JPH0484026A - 電子レンジ - Google Patents
電子レンジInfo
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- JPH0484026A JPH0484026A JP19863690A JP19863690A JPH0484026A JP H0484026 A JPH0484026 A JP H0484026A JP 19863690 A JP19863690 A JP 19863690A JP 19863690 A JP19863690 A JP 19863690A JP H0484026 A JPH0484026 A JP H0484026A
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- JP
- Japan
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- semiconductor switching
- temperature
- transformer
- temperature sensor
- switching element
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 44
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 15
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract description 14
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 5
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 abstract description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000002277 temperature effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Control Of High-Frequency Heating Circuits (AREA)
- Electric Ovens (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的コ
（産業上の利用分野）
本発明は、マグネトロンを駆動するために半導体スイッ
チング素子およびトランス等を備えた電子レンジに関す
る。
チング素子およびトランス等を備えた電子レンジに関す
る。
（従来の技術）
電子レンジでは、インバータ回路およびトランスを備え
て、トランスの二次側に高周波高電圧を発生させ、この
二次側に設けられた整流倍電圧回路によってマグネトロ
ンを駆動するようにしたものが供されている。上記イン
バータ回路は共振コンデンサや半導体スイッチング素子
を有して成る。
て、トランスの二次側に高周波高電圧を発生させ、この
二次側に設けられた整流倍電圧回路によってマグネトロ
ンを駆動するようにしたものが供されている。上記イン
バータ回路は共振コンデンサや半導体スイッチング素子
を有して成る。
しかして、上記半導体スイッチング素子やトランスは回
路構成のコンパクト化を図るために、他の電気部品など
と共にプリント基板に実装されている。
路構成のコンパクト化を図るために、他の電気部品など
と共にプリント基板に実装されている。
ところで、この種の電子レンジでは電気回路での発熱が
大きく、特に、半導体スイッチング素子は温度影響を受
けやすいことから、従来では、この半導体スイッチング
素子の放熱板に温度センサを設けて、該温度センサの検
出温度が予め定められた上限温度に達すると、半導体ス
イッチング素子の動作を停止させるようにしている。
大きく、特に、半導体スイッチング素子は温度影響を受
けやすいことから、従来では、この半導体スイッチング
素子の放熱板に温度センサを設けて、該温度センサの検
出温度が予め定められた上限温度に達すると、半導体ス
イッチング素子の動作を停止させるようにしている。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、最近の電子レンジでは、さらに高周波化
する傾向にあり、特に、上述のようにプリント基板に半
導体スイッチング素子およびトランスを実装する構成で
は、半導体スイッチング素子はもとよりトランスの発熱
も大きく、導体パターンが高温度の影響を受けるおそれ
があり、半導体スイッチング素子のみについて温度検出
を行えばよいという従来方式では、電気回路各部の熱に
よる劣化を防止することが困難で、使用寿命および安全
性の面で不安が残るといった問題がある。
する傾向にあり、特に、上述のようにプリント基板に半
導体スイッチング素子およびトランスを実装する構成で
は、半導体スイッチング素子はもとよりトランスの発熱
も大きく、導体パターンが高温度の影響を受けるおそれ
があり、半導体スイッチング素子のみについて温度検出
を行えばよいという従来方式では、電気回路各部の熱に
よる劣化を防止することが困難で、使用寿命および安全
性の面で不安が残るといった問題がある。
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、その目
的は、半導体スイッチング素子のみならすプリント基板
における各部の熱による劣化を防止できて、使用寿命を
長くできると共に安全性も確保でき、しかもこれを簡単
な構成にて達成できる電子レンジを提供するにある。
的は、半導体スイッチング素子のみならすプリント基板
における各部の熱による劣化を防止できて、使用寿命を
長くできると共に安全性も確保でき、しかもこれを簡単
な構成にて達成できる電子レンジを提供するにある。
［発明の構成コ
（課題を解決するための手段）
本発明は、マグネトロンを駆動するために半導体スイッ
チング素子およびトランス等を備え、これら半導体スイ
ッチング素子およびトランスをプリント基板に実装する
ようにしたものにおいて、前記プリント基板上に、前記
半導体スイッチング素子とトランスとの近傍で且つこれ
らを接続する導体パターンの近傍に位置して温度センサ
を設け、この温度センサによる検出温度に基づいて加熱
運転を制御するようにしたところに特徴を有する。
チング素子およびトランス等を備え、これら半導体スイ
ッチング素子およびトランスをプリント基板に実装する
ようにしたものにおいて、前記プリント基板上に、前記
半導体スイッチング素子とトランスとの近傍で且つこれ
らを接続する導体パターンの近傍に位置して温度センサ
を設け、この温度センサによる検出温度に基づいて加熱
運転を制御するようにしたところに特徴を有する。
（作用）
上記手段によれば、プリント基板上に、半導体スイッチ
ング素子とトランスとの近傍で且つこれらを接続する導
体パターンの近傍に位置して温度センサを設けているか
ら、これら各部の温度を総合的に検出することが可能で
ある。そして、この温度センサによる検出温度に基づい
て加熱運転を制御するようにしたので、半導体スイッチ
ング素子のみならずプリント基板における各部の熱によ
る劣化を防止することが可能である。
ング素子とトランスとの近傍で且つこれらを接続する導
体パターンの近傍に位置して温度センサを設けているか
ら、これら各部の温度を総合的に検出することが可能で
ある。そして、この温度センサによる検出温度に基づい
て加熱運転を制御するようにしたので、半導体スイッチ
ング素子のみならずプリント基板における各部の熱によ
る劣化を防止することが可能である。
また、一つの温度センサでありながらも、これを、半導
体スイッチング素子とトランスと導体パターンとの近傍
に位置させて、複数箇所の温度を総合的に検出するから
、温度検出対象の個々に温度センサを設ける場合と違っ
て、構成が簡単であると共にコストの低廉化にも寄与で
きる。
体スイッチング素子とトランスと導体パターンとの近傍
に位置させて、複数箇所の温度を総合的に検出するから
、温度検出対象の個々に温度センサを設ける場合と違っ
て、構成が簡単であると共にコストの低廉化にも寄与で
きる。
（実施例）
以下、本発明の一実施例につき図面を参照しながら説明
する。
する。
電気回路を示す第４図において、電源プラグ１の一方の
端子１ａは、ヒユーズ２、第１のドアスイッチ３ａを介
して、ダイオードブリッジ４の一方の入力側に接続され
、そして、電源プラグ１の他方の端子１ｂは、第２のド
アスイッチ３ｂ、メインリレースイッチ５、切替リレー
スイッチ６の接点Ｃ−ａを介して、ダイオードブリッジ
４の他方の入力側に接続されている。第１のドアスイッ
チ３ａと第２のドアスイッチ３ｂとの間はこれら両スイ
ッチ３ａ、３ｂと逆の開閉関係で連動する周知のショー
トスイッチ７が接続され、そして第１のドアスイッチ３
ａと、切替リレースイッチ６の接点すとの間にオーブン
用のヒータ８が接続されている。
端子１ａは、ヒユーズ２、第１のドアスイッチ３ａを介
して、ダイオードブリッジ４の一方の入力側に接続され
、そして、電源プラグ１の他方の端子１ｂは、第２のド
アスイッチ３ｂ、メインリレースイッチ５、切替リレー
スイッチ６の接点Ｃ−ａを介して、ダイオードブリッジ
４の他方の入力側に接続されている。第１のドアスイッ
チ３ａと第２のドアスイッチ３ｂとの間はこれら両スイ
ッチ３ａ、３ｂと逆の開閉関係で連動する周知のショー
トスイッチ７が接続され、そして第１のドアスイッチ３
ａと、切替リレースイッチ６の接点すとの間にオーブン
用のヒータ８が接続されている。
マグネトロン９は駆動回路１０によって駆動されるよう
になっており、このマグネトロン９から出力されたマイ
クロ波は図示しない加熱室内に供給されるようになって
いる。上記駆動回路１０は前記ダイオードブリッジ４を
備えたインバータ回路１１と昇圧トランス１２と倍電圧
整流回路１３とから構成されている。
になっており、このマグネトロン９から出力されたマイ
クロ波は図示しない加熱室内に供給されるようになって
いる。上記駆動回路１０は前記ダイオードブリッジ４を
備えたインバータ回路１１と昇圧トランス１２と倍電圧
整流回路１３とから構成されている。
インバータ回路１１は、ダイオードブリッジ４の出力側
にチョークコイル１４、整流コンデンサ１５、トランス
１２の一次コイル１２ａ１共振コンデンサ１６、半導体
スイッチング素子１７およびフライホイールダイオード
１８を図示のように接続して構成されている。
にチョークコイル１４、整流コンデンサ１５、トランス
１２の一次コイル１２ａ１共振コンデンサ１６、半導体
スイッチング素子１７およびフライホイールダイオード
１８を図示のように接続して構成されている。
倍電圧整流回路１３は、トランス１２の二次コイル１２
ｂに高圧コンデンサ１９および高圧ダイオード２０２１
を図示のように接続して構成されている。
ｂに高圧コンデンサ１９および高圧ダイオード２０２１
を図示のように接続して構成されている。
しかして、上記駆動回路１０は、半導体スイッチング素
子１７をオン・オフ駆動させることによリマグネトロン
９を駆動して加熱運転を実行し、その動作を停止させる
ことにより、加熱運転を停止させるようになっている。
子１７をオン・オフ駆動させることによリマグネトロン
９を駆動して加熱運転を実行し、その動作を停止させる
ことにより、加熱運転を停止させるようになっている。
なお、半導体スイツチング素子１７のオン時間を変更す
ることによりマグネトロン９の出力を変更し得るように
構成されている。
ることによりマグネトロン９の出力を変更し得るように
構成されている。
一方、運転制御回路２２は、マイクロコンピュータおよ
び各種Ａ／Ｄ変換器を含んで構成されており、これは、
リレー駆動回路２３を介して前記メインリレースイッチ
５、切替リレースイッチ６を制御すると共に、素子駆動
回路２４を介して前記半導体スイッチング素子１７を制
御するようになっている。
び各種Ａ／Ｄ変換器を含んで構成されており、これは、
リレー駆動回路２３を介して前記メインリレースイッチ
５、切替リレースイッチ６を制御すると共に、素子駆動
回路２４を介して前記半導体スイッチング素子１７を制
御するようになっている。
また、上記運転制御回路２２には、後述する温度センサ
２５からの温度検出結果が与えられると共に、前記各種
スイッチ２６からの入力が与えられるようになっており
、内部ＲＯＭに記憶した運転プログラムに従い、各スイ
ッチ入力に応じた制御を実行するようになっており、こ
の場合、電子レンジ機能とオーブン機能とがある。すな
わち、各種スイッチ２６のうち、電子レンジ機能につい
てのスイッチがオンされると、切替リレースイッチ６の
接点ｃ −ａ間を閉成すると共に、メインリレースイッ
チ５を閉成し、そして、半導体スイッチング素子１７を
オン・オフ制御する。また、オーブン機能についてのス
イッチがオン操作されると、切替リレースイッチ６の接
点ｃ−ｂ間を閉成すると共に、メインリレースイッチ５
を閉成してヒータ８を通電気するようになっている。
２５からの温度検出結果が与えられると共に、前記各種
スイッチ２６からの入力が与えられるようになっており
、内部ＲＯＭに記憶した運転プログラムに従い、各スイ
ッチ入力に応じた制御を実行するようになっており、こ
の場合、電子レンジ機能とオーブン機能とがある。すな
わち、各種スイッチ２６のうち、電子レンジ機能につい
てのスイッチがオンされると、切替リレースイッチ６の
接点ｃ −ａ間を閉成すると共に、メインリレースイッ
チ５を閉成し、そして、半導体スイッチング素子１７を
オン・オフ制御する。また、オーブン機能についてのス
イッチがオン操作されると、切替リレースイッチ６の接
点ｃ−ｂ間を閉成すると共に、メインリレースイッチ５
を閉成してヒータ８を通電気するようになっている。
ここで前記インバータ回路１１における半導体スイッチ
ング素子１７およびトランス１２を初めとして各種電気
部品は、第１図ないし第３図に示すように、プリント基
板２７に実装されており、半導体スイッチング素子１７
は放熱板２８を介して放熱されるようになっている。そ
して、半導体スイッチング素子１７およびトランス１２
はプリント基板２７裏面の銅箔パターンから成る導体パ
ターン２９により接続されている。この導体パターン２
９は、プリント基板２７において裏面に形成されている
。
ング素子１７およびトランス１２を初めとして各種電気
部品は、第１図ないし第３図に示すように、プリント基
板２７に実装されており、半導体スイッチング素子１７
は放熱板２８を介して放熱されるようになっている。そ
して、半導体スイッチング素子１７およびトランス１２
はプリント基板２７裏面の銅箔パターンから成る導体パ
ターン２９により接続されている。この導体パターン２
９は、プリント基板２７において裏面に形成されている
。
一方、前記温度センサ２５は、前記プリント基板２７上
に、前記半導体スイッチング素子１７とトランス１２と
の近傍で且つこれらを接続する導体パターン２つの近傍
に位置して実装されている。
に、前記半導体スイッチング素子１７とトランス１２と
の近傍で且つこれらを接続する導体パターン２つの近傍
に位置して実装されている。
この結果、温度センサ２５は、半導体スイッチング素子
１７の他、トランス１２および導体パターン２９を含め
た総合温度を検出することが可能である。
１７の他、トランス１２および導体パターン２９を含め
た総合温度を検出することが可能である。
また、前記運転制御回路２２は温度センサ２５による検
出温度と異常判定用の設定温度とを比較して検出温度が
設定温度を超えると、半導体スイッチング素子１７の駆
動を停止して加熱運転を停止させるようになっている。
出温度と異常判定用の設定温度とを比較して検出温度が
設定温度を超えると、半導体スイッチング素子１７の駆
動を停止して加熱運転を停止させるようになっている。
この結果、半導体スイッチング素子１７、トランス１２
および導体パターン２９のいずれかが温度異常となった
場合には、加熱運転を停止できる。従って、半導体スイ
ッチング素子１７のみならずプリント基板２７における
各部の熱による劣化を防止できて、使用寿命を長くでき
ると共に安全性も確保できる。しかも、一つの温度セン
サ１７でありながらも、これを、半導体スイッチング素
子１７とトランス１２と導体パターン２つとの近傍に位
置させて、複数箇所の温度を総合的に検出し得るように
したから、温度検出対象の個々に温度センサを設ける場
合と違って、構成が簡単であると共にコストの低廉化に
も寄与できる。
および導体パターン２９のいずれかが温度異常となった
場合には、加熱運転を停止できる。従って、半導体スイ
ッチング素子１７のみならずプリント基板２７における
各部の熱による劣化を防止できて、使用寿命を長くでき
ると共に安全性も確保できる。しかも、一つの温度セン
サ１７でありながらも、これを、半導体スイッチング素
子１７とトランス１２と導体パターン２つとの近傍に位
置させて、複数箇所の温度を総合的に検出し得るように
したから、温度検出対象の個々に温度センサを設ける場
合と違って、構成が簡単であると共にコストの低廉化に
も寄与できる。
なお、上記実施例では、温度センサ２５による検出温度
に基づいて半導体スイッチング素子１７の駆動を停止し
て加熱運転を停止するようにしたが、これは、半導体ス
イッチング素子１７のオン時間を短くして出力を低下さ
せるように加熱運転を制御しても良い。
に基づいて半導体スイッチング素子１７の駆動を停止し
て加熱運転を停止するようにしたが、これは、半導体ス
イッチング素子１７のオン時間を短くして出力を低下さ
せるように加熱運転を制御しても良い。
［発明の効果コ
本発明は以上の説明から明らかなように、マグネトロン
を駆動するために半導体スイッチング素子およびトラン
ス等を備え、これら半導体スイッチング素子およびトラ
ンスをプリント基板に実装するようにしたものにおいて
、前記プリント基板上に、前記半導体スイッチング素子
とトランスとの近傍で且つこれらを接続する導体パター
ンの近傍に位置して温度センサを設け、この温度センサ
による検出温度に基づいて加熱運転を制御するようにし
たことを特徴とするものであり、これにて、半導体スイ
ッチング素子のみならずプリント基板におけるトランス
および導体パターンといった各部の熱による劣化を防止
できて、使用寿命を長くできると共に安全性も確保でき
、しかもこれを簡単な構成にて達成でき、またコストの
低廉化にも寄与できるという優れた効果を奏する。
を駆動するために半導体スイッチング素子およびトラン
ス等を備え、これら半導体スイッチング素子およびトラ
ンスをプリント基板に実装するようにしたものにおいて
、前記プリント基板上に、前記半導体スイッチング素子
とトランスとの近傍で且つこれらを接続する導体パター
ンの近傍に位置して温度センサを設け、この温度センサ
による検出温度に基づいて加熱運転を制御するようにし
たことを特徴とするものであり、これにて、半導体スイ
ッチング素子のみならずプリント基板におけるトランス
および導体パターンといった各部の熱による劣化を防止
できて、使用寿命を長くできると共に安全性も確保でき
、しかもこれを簡単な構成にて達成でき、またコストの
低廉化にも寄与できるという優れた効果を奏する。
図面は本発明の一実施例を示すもので、第１図はプリン
ト基板の要部を裏面からみた下面図、第２図は同要部の
斜視図、第３図は半導体スイッチング素子部分の斜視図
、第４図は電気回路図である。 図面中、９はマグネトロン、１２はトランス、１７は半
導体スイッチング素子、２５は温度センサ、２７はプリ
ント基板、２９は導体パターンを示す。 代理人 弁理士 佐 藤 強 ンｌ 第 図
ト基板の要部を裏面からみた下面図、第２図は同要部の
斜視図、第３図は半導体スイッチング素子部分の斜視図
、第４図は電気回路図である。 図面中、９はマグネトロン、１２はトランス、１７は半
導体スイッチング素子、２５は温度センサ、２７はプリ
ント基板、２９は導体パターンを示す。 代理人 弁理士 佐 藤 強 ンｌ 第 図
Claims (1)
- １、マグネトロンを駆動するために半導体スイッチング
素子およびトランス等を備え、これら半導体スイッチン
グ素子およびトランスをプリント基板に実装するように
したものにおいて、前記プリント基板上に、前記半導体
スイッチング素子とトランスとの近傍で且つこれらを接
続する導体パターンの近傍に位置して温度センサを設け
、この温度センサによる検出温度に基づいて加熱運転を
制御するようにしたことを特徴とする電子レンジ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2198636A JP2892454B2 (ja) | 1990-07-26 | 1990-07-26 | 電子レンジ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2198636A JP2892454B2 (ja) | 1990-07-26 | 1990-07-26 | 電子レンジ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0484026A true JPH0484026A (ja) | 1992-03-17 |
| JP2892454B2 JP2892454B2 (ja) | 1999-05-17 |
Family
ID=16394504
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2198636A Expired - Lifetime JP2892454B2 (ja) | 1990-07-26 | 1990-07-26 | 電子レンジ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2892454B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0533497U (ja) * | 1991-10-04 | 1993-04-30 | 株式会社日立ホームテツク | 高周波加熱装置用インバータ電源ユニツト |
| EP0954203A2 (en) * | 1998-04-30 | 1999-11-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Driving magnetron means in a microwave oven |
| WO2004095886A1 (en) | 2003-04-22 | 2004-11-04 | Matsushita Electric Industrial Co. Ltd. | High-frequency dielectric heating device and printed board with thermistor |
| US7863887B2 (en) | 2005-12-26 | 2011-01-04 | Panasonic Corporation | State detection device for detecting abnormal operation of a high-frequency magnetron heating apparatus |
| JP2011217463A (ja) * | 2010-03-31 | 2011-10-27 | Toyota Industries Corp | インバータ装置 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW200530566A (en) * | 2004-03-05 | 2005-09-16 | Hitachi Ind Equipment Sys | Method for detecting temperature of semiconductor element and semiconductor power converter |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0271994U (ja) * | 1988-11-19 | 1990-05-31 | ||
| JPH03167778A (ja) * | 1989-11-25 | 1991-07-19 | Toshiba Corp | 電子レンジ |
-
1990
- 1990-07-26 JP JP2198636A patent/JP2892454B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0271994U (ja) * | 1988-11-19 | 1990-05-31 | ||
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| EP0954203A2 (en) * | 1998-04-30 | 1999-11-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Driving magnetron means in a microwave oven |
| EP0954203A3 (en) * | 1998-04-30 | 2000-04-12 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Driving magnetron means in a microwave oven |
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| US7312427B2 (en) | 2003-04-22 | 2007-12-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | High-frequency dielectric heating device and printed board with thermistor |
| US7863887B2 (en) | 2005-12-26 | 2011-01-04 | Panasonic Corporation | State detection device for detecting abnormal operation of a high-frequency magnetron heating apparatus |
| US7960966B2 (en) | 2005-12-26 | 2011-06-14 | Panasonic Corporation | State detection device for detecting operation state of high-frequency heating apparatus |
| US8026713B2 (en) | 2005-12-26 | 2011-09-27 | Panasonic Corporation | State detection device for detecting operation state of high-frequency heating apparatus |
| JP2011217463A (ja) * | 2010-03-31 | 2011-10-27 | Toyota Industries Corp | インバータ装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2892454B2 (ja) | 1999-05-17 |
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