JPH0488513A - 定電圧回路 - Google Patents
定電圧回路Info
- Publication number
- JPH0488513A JPH0488513A JP20581890A JP20581890A JPH0488513A JP H0488513 A JPH0488513 A JP H0488513A JP 20581890 A JP20581890 A JP 20581890A JP 20581890 A JP20581890 A JP 20581890A JP H0488513 A JPH0488513 A JP H0488513A
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- JP
- Japan
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- voltage
- transistor
- npn transistor
- collector
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- Pending
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- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 8
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 abstract description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Continuous-Control Power Sources That Use Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は負荷に一定電圧を供給する定電圧回路に関する
ものである。
ものである。
第2図は従来の定電圧回路を示す回路図である。
同図において、1はNPN トランジスタ、2は正側が
NPN トランジスタ1のコレクタに接続された電源、
3はカソードがNPN トランジスタ1のベース、アノ
ードが電源2の負側に接続された定電圧ダイオード、4
は一方がNPNトランジスタ1のコレクタおよび電源2
の正側、他方がNPNトランジスタ1のベースおよび定
電圧ダイオード3のカソードに接続された抵抗、5は一
方がNPNトランジスタのエミッタ、他方が定電圧ダイ
オード3のアノードおよび電源2の負側に接続された負
荷である。
NPN トランジスタ1のコレクタに接続された電源、
3はカソードがNPN トランジスタ1のベース、アノ
ードが電源2の負側に接続された定電圧ダイオード、4
は一方がNPNトランジスタ1のコレクタおよび電源2
の正側、他方がNPNトランジスタ1のベースおよび定
電圧ダイオード3のカソードに接続された抵抗、5は一
方がNPNトランジスタのエミッタ、他方が定電圧ダイ
オード3のアノードおよび電源2の負側に接続された負
荷である。
次に動作について説明する。電源2の電圧をVBとし、
定電圧ダイオード3の導通電圧をV21とすると、■、
がV21より十分に高い場合、抵抗4を介して定電圧ダ
イオード3のカソードからアノードに電流が流れるので
、NPN トランジスタ1のベース・エミッタ間の電圧
をViEIとすると、負荷5の両端に発生する電圧■。
定電圧ダイオード3の導通電圧をV21とすると、■、
がV21より十分に高い場合、抵抗4を介して定電圧ダ
イオード3のカソードからアノードに電流が流れるので
、NPN トランジスタ1のベース・エミッタ間の電圧
をViEIとすると、負荷5の両端に発生する電圧■。
は次式によって表わすことができる。
Vo−Vzt Vl):I ・・・11)次いで、■
、がVZIより低く定電圧ダイオード3が非導通状態の
場合、抵抗4を介してNPNトランジスタ10ベースに
流れる電流をfil+、抵抗4の抵抗値をRとすると、 ■。=V、−R・■ゆI VIIEI・・・・(2)
の式で表わすことができる。
、がVZIより低く定電圧ダイオード3が非導通状態の
場合、抵抗4を介してNPNトランジスタ10ベースに
流れる電流をfil+、抵抗4の抵抗値をRとすると、 ■。=V、−R・■ゆI VIIEI・・・・(2)
の式で表わすことができる。
さらに、負荷5の抵抗値をRL、NPNトランジスタ1
の直流電流増幅率をβ1とすると、■。
の直流電流増幅率をβ1とすると、■。
は次式で表わすことができる。
従来の定電圧回路は以上のように構成されているので、
電源の電圧が下がって定電圧ダイオードが非導通の状態
において、出力電圧は、負荷が小さい(抵抗値RLが小
さい)はど低い値になってしまうという問題があった。
電源の電圧が下がって定電圧ダイオードが非導通の状態
において、出力電圧は、負荷が小さい(抵抗値RLが小
さい)はど低い値になってしまうという問題があった。
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、そ
の目的とするところは、定電圧ダイオードが非導通状態
になっても高い出力電圧を得ることができる定電圧回路
を得ることにある。
の目的とするところは、定電圧ダイオードが非導通状態
になっても高い出力電圧を得ることができる定電圧回路
を得ることにある。
このような目的を達成するために本発明は、NPNトラ
ンジスタのエミッタにコレクタ、コレクタにエミッタを
接続した並列接続PNP トランジスタと、基準電圧源
の電圧が規定の電圧に達しているか否かを検出する検出
回路と、基準電圧源の電圧が規定の電圧に達していない
ときに検出回路の出力信号により並列接続PNP トラ
ンジスタを駆動して飽和させる飽和回路とを設けるよう
にしたものである。
ンジスタのエミッタにコレクタ、コレクタにエミッタを
接続した並列接続PNP トランジスタと、基準電圧源
の電圧が規定の電圧に達しているか否かを検出する検出
回路と、基準電圧源の電圧が規定の電圧に達していない
ときに検出回路の出力信号により並列接続PNP トラ
ンジスタを駆動して飽和させる飽和回路とを設けるよう
にしたものである。
本発明による定電圧回路では、定電圧ダイオード非導通
時に並列接続PNP トランジスタを飽和状態とし、電
源電圧とほぼ同じ電圧が出力される。
時に並列接続PNP トランジスタを飽和状態とし、電
源電圧とほぼ同じ電圧が出力される。
以下、本発明の一実施例を図について説明する。
第1図は本発明による定電圧回路の一実施例を示す回路
図である。同図において、6はベースが定電圧ダイオー
ド3のアノード、エミッタが電源2の負側および負荷5
に接続されたNPNトランジスタ、7はエミッタが電源
2の負側およびNPNトランジスタ6のエミッタ並びに
負荷5、ベースがNPN トランジスタ6のコレクタに
接続されたNPN トランジスタ、8は一方がNPNI
−ランジスタロのコレクタおよびNPN l−ランジス
タフのベース、他方が抵抗4およびNPN トランジス
タ1のコレクタ並びに電源2の正側に接続された抵抗、
9はエミッタがNPN トランジスタ1のコレクタおよ
び電源2の正側および抵抗4並びに抵抗8、コレクタが
負荷5およびNPNトランジスタ1のエミッタに接続さ
れたPNPトランジスタ、10は一方がNPNトランジ
スタフのコレクタ、他方がPNP トランジスタ9のベ
ースに接続された抵抗である。第1図において、トラン
ジスタ6は検出回路を構成し、トランジスタ7は飽和回
路を構成する。また、トランジスタ9は並列接Vtトラ
ンジスタである。
図である。同図において、6はベースが定電圧ダイオー
ド3のアノード、エミッタが電源2の負側および負荷5
に接続されたNPNトランジスタ、7はエミッタが電源
2の負側およびNPNトランジスタ6のエミッタ並びに
負荷5、ベースがNPN トランジスタ6のコレクタに
接続されたNPN トランジスタ、8は一方がNPNI
−ランジスタロのコレクタおよびNPN l−ランジス
タフのベース、他方が抵抗4およびNPN トランジス
タ1のコレクタ並びに電源2の正側に接続された抵抗、
9はエミッタがNPN トランジスタ1のコレクタおよ
び電源2の正側および抵抗4並びに抵抗8、コレクタが
負荷5およびNPNトランジスタ1のエミッタに接続さ
れたPNPトランジスタ、10は一方がNPNトランジ
スタフのコレクタ、他方がPNP トランジスタ9のベ
ースに接続された抵抗である。第1図において、トラン
ジスタ6は検出回路を構成し、トランジスタ7は飽和回
路を構成する。また、トランジスタ9は並列接Vtトラ
ンジスタである。
以下動作につき説明する。電源2の電圧をV8とし、定
電圧ダイオード3導通時のカソード・アノード間電圧を
VZIとすると、■、がVZIより十分に高い場合、抵
抗4を介して定電圧ダイオード3のカソードからアノー
ドに電流が流れるので、定電圧ダイオード3のカソード
・アノード間を圧はVZIとなり、かっNPN トラン
ジスタロのベースは定電圧ダイオード3のアノードとつ
ながっているので、NPN トランジスタロは、電源2
がら抵抗4および定電圧ダイオード3を介してベースに
電流が流れ込み、飽和状態になる。NPN トランジス
タロのコレクタとNPN トランジスタフのベースはつ
ながっており、NPN トランジスタ6のコレクタ・エ
ミッタ間飽和電圧がNPN トランジスタフのベース・
エミッタ間オン電圧より低くなると、NPN トランジ
スタフのベースには電流が流れないので、NPNトラン
ジスタ7は遮断状態になる。PNP トランジスタ9の
エミッタは抵抗lOを介してNPN トランジスタ7の
コレクタにつながっているので、NPNトランジスタ7
が遮断状態となれば、PNP l−ランジスタ9のへ一
スから電流が流出することはなく、PNPトランジスタ
9は遮断状態になる。
電圧ダイオード3導通時のカソード・アノード間電圧を
VZIとすると、■、がVZIより十分に高い場合、抵
抗4を介して定電圧ダイオード3のカソードからアノー
ドに電流が流れるので、定電圧ダイオード3のカソード
・アノード間を圧はVZIとなり、かっNPN トラン
ジスタロのベースは定電圧ダイオード3のアノードとつ
ながっているので、NPN トランジスタロは、電源2
がら抵抗4および定電圧ダイオード3を介してベースに
電流が流れ込み、飽和状態になる。NPN トランジス
タロのコレクタとNPN トランジスタフのベースはつ
ながっており、NPN トランジスタ6のコレクタ・エ
ミッタ間飽和電圧がNPN トランジスタフのベース・
エミッタ間オン電圧より低くなると、NPN トランジ
スタフのベースには電流が流れないので、NPNトラン
ジスタ7は遮断状態になる。PNP トランジスタ9の
エミッタは抵抗lOを介してNPN トランジスタ7の
コレクタにつながっているので、NPNトランジスタ7
が遮断状態となれば、PNP l−ランジスタ9のへ一
スから電流が流出することはなく、PNPトランジスタ
9は遮断状態になる。
そこで、NPNトランジスタlのベース・エミッタ間電
圧をVI+、 N P N トランジスタロのベース・
エミッタ間電圧をVIEい負荷5の両端に発生する電圧
を■。とすると、Voは次式によって表わすことができ
る。
圧をVI+、 N P N トランジスタロのベース・
エミッタ間電圧をVIEい負荷5の両端に発生する電圧
を■。とすると、Voは次式によって表わすことができ
る。
Vo=Vz+ + VllE& VBE+ ・・・・
・(4)次いで、■、がV21より低く定電圧ダイオー
ド3が非導通状態の場合、NPN トランジスタロは、
ベースに電流が流れ込まないので、遮断状態になる。す
ると、NPN トランジスタフは抵抗8を介してベース
に電流が流れ込んで飽和状態になり、PNP トランジ
スタ9は抵抗1oを介してベースからNPN トランジ
スタフのコレクタへ電流が流出するので、PNP l−
ランジスタ9は飽和状態になる。そこで、PNPトラン
ジスタ9のコレクタ・エミッタ間飽和電圧をVcE□1
.とすると、voは次式によって表わすことができる。
・(4)次いで、■、がV21より低く定電圧ダイオー
ド3が非導通状態の場合、NPN トランジスタロは、
ベースに電流が流れ込まないので、遮断状態になる。す
ると、NPN トランジスタフは抵抗8を介してベース
に電流が流れ込んで飽和状態になり、PNP トランジ
スタ9は抵抗1oを介してベースからNPN トランジ
スタフのコレクタへ電流が流出するので、PNP l−
ランジスタ9は飽和状態になる。そこで、PNPトラン
ジスタ9のコレクタ・エミッタ間飽和電圧をVcE□1
.とすると、voは次式によって表わすことができる。
Vo=Vs ”CEsatl’ HHH−(s)なお
、上記実施例では、トランジスタ1,67にNPN、
トランジスタ9にPNPを設けたものを示したが、ト
ランジスタ1.6.7にPNP。
、上記実施例では、トランジスタ1,67にNPN、
トランジスタ9にPNPを設けたものを示したが、ト
ランジスタ1.6.7にPNP。
トランジスタ9にNPNを設けても上記実施例と同様の
効果を奏することができる。
効果を奏することができる。
以上説明したように本発明は、NPN トランジスタに
並列に接続した並列接続PNP トランジスタと、基準
電圧源の電圧が規定の電圧に達しているか否かを検出す
る検出回路と、基準電圧源の電圧が規定の電圧に達して
いないときに検出回路の出力信号により並列接続PNP
トランジスタを駆動して飽和させる飽和回路とを設け
るようにしたことにより、電源の電圧が低く基準電圧源
の電圧が規定の電圧に達していないときに電源電圧に近
い電圧を負荷に供給できるという効果がある。
並列に接続した並列接続PNP トランジスタと、基準
電圧源の電圧が規定の電圧に達しているか否かを検出す
る検出回路と、基準電圧源の電圧が規定の電圧に達して
いないときに検出回路の出力信号により並列接続PNP
トランジスタを駆動して飽和させる飽和回路とを設け
るようにしたことにより、電源の電圧が低く基準電圧源
の電圧が規定の電圧に達していないときに電源電圧に近
い電圧を負荷に供給できるという効果がある。
第1図は本発明による定電圧回路の一実施例を示す回路
図、第2図は従来の定電圧回路を示す回路図である。 1.6.7・・・NPNトランジスタ、9・・・PNP
トランジスタ、2・・・電源、3・・・定電圧ダイオー
ド、4.8.10・・・抵抗、5・・・負荷。 第1図
図、第2図は従来の定電圧回路を示す回路図である。 1.6.7・・・NPNトランジスタ、9・・・PNP
トランジスタ、2・・・電源、3・・・定電圧ダイオー
ド、4.8.10・・・抵抗、5・・・負荷。 第1図
Claims (1)
- NPNトランジスタのベースに基準電圧源を接続し、
前記トランジスタのコレクタに電源、前記トランジスタ
のエミッタに負荷を接続し、前記負荷を前記NPNトラ
ンジスタのコレクタ接地回路によって駆動する定電圧回
路において、前記NPNトランジスタのエミッタにコレ
クタ、コレクタにエミッタを接続した並列接続PNPト
ランジスタと、前記基準電圧源の電圧が規定の電圧に達
しているか否かを検出する検出回路と、前記基準電圧源
の電圧が規定の電圧に達していないときに前記検出回路
の出力信号により前記並列接続PNPトランジスタを駆
動して飽和させる飽和回路とを備えたことを特徴とする
定電圧回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20581890A JPH0488513A (ja) | 1990-07-31 | 1990-07-31 | 定電圧回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20581890A JPH0488513A (ja) | 1990-07-31 | 1990-07-31 | 定電圧回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0488513A true JPH0488513A (ja) | 1992-03-23 |
Family
ID=16513211
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP20581890A Pending JPH0488513A (ja) | 1990-07-31 | 1990-07-31 | 定電圧回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0488513A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102019135535A1 (de) * | 2019-12-20 | 2021-06-24 | Forschungszentrum Jülich GmbH | Vorrichtung zum Bereitstellen einer geregelten Ausgangsspannung, Verwendung, Chip und Verfahren |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63231514A (ja) * | 1987-03-19 | 1988-09-27 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体集積回路 |
-
1990
- 1990-07-31 JP JP20581890A patent/JPH0488513A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63231514A (ja) * | 1987-03-19 | 1988-09-27 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体集積回路 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102019135535A1 (de) * | 2019-12-20 | 2021-06-24 | Forschungszentrum Jülich GmbH | Vorrichtung zum Bereitstellen einer geregelten Ausgangsspannung, Verwendung, Chip und Verfahren |
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