしたT!A造ロツ1〜ごとにお(Jる発熱抵抗体
3の電気抵抗値のばらつきを低下させるI)法のひとつ
どじて、発熱抵抗体層の成膜前にグレーズ層2上に電気
絶縁性の材料からなるアンダー二】−ト層を成1?jる
ことが考えられる。このようにすれば、スパッタの際に
真空チャンバの内壁から解HしたO原子は、そのほとん
どがアンダーコート層に取り込まれてしまうため、発熱
抵抗体3自体は、このO原子の影響を受ける比率が低下
し、このため製造ロット間における電気抵抗値のばらつ
きを低下させることができる。
3の電気抵抗値のばらつきを低下させるI)法のひとつ
どじて、発熱抵抗体層の成膜前にグレーズ層2上に電気
絶縁性の材料からなるアンダー二】−ト層を成1?jる
ことが考えられる。このようにすれば、スパッタの際に
真空チャンバの内壁から解HしたO原子は、そのほとん
どがアンダーコート層に取り込まれてしまうため、発熱
抵抗体3自体は、このO原子の影響を受ける比率が低下
し、このため製造ロット間における電気抵抗値のばらつ
きを低下させることができる。
しかしながら、このように発熱抵抗体層の成膜前にグレ
ーズ層2上にアンダーコート層を成膜して、発熱抵抗体
3の電気抵抗値のばらつきを防止するのには、アンダー
コート層と各発熱抵抗体3との界面の密着性が不十分に
なるし、また、各電極4A、4Bへの通電を高電圧によ
り行なうと、アンクコ−1−層の絶縁性が破壊されてし
まうおそれがある。さらに、アンターヨー1−層用のス
パッタターゲットを用い% LJれLiならず、工程が
煩雑である。
ーズ層2上にアンダーコート層を成膜して、発熱抵抗体
3の電気抵抗値のばらつきを防止するのには、アンダー
コート層と各発熱抵抗体3との界面の密着性が不十分に
なるし、また、各電極4A、4Bへの通電を高電圧によ
り行なうと、アンクコ−1−層の絶縁性が破壊されてし
まうおそれがある。さらに、アンターヨー1−層用のス
パッタターゲットを用い% LJれLiならず、工程が
煩雑である。
また、製造ロットごとに、113()る発熱抵抗体3の
電気抵抗値のばらつきを防止づる他の方法として、光熱
抵抗体層を一1分助間をかけて厚く成膜することが元え
られる。このようにすれば、前述したO原子は、はと/
Vど発熱抵抗体3の上部に取り込まれるので、電流が多
く流れる発熱抵抗体3の上部はO原子の影響を受tjる
ことがな少なく、したがって、製造ロット間における発
熱抵抗体3の電気抵抗値のばらつきを低下させることが
できる。
電気抵抗値のばらつきを防止づる他の方法として、光熱
抵抗体層を一1分助間をかけて厚く成膜することが元え
られる。このようにすれば、前述したO原子は、はと/
Vど発熱抵抗体3の上部に取り込まれるので、電流が多
く流れる発熱抵抗体3の上部はO原子の影響を受tjる
ことがな少なく、したがって、製造ロット間における発
熱抵抗体3の電気抵抗値のばらつきを低下させることが
できる。
しかしながら、この場合には、発熱抵抗体層の膜厚が厚
いため発熱抵抗体3のパターニングがガかしいし、発熱
抵抗体層の膜内の応力増大などによる密着性の劣化、製
造工程のスルーブツト時間の増加等の問題があり、この
ため、発熱抵抗体層の膜厚の上限は自ずと決ってしまっ
ていた。
いため発熱抵抗体3のパターニングがガかしいし、発熱
抵抗体層の膜内の応力増大などによる密着性の劣化、製
造工程のスルーブツト時間の増加等の問題があり、この
ため、発熱抵抗体層の膜厚の上限は自ずと決ってしまっ
ていた。
本発明は、このような従来のものにおける問題点を克服
し、簡単な製造工程で効率よくしかも安定的に製造ロッ
トごとにおける発熱抵抗体の電気抵抗値のばらつきを防
止するようにした薄膜サーマルヘッドおよび製造方法を
提供することを目的とする。
し、簡単な製造工程で効率よくしかも安定的に製造ロッ
トごとにおける発熱抵抗体の電気抵抗値のばらつきを防
止するようにした薄膜サーマルヘッドおよび製造方法を
提供することを目的とする。
前述した目的を達成するため本発明の請求項第1項のN
膜す−マルヘッドは、発熱抵抗体を下層およびこの下層
上に積層された上層により構成し、前記下層の面積抵抗
値を上層のそれよりも大きくしたことを特徴としている
。
膜す−マルヘッドは、発熱抵抗体を下層およびこの下層
上に積層された上層により構成し、前記下層の面積抵抗
値を上層のそれよりも大きくしたことを特徴としている
。
また、請求項第2項の薄膜サーマルヘッドは、請求項第
1項において、発熱抵抗体の上層および下層を同じ材料
により形成したことを特徴としている。
1項において、発熱抵抗体の上層および下層を同じ材料
により形成したことを特徴としている。
さらに、請求項第3項の薄膜サーマルヘッドは、発熱抵
抗体の下層を上層より薄い膜厚に形成したことを特徴と
している。
抗体の下層を上層より薄い膜厚に形成したことを特徴と
している。
一方、本発明の請求項第4項の薄膜サーマルヘッドの製
造方法は、発熱抵抗体の上層および下層の材料として同
じ材料を用い、下層および上層の成膜条件を違えること
により下層の面積抵抗値を上層のそれよりも大きくした
ことを特徴としている。
造方法は、発熱抵抗体の上層および下層の材料として同
じ材料を用い、下層および上層の成膜条件を違えること
により下層の面積抵抗値を上層のそれよりも大きくした
ことを特徴としている。
また、請求項第5項の薄膜サーマルヘッドの製造方法は
、発熱抵抗体の上層および下層の材料として同じ材料を
用い、上客ど上層の材料の組成比を違えることにより下
層の面積抵抗値を上層のイれよりも大きくしたことを特
徴としている。
、発熱抵抗体の上層および下層の材料として同じ材料を
用い、上客ど上層の材料の組成比を違えることにより下
層の面積抵抗値を上層のイれよりも大きくしたことを特
徴としている。
前述した構成からなる本発明の薄膜サーマルヘッドによ
れば、製造ロフト間における成膜中の真空チャンバ内の
雰囲気の変動に伴なう電気抵抗釦のばらつきは、下層の
成膜に吸収されることになる。すなわち、上層の面積抵
抗値をR1、下層の面積抵抗値をR2、製造ロフト間に
おける電気抵抗値の変化の割合をαとすると、発熱抵抗
体の上層と下層の合成面積抵抗1iIRは、 R−(1+α)R1R2/R2+(1+α)R2となる
。そして、本発明においては、特に、R1〈R2である
から、RζR1となり、合成面積抵抗値Rは、製造ロッ
トにおける電気抵抗値の変化の割合の影響をあまり受け
ない。
れば、製造ロフト間における成膜中の真空チャンバ内の
雰囲気の変動に伴なう電気抵抗釦のばらつきは、下層の
成膜に吸収されることになる。すなわち、上層の面積抵
抗値をR1、下層の面積抵抗値をR2、製造ロフト間に
おける電気抵抗値の変化の割合をαとすると、発熱抵抗
体の上層と下層の合成面積抵抗1iIRは、 R−(1+α)R1R2/R2+(1+α)R2となる
。そして、本発明においては、特に、R1〈R2である
から、RζR1となり、合成面積抵抗値Rは、製造ロッ
トにおける電気抵抗値の変化の割合の影響をあまり受け
ない。
以下、本発明を図面に示す実施例にJ:り説明づる。な
お、前述した従来のものと同一の構成については、図面
中に同一の符号を(=J L、その説明は省略する。
お、前述した従来のものと同一の構成については、図面
中に同一の符号を(=J L、その説明は省略する。
第1図は、本発明に係る薄膜サーマルヘッドの実施例を
示すものであり、絶縁性基板1上に形成されたグレーズ
層2上には、グレーズ層2上に形成された下層3aと、
この下層3a上に形成された上13bとか、らなる発熱
抵抗体3がWAHされている。このうち下層3aはスパ
ッタの際の真空チャンバ内の雰囲気を安定化させるため
のものであり、この下層3aは本実施例においては約5
00人の膜厚に形成されている。また、この下層3a上
に形成された上層3bは通電された際に発熱する主発熱
層であり、この上1!3bは下層3aの約5倍の約25
00Aの膜厚に形成されている。
示すものであり、絶縁性基板1上に形成されたグレーズ
層2上には、グレーズ層2上に形成された下層3aと、
この下層3a上に形成された上13bとか、らなる発熱
抵抗体3がWAHされている。このうち下層3aはスパ
ッタの際の真空チャンバ内の雰囲気を安定化させるため
のものであり、この下層3aは本実施例においては約5
00人の膜厚に形成されている。また、この下層3a上
に形成された上層3bは通電された際に発熱する主発熱
層であり、この上1!3bは下層3aの約5倍の約25
00Aの膜厚に形成されている。
前記下層3 a l、;らびに上層3bの成膜は、それ
ぞれスパッタにJ、り行なわれるが、このスパッタの条
件は、上層3bと下層3aの成膜とて異なっている。
ぞれスパッタにJ、り行なわれるが、このスパッタの条
件は、上層3bと下層3aの成膜とて異なっている。
まず、T層3aのスパッタは、ターゲットをTa−3+
0 、スパッタガスをAr(圧力6×10 Pa>
、RFパワーを1.6KWとして行なう。一方、上層の
スパッタは、ターゲットを、下層3aにおりるときと全
く同様の材料ならびに組成比のT a −S i O2
、スパッタガスをAr(圧力1xlO”Pa ) 、R
Fパワーを1.6KWとしで前記下層3a上に行う。な
お、その後エツチングなどにより所定形状の複数の発熱
抵抗体3を形成する。
0 、スパッタガスをAr(圧力6×10 Pa>
、RFパワーを1.6KWとして行なう。一方、上層の
スパッタは、ターゲットを、下層3aにおりるときと全
く同様の材料ならびに組成比のT a −S i O2
、スパッタガスをAr(圧力1xlO”Pa ) 、R
Fパワーを1.6KWとしで前記下層3a上に行う。な
お、その後エツチングなどにより所定形状の複数の発熱
抵抗体3を形成する。
このような条例で下層3aと上113bの成膜を行うと
、下層3aの比抵抗は約60mΩ−α、上方の比抵抗は
約30mΩ−1となる。したがって、下層3aの面積抵
抗値は上層3bのそれの約10倍となり、サーマルヘッ
ドを駆動した場合、その投入電力の9割強は上層3bに
おいて消費されることになる。
、下層3aの比抵抗は約60mΩ−α、上方の比抵抗は
約30mΩ−1となる。したがって、下層3aの面積抵
抗値は上層3bのそれの約10倍となり、サーマルヘッ
ドを駆動した場合、その投入電力の9割強は上層3bに
おいて消費されることになる。
このような実施例によれば、発熱抵抗体3を構成づる下
層3aと上層3bは、まず、下層3aの成膜を行った後
に上層3bの成膜を行うので、製造ロットごとに発熱抵
抗体3の電気抵抗値にばらつきを−[じさける原因とな
るスパッタ時における真空チPンバの内壁に吸肴しでい
たH、、O分子中のO原子の解離がほとんど下層3aの
成膜中に行なわれ、取り込まれてしまうことになる。と
ころで、サーマルヘッド駆動時の投入電力の9割強が上
層3bにおいて消費され、下層3aにおいては、投入電
力の1割弱しか消費されないため、スパッタにおける真
空ヂャンバの内壁の○原子が下層3aにほとんど取り込
まれてしまっても、発熱抵抗体3の全体的な電気抵抗値
にあまり影響を与えることはない。
層3aと上層3bは、まず、下層3aの成膜を行った後
に上層3bの成膜を行うので、製造ロットごとに発熱抵
抗体3の電気抵抗値にばらつきを−[じさける原因とな
るスパッタ時における真空チPンバの内壁に吸肴しでい
たH、、O分子中のO原子の解離がほとんど下層3aの
成膜中に行なわれ、取り込まれてしまうことになる。と
ころで、サーマルヘッド駆動時の投入電力の9割強が上
層3bにおいて消費され、下層3aにおいては、投入電
力の1割弱しか消費されないため、スパッタにおける真
空ヂャンバの内壁の○原子が下層3aにほとんど取り込
まれてしまっても、発熱抵抗体3の全体的な電気抵抗値
にあまり影響を与えることはない。
したがって、製造ロット間において電気抵抗値にばらつ
きの生じない発熱抵抗体3を形成することができる。例
えば、従来±10.0%程度あった製造ロツ1へ間にお
ける発熱抵抗体3の電気抵抗値のばらつきを±5.4%
程度にまで減少することができる。
きの生じない発熱抵抗体3を形成することができる。例
えば、従来±10.0%程度あった製造ロツ1へ間にお
ける発熱抵抗体3の電気抵抗値のばらつきを±5.4%
程度にまで減少することができる。
しかも、下層3a、上層3bは同じ材料により形成され
ているので、下1i13aおよび上1i13bの相η間
における密着性に問題はないし、また、単一のスパッタ
ターゲットにより下Eq 3 a、上層3bの両否を形
成するので、製造工程も簡略化することができる。
ているので、下1i13aおよび上1i13bの相η間
における密着性に問題はないし、また、単一のスパッタ
ターゲットにより下Eq 3 a、上層3bの両否を形
成するので、製造工程も簡略化することができる。
なお、本発明は、前述した実施例に限定されるものでは
なく、必要に応じて種々の変更が可能である。
なく、必要に応じて種々の変更が可能である。
例えば、前述した実施例においては、組成比までも同一
の同じ材料を用い、下層3aより上層3bの膜厚を厚く
して上層3bにおける電力消費を大きくしたが、上層3
bと下層3aの材料を同じにしてその組成比のみ変える
ことにより、下層3aを上層3bより電気的に高抵抗に
して製造ロット間における発熱抵抗体3の電気抵抗値に
ばらつきを生じないようにすることも可能である。−例
としては、発熱抵抗体3の上H3t)F3よび下層3a
のlをTa−810とし、7aと8102の比を1−層
3bに15いては1.1とするのに夕・]シ、下層3a
tこJ5いて(、L23としでT xi 3 aの電気
抵抗値を人きくづることができる。
の同じ材料を用い、下層3aより上層3bの膜厚を厚く
して上層3bにおける電力消費を大きくしたが、上層3
bと下層3aの材料を同じにしてその組成比のみ変える
ことにより、下層3aを上層3bより電気的に高抵抗に
して製造ロット間における発熱抵抗体3の電気抵抗値に
ばらつきを生じないようにすることも可能である。−例
としては、発熱抵抗体3の上H3t)F3よび下層3a
のlをTa−810とし、7aと8102の比を1−層
3bに15いては1.1とするのに夕・]シ、下層3a
tこJ5いて(、L23としでT xi 3 aの電気
抵抗値を人きくづることができる。
〔発明の効果]
1ス上説明したように本発明に係る薄膜サーマルヘッド
およびその製造方法によれば、簡単な製造工程で効率よ
くしかも支足的に製造ロフトごとにお(プる発熱抵抗体
の電気抵抗値のばらつきを防止することができるという
優れた効果を奏する。
およびその製造方法によれば、簡単な製造工程で効率よ
くしかも支足的に製造ロフトごとにお(プる発熱抵抗体
の電気抵抗値のばらつきを防止することができるという
優れた効果を奏する。
第1図は本発明に係る薄膜サーマルヘッドの実施例を示
す縦断面図、第2図は従来の薄膜サーマルヘッドを示す
縦断面図である。 1・・・絶縁性基板、2・グレーズ層、3・・・発熱抵
抗体、3△・・・発熱ドツト、3a・・・下層、3b・
・・上層、4△・・・共通電極、4B・・・個別電極、
5・・・保護層。 第1図 第2図
す縦断面図、第2図は従来の薄膜サーマルヘッドを示す
縦断面図である。 1・・・絶縁性基板、2・グレーズ層、3・・・発熱抵
抗体、3△・・・発熱ドツト、3a・・・下層、3b・
・・上層、4△・・・共通電極、4B・・・個別電極、
5・・・保護層。 第1図 第2図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)発熱抵抗体を下層およびこの下層上に積層された上
層により構成し、前記下層の面積抵抗値を上層のそれよ
りも大きくしたことを特徴とする薄膜サーマルヘッド。 2)前記発熱抵抗体の上層および下層を同じ材料により
形成したことを特徴とする請求項第1項記載の薄膜サー
マルヘッド。 3)前記発熱抵抗体の下層を上層より薄い膜厚に形成し
たことを特徴とする請求項第1項または第2項記載の薄
膜サーマルヘッド。 4)請求項第1項記載の薄膜サーマルヘッドの製造方法
において、前記発熱抵抗体の上層および下層の材料とし
て同じ材料を用い、下層および上層の成膜条件を違える
ことにより下層の面積抵抗値を上層のそれよりも大きく
したことを特徴とする薄膜サーマルヘッドの製造方法。 5)請求項第1項記載の薄膜サーマルヘッドの製造方法
において、前記発熱抵抗体の上層および下層の材料とし
て同じ材料を用い、下層と上層の材料の組成比を違える
ことにより下層の面積抵抗値を上層のそれよりも大きく
したことを特徴とする薄膜サーマルヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2204469A JP2825209B2 (ja) | 1990-08-01 | 1990-08-01 | 薄膜サーマルヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2204469A JP2825209B2 (ja) | 1990-08-01 | 1990-08-01 | 薄膜サーマルヘッドの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0489263A true JPH0489263A (ja) | 1992-03-23 |
JP2825209B2 JP2825209B2 (ja) | 1998-11-18 |
Family
ID=16491051
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2204469A Expired - Lifetime JP2825209B2 (ja) | 1990-08-01 | 1990-08-01 | 薄膜サーマルヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2825209B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015020318A (ja) * | 2013-07-18 | 2015-02-02 | 東芝ホクト電子株式会社 | サーマルプリントヘッドおよびその製造方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5853459A (ja) * | 1981-09-24 | 1983-03-30 | Hitachi Ltd | 発熱抵抗体 |
JPS62105645A (ja) * | 1985-11-01 | 1987-05-16 | Alps Electric Co Ltd | サ−マルヘツドの構造 |
-
1990
- 1990-08-01 JP JP2204469A patent/JP2825209B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPS5853459A (ja) * | 1981-09-24 | 1983-03-30 | Hitachi Ltd | 発熱抵抗体 |
JPS62105645A (ja) * | 1985-11-01 | 1987-05-16 | Alps Electric Co Ltd | サ−マルヘツドの構造 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015020318A (ja) * | 2013-07-18 | 2015-02-02 | 東芝ホクト電子株式会社 | サーマルプリントヘッドおよびその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2825209B2 (ja) | 1998-11-18 |
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