JPH0483620A - 光ディスク基板の成形方法及びその製造装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、樹脂成形による光ディスク基板の成形方法及
びその製造装置に係り、特に複屈折を低減し、変形の少
ない光ディスク基板を得るに好適な成形方法及びその製
造装置に関する。

［従来の技術］ 従来の光ディスク基板の射出成形用金型と、これを用い
て成形される光ディスク基板の成形方法の概要を第９図
を用いて説明する。

この図は、従来の光ディスク基板成形用金型の断面図を
示したものである。同図において、１は光ディスク基板
成形金型（以下、金型という）の全体を示したものであ
って、この金型１は射出成形機（図示せず）の金型取付
は用固定盤に取付けられる固定型５と可動盤に取付けら
れる可動型４との割型から構成され、この可動型４には
、光ディスク基板となるべき溶融樹脂に情報用ピットや
グループを転写するためのスタンパ２が内周スタンパホ
ルダ６と外周スタンパホルダ７とによって取付けられて
いる。射出成形機によって加熱溶融された透明樹脂は、
それよりも低い温度に保持された金型、つまり固定型５
のスプル部８を通って、スタンパ２が設けられたキャビ
ティ３ａ内に射出充填される。射出充填された加熱溶融
樹脂は、このスタンパ２により情報ピットやグループな
どが転写された後に冷却・固化され基板３として成形さ
れる。金型１内で冷却された基板３は、金型開きと同時
に固定型５内のエアバス９′にエアを通し、型内へのエ
ア吹出しによって先ずミラー面を形成する固定型５から
離型し、スタンパ２が取付けられている可動型４側に残
る。金型１を全開した後、可動型４側に設けられている
エアエジェクト機構９とエジェクタ機構１０とを駆動す
ることにより、基板３はスタンパ２から離型され金型外
に取り出される。

また、上記以外の成形方法として、離型時に情報ピット
が変形するのを防止し、転写性能を向上させ成形性を改
善するために、金型開きと同時に可動型４側のエアエジ
ェクタによるエアの吹出しを行い、基板３をスタンパ２
が装着された可動型４側から先に離型させ、固定型５側
に残す方法がある。

なお、この種の離型に関するものとして、例えば特開平
１−２６４８１６号公報が挙げられる。

［発明が解決しようとする課題］ 上記従来技術では、金型１のキャビティ３ａ内に射出充
填された樹脂、即ち基板３が十分に冷却・固化した後に
型開きを行い離型が行なわれる。この場合、基板３は金
型温度まで冷却されるため、基板の冷却速度が金型のそ
れにしたがい速く、射出充填時に生じた分子配向はほと
んど緩和されずにそのまま凍結される。このため、基板
３は分子配向による複屈折が大きく生じ、再生時の出力
信号強度Ｓ／Ｎ比が著しく低下するという問題があった
。基板を構成する樹脂としてはアクリル樹脂やポリカー
ボネート樹脂が使用されるが、とりわけポリカーボネー
ト樹脂の場合に複屈折が大きく生じる。

また、基板３の分子配向の緩和を促進するために成形後
の冷却時間を短かくして型開・離型を行うと、基板３の
温度が高いため離型時に基板は大きく変形するという問
題があった。

したがって、本発明の目的は、上記従来の問題点を解消
することにあり、その第１の目的は、基板の冷却速度を
遅くし、分子配向の緩和を促進させることにより基板の
複屈折を小さくし、かつ変形を小さく抑える成形方法を
、そして第２の目的は、その方法を実施するための製造
装置を、それぞれを提供することにある。

［課題を解決するための手段］ 上記目的を達成するために、溶融樹脂をキャビティ内に
射出充填し基板を成形した後、基板温度がガラス転移点
Ｔｇよりも十分に高いうちに金型を微小量開いて、基板
を可動型および固定型の両方から離型させた後、金型を
全開して基板を金型外に取り出すようにしたものである
。また、射出圧縮成形方式においては、溶融樹脂をキャ
ビティ内に射出充填し圧縮成形後、基板温度がガラス転
移点Ｔｇよりも十分に高いうちに圧縮ラムを微小量後退
させ、基板を可動型および固定型の両方から離型させた
後、金型を全開して基板を金型外に取り出すようにした
ものである。

即ち、成形後の型開きを２段階に設定し、全型開きの前
に、基板温度がガラス転移点よりも十分に高いうちに微
小量の型開きをして、基板を固定、可動の両型から離型
し、冷却速度を遅延させ配向を緩和すると共に、基板の
変形を押さえるようにしたところに特徴がある。

［作用コ 本発明による成形方法では、基板を成形した後、基板温
度が樹脂のガラス転移点Ｔｇよりも十分に高いうちに金
型を微小量開いて基板を可動型および固定型から離型す
ることにより、基板の冷却速度を遅延させ、分子配向の
緩和を促進させるものである。それによって、基板の分
子配向による複屈折は小さくなり、光学特性の優れた光
ディスク基板が得られる。

また、金型開き及び圧縮ラム（射出圧縮成形方式の場合
）の後退は、微小量であるため、基板の可動型および固
定型からの離型時の変形を小さく抑えることができ、形
状精度の優れた光ディスク基板を得ることができる。

上記金型を微小量開いて基板を可動型および固定型から
離型することにより、この金型と基板間には微小の間隙
が形成され、そこに空気等のガスが充填されため、この
ガス層が熱伝導を低下させ。

結果として基板の冷却速度を遅延させることになる。こ
の金型を微小量開く実用的な間隔は、３０〜２００−が
好ましい。３０ａｍより小さいと効果が小さく、また、
２００−より大きいと基板の変形が生じ易く実用的でな
い。より好ましくは５０〜１００ＩＪａである。また、
基板とその両側の金型との間に形成する微小間隙は、は
ぼ等間隔であることが望ましい。

また、この金型を微小量開くタイミングとしては、成形
後の基板温度が樹脂のガラス転移点Ｔｇよりも十分に高
いうちであることは勿論であるが、スタンパの転写不良
が発生しない範囲内で、できるだけ早く、つまり、でき
るだけ高温の状態で開くことが望ましい。さらにまた、
この金型を微小量開いている時間は、あまりにも短いと
効果が／Ｊ％さいので、実用的には少なくとも３秒は欲
しい。

一方、上限については特に限定する理由はなく、長けれ
ば長いほど徐冷され分子の配向がより緩和されるので、
複屈折を生じないようにする上では好ましいが、生産性
の点から３秒経過後はできるだけ早く全型開きに移行し
た方がよい。

［実施例］ 以下、図面により本発明の一実施例を説明する。

実施例１゜ 第１図は１本発明を具体化した金型の断面図で、基板３
を射出成形した後、金型１を微小量開いた状態を示した
ものである。ポリカーボネート樹脂から成る光ディスク
基板３は、図面を省略した射出成形機から３００℃に加
熱溶融した樹脂を、可動型４、固定型５を閉じて成るキ
ャビティ内にスプル部８を通して射出充填することによ
り形成される。この際、可動側４に内周スタンパホルダ
ー６、外周スタンパホルダー７で保持されたスタンパ２
の表面に形成された情報ピットあるいはトラックが基板
３に転写されれる。射出充填により基板３が形成された
後、基板温度がガラス転移温度Ｔｇ（＝１４７℃）より
十分に高い約２００℃で、金型を微小量開き、その状態
で約１０秒間保持する。

この微小量の金型開きの要領は、可動型４及び固定型５
内に設けられたエジェクト用エアバス９．９′よりエア
を型内に吹出し、さらに可動型４及び固定型５に設けた
微小突出し機構１１．１１’により、基板３を可動型４
のスタンパ面及び固定型５のミラー面からそれぞれ離型
する。この微小突出しは油圧により行われる。ここで、
金型の微小開き量Δｄは１．０ＯＪａ＆としたが、基板
の変形に影響を与えるためそれを考慮に入れて決める必
要がある。また、微小突出し機構１１．１１’の突出し
量は、ここではそれぞれ５０−とじたが、金型の微小開
き量に対応させて調節する必要がある。

また、金型の微小開き量Δｄは、変位計１２によってそ
の量を検知し、射出成形機の型締機構を制御することに
より正確に行うことができる。

金型１の微小開きのタイミングは、射出・保圧工程終了
後、基板３へのピット及びグループの転写が損なわれな
い範囲内でなるべく早いほうがよい。また、エアバス９
，９′からのエアの吹出し及び微小突出し機構の突出し
タイミングは、金型ｌの微小開きと同時がよいが、可動
型４側の微小突出しを固定型５側のそれよりも僅かに遅
らせてもよい。また、エアバス９，９′を通して型内に
吹出すエアは、温度調節された熱風（１００〜１４０℃
）を用いたほうがよい。このようにして金型の微小量開
きが行わ九た後、金型１を全開し。

基板３はエジェクト機構１０により突出され、外周スタ
ンパホルダ７の内接面から外れて取出し機等により型外
に取り出される。この金型全開時に基板３を可動型４側
に持ってくるために可動型４側の微小突出し機構１０の
基板３との接触部にアンダーカットや段差を設けたり、
表面を粗くしたりしてもよい、この場合、基板３にはア
ンダカット跡あるいは段差などが現われるが、情報ピッ
ト等が形成される領域外であるため光ディスクの性能に
は何らの影響も与えない。

このように、射出充填後、基板温度が高いうちに金型を
微小量開いて、可動型４および固定型５から基板３を離
型することにより、基板の冷却速度が遅くなり、射出充
填時に生じた分子配向が緩和し、基板の複屈折が低減す
る効果がある。そして、この時の基板の変形は微小量に
抑えることができる。

実施例２゜ 次に、第２の実施例を第２図に示した金型断面図により
説明する。

先の実施例１と同様にして溶融樹脂をキャビティ内に射
出充填し光ディスク基板３を成形した後、図示のように
金型１を微小量開き（Δｄ＝１００ｍ）、微小突出し機
構１１．１１′およびエアバス９．９′からのエアの吹
出しにより基板３を可動４および固定型５から離型する
。ここで微小突出し機構１１．１１′は、リンク機構１
３０及び１３０′を介して戻しピン１３．１３′と連結
されており、金型が微小量開くことによりスプリング１
４．１４′により一定の微小量突き出される機構と成っ
ている。よって基板３は、金型１が微小量開くと同時に
微小突出し機構１１．１１’により可動型４および固定
型５から離型される。そして、基板３の全面が可動型４
および固定型５から離型した後、金型を全開し、基板３
は外周スタンパホルダ７によってその外周が支持されて
可動型４側に残り、さらにエジェクト機構１０により突
出されて外周スタンパホルダ７の内接面から外れて型外
に取出される構成になっている。

この例では、微小突出し機構１１．１１′が、実施例１
の油圧機構の代わりにスプリング１４゜１４′により駆
動され、　突出し量もリンク機構１３０及び１３０′が
配設されている間隙幅によりストロークが規制される構
成となっているため、単純な機構となっている。

実施例３゜ 第３の実施例を第３図に示した金型断面図により説明す
る。

この場合も先の実施例１と同様にして溶融樹脂をキャビ
ティ内に射出充填し、光ディスク基板３を成形した後、
図示のように金型１を微小量開き（Δｄ＝１００ｍ）、
可動型４側はエジェクタ１０の微小突出し及びエアバス
９からのエア吹出しにより、また固定型５側は油圧によ
る微小突出し機構１１’およびエアバス９′からのエア
吹出しにより基板３を可動型４および固定型５から離型
させる。そして、基板３の全面が可動型４および固定型
５から離型した後、金型１を全開し、基板３は、外周ス
タンパホルダ７によってその外周が支持されて可動型４
側に残り、エジェクト機構１０をさらに突き出すことに
より外周スタンパホルダ７の内接面から外れて型外に取
出される構成になっている。ここで可動型４側の微小突
出しは、２段階に動作する構成と成っているエジェクト
機構１０により行われるため、射出成形機のエジェクタ
機構を段階的に微小量突出し制御できるようにする必要
がある。この際、エジェクタの突出しを電動サーホモー
タを使って駆動させることも可能であり、より正確な微
小突き出し制御を行なうことができる。また、この例で
は固定型５側の微小突出しを図示のように第１図と同様
に油圧により行なっているが、実施例２の第２図のよう
にスプリング機構により微小突出しを行うようにしても
よい。

実施例４゜ 第４の実施例を第４図に示した金型断面図により説明す
る。

この場合も先の実施例１と同様にして溶融樹脂をキャビ
ティ内に射出充填し、光ディスク基板３を成形した後、
図示のように金型１を微小量開き（Δｄ＝１００ｍ）、
第１図の場合と同様に油圧による微小突出し機構１１．
１１′及びエアバス９．９′からのエアの吹出しにより
基板３を可動型４及び固定型５から離型する。この際、
第４図の円内に拡大して示すように、固定型５側の基板
３の外周部にアンダーカット１５を設けることにより。

金型の微小開きの際に、可動型４側を優先的に離型させ
るようにする。これは、基板３と可動型４との間に取付
けられたスタンバ２との密着力が。

固定型５のミラー面の密着力より強いため、基板３は可
動型４とは離型しにくい、そのため、基板３の固定型５
側の外周部にアンダーカット１５を設番プることにより
、可動型４側を優先的に離型させたものである。そして
、この基板３のアンダーカット１５は、固定型５側の鏡
面部の外周に設けたアンダーカット形成用突起部１５ａ
により成形時に形成されるが、固定型５からの微小突出
し機構１１′及びエアバス９′からのエアの吹出しによ
り、基板３が固定型５と離型する程度の大きさがよい、
また、このアンダーカット１５は、基板３の情報ピット
形成領域外であれば、全周にわたって設けても、あるい
は部分的に設けてもよい。

したがって、この方法により形成された基板３には、上
記したアンダーカット１５跡が現われる。

実施例５゜ 第５の実施例を第５図に示した金型断面図により説明す
る。

この場合も先の実施例１と同様にして溶融樹脂をキャビ
ティ内に射出充填し、光ディスク基板３を成形した後、
図示のように金型１を微小量開き（Δｄ＝１００Ｉｍ）
、第１図の場合と同様に油圧による微小突出し機構１１
．１１′及びエアバス９．９′からのエアの吹出しによ
り基板３を可動型４および固定型５から離型する。この
際、第５図の円内に拡大して示すように、固定型５側の
基板３の外周部には前記第４図の場合と同様にアンダー
カット１５が設けられており、金型１を微小量開いた際
に、基板３の外周部は可動型４側が優先的に離型する構
成と成っている。そして、その後、固定型Ｓ側の外周部
近傍に設けられた油圧により駆動する微小突出し機構１
６の突出しにより固定型５側の基板３の外周部が離型す
る。これは、実施例４と同様に可動型４側を優先的に離
型させるために設けたアンダーカット１５により基板３
と可動型４とを離型させた後、基板３の外周部を固定型
５との離型を確実に行うために、固定型５の外周部に微
小突出し機構１６を設けたものである。

この外周部のアンダーカット形成用突起部１５ａ及び微
小突出し機構１６は、基板３の情報ピット形成領域外の
位置に設ける必要があることは云うまでもない、そして
、この方法で形成された光ディスク基板の外周部にはア
ンダーカット１５跡および、微小突出し機構１６の跡（
例ばピン跡）が現われる。

実施例６゜ 第６の実施例を第６図に示した金型断面図により説明す
る。

この場合も先の実施例１と同様にして溶融樹脂をキャビ
ティ内に射出充填し、成形された基板３の外周端１７が
固定型５の外周リング１８に接する構造の金型において
、基板３が成形された後、図示のように金型１を微小量
開き（Δｄ＝１００／７１１）、第１図の場合と同様に
微小突出し機構１１．１１′及びエアバス９．９′から
のエアの吹出しにより基板３を可動型４および固定型５
から離型する。この際、第６図の円内に拡大して示すよ
うに、成形時に外周リング１８の一端に設けられた切欠
部１８ａにより、基板３の外周端面１７に形成された突
起１９によって、金型が微小量開いた際に、基板３の外
周部は可動型４側が優先的に離型する構成となっている
。この突起１９の作用効果は、実施例４の第４図で説明
したものと同様である。

実施例７゜ 第７の実施例を第７図に示した金型断面図により説明す
る。

この場合も先の実施例１と同様にして溶融樹脂をキャビ
ティ内に射出充填し、光ディスク基板３を成形した後、
図示のように金型１を微小量開き（Δｄ＝１００＋ｍ）
、先の実施例３に示した第３図と同様に可動型４側はエ
ジェクタ１ｏの段階的に駆動する微小突出し機構及びエ
アバス９からのエアの吹出しにより、また、固定型５側
は、微小突出し機構１１’およびエアバス９′からのエ
ア吹出しにより基板３を可動型４および固定型５から離
型させる。この際、固定型５側の微小突出しを図に示す
ように、射出成形機の固定ダイプレート２０に備え付け
られた電動サーボモータ２１によって回転されるボール
ナツト２２と組み合わされたボールねじ２３の先端部に
設けられた突出し捧２４の突出しにより行うようにする
。このように、電動サーボモータ２１を用いることによ
り微小突出し機構１１′の制御を正確に行うことができ
る。

実施例８゜ 第８の実施例を第８図に示した金型断面図により説明す
る。

この例は、圧縮成形機能を有する金型に関するもので、
この場合も先の実施例１と同様にして加熱溶融した樹脂
を、可動型４、固定型５を閉じてなるキャビティ内に射
出充填し、その後、油圧圧縮シリンダ２５と圧縮ラム２
６とを有する圧縮機構によってこの樹脂を圧縮成形する
。

光ディスク基板３を成形した後に圧縮シリンダ２５の油
圧を低減し、固定型５内に設けたリターン油圧シリンダ
２７によって、圧縮ラム２６を先の実施例の微小開き量
Δｄに相当する分だけ微小量後退させる。この後退量は
、変位計１２によって検知し制御する。この例では、５
０〜１００１５１後退させた。

そして、この微小量の後退と同時あるいは後に、油圧に
よる微小突出し機構１１．１１’及びエアバス９，９′
からのエアの吹き比しにより基板３を可動型４および固
定型５から離型する。そして、基板３の全面が可動型４
および固定型５から離型した後に、金型１を全開し、−
エジェクタ機構１０により基板３は型外に取り出される
。ここで、圧縮ラム２６の微小後退量は、基板の変形に
影響を与えるため、それを考慮に入れ、また、基板３を
完全に離型できる範囲に設定する必要がある。

また、微小突出し機構１１．１１′の突出し量は、圧縮
ラム２６の微小後退量に対応させて調節する必要がある
。ここでは、微小突出し機構１１．１１′は油圧により
行なっているが、実施例３のように可動型４側は、段階
的に駆動するエジェクタ機構を使って微小突出しを行っ
てもよい。また、固定型５側も実施例７のように電動サ
ーボモータを用いて微小突出し機構の制御を行なっても
よい。

このように、射出充填、圧縮後、基板温度が高いうちに
圧縮ラム２６を微小量後退させて、可動型４及び固定型
５から基板３を離型することにより、基板３の冷却速度
が遅くなり、それによって射出充填時に生じた樹脂の分
子配向が緩和され。

基板の複屈折が低減する。そして、この時の基板の変形
は微小量に抑えることができる。

第１０図及び第１１図に示した特性曲線図を用いてこれ
までの実施例の効果につき、総括して説明する。

第１０図は、基板の冷却時間と基板温度との関係を示し
たもので、微小量開きにより基板が離型し、金型と基板
との間に間隙が形成され、そこに空気層がある場合（厚
さ１０〜２００μｍ）と、ない場合とに関して熱伝導解
析プログラムにより計算し、示したものである。つまり
、空気層があるということは、微小量開きにより基板が
離型していることを意味し、空気層がないということは
、微小量開きをしないことを意味する。そして、空気層
の厚さは、離型により生じた金型と基板との間隔を意味
している。

図に示されるように、金型と基板との間の空気層の厚さ
及が大きくなるほど基板の冷却速度が遅くなり、基板温
度が高いことがわかる。

また、第１１図は、第１０図の計算結果をもとに、金型
と基板との間の空気層厚さと基板の収束光レターデーシ
ョンの関係を求めたものである。

ここで１．収束光レターデーションは、基板の複屈折に
起因して生じるものであり、この収束光レターデーショ
ンを低減することは、基板の複屈折を低減することに相
当し、光ディスク基板成形において重要課題である。図
示のように金型と基板との間の空気層の厚さが大きいほ
ど基板の冷却速度が遅くなり、つまり徐冷されて射出充
填時に生じた分子配向が緩和されるため収束光レターデ
ーションは小さくなることがわかる。空気層の厚さを極
端に厚くすると基板の変形が生じるので、実用上は２０
ｏ−程度までとすることが望ましい。

［発明の効果コ 以上説明したように本発明の光ディスク基板の成形方法
及びその製造装置によれば、溶融樹脂を射出充填して基
板を形成した後、基板温度が高いうちに、金型を微小量
開き、基板をその両側の金型（可動型及び固定型）から
離型し、空気層の如きガス層を設けることにより基板の
冷却速度を遅延させることができ、その結果として基板
の複屈折を低減することができ、所期の目的通りの優れ
た光ディスクを得ることができた。また、基板温度が高
くても金型を微小量しか開かないので、基板の変形を小
さく抑えることができた。

【図面の簡単な説明】

第１図乃至第７図は、いずれも本発明の異なる実施例を
示した光ディスク基板の射出成型用金型の断面図、第８
図は本発明のさらに異なる実施例となる光ディスク基板
の射出圧縮成形用金型の断面図、第９図は、従来例によ
る光ディスク基板用射出成形金型の断面図、第１０図は
、基板の冷却時間と基板温度との関係を示した特性曲線
図、そして第１１図は、第１０図の計算結果をもとに、
金型と基板との間の空気層厚さと基板の収束光レターデ
ーションの関係を求めた特性曲線図である。 く符号の説明〉 １・・・光ディスク基板成形用金型、 ２・・・スタンバ、　　　　３・・・光ディスク基板、
４・・・可動型、　　　　５・・・固定型、６・・・内
周スタンバホルダ、 ７・・・外周スタンバホルダ、 ８・・・スプル部、　　　　９．９’・・・エアバス、
１０・・・エジェクト機構。 １１．１１′・・・微小突出し機構、 １２・・・変位計、　　　１３．１３′・・・戻しピン
、１４．１４′・・・スプリング、 １５・・・外周部アンダーカット、 １６・・・外周部微小突出し機構、 １７・・・外周端面、 １８・・・固定型外周リング、 １９・・・突起、　　　　　２ｏ・・・固定ダイプレー
ト、２１・・・電動サーボモータ、 ２２・・・ポールナツト、２３・・・ボールねじ、２４
・・・突出し棒、　　　２５・・・圧縮シリンダ、２６
・・・圧縮ラム、　　　２７・・・リターン油圧シリン
ダ。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、可動型と固定型を型閉めして形成されるキャビティ
   内へ溶融樹脂を射出充填し、光ディスク基板を成形する
   方法において、前記溶融樹脂をキャビティ内に射出充填
   後、基板温度がガラス転移点Ｔｇよりも十分に高いうち
   に前記金型を微小量開いて、基板を可動型及び固定型の
   両方から離型させる第１の型開き工程と、次いで前記金
   型を全開して基板を金型外に取り出す第２の型開き工程
   とから成る２段階の型開き工程を有して成る光ディスク
   基板の成形方法。 ２、可動型と固定型を型閉めして形成されるキャビティ
   内へ溶融樹脂を射出充填した後、さらに前記樹脂を圧縮
   して射出圧縮成形法により光ディスク基板を成形する方
   法において、前記溶融樹脂を圧縮成形したのち、基板温
   度がガラス転移点Ｔｇよりも十分に高いうちにこの樹脂
   を圧縮するための圧縮ラムを微小量後退させて、前記基
   板を可動型及び固定型の両方から離型させる工程と、次
   いで前記金型を全開して基板を金型外に取り出す工程と
   を有して成る光ディスク基板の成形方法。 ３、上記金型を微小量開く第１の型開き工程において、
   型開き量を２００μｍ以下として成る請求項１記載の光
   ディスク基板の成形方法。 ４、上記圧縮ラムを微小量後退させて基板を可動型及び
   固定型の両方から離型させる工程において、圧縮ラムの
   後退量を２００μｍ以下として成る請求項２記載の光デ
   ィスク基板の成形方法。 ５、可動型と固定型とから成る割型金型と、この金型を
   型閉めして形成されるキャビティ内へ溶融樹脂を射出充
   填し、この溶融樹脂を基板に成形する手段と、前記金型
   を型開きして前記基板を金型外に取り出す手段とを具備
   して成る光ディスク基板の製造装置において、前記溶融
   樹脂をキャビティ内に射出充填後、基板温度がガラス転
   移点Ｔｇよりも十分に高いうちに前記金型を微小量開い
   て、基板を可動型及び固定型の両方から離型させる第１
   の型開き手段と、前記金型を全開して基板を金型外に取
   り出す第２の型開き手段とを有して成る割型金型を備え
   た光ディスク基板の製造装置。 ６、可動型と固定型とから成る割型金型と、この金型を
   型閉めして形成されるキャビティ内へ溶融樹脂を射出充
   填し、さらに前記樹脂を圧縮して射出圧縮成形する手段
   と、前記金型を型開きして前記基板を金型外に取り出す
   手段とを具備して成る光ディスク基板の製造装置におい
   て、前記溶融樹脂を圧縮成形したのち、基板温度がガラ
   ス転移点Ｔｇよりも十分に高いうちにこの樹脂を圧縮す
   るための圧縮ラムを微小量後退させ、前記基板を可動型
   及び固定型の両方から離型させる手段と、前記金型を全
   開して基板を金型外に取り出す型開き手段とを有して成
   る割型金型の射出圧縮成機を備えた光ディスク基板の製
   造装置。 ７、上記可動型にスタンパが装着されて成る請求項５も
   しくは６記載の光ディスク基板の製造装置。 ８、上記可動型及び固定型内に、微小突出し機構を配設
   して成る請求項５もしくは６記載の光ディスク基板の製
   造装置。 ９、上記金型にセンサーによる型開き量を検出する手段
   を配設し、微小量の型開きを制御し得るように成した請
   求項５もしくは６記載の光ディスク基板の製造装置。 １０、上記金型にエジェクタ機構を備えると共に、これ
   を微小量突出し制御できる手段を具備して成る請求項５
   もしくは６記載の光ディスク基板の製造装置。