JPS6255712B2 - - Google Patents
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- JPS6255712B2 JPS6255712B2 JP55093971A JP9397180A JPS6255712B2 JP S6255712 B2 JPS6255712 B2 JP S6255712B2 JP 55093971 A JP55093971 A JP 55093971A JP 9397180 A JP9397180 A JP 9397180A JP S6255712 B2 JPS6255712 B2 JP S6255712B2
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Landscapes
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は感熱印刷用薄膜サーマル・ヘツドの
製造方法に関する。
製造方法に関する。
感熱印刷用サーマルヘツドとしては、厚膜ヘツ
ド，薄膜ヘツド，半導体ヘツドなどがあり、それ
ぞれの利点、欠点をもつている。
ド，薄膜ヘツド，半導体ヘツドなどがあり、それ
ぞれの利点、欠点をもつている。
薄膜ヘツドは厚膜ヘツドに比べドツトの高密度
化、及び低電力化が可能なこと、熱応答性が速く
印字速度の高速化が可能なことなどの利点がある
一方、コスト、耐電力性等に問題がある。
化、及び低電力化が可能なこと、熱応答性が速く
印字速度の高速化が可能なことなどの利点がある
一方、コスト、耐電力性等に問題がある。
発熱抵抗体を一列、あるいはマトリツクス状に
並べて選択的に電流を流し、加熱して感熱紙に印
字する感熱印刷装置に於いては、発熱体のドツト
サイズを小さくしかつドツト密度を上げることが
鮮明な画像を得るために必要となる薄膜サーマル
ヘツドに於ては現在、製造技術上の問題、駆動回
路及び駆動回路との接続等の種々な要因を検討
し、５ドツト／mm〜８ドツト／mm程度にドツトが
並ぶ様に作られているものが多い。ドツトの形状
は多少の変化はあるが、正方形から縦横の比が
２：１程度迄の長方形が多く使われる。
並べて選択的に電流を流し、加熱して感熱紙に印
字する感熱印刷装置に於いては、発熱体のドツト
サイズを小さくしかつドツト密度を上げることが
鮮明な画像を得るために必要となる薄膜サーマル
ヘツドに於ては現在、製造技術上の問題、駆動回
路及び駆動回路との接続等の種々な要因を検討
し、５ドツト／mm〜８ドツト／mm程度にドツトが
並ぶ様に作られているものが多い。ドツトの形状
は多少の変化はあるが、正方形から縦横の比が
２：１程度迄の長方形が多く使われる。
一方、感熱紙を発色させるに必要な温度まで、
発熱抵抗体を発熱させるには、１つの抵抗体当り
0.1〜1.6W程度の電力が必要であり、ドツト密度
が高くなるに従つて発熱抵抗体の面積が小さくな
り、電力密度が上るため耐電力性が悪くなる。
又、発熱抵抗体の抵抗値は、駆動回路、電源等に
よる制約もあり、回路設計によりかなりの巾があ
るが、抵抗値が低すぎると電流容量が大きくな
り、又、リード線、回路等の抵抗値が無視出来な
くなる等の問題が生ずる。逆に抵抗値が高すぎる
とヘツド電圧が高くなるため、普通は数10〜数
100Ωの範囲で使われる。
発熱抵抗体を発熱させるには、１つの抵抗体当り
0.1〜1.6W程度の電力が必要であり、ドツト密度
が高くなるに従つて発熱抵抗体の面積が小さくな
り、電力密度が上るため耐電力性が悪くなる。
又、発熱抵抗体の抵抗値は、駆動回路、電源等に
よる制約もあり、回路設計によりかなりの巾があ
るが、抵抗値が低すぎると電流容量が大きくな
り、又、リード線、回路等の抵抗値が無視出来な
くなる等の問題が生ずる。逆に抵抗値が高すぎる
とヘツド電圧が高くなるため、普通は数10〜数
100Ωの範囲で使われる。
通常の薄膜ヘツド用抵抗膜としては、Ta―Ｎ
系すなわちタンタルTaおよびチツソＮを主成分
とし両者の組成比が異なる一連の化合物の膜が用
いられる。Ta―Ｎ系の膜は、窒素雰囲気中での
Taの反応性スパツタにより生成され、Ｎの含有
量が多くなる程比抵抗が大きくなるが、発熱抵抗
体として用いる場合は、信頼性、安定性の良いチ
ツ化タンタルTa2Nが用いられる。
系すなわちタンタルTaおよびチツソＮを主成分
とし両者の組成比が異なる一連の化合物の膜が用
いられる。Ta―Ｎ系の膜は、窒素雰囲気中での
Taの反応性スパツタにより生成され、Ｎの含有
量が多くなる程比抵抗が大きくなるが、発熱抵抗
体として用いる場合は、信頼性、安定性の良いチ
ツ化タンタルTa2Nが用いられる。
Ta2Nの比抵抗は約200μΩ―cmであり、抵抗値
は膜厚と形状により決まる。抵抗値を上げるため
には膜厚を薄くし、形状を細長くする必要があ
り、限界がある。
は膜厚と形状により決まる。抵抗値を上げるため
には膜厚を薄くし、形状を細長くする必要があ
り、限界がある。
Ta2Nで前記の形状及び抵抗値を満足させるた
めには膜厚を数100Åにおさえなければならな
い。例えば、縦と横の比が２：１の細長い形状で
200Ωの抵抗値にするには、計算上では200Aとな
る。
めには膜厚を数100Åにおさえなければならな
い。例えば、縦と横の比が２：１の細長い形状で
200Ωの抵抗値にするには、計算上では200Aとな
る。
この様に膜厚を薄くすると製造上の問題点とし
て膜厚コントロールがしにくく、抵抗値の再現
性、均一性が悪くなり、特性上では電力密度が上
るため、破壊しやすくなる。
て膜厚コントロールがしにくく、抵抗値の再現
性、均一性が悪くなり、特性上では電力密度が上
るため、破壊しやすくなる。
この様な欠点を改善するため工夫した例を第２
図Ａ，Ｂに、通常のヘツドの形状を第１図に示
す。図において１は発熱抵抗体、２は個別電極、
３は共通電極である。これらの構造はいずれも膜
厚を極端に薄くすることなく、抵抗値を大きくし
ようと試みたものである。この様な方法はドツト
密度が上る程、又大きな抵抗値が必要となる程高
度のパターニング技術を必要とし、歩留り低下の
原因となる。
図Ａ，Ｂに、通常のヘツドの形状を第１図に示
す。図において１は発熱抵抗体、２は個別電極、
３は共通電極である。これらの構造はいずれも膜
厚を極端に薄くすることなく、抵抗値を大きくし
ようと試みたものである。この様な方法はドツト
密度が上る程、又大きな抵抗値が必要となる程高
度のパターニング技術を必要とし、歩留り低下の
原因となる。
本発明は薄膜サーマル・ヘツド用抵抗材料とし
て、Ta―Ｎ系材料の欠点を克服するためTa―Ｎ
系薄膜に二酸化ケイ素SiO2を混入し、比抵抗を
高くすると共に、SiO2の量をコントロールする
ことにより比抵抗のコントロールを自由に出来る
様にしたものである。比抵抗をコントロールする
ことにより、形状及び膜厚をドツトサイズ、電力
密度に応じて自由に選択しながら、希望の抵抗値
に設定することが可能となる。
て、Ta―Ｎ系材料の欠点を克服するためTa―Ｎ
系薄膜に二酸化ケイ素SiO2を混入し、比抵抗を
高くすると共に、SiO2の量をコントロールする
ことにより比抵抗のコントロールを自由に出来る
様にしたものである。比抵抗をコントロールする
ことにより、形状及び膜厚をドツトサイズ、電力
密度に応じて自由に選択しながら、希望の抵抗値
に設定することが可能となる。
この膜の製造方法は第３図に示すようにSiO2
の板５の上にTa６を格子状にはりつけたターゲ
ツト７をアルゴンAr中あるいはアルゴンおよび
チツソ雰囲気Ar＋N2中でスパツタすることによ
り、Ta―SiO2あるいはTa―Ｎ―SiO2を得るもの
で、ターゲツトのTaとSiO2の面積比を変えるこ
とによりSiO2の量をコントロールし、簡便かつ
自由に膜の比抵抗を変えることが出来る。
の板５の上にTa６を格子状にはりつけたターゲ
ツト７をアルゴンAr中あるいはアルゴンおよび
チツソ雰囲気Ar＋N2中でスパツタすることによ
り、Ta―SiO2あるいはTa―Ｎ―SiO2を得るもの
で、ターゲツトのTaとSiO2の面積比を変えるこ
とによりSiO2の量をコントロールし、簡便かつ
自由に膜の比抵抗を変えることが出来る。
ターゲツトとしては、この他に、TaとSiO2の
焼結体を使用しても良い。但し、焼結体を使用す
る場合は、再現性は良くなるが、組成のコントロ
ールが出来なくなるため、同一条件で量産をする
場合に適応される。
焼結体を使用しても良い。但し、焼結体を使用す
る場合は、再現性は良くなるが、組成のコントロ
ールが出来なくなるため、同一条件で量産をする
場合に適応される。
第４図にターゲツト７のTaとSiO2との面積比
と、膜の比抵抗の関係を示す。面積比を変えるこ
とにより104μΩ―cmまで比抵抗をコントロール
出来るが、これ以上の高抵抗になるとSiO2の面
積比が大きくなるに従つて急激に比抵抗が大きく
なりコントロールが困難となる。
と、膜の比抵抗の関係を示す。面積比を変えるこ
とにより104μΩ―cmまで比抵抗をコントロール
出来るが、これ以上の高抵抗になるとSiO2の面
積比が大きくなるに従つて急激に比抵抗が大きく
なりコントロールが困難となる。
なお、TaとSiO2はスパツタ率が異ねるため、
Ar圧、スパツタ電圧を変えることはよつてもか
なりの範囲で比抵抗を変えることが出来る。これ
らの条件は装置依存性があり、一律に限定するこ
とは出来ない。いずれにしても薄膜サーマルヘツ
ド用抵抗膜の比抵抗としては、500μΩ―cmから
8000μΩ―cmの範囲での使用が適しており、装置
の特性、試料の形状等により適切な条件を選定す
ることが重要である。
Ar圧、スパツタ電圧を変えることはよつてもか
なりの範囲で比抵抗を変えることが出来る。これ
らの条件は装置依存性があり、一律に限定するこ
とは出来ない。いずれにしても薄膜サーマルヘツ
ド用抵抗膜の比抵抗としては、500μΩ―cmから
8000μΩ―cmの範囲での使用が適しており、装置
の特性、試料の形状等により適切な条件を選定す
ることが重要である。
以下に本発明の実施例を示す。
実施例 １
50mm×50mm×１mmのグレーズドアルミナ基板上
にTaを通常のDCあるいはRFスパツタ装置で約
500Åスパツタし、大気中で550℃２時間の熱処理
をほどこしてTa2O5を形成する。その后、巾３mm
厚さ100μｍのタンタル・リボンを格子状に組み
合せて、直径５インチのSiO2板に張り合せ、か
つSiO2とTaのターゲツトに占める面積比を5.5：
4.5とした第３図に示す様なターゲツトを用い、
通常の２極rfスパツタ装置で、例えば電極間距離
３cmＰAr＝３×10-5トール（torr），ＰN2＝３×
10-5torrスパツタ電圧1.8KVで25分間スパツタを
行い、ρ＝6000μΩ―cmのTa―Ｎ―SiO2系抵抗
膜3000Åを得る。さらに電極層としてCr5000
Å，Pd1000Å，Au1μを次々に重ねて蒸着し、そ
の后通常のフオト・レジストを用いた写真蝕刻法
で、Cr，Pd，Auをエツチングすることにより巾
160μｍ、長さ40mmの細長い窓をあけ、抵抗膜を
露出させる。その后、通常のフオト・レジストを
用いた写真蝕刻法により細長く抵抗体の露出した
部分がヘツドの発熱部になる様に、共通電極から
巾130μｍ、電極間のギヤツプ36μｍの個別電極
が突き出したくし形電極パターンをマスク合せし
て、Au，Pd，Cr及びTa―Ｎ―SiO2の膜を順次エ
ツチングする。さらに、この上に外部の配線と接
続する電極の部分に耐摩耗膜が付着しない様に被
覆した后、耐摩耗膜としてTa2O5を約６〜10μｍ
スパツタする。
にTaを通常のDCあるいはRFスパツタ装置で約
500Åスパツタし、大気中で550℃２時間の熱処理
をほどこしてTa2O5を形成する。その后、巾３mm
厚さ100μｍのタンタル・リボンを格子状に組み
合せて、直径５インチのSiO2板に張り合せ、か
つSiO2とTaのターゲツトに占める面積比を5.5：
4.5とした第３図に示す様なターゲツトを用い、
通常の２極rfスパツタ装置で、例えば電極間距離
３cmＰAr＝３×10-5トール（torr），ＰN2＝３×
10-5torrスパツタ電圧1.8KVで25分間スパツタを
行い、ρ＝6000μΩ―cmのTa―Ｎ―SiO2系抵抗
膜3000Åを得る。さらに電極層としてCr5000
Å，Pd1000Å，Au1μを次々に重ねて蒸着し、そ
の后通常のフオト・レジストを用いた写真蝕刻法
で、Cr，Pd，Auをエツチングすることにより巾
160μｍ、長さ40mmの細長い窓をあけ、抵抗膜を
露出させる。その后、通常のフオト・レジストを
用いた写真蝕刻法により細長く抵抗体の露出した
部分がヘツドの発熱部になる様に、共通電極から
巾130μｍ、電極間のギヤツプ36μｍの個別電極
が突き出したくし形電極パターンをマスク合せし
て、Au，Pd，Cr及びTa―Ｎ―SiO2の膜を順次エ
ツチングする。さらに、この上に外部の配線と接
続する電極の部分に耐摩耗膜が付着しない様に被
覆した后、耐摩耗膜としてTa2O5を約６〜10μｍ
スパツタする。
この様にして得た薄膜サーマル・ヘツドは発熱
抵抗体の抵抗値約250Ω、劣化電圧11V、巾が
5mSでサイクルタイム10mSのパルスを9Vで108回
印加后の抵抗値変化が±２％以内と良好な特性を
示した。
抵抗体の抵抗値約250Ω、劣化電圧11V、巾が
5mSでサイクルタイム10mSのパルスを9Vで108回
印加后の抵抗値変化が±２％以内と良好な特性を
示した。
実施例 ２
50mm×50mm×１mmのグレーズド・アルミナ基板
上にTaを通常のDCあるいはRFスパツタ装置で
約500Åスパツタし、大気中で550℃２時間の熱処
理をほどこしてTa2O5を形成する。その后、巾３
mm、厚さ100μｍのタンタル・リボンを格子状に
組み合せて、直径５インチのSiO2板に張り合
せ、かつ、SiO2とTaのターゲツトに占める面積
比を１：１とした第３図に示す様なターゲツトを
用い、通常の２極ｒ・ｆスパツタ装置で、例えば
電極間距離３cmＰAr＝２×10-2torr，スパツタ電
圧1.8KVで15分間スパツタを行い、ρ＝3600μΩ
―cmのTa―SiO2系抵抗膜2000Åを得る。さらに
電極層としてCr500Å，Pd1000Å，Au1μを次々
に重ねて蒸発し、その后、通常のフオトレジスト
を用いた写真蝕刻法でCr，Pd，Auをエツチング
することにより巾160μｍ長さ40mmの細長い窓を
あけ、抵抗膜を露出させる。その后、通常のフオ
ト・レジストを用いた写真蝕刻法により、細長く
抵抗体の露出した部分がヘツドの発熱部になる様
に、共通電極から巾130μｍ、電極間のギヤツプ
36μｍの個別電極がつき出した、くし形電極パタ
ーンをマスク合せして、Au，Pd，Cr及びTa―
SiO2の膜を順次エツチングする。さらにこの上
に、外部の配線と接続する電極の部分に耐摩耗膜
が付着しない様にカバーした后、耐摩耗膜として
Ta2O5を約６〜10μｍスパツタする。
上にTaを通常のDCあるいはRFスパツタ装置で
約500Åスパツタし、大気中で550℃２時間の熱処
理をほどこしてTa2O5を形成する。その后、巾３
mm、厚さ100μｍのタンタル・リボンを格子状に
組み合せて、直径５インチのSiO2板に張り合
せ、かつ、SiO2とTaのターゲツトに占める面積
比を１：１とした第３図に示す様なターゲツトを
用い、通常の２極ｒ・ｆスパツタ装置で、例えば
電極間距離３cmＰAr＝２×10-2torr，スパツタ電
圧1.8KVで15分間スパツタを行い、ρ＝3600μΩ
―cmのTa―SiO2系抵抗膜2000Åを得る。さらに
電極層としてCr500Å，Pd1000Å，Au1μを次々
に重ねて蒸発し、その后、通常のフオトレジスト
を用いた写真蝕刻法でCr，Pd，Auをエツチング
することにより巾160μｍ長さ40mmの細長い窓を
あけ、抵抗膜を露出させる。その后、通常のフオ
ト・レジストを用いた写真蝕刻法により、細長く
抵抗体の露出した部分がヘツドの発熱部になる様
に、共通電極から巾130μｍ、電極間のギヤツプ
36μｍの個別電極がつき出した、くし形電極パタ
ーンをマスク合せして、Au，Pd，Cr及びTa―
SiO2の膜を順次エツチングする。さらにこの上
に、外部の配線と接続する電極の部分に耐摩耗膜
が付着しない様にカバーした后、耐摩耗膜として
Ta2O5を約６〜10μｍスパツタする。
この様にして得た薄膜サーマル・ヘツドは発熱
抵抗体の抵抗約230Ω、劣化電圧10.5V、巾が5mS
でサイクルタイム10mSのパルスを9Vで108回印
加后の抵抗値変化が±７％以内という特性を示し
た。
抵抗体の抵抗約230Ω、劣化電圧10.5V、巾が5mS
でサイクルタイム10mSのパルスを9Vで108回印
加后の抵抗値変化が±７％以内という特性を示し
た。
第５図第６図にはドツト密度６ドツト／mm、抵
抗体の形状160μｍ×130μｍ、抵抗値200Ωのサ
ーマルヘツドをTa―Ｎ及びTa―Ｎ―SiO2で実施
例２に示すようにして試作したものについて、耐
電力特性（第５図）及び印字濃度（第６図）を測
定した結果を示す。耐電力特性は5mSON、５ｍ
SOFFのパルスで負荷をかけ、ステツプストレス
テストを行つた結果である。抵抗体の膜厚はTa
―Ｎが400A以下、Ta―Ｎ―SiO2が3500Aで比抵
抗を計算すると各々約650μΩ―cm、5700μΩ―
cmとなる。
抗体の形状160μｍ×130μｍ、抵抗値200Ωのサ
ーマルヘツドをTa―Ｎ及びTa―Ｎ―SiO2で実施
例２に示すようにして試作したものについて、耐
電力特性（第５図）及び印字濃度（第６図）を測
定した結果を示す。耐電力特性は5mSON、５ｍ
SOFFのパルスで負荷をかけ、ステツプストレス
テストを行つた結果である。抵抗体の膜厚はTa
―Ｎが400A以下、Ta―Ｎ―SiO2が3500Aで比抵
抗を計算すると各々約650μΩ―cm、5700μΩ―
cmとなる。
耐電力特性、印字濃度、ヘツド電圧のマージン
等、いずれもTa―Ｎに比べTa―Ｎ―SiO2がはる
かに良くなつており、比抵抗を高くして膜厚を厚
くした効果が表われている。Ta―Ｎは膜厚が非
常に薄いため、みかけの比抵抗は実際より大きく
なつていると思われるが、Ta2NよりもやゝＮの
多い膜と考えられる。Ta2Nを使うには、さらに
膜厚を薄くしなければならず、実際には使用出来
ないと思われる。
等、いずれもTa―Ｎに比べTa―Ｎ―SiO2がはる
かに良くなつており、比抵抗を高くして膜厚を厚
くした効果が表われている。Ta―Ｎは膜厚が非
常に薄いため、みかけの比抵抗は実際より大きく
なつていると思われるが、Ta2NよりもやゝＮの
多い膜と考えられる。Ta2Nを使うには、さらに
膜厚を薄くしなければならず、実際には使用出来
ないと思われる。
第７図にTa―SiO2とTa―Ｎ―SiO2膜の経時変
化テストの結果を示す。Ta―SiO2膜はTa―Ｎ―
SiO2膜に比べ、スパツタ時にN2ガスが不要のた
め、スパツタ条件のコントロールがし易く再現性
が良くなるという利点がある反面、信頼性、安定
性で劣つている。しかし10％以内の抵抗変化であ
れば印字濃度への影響も比較的少く、通常の感熱
印刷装置用としては充分使用が可能である。
化テストの結果を示す。Ta―SiO2膜はTa―Ｎ―
SiO2膜に比べ、スパツタ時にN2ガスが不要のた
め、スパツタ条件のコントロールがし易く再現性
が良くなるという利点がある反面、信頼性、安定
性で劣つている。しかし10％以内の抵抗変化であ
れば印字濃度への影響も比較的少く、通常の感熱
印刷装置用としては充分使用が可能である。
以上説明した様に、本発明では薄膜サーマルヘ
ツド用抵抗材料としてTa―SiO2，Ta―Ｎ―SiO2
をスパツタリングにより製造することにより、従
来の方法に比べすぐれた特性の薄膜サーマルヘツ
ドを得ることが出来る。
ツド用抵抗材料としてTa―SiO2，Ta―Ｎ―SiO2
をスパツタリングにより製造することにより、従
来の方法に比べすぐれた特性の薄膜サーマルヘツ
ドを得ることが出来る。
第１図乃至第２図は従来のサーマルヘツドの構
成を示す概略図、第３図は本発明のサーマルヘツ
ドの製造に使用するスパツタリング用ターゲツト
の正面図、第４図は本発明方法により製造された
サーマルヘツド抵抗膜の比抵抗とターゲツトの構
成との関係を示すグラフ、第５図は本発明方法に
より製造されたサーマルヘツドのステツプストレ
ステストによる抵抗膜の抵抗変化を示すグラフ、
第６図は本発明方法により製造されたサーマルヘ
ツドの印字濃度特性を従来のヘツドと対比して示
すグラフ、第７図は本発明方法によるサーマルヘ
ツドの抵抗膜の経時変化特性を示すグラフであ
る。 １…発熱抵抗体、２…個別電極、３…共通電
極、５…SiO2板、６…Ta格子、７…ターゲツ
ト。
成を示す概略図、第３図は本発明のサーマルヘツ
ドの製造に使用するスパツタリング用ターゲツト
の正面図、第４図は本発明方法により製造された
サーマルヘツド抵抗膜の比抵抗とターゲツトの構
成との関係を示すグラフ、第５図は本発明方法に
より製造されたサーマルヘツドのステツプストレ
ステストによる抵抗膜の抵抗変化を示すグラフ、
第６図は本発明方法により製造されたサーマルヘ
ツドの印字濃度特性を従来のヘツドと対比して示
すグラフ、第７図は本発明方法によるサーマルヘ
ツドの抵抗膜の経時変化特性を示すグラフであ
る。 １…発熱抵抗体、２…個別電極、３…共通電
極、５…SiO2板、６…Ta格子、７…ターゲツ
ト。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ タンタル及びシリコン酸化物を含み窒素を含
まないターゲツトを、アルゴンもしくはこれに窒
素を混入したガス雰囲気でスパツタリングして、
Ta―SiO2系又はTa―Ｎ―SiO2系発熱抵抗体薄膜
を得、この薄膜に電極を設けることを特徴とする
薄膜サーマルヘツドの製造方法。 ２ ターゲツトはタンタルと二酸化ケイ素の焼結
体であることを特徴とする特許請求の範囲第１項
に記載した薄膜サーマルヘツドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9397180A JPS56150575A (en) | 1980-07-11 | 1980-07-11 | Production of thin film thermal head |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9397180A JPS56150575A (en) | 1980-07-11 | 1980-07-11 | Production of thin film thermal head |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8500876A Division JPS5311037A (en) | 1976-07-19 | 1976-07-19 | Thin film thermal head |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56150575A JPS56150575A (en) | 1981-11-21 |
| JPS6255712B2 true JPS6255712B2 (ja) | 1987-11-20 |
Family
ID=14097284
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9397180A Granted JPS56150575A (en) | 1980-07-11 | 1980-07-11 | Production of thin film thermal head |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS56150575A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0770371B2 (ja) * | 1985-07-25 | 1995-07-31 | 京セラ株式会社 | サ−マルヘツド |
| GB2179007B (en) * | 1985-08-12 | 1990-09-12 | Mitsubishi Electric Corp | Thermal head for printer |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4922949A (ja) * | 1972-06-19 | 1974-02-28 | ||
| JPS5144297A (ja) * | 1974-10-14 | 1976-04-15 | Taisei Denshi Kk | Kinzokuhakumakukahenteikososhino seizohoho |
| JPS52109947A (en) * | 1976-03-11 | 1977-09-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Thermal head and its preparation |
-
1980
- 1980-07-11 JP JP9397180A patent/JPS56150575A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4922949A (ja) * | 1972-06-19 | 1974-02-28 | ||
| JPS5144297A (ja) * | 1974-10-14 | 1976-04-15 | Taisei Denshi Kk | Kinzokuhakumakukahenteikososhino seizohoho |
| JPS52109947A (en) * | 1976-03-11 | 1977-09-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Thermal head and its preparation |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56150575A (en) | 1981-11-21 |
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