JPH0482103A - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
- Publication number
- JPH0482103A JPH0482103A JP2197231A JP19723190A JPH0482103A JP H0482103 A JPH0482103 A JP H0482103A JP 2197231 A JP2197231 A JP 2197231A JP 19723190 A JP19723190 A JP 19723190A JP H0482103 A JPH0482103 A JP H0482103A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric
- composition
- rare earth
- earth elements
- capacitance
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- Pending
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は電子機器用固定磁器コンデンサの誘電体磁器組
成物に関するものである。
成物に関するものである。
従来の技術
以下に従来の誘電体磁器組成物について説明する。
誘電体磁器組成物として下記のような系が知られている
。
。
ＢａＯ−ＴｉＯ２・Ｎｄ２Ｏ３系
ＢａＯ−ＴｉＯ２・Ｓｍ２Ｏ３系
例えば０．０９ＢａＯ・０．５６ＴｉＯ２・０、３５
Ｎ ｄ Ｏ３，２の組成比からなる誘電体磁器組成物を
使用し、誘電体磁器円板を作製し、電気特性を測定して
誘電率 ６７、静電容量温度係数・Ｎ４０ｐｐｍ／℃、
良好度Ｑ：３０００．絶縁抵抗：８．０Ｘ１０１２Ω、
絶縁破壊強度＋ ３０ｋｖ／■の値が得られた。
Ｎ ｄ Ｏ３，２の組成比からなる誘電体磁器組成物を
使用し、誘電体磁器円板を作製し、電気特性を測定して
誘電率 ６７、静電容量温度係数・Ｎ４０ｐｐｍ／℃、
良好度Ｑ：３０００．絶縁抵抗：８．０Ｘ１０１２Ω、
絶縁破壊強度＋ ３０ｋｖ／■の値が得られた。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、上記の従来の構成では、良好度Ｑが低く
、絶縁抵抗および絶縁破壊強度か小さく、誘電体磁器の
特性が不十分であるという問題点を有していた。
、絶縁抵抗および絶縁破壊強度か小さく、誘電体磁器の
特性が不十分であるという問題点を有していた。
本発明は上記従来の問題点を解決するもので、良好度Ｑ
が高く、絶縁抵抗および絶縁破壊強度が大きい誘電体磁
器を得ることができる誘電体磁器組成物を提供すること
を目的とする。
が高く、絶縁抵抗および絶縁破壊強度が大きい誘電体磁
器を得ることができる誘電体磁器組成物を提供すること
を目的とする。
課題を解決するための手段
この課題を解決するために本発明の誘電体磁器組成物は
、一般式ｘ ［（Ｂ ａ ０）（１−、＋（Ｍ ｇ Ｏ
）、］ −ｙ Ｔ ｉ ０２ ・ｚ（Ｒｅ ｘ−ｗｌＭ
ｅ、）Ｏ：＋ ＝で表され、式中ＲｅはＬａ、Ｐｒ、
Ｎｄ、Ｓｍから選ばれる一種以上の希土類元素で、Ｍｅ
はＬａ、Ｐｒ、ＮｄＳｍを除く希土類元素から選ばれる
一種以上の希土類元素であり、ＵおよびＷの値か００１
≦ｕ≦０．５０および０．０１≦Ｗ≦０１２０なる範囲
にある組成を有し、かつｘ＋ｙおよび２はモル比を表し
、ｘ＋ｙ＋ｚ＝ｌでＸ＋Ｙ＋Ｚの値か表に示すａ、ｂ、
ｃ、ｄ、ｅ、ｆで囲まれるモル比ｃつ範囲にある組成の
構成を有している。
、一般式ｘ ［（Ｂ ａ ０）（１−、＋（Ｍ ｇ Ｏ
）、］ −ｙ Ｔ ｉ ０２ ・ｚ（Ｒｅ ｘ−ｗｌＭ
ｅ、）Ｏ：＋ ＝で表され、式中ＲｅはＬａ、Ｐｒ、
Ｎｄ、Ｓｍから選ばれる一種以上の希土類元素で、Ｍｅ
はＬａ、Ｐｒ、ＮｄＳｍを除く希土類元素から選ばれる
一種以上の希土類元素であり、ＵおよびＷの値か００１
≦ｕ≦０．５０および０．０１≦Ｗ≦０１２０なる範囲
にある組成を有し、かつｘ＋ｙおよび２はモル比を表し
、ｘ＋ｙ＋ｚ＝ｌでＸ＋Ｙ＋Ｚの値か表に示すａ、ｂ、
ｃ、ｄ、ｅ、ｆで囲まれるモル比ｃつ範囲にある組成の
構成を有している。
作用
この構成によって、ＲｅをＬａ、Ｐｒ、Ｎｄ。
Ｓｍから選ぶことにより、Ｌａ、Ｐｒ Ｎｄ Ｓｍ
の順で静電容量温度係数をプラス方向に移行することと
なり、Ｌａ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍから選ばれる一種以上の
希土類元素の一部を、Ｌａ、Ｐｒ。
の順で静電容量温度係数をプラス方向に移行することと
なり、Ｌａ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍから選ばれる一種以上の
希土類元素の一部を、Ｌａ、Ｐｒ。
Ｎｄ、Ｓｍを除く希土類元素から選ばれる一種以上の希
土類元素で置換することにより、良好度Ｑを大幅に改善
することとなる。
土類元素で置換することにより、良好度Ｑを大幅に改善
することとなる。
また、ＢａＯをＭｇＯで置換することにより、静電容量
温度係数をプラス方向に移行させ、絶縁抵抗を大きくす
ることとなる。
温度係数をプラス方向に移行させ、絶縁抵抗を大きくす
ることとなる。
実施例
以下本発明の一実施例について説明する。
出発原料には化学的に高純度のＢａＣＯ３ＭｇＯ，Ｔ
ｉ Ｏ２，Ｌａ２Ｏ３，Ｐ ｒ６ｏｚ、Ｎｄ：Ｏ：＋お
よびＳｍ２Ｏ３粉末を第１表に示す組成比になるように
秤量し、めのうボールを備えたゴム内張りのボールミル
に純水とともに入れ、湿式混合後、脱水乾燥した。この
乾燥粉末を高アルミナ質のるつぼに入れ、空気中で１１
００℃にて２時間仮焼した。この仮焼粉末を、めのうボ
ールを備えたゴム内張りのボールミルに純水とともに入
れ、湿式粉砕後、脱水乾燥した。この粉砕粉末に、有機
バインダーを加え、均質とした後、３２メツシユのふる
いを通して整粒し、金型と油圧プレスを用いて成形圧力
１ｔｏｎ／ＬＯｉで直径１５ｍｍ、厚み０．４ｍｍに成
形した。次いで、成形円板をジルコニア粉末を敷いたア
ルミナ質のさやに入れ、空気中にて第１表に示す焼成温
度で２時間焼成し、第１表の試料番号１〜１０に示す組
成比の誘電体磁器円板を得た。 このようにして得られ
た誘電体磁器円板は、厚みと直径を測定し、誘電率、良
好度Ｑ、静電容量温度係数測定用試料は、誘電体磁器円
板の両面全体に銀電極を焼き付け、絶縁抵抗、絶縁破壊
強度測定用試料は、誘電体磁器円板の外周より内側に１
ｍの幅で銀電極のない部分を設け、銀電極を焼き付け
た。そして、誘電率、良好度Ｑ、静電容量温度係数は、
横河ヒユーレット・パラカード■製デジタルＬＣＲメー
タのモデル４２７５Ａを使用し、測定温度２０℃、測定
電圧１．ＯＶｒｍ ｓ 、測定周波数ＩＭＨｚでの測定
より求めた。
ｉ Ｏ２，Ｌａ２Ｏ３，Ｐ ｒ６ｏｚ、Ｎｄ：Ｏ：＋お
よびＳｍ２Ｏ３粉末を第１表に示す組成比になるように
秤量し、めのうボールを備えたゴム内張りのボールミル
に純水とともに入れ、湿式混合後、脱水乾燥した。この
乾燥粉末を高アルミナ質のるつぼに入れ、空気中で１１
００℃にて２時間仮焼した。この仮焼粉末を、めのうボ
ールを備えたゴム内張りのボールミルに純水とともに入
れ、湿式粉砕後、脱水乾燥した。この粉砕粉末に、有機
バインダーを加え、均質とした後、３２メツシユのふる
いを通して整粒し、金型と油圧プレスを用いて成形圧力
１ｔｏｎ／ＬＯｉで直径１５ｍｍ、厚み０．４ｍｍに成
形した。次いで、成形円板をジルコニア粉末を敷いたア
ルミナ質のさやに入れ、空気中にて第１表に示す焼成温
度で２時間焼成し、第１表の試料番号１〜１０に示す組
成比の誘電体磁器円板を得た。 このようにして得られ
た誘電体磁器円板は、厚みと直径を測定し、誘電率、良
好度Ｑ、静電容量温度係数測定用試料は、誘電体磁器円
板の両面全体に銀電極を焼き付け、絶縁抵抗、絶縁破壊
強度測定用試料は、誘電体磁器円板の外周より内側に１
ｍの幅で銀電極のない部分を設け、銀電極を焼き付け
た。そして、誘電率、良好度Ｑ、静電容量温度係数は、
横河ヒユーレット・パラカード■製デジタルＬＣＲメー
タのモデル４２７５Ａを使用し、測定温度２０℃、測定
電圧１．ＯＶｒｍ ｓ 、測定周波数ＩＭＨｚでの測定
より求めた。
なお、静電容量温度係数は、２０℃と８５℃の静電容量
をホｑ定し、次式により求めた。
をホｑ定し、次式により求めた。
ＴＣ＝ （Ｃ−Ｃｏ）／Ｃｏｘｌ／６５ｘ１０６ＴＣ
静電容量温度係数（ｐｐｍ／１） Ｃｏ ： ２０℃での静電容量（ｐ Ｆ）Ｃ・８５℃で
の静電容量（ｐ Ｆ） また、誘電率は次式より求めた。
静電容量温度係数（ｐｐｍ／１） Ｃｏ ： ２０℃での静電容量（ｐ Ｆ）Ｃ・８５℃で
の静電容量（ｐ Ｆ） また、誘電率は次式より求めた。
Ｋ＝１４３．８ｘＣｏｘ ｔ／Ｄ２
Ｋ ：誘電率
Ｃｏ ： ２０℃での静電容量（ｐＦ）Ｄ ：誘電体磁
器の直径（ｍｍ ） ｔ 、誘電体磁器の厚み（ｌＴｌｍ） さらに、絶縁抵抗は、横河ヒユーレット・パンカード■
製ＨＲメータのモデル４３２９Ａを使用し、測定電圧５
０Ｖ、Ｄ、Ｃ，、測定時間１分間による測定より求めた
。
器の直径（ｍｍ ） ｔ 、誘電体磁器の厚み（ｌＴｌｍ） さらに、絶縁抵抗は、横河ヒユーレット・パンカード■
製ＨＲメータのモデル４３２９Ａを使用し、測定電圧５
０Ｖ、Ｄ、Ｃ，、測定時間１分間による測定より求めた
。
そして、絶縁破壊強度は、菊水電子工業■製高電圧電源
ＰＨ８３５に一３形を使用し、試料をシリコンオイル中
に入れ、昇圧速度５０Ｖ／ｓｅｃにより求めた絶縁破壊
電圧を誘電体厚みで除算し、ｌ ｍ＋ｎ当りの絶縁破壊
強度とした。
ＰＨ８３５に一３形を使用し、試料をシリコンオイル中
に入れ、昇圧速度５０Ｖ／ｓｅｃにより求めた絶縁破壊
電圧を誘電体厚みで除算し、ｌ ｍ＋ｎ当りの絶縁破壊
強度とした。
また、結晶粒径は、倍率４００での光学顕微鏡観察より
求めた。
求めた。
測定結果を試料番号１〜１０別に第２表に示す。
（以 下 余 白）
第１図は本発明にかかる組成物の主成分の組成範囲を示
す三元図であり、主成分の組成範囲を限定した理由を第
１図を参照しながら説明する。すなわち、Ａ領域では焼
結が著しく困難である。また、Ｂ領域では良好度Ｑが低
下し実用的でなくなる。さらに、Ｃ，Ｄ領域では静電容
量温度係数かマイナス側に大きくなりすぎて実用的でな
くなる。そして、Ｅ領域では静電容量温度係数かプラス
方向に移行するが誘電率か小さく実用的でなくなる。ま
た、ＲｅをＬａ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍから選ぶことにより
、Ｌａ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍの順で誘電率を大きく下げる
ことなく静電容量温度係数をプラス方向に移行すること
が可能であり、ＬａＰｒ、Ｎｄ、Ｓｍの１種あるいはそ
れらの組合せにより静電容量温度係数の調節が可能であ
る。
す三元図であり、主成分の組成範囲を限定した理由を第
１図を参照しながら説明する。すなわち、Ａ領域では焼
結が著しく困難である。また、Ｂ領域では良好度Ｑが低
下し実用的でなくなる。さらに、Ｃ，Ｄ領域では静電容
量温度係数かマイナス側に大きくなりすぎて実用的でな
くなる。そして、Ｅ領域では静電容量温度係数かプラス
方向に移行するが誘電率か小さく実用的でなくなる。ま
た、ＲｅをＬａ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍから選ぶことにより
、Ｌａ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍの順で誘電率を大きく下げる
ことなく静電容量温度係数をプラス方向に移行すること
が可能であり、ＬａＰｒ、Ｎｄ、Ｓｍの１種あるいはそ
れらの組合せにより静電容量温度係数の調節が可能であ
る。
さらに、Ｌａ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍから選ばれる種以上の
希土類元素の一部を、Ｌａ、Ｐｒ、ＮｄＳｍを除く希土
類元素から選ばれる一種以上の希土類元素で置換するこ
とにより、良好度Ｑを大幅に改善する効果を有し、その
置換率Ｗが０．０１未満では置換効果はなく、０．２０
を超えると誘電率か低下し実用的でなくなる。
希土類元素の一部を、Ｌａ、Ｐｒ、ＮｄＳｍを除く希土
類元素から選ばれる一種以上の希土類元素で置換するこ
とにより、良好度Ｑを大幅に改善する効果を有し、その
置換率Ｗが０．０１未満では置換効果はなく、０．２０
を超えると誘電率か低下し実用的でなくなる。
また、ＢａＯをＭｇＯで置換することにより、誘電率、
良好度Ｑ、絶縁破壊強度の値を大きく変えることなく静
電容量温度係数をプラス方向に移行させ、絶縁抵抗を大
きくする効果を有し、その置換率Ｕが０．０１未満では
置換効果はなく、方０．５０を超えると誘電率か低下し
実用的でなくなる。
良好度Ｑ、絶縁破壊強度の値を大きく変えることなく静
電容量温度係数をプラス方向に移行させ、絶縁抵抗を大
きくする効果を有し、その置換率Ｕが０．０１未満では
置換効果はなく、方０．５０を超えると誘電率か低下し
実用的でなくなる。
なお、実施例における誘電体磁器の作製方法では、Ｂａ
Ｃ０＋、ＭｇＯ，ＴｉＯ２，Ｌａ２０ａＰ ｒ６０ｚ、
Ｎｄ２Ｏ３およびＳ ｍ ２０３を使用したが、この方
法に限定されるものではなく、所望の組成比になるよう
に、Ｂ ａ Ｔ ｉ ０３なとの化合物、あるいは炭酸
塩、水酸化物なと空気中での加熱により、Ｂａｄ、Ｍｇ
Ｏ，ＴｉＯ：、Ｌａ２０＋Ｐ ｒ ｓｏ ｚ、 Ｎ ｄ
２０３およびＳｍ？０３となる化合物を使用しても実
施例と同程度の特性を得ることかできる。
Ｃ０＋、ＭｇＯ，ＴｉＯ２，Ｌａ２０ａＰ ｒ６０ｚ、
Ｎｄ２Ｏ３およびＳ ｍ ２０３を使用したが、この方
法に限定されるものではなく、所望の組成比になるよう
に、Ｂ ａ Ｔ ｉ ０３なとの化合物、あるいは炭酸
塩、水酸化物なと空気中での加熱により、Ｂａｄ、Ｍｇ
Ｏ，ＴｉＯ：、Ｌａ２０＋Ｐ ｒ ｓｏ ｚ、 Ｎ ｄ
２０３およびＳｍ？０３となる化合物を使用しても実
施例と同程度の特性を得ることかできる。
また、上述の基本組成のほかに、Ｓｉｎ２Ｍｎ Ｏ：、
Ｆ Ｃ２０３，Ｚ ｎ Ｏなと一般にフラフクスと
考えられている塩類７酸化物なとを、特性を損なわない
範囲で加えることもできる。
Ｆ Ｃ２０３，Ｚ ｎ Ｏなと一般にフラフクスと
考えられている塩類７酸化物なとを、特性を損なわない
範囲で加えることもできる。
発明の効果
以上の実施例の説明からも明らかなように本発明は、一
般式Ｘ ［（Ｂ ａ Ｏ） ＋１−、ｌ （Ｍ ｇ Ｏ
） 、］・ｙ Ｔ ＋０２ ・ｚ （Ｒｅ ＋＋−＋ｖ
＋Ｍ ｅｔ、）０３□で表され、式中ＲｅはＬａ、Ｐｒ
、Ｎｄ、Ｓｍから選ばれる一種以上の希土類元素で、Ｍ
ｅはＬａ、ＰｒＮｄ、Ｓｍを除く希土類元素から選ばれ
る一種以上の希土類元素であり、ＵおよびＷの値が０．
０１≦ｕ≦０．５０およ（ＪＯ，０１≦Ｗ≦０．２０な
る範囲にある組成を有し、かつＸ、ｙおよび２はモル比
を表し、ｘ＋ｙ＋ｚ＝ｌでｘ、ｙ、ｚの値か表に示すａ
、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｆで囲まれるモル比の範囲にある組
成を有する誘電体磁器組成物の構成により、良好度Ｑが
高く、絶縁抵抗と絶縁破壊電圧が大きい誘電体磁器を得
ることができる優れた誘電体磁器組成物を実現できるも
のである。
般式Ｘ ［（Ｂ ａ Ｏ） ＋１−、ｌ （Ｍ ｇ Ｏ
） 、］・ｙ Ｔ ＋０２ ・ｚ （Ｒｅ ＋＋−＋ｖ
＋Ｍ ｅｔ、）０３□で表され、式中ＲｅはＬａ、Ｐｒ
、Ｎｄ、Ｓｍから選ばれる一種以上の希土類元素で、Ｍ
ｅはＬａ、ＰｒＮｄ、Ｓｍを除く希土類元素から選ばれ
る一種以上の希土類元素であり、ＵおよびＷの値が０．
０１≦ｕ≦０．５０およ（ＪＯ，０１≦Ｗ≦０．２０な
る範囲にある組成を有し、かつＸ、ｙおよび２はモル比
を表し、ｘ＋ｙ＋ｚ＝ｌでｘ、ｙ、ｚの値か表に示すａ
、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｆで囲まれるモル比の範囲にある組
成を有する誘電体磁器組成物の構成により、良好度Ｑが
高く、絶縁抵抗と絶縁破壊電圧が大きい誘電体磁器を得
ることができる優れた誘電体磁器組成物を実現できるも
のである。
第１図は本発明の一実施例の誘電体磁器組成物の主成分
の組成範囲を説明する三元図である。
の組成範囲を説明する三元図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 一般式ｘ［（ＢａＯ）＿（＿１＿−＿ｕ＿）（ＭｇＯ）
＿ｕ］・ｙ［（ＴｉＯ＿２）・ｚ（Ｒｅ＿（＿１＿−＿
ｗ＿）Ｍｅ＿ｗＯ＿３＿／＿２で表され、式中ＲｅはＬ
ａ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍから選ばれる一種以上の希土類元
素で、ＭｅはＬａ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍを除く希土類元素
から選ばれる一種以上の希土類元素であり、ｕおよびｗ
の値が０．０１≦ｕ≦０．５０および０．０１≦ｗ≦０
．２０なる範囲にある組成を有し、かつｘ，ｙおよびｚ
はモル比を表し、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１でｘ，ｙ，ｚの値が表
に示すａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅ，ｆで囲まれるモル比の範囲
にある組成を有する誘電体磁器組成物。 ▲数式、化学式、表等があります▼
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2197231A JPH0482103A (ja) | 1990-07-25 | 1990-07-25 | 誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2197231A JPH0482103A (ja) | 1990-07-25 | 1990-07-25 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0482103A true JPH0482103A (ja) | 1992-03-16 |
Family
ID=16371027
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2197231A Pending JPH0482103A (ja) | 1990-07-25 | 1990-07-25 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0482103A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9164919B2 (en) | 2008-02-27 | 2015-10-20 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method and apparatus for inputting/outputting virtual operating system from removable storage device on a host using virtualization technique |
-
1990
- 1990-07-25 JP JP2197231A patent/JPH0482103A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9164919B2 (en) | 2008-02-27 | 2015-10-20 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method and apparatus for inputting/outputting virtual operating system from removable storage device on a host using virtualization technique |
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