JPH0485755U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0485755U JPH0485755U JP12824090U JP12824090U JPH0485755U JP H0485755 U JPH0485755 U JP H0485755U JP 12824090 U JP12824090 U JP 12824090U JP 12824090 U JP12824090 U JP 12824090U JP H0485755 U JPH0485755 U JP H0485755U
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- type semiconductor
- light emitting
- crystal layer
- transmitted light
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
Description
第１図はＬＥＤチツプ１の平面図、第２図は正
面図、第３図はＡ−Ａ断面図、第４図はエツチン
グ時の要部断面図、第５図はＢ−Ｂ断面図、第６
図〜第１０図は従来例の平面図、Ｃ−Ｃ断面図、
Ｄ−Ｄ断面図、要部断面図、集光状態の説明図で
ある。 １……ＬＥＤチツプ、２……Ｎ型半導体素子、
２１……Ｎ層結晶層、３……Ｐ型半導体、５……
遮光層、６……レンズ。
面図、第３図はＡ−Ａ断面図、第４図はエツチン
グ時の要部断面図、第５図はＢ−Ｂ断面図、第６
図〜第１０図は従来例の平面図、Ｃ−Ｃ断面図、
Ｄ−Ｄ断面図、要部断面図、集光状態の説明図で
ある。 １……ＬＥＤチツプ、２……Ｎ型半導体素子、
２１……Ｎ層結晶層、３……Ｐ型半導体、５……
遮光層、６……レンズ。
Claims (1)
- Ｎ型半導体素子上に、選択拡散されたＰ型半導
体を配置したＮ層結晶層を形成したＬＥＤチツプ
の前記Ｎ層結晶層には、透過する光の指向角を小
さくする遮光層を形成すると共に、側面に透過光
の放出部分をレンズ状に形成したことを特徴とす
る集光型発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12824090U JPH0485755U (ja) | 1990-11-29 | 1990-11-29 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12824090U JPH0485755U (ja) | 1990-11-29 | 1990-11-29 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0485755U true JPH0485755U (ja) | 1992-07-24 |
Family
ID=31875709
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12824090U Pending JPH0485755U (ja) | 1990-11-29 | 1990-11-29 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0485755U (ja) |
-
1990
- 1990-11-29 JP JP12824090U patent/JPH0485755U/ja active Pending