JPH0483257A - 電子写真感光体 - Google Patents
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- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、電子写真感光体、特に反射防止層を有する電
子写真感光体に関する。
子写真感光体に関する。
通常、電子写真感光体は、導電性基板上に感光層を設は
形成される。感光層としては、光導電性を有する材料が
一般に使用され、例えば、Se、 CdS 、 ZnO
等の無機光導電材料や有機光導電材料等があげられ、ま
た最近では非晶質ケイ素が光導電材料として注目を集め
ている(例えば、特開昭54−86341号公報)。非
晶質ケイ素系電子写真感光体は、主にグロー放電法によ
り形成される。この非晶質ケイ素系電子写真感光体は、
感度が高いという利点を有し、表面が非常に硬く、耐剛
性に優れ、しかも変質しがたいので、感光体として寿命
が長いといった利点がある。
形成される。感光層としては、光導電性を有する材料が
一般に使用され、例えば、Se、 CdS 、 ZnO
等の無機光導電材料や有機光導電材料等があげられ、ま
た最近では非晶質ケイ素が光導電材料として注目を集め
ている(例えば、特開昭54−86341号公報)。非
晶質ケイ素系電子写真感光体は、主にグロー放電法によ
り形成される。この非晶質ケイ素系電子写真感光体は、
感度が高いという利点を有し、表面が非常に硬く、耐剛
性に優れ、しかも変質しがたいので、感光体として寿命
が長いといった利点がある。
ところで、レーザービームをライン走査する方式の電子
写真プリンタは、レーザービームとして、ヘリウム−カ
ドミウムレーザー、アルゴンレーザ、ヘリウム−ネオン
レーザ−等の比較的短波長のガスレーザーが使用されて
いるほか、近年になって半導体レーザーが使用されるよ
うになってきた。この半導体レーザーは、−船釣には7
50nm以上の長波長領域で発振波長を有しているもの
で、そのため長波長領域で高感度特性を持つ電子写真感
光体が必要となり、種々の提案がなされている。
写真プリンタは、レーザービームとして、ヘリウム−カ
ドミウムレーザー、アルゴンレーザ、ヘリウム−ネオン
レーザ−等の比較的短波長のガスレーザーが使用されて
いるほか、近年になって半導体レーザーが使用されるよ
うになってきた。この半導体レーザーは、−船釣には7
50nm以上の長波長領域で発振波長を有しているもの
で、そのため長波長領域で高感度特性を持つ電子写真感
光体が必要となり、種々の提案がなされている。
例えば、非晶質ケイ素系電子写真感光体についてもGe
を添加することにより長波長増感が行われている(特開
昭54−98588号公報、同57−172344号公
報参照)。
を添加することにより長波長増感が行われている(特開
昭54−98588号公報、同57−172344号公
報参照)。
しかしなから、これ等長波長領域に感度特性を有する電
子写真感光体を、長波長の光源、特にレーサービーム走
査方式の電子写真プリンタに取り付けて、レーザービー
ム露光を行うと、形成された画像にモアレが現出し、良
好な画質の画像が形成できないという問題かあった。
子写真感光体を、長波長の光源、特にレーサービーム走
査方式の電子写真プリンタに取り付けて、レーザービー
ム露光を行うと、形成された画像にモアレが現出し、良
好な画質の画像が形成できないという問題かあった。
本発明は、このような問題点に鑑みてなされたものであ
る。
る。
本発明の目的は、赤外半導体レーサー等のコヒーレント
光を光源とするレーザープリンターでの干渉縞の発生を
防止した高画質の電子写真感光体を提供することにある
。
光を光源とするレーザープリンターでの干渉縞の発生を
防止した高画質の電子写真感光体を提供することにある
。
本発明の他の目的は、接着性や機械的強度・硬度が高く
、表面平滑性に優れ欠陥の少ない感光層を有する高耐久
性の電子写真感光体を提供することにある。
、表面平滑性に優れ欠陥の少ない感光層を有する高耐久
性の電子写真感光体を提供することにある。
本発明の更に他の目的は、高感度で凡色性に富み、高帯
電性で暗減衰が少なく、また、露光後の残留電位の少な
い電子写真感光体を提供することにある。
電性で暗減衰が少なく、また、露光後の残留電位の少な
い電子写真感光体を提供することにある。
〔課題を解決するための手段および作用〕本発明者等は
、上記の目的を達成すべく、反射防止材料について鋭意
研究を行った結果、有機高分子化合物あるいは無機高分
子化合物中に金属粉末又は導電性金属酸化物粉末を分散
させたものは、感光層を通過したコヒーレント光を効率
よく吸収及び散乱し、優れた反射防止機能を有すること
を見出だし、本発明を完成するに至った。
、上記の目的を達成すべく、反射防止材料について鋭意
研究を行った結果、有機高分子化合物あるいは無機高分
子化合物中に金属粉末又は導電性金属酸化物粉末を分散
させたものは、感光層を通過したコヒーレント光を効率
よく吸収及び散乱し、優れた反射防止機能を有すること
を見出だし、本発明を完成するに至った。
本発明の電子写真感光体は、少なくとも支持体と反射防
止層と感光層からなり、該反射防止層が金属粉末又は導
電性の金属酸化物粉末を分散した有機高分子化合物ある
いは無機高分子化合物からなることを特徴とする。
止層と感光層からなり、該反射防止層が金属粉末又は導
電性の金属酸化物粉末を分散した有機高分子化合物ある
いは無機高分子化合物からなることを特徴とする。
本発明の電子写真感光体において、反射防止層における
有機高分子化合物あるいは無機高分子化合物に分散され
る金属粉末は、周期律表IIA族元素、■B族元素、H
A族および遷移元素から選択され元素、又はそれ等2種
以上の元素の合金又は混合物よりなり、又、導電性の金
属酸化物粉末は、錫、亜鉛、アンチモン、チタンおよび
インジウムから選択された元素の酸化物、又はそれ等2
種以上の元素の複合酸化物、又はそれら酸化物の2種以
上からなる混合物が好ましく使用される。
有機高分子化合物あるいは無機高分子化合物に分散され
る金属粉末は、周期律表IIA族元素、■B族元素、H
A族および遷移元素から選択され元素、又はそれ等2種
以上の元素の合金又は混合物よりなり、又、導電性の金
属酸化物粉末は、錫、亜鉛、アンチモン、チタンおよび
インジウムから選択された元素の酸化物、又はそれ等2
種以上の元素の複合酸化物、又はそれら酸化物の2種以
上からなる混合物が好ましく使用される。
これらの金属粉末及び導電性の金属酸化物粉末は、正お
よび負のいずれの電荷をも流すことができる両極性のも
のであり、これらを含有させた反射防止層は、両極性で
あり、感光体の残留電位に対して影響が少ない。
よび負のいずれの電荷をも流すことができる両極性のも
のであり、これらを含有させた反射防止層は、両極性で
あり、感光体の残留電位に対して影響が少ない。
以下、本発明の詳細な説明する。
第1図ないし第5図は、それぞれ本発明の電子写真感光
体の模式的断面図である。第1図は、本発明の電子写真
感光体の基本的層構成の一例であって、支持体lの上に
、反射防止層2及び感光層3が積層されている。第2図
においては、感光層の表面に表面層が設けられている。
体の模式的断面図である。第1図は、本発明の電子写真
感光体の基本的層構成の一例であって、支持体lの上に
、反射防止層2及び感光層3が積層されている。第2図
においては、感光層の表面に表面層が設けられている。
第3図においては反射防止層2と感光層3の間に中間層
5か設けられ、また、表面に表面層4が設けられている
。
5か設けられ、また、表面に表面層4が設けられている
。
第4図及び第5図においては、感光層か電荷発生層3a
と電荷輸送層3bとに機能分離された層構成になってお
り、第4図においては、支持体1上に反射防止層2、中
間層5、電荷輸送層3b、電荷発生層3a及び表面層4
が順次積層された構造を有し、第5図においては、支持
体1上に、電荷輸送層3b、反射防止層2、電荷発生層
3a及び表面層4が順次積層された構造を有している。
と電荷輸送層3bとに機能分離された層構成になってお
り、第4図においては、支持体1上に反射防止層2、中
間層5、電荷輸送層3b、電荷発生層3a及び表面層4
が順次積層された構造を有し、第5図においては、支持
体1上に、電荷輸送層3b、反射防止層2、電荷発生層
3a及び表面層4が順次積層された構造を有している。
本発明において、支持体としては、導電性支持体および
絶縁性支持体のいずれを用いてもよい。
絶縁性支持体のいずれを用いてもよい。
導電性支持体としては、アルミニウム、ステンレススチ
ール、ニッケル、クロム等の金属及びその合金かあげら
れ、絶縁性支持体としてはポリエステル、ポリエチレン
、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリアミド、ポリ
イミド等の高分子フィルム又はシート、ガラス、セラミ
ック等があげられる。絶縁性支持体を用いる場合には、
少なくとも他の層と接触する面は、導電化処理を施しで
あることか必要である。導電化処理は、上記金属の他に
、金、銀、銅等を蒸着、スパッター、イオンプレーテイ
ンク法によって行うことかできる。
ール、ニッケル、クロム等の金属及びその合金かあげら
れ、絶縁性支持体としてはポリエステル、ポリエチレン
、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリアミド、ポリ
イミド等の高分子フィルム又はシート、ガラス、セラミ
ック等があげられる。絶縁性支持体を用いる場合には、
少なくとも他の層と接触する面は、導電化処理を施しで
あることか必要である。導電化処理は、上記金属の他に
、金、銀、銅等を蒸着、スパッター、イオンプレーテイ
ンク法によって行うことかできる。
本発明の電子写真感光体は、電磁波の照射を支持体側か
ら行ってもよいし、支持体とは反対の側から行ってもよ
い。支持体側から行う場合には、導電化処理による金属
層が少なくとも照射される電磁波を透過する厚さにすれ
ばよい。又、ITO等の透明導電膜を使用することもて
きる。
ら行ってもよいし、支持体とは反対の側から行ってもよ
い。支持体側から行う場合には、導電化処理による金属
層が少なくとも照射される電磁波を透過する厚さにすれ
ばよい。又、ITO等の透明導電膜を使用することもて
きる。
本発明の電子写真感光体において、支持体の上には反射
防止層および感光層が形成されるか、感光層が電荷発生
層、電荷輸送層に分けられている場合には、反射防止層
は、電荷発生層と電荷輸送層との間に設けてもよい。た
たし、反射防止層か電荷発生層の上に設けられる場合に
は、反射防止層は、露光に際し、電磁波(光)を十分に
透過させて下層の電荷発生層まで到達させるべく十分に
透明でなくてはならないが、本発明における反射防止層
は透明性であるので、この様な場合に有利に使用できる
。
防止層および感光層が形成されるか、感光層が電荷発生
層、電荷輸送層に分けられている場合には、反射防止層
は、電荷発生層と電荷輸送層との間に設けてもよい。た
たし、反射防止層か電荷発生層の上に設けられる場合に
は、反射防止層は、露光に際し、電磁波(光)を十分に
透過させて下層の電荷発生層まで到達させるべく十分に
透明でなくてはならないが、本発明における反射防止層
は透明性であるので、この様な場合に有利に使用できる
。
反射防止層は、上記のごとく、有機高分子化合物あるい
は無機高分子化合物中に、金属粉末又は導電性の金属酸
化物粉末が分散されて構成される。
は無機高分子化合物中に、金属粉末又は導電性の金属酸
化物粉末が分散されて構成される。
金属粉末としては、周期律表IIA族元素、IIB族元
素、IIIA族元素、および遷移金属から選択された元
素が使用される。mA族元素としてはBe。
素、IIIA族元素、および遷移金属から選択された元
素が使用される。mA族元素としてはBe。
龍、Ca、 Sr、 Ba、 Raがあげられ、IrB
族元素としては、ZnSCdがあげられ、IIIA族元
素としては、AI、Ga、 In、 TIがあげられ、
遷移元素としては、主遷移元素であるScからCu5Y
からAg5Hf’からAuの各元素、及び内遷移元素で
あるLaからLu、 AcからL「の各元素があげられ
る。これ等の内でも、AI、Zn、 In、主遷移元素
が好ましく使用できる。
族元素としては、ZnSCdがあげられ、IIIA族元
素としては、AI、Ga、 In、 TIがあげられ、
遷移元素としては、主遷移元素であるScからCu5Y
からAg5Hf’からAuの各元素、及び内遷移元素で
あるLaからLu、 AcからL「の各元素があげられ
る。これ等の内でも、AI、Zn、 In、主遷移元素
が好ましく使用できる。
又、導電性の金属酸化物粉末としては、錫、亜鉛、アン
チモン、チタンおよびインジウムから選択された金属の
酸化物か使用される。金属酸化物は複合酸化物の形状で
あってもよく、或いは2種以上の酸化物の混合物であっ
てもよい。
チモン、チタンおよびインジウムから選択された金属の
酸化物か使用される。金属酸化物は複合酸化物の形状で
あってもよく、或いは2種以上の酸化物の混合物であっ
てもよい。
これ等の金属粉末又は金属酸化物粉末は、使用するレー
ザの波長域で吸収があるものを選択して用いることかで
きる。
ザの波長域で吸収があるものを選択して用いることかで
きる。
これ等金属粉末又は金属酸化物粉末の粒径は、反射防止
層の膜厚よりも小さいことが望ましく、特に反射防止層
の膜厚の172以下であることか好ましい。具体的には
、50人〜ないし5IEIl、好ましくは001如ない
し0.5 mの範囲のものか使用される。粒径か50人
よりも小さくなると、光散乱能か低下し、5tlnより
も大きくなると感光体最表面での表面性が低下し、クリ
ーニンク不良や解像度の低下を引き起こす。
層の膜厚よりも小さいことが望ましく、特に反射防止層
の膜厚の172以下であることか好ましい。具体的には
、50人〜ないし5IEIl、好ましくは001如ない
し0.5 mの範囲のものか使用される。粒径か50人
よりも小さくなると、光散乱能か低下し、5tlnより
も大きくなると感光体最表面での表面性が低下し、クリ
ーニンク不良や解像度の低下を引き起こす。
さらにこの反射防止層は、支持体表面の平滑化の機能を
付与させることも可能であり、その場合には、支持体の
表面粗さよりも小さい粒径の粉末を用いればよい。
付与させることも可能であり、その場合には、支持体の
表面粗さよりも小さい粒径の粉末を用いればよい。
反射防止層における有機高分子化合物としては、ポリビ
ニルカルバゾールのような電気的に活性な高分子化合物
でも、電気的に不活性な高分子化合物でもよい。使用で
きる高分子化合物としては、ポリビニルカルバゾール、
アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹
脂、塩化ビニル樹脂、フッ素樹脂、ポリウレタン樹脂、
エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリアミド樹
脂、ポリイミド樹脂等があげられる。なかでもプラズマ
CVD法で感光層を形成する場合には、耐熱性、機械的
強度、接着性の点から、硬化型樹脂が好ましい。
ニルカルバゾールのような電気的に活性な高分子化合物
でも、電気的に不活性な高分子化合物でもよい。使用で
きる高分子化合物としては、ポリビニルカルバゾール、
アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹
脂、塩化ビニル樹脂、フッ素樹脂、ポリウレタン樹脂、
エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリアミド樹
脂、ポリイミド樹脂等があげられる。なかでもプラズマ
CVD法で感光層を形成する場合には、耐熱性、機械的
強度、接着性の点から、硬化型樹脂が好ましい。
上記有機高分子化合物を用いて反射防止層を形成するた
めには、有機高分子化合物の有機溶媒溶液又は液状有機
高分子化合物中に、上記金属粉末又は金属酸化物粉末を
分散させ、得られた分散液を塗布し、乾燥すればよい。
めには、有機高分子化合物の有機溶媒溶液又は液状有機
高分子化合物中に、上記金属粉末又は金属酸化物粉末を
分散させ、得られた分散液を塗布し、乾燥すればよい。
また、反射防止層における無機高分子化合物としては、
シリコーン樹脂や有機金属化合物から形成される無機高
分子化合物が使用できる。
シリコーン樹脂や有機金属化合物から形成される無機高
分子化合物が使用できる。
無機高分子化合物が、例えば、液状のシリコーン樹脂で
ある場合には、その中に上記金属粉末又は金属酸化物粉
末を分散させ、分散液を塗布し、乾燥すればよい。
ある場合には、その中に上記金属粉末又は金属酸化物粉
末を分散させ、分散液を塗布し、乾燥すればよい。
又、反射防止層を、ゾル−ゲル法によって、形成する場
合には、次のようにして形成することができる。
合には、次のようにして形成することができる。
Si (OCH3)4、Si (OC2H5)4、
Si (OC3H7)4、Si (OC4H9)4
、AI (OCH3)3、AI (OC2H5)3
、AI (OC4H9)3、T i (OC3H7
) 4、Zr (OC3H7) 、Ti (OC
3H7)4、Y (OC3H7)3、Y (OC4H9
)3、Fe (OC2H5)3、Fe (OC3H7)
3、F e (OC4Hg)3、Nb (OCH3)5
、Nb (OC2H5)5、N b (OC3H7)
3、Ta (OC3H7−)5、Ta (oc 4 H
g)4、T i (QC3H7) 4、V (OC2
H5)3、V (OC4H9)3等のアルコキシド化合
物や、鉄・トリス(アセチルアセトネート)、コバルト
・ビス(アセチルアセトネート)、ニッケル・ビス(ア
セチルアセトネート)、銅・ビス(アセチルアセトネー
ト)等の有機金属錯体を、アルコール中に溶解し、撹拌
しながら加水分解する。反応によって生成したゾル液に
、上記金属粉末又は金属酸化物粉末を分散させ、得られ
た分散液をスプレー法、浸漬法によって支持体上に塗布
し、溶媒を除去した後、50〜300℃で1〜24時間
加熱乾燥することによって、主として無機高分子化合物
からなる反射防止層を得ることができる。
Si (OC3H7)4、Si (OC4H9)4
、AI (OCH3)3、AI (OC2H5)3
、AI (OC4H9)3、T i (OC3H7
) 4、Zr (OC3H7) 、Ti (OC
3H7)4、Y (OC3H7)3、Y (OC4H9
)3、Fe (OC2H5)3、Fe (OC3H7)
3、F e (OC4Hg)3、Nb (OCH3)5
、Nb (OC2H5)5、N b (OC3H7)
3、Ta (OC3H7−)5、Ta (oc 4 H
g)4、T i (QC3H7) 4、V (OC2
H5)3、V (OC4H9)3等のアルコキシド化合
物や、鉄・トリス(アセチルアセトネート)、コバルト
・ビス(アセチルアセトネート)、ニッケル・ビス(ア
セチルアセトネート)、銅・ビス(アセチルアセトネー
ト)等の有機金属錯体を、アルコール中に溶解し、撹拌
しながら加水分解する。反応によって生成したゾル液に
、上記金属粉末又は金属酸化物粉末を分散させ、得られ
た分散液をスプレー法、浸漬法によって支持体上に塗布
し、溶媒を除去した後、50〜300℃で1〜24時間
加熱乾燥することによって、主として無機高分子化合物
からなる反射防止層を得ることができる。
金属粉末又は金属酸化物粉末と有機高分子化合物又は無
機高分子化合物との割合は、粉末の粒径や固有抵抗、膜
の強度、膜厚によって任意に決定されるか、通常、重量
比で2/98〜90/10の範囲が好ましい。なお、金
属粉末又は金属酸化物粉末の割合が2重量%よりも低く
なると、反射防止機能が不足し、高い残留電位を示し、
又、90重量%よりも高くなると、膜としての強さが、
低下し、感光層を積層した後、剥離が起こり、感光体と
しての機能を果たすことができなくなる。
機高分子化合物との割合は、粉末の粒径や固有抵抗、膜
の強度、膜厚によって任意に決定されるか、通常、重量
比で2/98〜90/10の範囲が好ましい。なお、金
属粉末又は金属酸化物粉末の割合が2重量%よりも低く
なると、反射防止機能が不足し、高い残留電位を示し、
又、90重量%よりも高くなると、膜としての強さが、
低下し、感光層を積層した後、剥離が起こり、感光体と
しての機能を果たすことができなくなる。
反射防止層の膜厚は0.1〜20燗、好ましくは0.2
〜lOa+の範囲に設定される。
〜lOa+の範囲に設定される。
本発明においては、反射防止層は、暗中で電荷を保持す
ることができると共に、電磁波が照射されることによっ
て、感光層中に電荷が発生した場合には、速やかに電荷
を注入し、支持体又は電荷発生層に電荷を移動させるこ
とができる。また、反射防止層が支持体上に直接設けら
れた場合には、支持体が絶縁性であっても暗中で十分な
導電性を有し、導電性支持体としての機能を持たせるこ
とができる。
ることができると共に、電磁波が照射されることによっ
て、感光層中に電荷が発生した場合には、速やかに電荷
を注入し、支持体又は電荷発生層に電荷を移動させるこ
とができる。また、反射防止層が支持体上に直接設けら
れた場合には、支持体が絶縁性であっても暗中で十分な
導電性を有し、導電性支持体としての機能を持たせるこ
とができる。
また、本発明において、反射防止層は、正および負のい
ずれの電荷をも輸送することができるので、感光体をプ
ラス帯電させて、或いはマイナス帯電させて使用するこ
とかできる。
ずれの電荷をも輸送することができるので、感光体をプ
ラス帯電させて、或いはマイナス帯電させて使用するこ
とかできる。
感光層としては、非晶質ケイ素、セレン、セレンひ素、
セレンテルル等の無機物を、CVD 、蒸着或いはスパ
ッタリング等の方法を用いて形成したものが使用できる
。又、フタロシアニン、Cuフタロシアニン、AIフタ
ロシアニン、■フタロシアニン、スクエアリン酸誘導体
、メロシアニン、ビスアゾ染料等の色素や顔料を蒸着し
たり、あるいはそれらを結着樹脂に分散したものを、浸
漬塗布、スプレー塗布などの方法で薄膜とした電荷発生
層と、低分子電荷輸送剤を結着樹脂中に分散させて形成
した電荷輸送層とを積層したものを用いることがてきる
。
セレンテルル等の無機物を、CVD 、蒸着或いはスパ
ッタリング等の方法を用いて形成したものが使用できる
。又、フタロシアニン、Cuフタロシアニン、AIフタ
ロシアニン、■フタロシアニン、スクエアリン酸誘導体
、メロシアニン、ビスアゾ染料等の色素や顔料を蒸着し
たり、あるいはそれらを結着樹脂に分散したものを、浸
漬塗布、スプレー塗布などの方法で薄膜とした電荷発生
層と、低分子電荷輸送剤を結着樹脂中に分散させて形成
した電荷輸送層とを積層したものを用いることがてきる
。
本発明において、5e−Te等のセレン系、a−3i系
の感光層を上層に設ける場合には、有機系の感光層を用
いた場合に比べ、耐擦性、耐摩耗性の点において有利で
あり、特にa−3i系感光層は、硬度か高く、最表面層
としては、極めて有利である。したがって、a−3t系
悪感光は、上記の観点から表面層としても有効に機能す
る。
の感光層を上層に設ける場合には、有機系の感光層を用
いた場合に比べ、耐擦性、耐摩耗性の点において有利で
あり、特にa−3i系感光層は、硬度か高く、最表面層
としては、極めて有利である。したがって、a−3t系
悪感光は、上記の観点から表面層としても有効に機能す
る。
なかでも、水素化非晶質ケイ素、ゲルマニウムを添加し
た水素化非晶質ケイ素、水素化非晶質ゲルマニウムを用
いた場合には、感光層は、優れた機械的、電気的特性を
示す。特に、ケイ素あるいはゲルマニウムを主成分とし
、1〜40原子%、特に5〜30原子%の水素を含んだ
ものが好ましい。
た水素化非晶質ケイ素、水素化非晶質ゲルマニウムを用
いた場合には、感光層は、優れた機械的、電気的特性を
示す。特に、ケイ素あるいはゲルマニウムを主成分とし
、1〜40原子%、特に5〜30原子%の水素を含んだ
ものが好ましい。
本発明において、反射防止層は、正および負のいずれの
極性にも使用できるため、感光層としては、a−8i系
感光層が最適である。何故ならば、aSi膜は膜中に元
素周期律表のV族元素、■族元素の添加により、n型、
i型、p型の膜が容易に形成でき、正帯電型の感光体が
所望される場合には、■族元素を添加したp型a−S
i感光層とすればよく、負帯電型感光体が所望される場
合には、■族元素を添加するか、そのままでn型a−8
i感光層とすればよく、両極性の感光体か所望される場
合には、微量の■族元素を添加して、i型a−3i感光
層とすることができ、したがって、容易に感光体の帯電
極性を制御できるからである。
極性にも使用できるため、感光層としては、a−8i系
感光層が最適である。何故ならば、aSi膜は膜中に元
素周期律表のV族元素、■族元素の添加により、n型、
i型、p型の膜が容易に形成でき、正帯電型の感光体が
所望される場合には、■族元素を添加したp型a−S
i感光層とすればよく、負帯電型感光体が所望される場
合には、■族元素を添加するか、そのままでn型a−8
i感光層とすればよく、両極性の感光体か所望される場
合には、微量の■族元素を添加して、i型a−3i感光
層とすることができ、したがって、容易に感光体の帯電
極性を制御できるからである。
本発明において、感光層の好ましい例としては、感光層
が、電荷発生層と電荷輸送層とから構成され、それら電
荷発生層と電荷輸送層か、それぞれケイ素を主体として
なり、かつ、水素、ハロゲン、酸素、窒素、炭素、ゲル
マニウムから選択された元素のいずれか一種以上を含む
場合である。
が、電荷発生層と電荷輸送層とから構成され、それら電
荷発生層と電荷輸送層か、それぞれケイ素を主体として
なり、かつ、水素、ハロゲン、酸素、窒素、炭素、ゲル
マニウムから選択された元素のいずれか一種以上を含む
場合である。
以下、水素化非晶質ケイ素を感光層として用いる場合を
例として説明する。
例として説明する。
非晶質ケイ素を主成分とする感光層は、公知の方法によ
って形成することができる。例えば、グロー放電分解、
スパッタリング法、イオンプレーテング法、真空蒸着法
等によって形成することかできる。これ等の成膜方法は
、目的に応じて適宜選択されるが、プラズマCVD法に
よりシラン或いはシラン系ガスをグロー放電分解する方
法か好ましく、この方法によれば、膜中に1〜40原子
%の水素を含有した比較的抵抗が高く、かつ、光感度も
高い膜が形成され、感光層としては好適な特性を得るこ
とかできる。
って形成することができる。例えば、グロー放電分解、
スパッタリング法、イオンプレーテング法、真空蒸着法
等によって形成することかできる。これ等の成膜方法は
、目的に応じて適宜選択されるが、プラズマCVD法に
よりシラン或いはシラン系ガスをグロー放電分解する方
法か好ましく、この方法によれば、膜中に1〜40原子
%の水素を含有した比較的抵抗が高く、かつ、光感度も
高い膜が形成され、感光層としては好適な特性を得るこ
とかできる。
以下、プラズマCVD法を例にあげて説明する。
ケイ素を主成分とする感光層を作製するための原料気体
としては、シラン、ジシランをはじめとするシラン類が
あげられる。また、感光層を形成する際に、必要に応じ
て、水素、ヘリウム、アルゴン、ネオン等のキャリアガ
スを用いることも可能である。これ等の原料ガス中に、
ジボラン(82H6)、ホスフィン(PH3)ガス等の
ドーパントガスを流入させ、膜中に硼素或いは燐等の不
純物を添加することもできる。又、光感度の増加を目的
として、ハロゲン、炭素、酸素、窒素等の元素を含有さ
せてもよい。更にまた、長波長域感度の増加を目的とし
て、ゲルマニウム、錫等の元素を添加することも可能で
ある。
としては、シラン、ジシランをはじめとするシラン類が
あげられる。また、感光層を形成する際に、必要に応じ
て、水素、ヘリウム、アルゴン、ネオン等のキャリアガ
スを用いることも可能である。これ等の原料ガス中に、
ジボラン(82H6)、ホスフィン(PH3)ガス等の
ドーパントガスを流入させ、膜中に硼素或いは燐等の不
純物を添加することもできる。又、光感度の増加を目的
として、ハロゲン、炭素、酸素、窒素等の元素を含有さ
せてもよい。更にまた、長波長域感度の増加を目的とし
て、ゲルマニウム、錫等の元素を添加することも可能で
ある。
感光層の膜厚は、5〜100虜、好ましくはlO〜70
虜の範囲に設定される。
虜の範囲に設定される。
本発明において、上記反射防止層と感光層あるいは電荷
発生層又は電荷輸送層との間には、電荷注入阻止、接着
性向上を目的として、中間層を設けてもよい。
発生層又は電荷輸送層との間には、電荷注入阻止、接着
性向上を目的として、中間層を設けてもよい。
中間層は、ポリアミド、ポリイミド、ポリエステル等の
有機高分子化合物、或いはケイ素、チタン、ジルコニウ
ム等のアルコキシ化合物の溶液を塗布し、乾燥して形成
することができる。また、ブラダ7 CVD法ニヨルS
t N l 、S ICII 、S IO8膜、イオ
ンブレーティング等のPVD法によるS IO! 、A
108、Z n Ox 、Z r O*膜等を用いる
ことかできる。
有機高分子化合物、或いはケイ素、チタン、ジルコニウ
ム等のアルコキシ化合物の溶液を塗布し、乾燥して形成
することができる。また、ブラダ7 CVD法ニヨルS
t N l 、S ICII 、S IO8膜、イオ
ンブレーティング等のPVD法によるS IO! 、A
108、Z n Ox 、Z r O*膜等を用いる
ことかできる。
また、本発明の電子写真感光体は、表面のコロナイオン
による変質を防止するために、表面保護層を設けてもよ
い。表面保護層を構成する材料としては、プラズマCV
D法による酸化ケイ素、炭化ケイ素、窒化ケイ素、アモ
ルファスカーボン、イオンブレーティング法等による酸
化アルミナ、更に有機低分子化合物や導電性微粉末を分
散した透明有機高分子膜等があげられる。
による変質を防止するために、表面保護層を設けてもよ
い。表面保護層を構成する材料としては、プラズマCV
D法による酸化ケイ素、炭化ケイ素、窒化ケイ素、アモ
ルファスカーボン、イオンブレーティング法等による酸
化アルミナ、更に有機低分子化合物や導電性微粉末を分
散した透明有機高分子膜等があげられる。
次に、本発明を実施例によって説明する。
実施例1
円筒状アルミニウムパイプ(Rmax =0.05II
M)上に、ポリウレタン樹脂(関西ペイント社製、レタ
ン4000Å50重量部に、平均粒径0.3節以下のN
i粉末50重量部、溶剤(レタンシンナー、関西ペイン
ト社製)15重量部を加え、ボールミルを用いて20時
間混合分散し、硬化剤(レタン硬化剤、関西ペイント社
製)・を7重量部加えた溶液をスプレ塗布し、150℃
にて24時間乾燥して、厚さ5層mの反射防止層を形成
した。
M)上に、ポリウレタン樹脂(関西ペイント社製、レタ
ン4000Å50重量部に、平均粒径0.3節以下のN
i粉末50重量部、溶剤(レタンシンナー、関西ペイン
ト社製)15重量部を加え、ボールミルを用いて20時
間混合分散し、硬化剤(レタン硬化剤、関西ペイント社
製)・を7重量部加えた溶液をスプレ塗布し、150℃
にて24時間乾燥して、厚さ5層mの反射防止層を形成
した。
上記反射防止層のみが形成されたアルミニウムパイプを
容量結合型プラズマCVD装置の真空槽内に設置した。
容量結合型プラズマCVD装置の真空槽内に設置した。
基板温度200℃に維持し、反応室内に100%シラン
(SiH4)ガスを毎分100cc 。
(SiH4)ガスを毎分100cc 。
水素稀釈の1100ppジボラン(B2H6)ガスを毎
分子orce流入させ、反応槽内を0.5Torrの圧
力に維持した後、13.65M)lzの高周波電力を投
入してグロー放電を生しさせ、電力を100Wに維持し
た。このようにして水素とごく微量の硼素を含む、いわ
ゆるp型非晶質ケイ素からなる膜厚2加の電荷注入阻止
層を形成した。ついて、水素稀釈ジボランガスを毎分l
eeに変え、いわゆるi型の非晶質ケイ素からなる20
側の光導電層を形成した。
分子orce流入させ、反応槽内を0.5Torrの圧
力に維持した後、13.65M)lzの高周波電力を投
入してグロー放電を生しさせ、電力を100Wに維持し
た。このようにして水素とごく微量の硼素を含む、いわ
ゆるp型非晶質ケイ素からなる膜厚2加の電荷注入阻止
層を形成した。ついて、水素稀釈ジボランガスを毎分l
eeに変え、いわゆるi型の非晶質ケイ素からなる20
側の光導電層を形成した。
引き続き高真空に排気し、S i H430secm、
N H330secmを反応器に導入し、50Wて放電
を行い、0.1層のSiN、膜を形成し、電子写真感光
体を作成した。
N H330secmを反応器に導入し、50Wて放電
を行い、0.1層のSiN、膜を形成し、電子写真感光
体を作成した。
得られた電子写真感光体を半導体レーザビームプリンタ
ー(XP−9、富士ゼロックス社製)に挿入し、プリン
トテストしたところ、モアレ模様のない良好な画像が得
られた。
ー(XP−9、富士ゼロックス社製)に挿入し、プリン
トテストしたところ、モアレ模様のない良好な画像が得
られた。
比較例I
Rmax−0,05ρて鏡面切削したアルミニウム支持
体の上に、反射防止層を設けずに、実施例1と全く同じ
方法にて電荷注入阻止層、光導電層、表面層を形成した
。実施例1と同じプリンターにてプリントテストしたと
ころ、画面全体に木目状のいわゆるモアレ模様が出現し
、画像品質は著しく低下したものとなった。
体の上に、反射防止層を設けずに、実施例1と全く同じ
方法にて電荷注入阻止層、光導電層、表面層を形成した
。実施例1と同じプリンターにてプリントテストしたと
ころ、画面全体に木目状のいわゆるモアレ模様が出現し
、画像品質は著しく低下したものとなった。
実施例2
アルミニウム平板上に、セラミックコート剤(セラミ力
■100、株式会社日板研究所製)40重量部に粒径0
.1〜0.5 urnの銅粉末50重量部を加え、ボー
ルミルを用いて100時間時間分散し、硬化剤を10重
量部加えて得られた塗布液を、希釈後、浸漬塗布法によ
り塗布し、150℃で5時間乾燥して、厚さ4郁の反射
防止層を形成した。
■100、株式会社日板研究所製)40重量部に粒径0
.1〜0.5 urnの銅粉末50重量部を加え、ボー
ルミルを用いて100時間時間分散し、硬化剤を10重
量部加えて得られた塗布液を、希釈後、浸漬塗布法によ
り塗布し、150℃で5時間乾燥して、厚さ4郁の反射
防止層を形成した。
この反射防止層の上に、実施例1と同じ感光層を設けて
感光体を作成し、レーザビームプリンターにてプリント
テストしたところ、モアレの全くない鮮明な画像が得ら
れた。
感光体を作成し、レーザビームプリンターにてプリント
テストしたところ、モアレの全くない鮮明な画像が得ら
れた。
実施例3
平面粗さRmaxO,51mのアルミニウムパイプの上
に、実施例2と同じ反射防止層を設けた。この反射防止
層の表面粗さは、Rmaxて0.057an以下であっ
た。
に、実施例2と同じ反射防止層を設けた。この反射防止
層の表面粗さは、Rmaxて0.057an以下であっ
た。
この反射防止層の上に実施例1と同じ感光層を設けて電
子写真感光体を作成し、レーザビームプリンターにてプ
リントテストを行ったところモアレの全くない鮮明な画
像が得得られた。くり返しIO万枚のプリント後も欠陥
のない良好な画像か得られた。
子写真感光体を作成し、レーザビームプリンターにてプ
リントテストを行ったところモアレの全くない鮮明な画
像が得得られた。くり返しIO万枚のプリント後も欠陥
のない良好な画像か得られた。
比較例2
実施例3と同じ支持体の上に、比較例1と同し感光層を
設けて感光体を作成し、プリントテストを行った。さら
に1万枚のプリントテストを行ったところ、画像にはモ
アレ模様か出現したほかに、繰返しコピー操作と共に白
点と黒斑か増加し、画像品質は著しく低下した。
設けて感光体を作成し、プリントテストを行った。さら
に1万枚のプリントテストを行ったところ、画像にはモ
アレ模様か出現したほかに、繰返しコピー操作と共に白
点と黒斑か増加し、画像品質は著しく低下した。
実施例4
実施例1と同じ反射防止層と電荷阻止層をアルミニウム
支持体上に設け、その上にシランガス150secm
、エチレンガス5scem 、水素希釈ジボランガスを
シランガスに対しジボラン濃度が10ppmになるよう
に混合し、圧力1.0Torr 、高周波電力150W
で処理して、炭素添加アモルファスシリコンからなる膜
厚15m+の電荷輸送層を形成した。さらにその上にi
型のアモルファスシリコンを実施例1と同様の条件で膜
厚0.5廂になるように形成し、引き続き、シランガス
1130secm 、ケルマンガス40sec+n、ジ
ボラン濃度を全量に対し2 ppmになるように水素希
釈ジボランガスを混合し、圧力1 、0Torr、高周
波電力15flWて処理して、アモルファスゲルマニウ
ムシリコンよりなる電荷発生層を形成した。この上に実
施例1と同じ条件で表面層を設けて電子写真感光体を作
製した。
支持体上に設け、その上にシランガス150secm
、エチレンガス5scem 、水素希釈ジボランガスを
シランガスに対しジボラン濃度が10ppmになるよう
に混合し、圧力1.0Torr 、高周波電力150W
で処理して、炭素添加アモルファスシリコンからなる膜
厚15m+の電荷輸送層を形成した。さらにその上にi
型のアモルファスシリコンを実施例1と同様の条件で膜
厚0.5廂になるように形成し、引き続き、シランガス
1130secm 、ケルマンガス40sec+n、ジ
ボラン濃度を全量に対し2 ppmになるように水素希
釈ジボランガスを混合し、圧力1 、0Torr、高周
波電力15flWて処理して、アモルファスゲルマニウ
ムシリコンよりなる電荷発生層を形成した。この上に実
施例1と同じ条件で表面層を設けて電子写真感光体を作
製した。
この電子写真感光体を用いて、レーザビームプリンター
でプリ・ントテストを実施したところ、モアレの無い画
像の濃度コントラストに優れたプリントか得られた。
でプリ・ントテストを実施したところ、モアレの無い画
像の濃度コントラストに優れたプリントか得られた。
本発明の電子写真感光体は、上記のように反射防止層と
して、金属粉末又は金属酸化物粉末が分散された有機高
分子化合物又は無機高分子化合物よりなる層を設けたか
ら、レーザー等のコヒーレント光を光源とするプリンタ
ーにおいて、干渉縞の発生を防止してモアレの発生を阻
11−シ、商品ifの画像を得ることかできる。
して、金属粉末又は金属酸化物粉末が分散された有機高
分子化合物又は無機高分子化合物よりなる層を設けたか
ら、レーザー等のコヒーレント光を光源とするプリンタ
ーにおいて、干渉縞の発生を防止してモアレの発生を阻
11−シ、商品ifの画像を得ることかできる。
第1図ないし第5図は、それぞれ、本発明の電子写真感
光体の模式的断面図である。 I・・支持体、2・反射防止層、3・・・勝光層、3a
・電荷発生層、3b・・電荷輸送層、4・・表面層、5
・・・中間層。 出願人 富士ゼロックス株式会社
光体の模式的断面図である。 I・・支持体、2・反射防止層、3・・・勝光層、3a
・電荷発生層、3b・・電荷輸送層、4・・表面層、5
・・・中間層。 出願人 富士ゼロックス株式会社
Claims (5)
- (1)少なくとも支持体と反射防止層と感光層からなり
、該反射防止層が金属粉末又は導電性の金属酸化物粉末
を分散した有機高分子化合物あるいは無機高分子化合物
からなることを特徴とする電子写真感光体。 - (2)金属粉末が、周期律表IIA族元素、IIB族元素、
IIIA族元素及び遷移元素から選択された元素、又はそ
れ等2種以上の元素の合金又は混合物よりなることを特
徴とする特許請求の範囲第1項に記載の電子写真感光体
。 - (3)金属酸化物粉末が、錫、亜鉛、アンチモン、チタ
ン及びインジウムから選択された元素の酸化物、又はそ
れ等2種以上の元素の複合酸化物、又は該酸化物の2種
以上からなる混合物であることを特徴とする特許請求の
範囲第1項に記載の電子写真感光体。 - (4)感光層が、主としてアモルファスシリコン及び/
又はアモルファスゲルマニウムからなることを特徴とす
る特許請求の範囲第1項ないし第3項のいずれかに記載
の電子写真感光体。 - (5)感光層が、電荷発生層と電荷輸送層とから構成さ
れ、該電荷発生層と電荷輸送層が、それぞれケイ素を主
体としてなり、かつ、水素、ハロゲン、酸素、窒素、炭
素、ゲルマニウムから選択された元素のいずれか一種以
上を含むことを特徴とする特許請求の範囲第1項ないし
第3項のいずれかに記載の電子写真感光体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2196218A JP2679366B2 (ja) | 1990-07-26 | 1990-07-26 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2196218A JP2679366B2 (ja) | 1990-07-26 | 1990-07-26 | 電子写真感光体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0483257A true JPH0483257A (ja) | 1992-03-17 |
JP2679366B2 JP2679366B2 (ja) | 1997-11-19 |
Family
ID=16354171
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2196218A Expired - Fee Related JP2679366B2 (ja) | 1990-07-26 | 1990-07-26 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2679366B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11511194A (ja) * | 1995-08-21 | 1999-09-28 | ブリューアー サイエンス インコーポレイテッド | 熱硬化性反射防止性コーティングおよびその製造方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63131147A (ja) * | 1986-11-21 | 1988-06-03 | Ricoh Co Ltd | 電子写真感光体 |
JPH01206358A (ja) * | 1988-02-12 | 1989-08-18 | Konica Corp | 画像形成方法 |
JPH03269540A (ja) * | 1990-03-20 | 1991-12-02 | Ricoh Co Ltd | 電子写真感光体 |
-
1990
- 1990-07-26 JP JP2196218A patent/JP2679366B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63131147A (ja) * | 1986-11-21 | 1988-06-03 | Ricoh Co Ltd | 電子写真感光体 |
JPH01206358A (ja) * | 1988-02-12 | 1989-08-18 | Konica Corp | 画像形成方法 |
JPH03269540A (ja) * | 1990-03-20 | 1991-12-02 | Ricoh Co Ltd | 電子写真感光体 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11511194A (ja) * | 1995-08-21 | 1999-09-28 | ブリューアー サイエンス インコーポレイテッド | 熱硬化性反射防止性コーティングおよびその製造方法 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2679366B2 (ja) | 1997-11-19 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |