JPH0474754A - 酸化物超電導体の製法 - Google Patents
酸化物超電導体の製法Info
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- JPH0474754A JPH0474754A JP2186480A JP18648090A JPH0474754A JP H0474754 A JPH0474754 A JP H0474754A JP 2186480 A JP2186480 A JP 2186480A JP 18648090 A JP18648090 A JP 18648090A JP H0474754 A JPH0474754 A JP H0474754A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、高い臨界温度を示す酸化物超電導体の製法に
関する。さらに詳しくは、比較的高い磁場中においても
従来よりも高い臨界電流密度を実現する酸化物超電導体
の製法に関する。
関する。さらに詳しくは、比較的高い磁場中においても
従来よりも高い臨界電流密度を実現する酸化物超電導体
の製法に関する。
臨界温度の少しても高い超電導体を作ることは、永年科
学界、産業界が求めてきたものであったが、1987年
になって、臨界温度(Tc)か90にであるYBa2
Cu307−Xなる酸化物超電導体が発見され、液体チ
ッ素温度(77K)でも超電導性を示すものかえられる
ようになった。これに引続き、高価な希土類元素を含ま
ない臨界温度(Tc)が120におよび80Kを示すB
i(Pb)2Sr2Caz CuxOおよびBjz S
rz CalCu2Oの2種の結晶構造よりなるBi
(Pb)−8r−Ca−Cu−0系酸化物超電導体が発
見された。
学界、産業界が求めてきたものであったが、1987年
になって、臨界温度(Tc)か90にであるYBa2
Cu307−Xなる酸化物超電導体が発見され、液体チ
ッ素温度(77K)でも超電導性を示すものかえられる
ようになった。これに引続き、高価な希土類元素を含ま
ない臨界温度(Tc)が120におよび80Kを示すB
i(Pb)2Sr2Caz CuxOおよびBjz S
rz CalCu2Oの2種の結晶構造よりなるBi
(Pb)−8r−Ca−Cu−0系酸化物超電導体が発
見された。
一方、酸化物超電導体が実用化されるには、臨界電流密
度を充分高くすることが必須である。臨界電流密度が充
分高い酸化物超電導体としては、たとえば[日本応用物
理学会誌(Jap、J、Appl 。
度を充分高くすることが必須である。臨界電流密度が充
分高い酸化物超電導体としては、たとえば[日本応用物
理学会誌(Jap、J、Appl 。
Phys、)27(198g)L622) Jに示され
ているような薄膜の酸化物超電導体が知られている。し
かし、薄膜には大きな輸送電流を流すことができないた
め、−船釣に利用することができない。大きな輸送電流
を流すためには充分な断面積を有する焼結体が有効であ
るが、薄膜に比べて臨界電流密度が小さく、しかも磁界
下ではそれが急激に減少する傾向がある。
ているような薄膜の酸化物超電導体が知られている。し
かし、薄膜には大きな輸送電流を流すことができないた
め、−船釣に利用することができない。大きな輸送電流
を流すためには充分な断面積を有する焼結体が有効であ
るが、薄膜に比べて臨界電流密度が小さく、しかも磁界
下ではそれが急激に減少する傾向がある。
このような焼結体の酸化物超電導体の製法としては、酸
化物、炭酸塩などの出発原料を800℃程度の仮焼によ
り熱分解、固相反応させたのち、プレス成形したものを
焼結して作製する方法が一般的である。
化物、炭酸塩などの出発原料を800℃程度の仮焼によ
り熱分解、固相反応させたのち、プレス成形したものを
焼結して作製する方法が一般的である。
超電導体の実用化の観点に立つと、磁界下でも高い臨界
電流密度かえられることが重要であるが、従来の製法に
よる焼結体の酸化物超電導体には前述のごとく磁界下で
臨界電流密度が著しく減少する傾向があるという実用上
大きな問題がある。また、酸化物超電導体を液体チッ素
温度で使用するばあいには、従来の金属系材料などと同
じ低温で使用するばあいに比べ、熱しよう乱の増大のた
め磁束クリープの影響が顕著であり、これも実用上大き
な障害となっている。金属系材料においては、磁界下で
の臨界電流密度を向上させ、磁束クリープの影響を小さ
くするにはピンニングを強くすることが有効であるとい
うことが原理的に知られているが、酸化物超電導体にお
いてはその具体的方法か明かにされていない。
電流密度かえられることが重要であるが、従来の製法に
よる焼結体の酸化物超電導体には前述のごとく磁界下で
臨界電流密度が著しく減少する傾向があるという実用上
大きな問題がある。また、酸化物超電導体を液体チッ素
温度で使用するばあいには、従来の金属系材料などと同
じ低温で使用するばあいに比べ、熱しよう乱の増大のた
め磁束クリープの影響が顕著であり、これも実用上大き
な障害となっている。金属系材料においては、磁界下で
の臨界電流密度を向上させ、磁束クリープの影響を小さ
くするにはピンニングを強くすることが有効であるとい
うことが原理的に知られているが、酸化物超電導体にお
いてはその具体的方法か明かにされていない。
本発明は、このような問題を解消するためになされたも
のであり、高い臨界温度を示し、磁界下でも臨界電流密
度の低下が少ない酸化物超電導体の製法を提供すること
を目的とする。
のであり、高い臨界温度を示し、磁界下でも臨界電流密
度の低下が少ない酸化物超電導体の製法を提供すること
を目的とする。
本発明は、酸化物超電導体材料粉末または酸化物超電導
体材料の原料粉末中に、該酸化物超電導体材料の融点よ
りも100℃以上高い融点を有する無機質材料粉末を添
加・混合したのち、熱処理して、無機質材料を超電導結
晶中に分散させることにより、酸化物超電導体の特性、
とくに磁界下での臨界電流密度を向上させようとするも
のである。
体材料の原料粉末中に、該酸化物超電導体材料の融点よ
りも100℃以上高い融点を有する無機質材料粉末を添
加・混合したのち、熱処理して、無機質材料を超電導結
晶中に分散させることにより、酸化物超電導体の特性、
とくに磁界下での臨界電流密度を向上させようとするも
のである。
本発明では、酸化物超電導体材料の融点よりも高融点の
無機質材料粉末を、酸化物超電導体材料粉末または酸化
物超電導体材料の原料粉末と混合し、熱処理することに
より、高融点の無機質材料を超電導体の結晶粒内に分散
させる二とかできる。
無機質材料粉末を、酸化物超電導体材料粉末または酸化
物超電導体材料の原料粉末と混合し、熱処理することに
より、高融点の無機質材料を超電導体の結晶粒内に分散
させる二とかできる。
とくに、無機質材料が酸化物超電導体材料の融点に比べ
て100℃以上高い融点を有するので、安定して容易に
無機質材料を超電導結晶中に分散させることかでき、酸
化物超電導体の特性が向上する。
て100℃以上高い融点を有するので、安定して容易に
無機質材料を超電導結晶中に分散させることかでき、酸
化物超電導体の特性が向上する。
本発明の製法によってえられる酸化物超電導体の結晶中
には無機質材料が分散しており、結果的に磁界下での臨
界電流密度の低下が軽減される。
には無機質材料が分散しており、結果的に磁界下での臨
界電流密度の低下が軽減される。
したかって、超電導体中の無機質材料がピンニングセン
ターとなって磁束が動くことを防いで電流を流しやすく
するものと本発明者らは推定している。
ターとなって磁束が動くことを防いで電流を流しやすく
するものと本発明者らは推定している。
本発明では、酸化物超電導体材料の粉末、酸化物超電導
体材料の原料の粉末のいずれを用いてもよく、これらの
粉末中に、該酸化物超電導体材料の融点よりも100℃
以上、好ましくは300℃以上高い融点を有する無機質
材料の粉末が添加・混合される。
体材料の原料の粉末のいずれを用いてもよく、これらの
粉末中に、該酸化物超電導体材料の融点よりも100℃
以上、好ましくは300℃以上高い融点を有する無機質
材料の粉末が添加・混合される。
前記無機質材料の融点が酸化物超電導体材料の融点より
も100℃以上高くないばあいは、無機質材料が超電導
結晶中に分散されず粒界に析出しやすくなり、臨界温度
(Tc)の低下、臨界電流密度(Jc)の低下など諸超
電導特性に悪影響を及ぼすようになる。
も100℃以上高くないばあいは、無機質材料が超電導
結晶中に分散されず粒界に析出しやすくなり、臨界温度
(Tc)の低下、臨界電流密度(Jc)の低下など諸超
電導特性に悪影響を及ぼすようになる。
前記酸化物超電導体材料の具体例としては、たとえばB
i25r2CaCu20 、 BI2Sr;+ Ca
z Cu30 。
i25r2CaCu20 、 BI2Sr;+ Ca
z Cu30 。
y
Bi21Pb、 Sr2 Ca2 Cu30.などのB
i (Pb)−8r−Ca−Cu−0系材料などがあげ
られる。
i (Pb)−8r−Ca−Cu−0系材料などがあげ
られる。
前記酸化物超電導体材料の原料の具体例としては、たと
えば各元素の酸化物、炭酸塩、水酸化物、硝酸塩、シュ
ウ酸塩、酢酸塩、その他の有機酸塩などがあげられる。
えば各元素の酸化物、炭酸塩、水酸化物、硝酸塩、シュ
ウ酸塩、酢酸塩、その他の有機酸塩などがあげられる。
前記酸化物超電導体材料の粉末やその原料の粉末の平均
粒径は、100成以下が好ましい。
粒径は、100成以下が好ましい。
前記無機質材料の具体例としては、たとえばRe。
Irs W 、 Nbs Mos Zr、Rh、 V
、LI STi、 Y SCr。
、LI STi、 Y SCr。
Cu、Ru、Hrs Ths Gds Pt、Auなど
の融点が3700〜1300にの金属、MgO、CaO
、ThO2、CeO2、LaCrO3,5c203、C
aZrOx、5rZrOx Y2O3、La2O3、N
d203LaA103、ZrO2、Al2O3,5j0
2などの融点が3300〜1700にの酸化物、B4C
,SiC、VC,TaC5HfC。
の融点が3700〜1300にの金属、MgO、CaO
、ThO2、CeO2、LaCrO3,5c203、C
aZrOx、5rZrOx Y2O3、La2O3、N
d203LaA103、ZrO2、Al2O3,5j0
2などの融点が3300〜1700にの酸化物、B4C
,SiC、VC,TaC5HfC。
NbC%ZrC、Tic 、 VC,Theなどの融点
が3900〜2300にの炭化物、HfN 、TaN
−TiN 1ZrN 1BN。
が3900〜2300にの炭化物、HfN 、TaN
−TiN 1ZrN 1BN。
YN、 AIN 、 VN、 Si3N 4などの融点
か3300〜2000にのチッ化物、Taz St、
Ti5iz 、Zr5izなどの融点が2500〜21
00にのケイ化物、CeS 、 ThS 5HrS、Z
rS 、 TiS 、 LaS 、 YSなどの融点が
2400〜2000にの硫化物などがあげられる。
か3300〜2000にのチッ化物、Taz St、
Ti5iz 、Zr5izなどの融点が2500〜21
00にのケイ化物、CeS 、 ThS 5HrS、Z
rS 、 TiS 、 LaS 、 YSなどの融点が
2400〜2000にの硫化物などがあげられる。
前記無機質材料の粉末の平均粒径は、数10項以下が好
ましく、数理以下がさらに好ましい。
ましく、数理以下がさらに好ましい。
無機質材料の使用割合は、酸化物超電導体材料またはそ
の原料に対して40〜0.5重量%、さらには30〜5
重量%が好ましい。該割合が0.5重量%未満では超電
導特性の改善が現われに< < 、40重ff19oを
こえると超電導相の占積率か小さくなり、一定体積に対
して流せる電流が低下し、小さい体積に大電流を流せる
というメリットかえにくくなる。
の原料に対して40〜0.5重量%、さらには30〜5
重量%が好ましい。該割合が0.5重量%未満では超電
導特性の改善が現われに< < 、40重ff19oを
こえると超電導相の占積率か小さくなり、一定体積に対
して流せる電流が低下し、小さい体積に大電流を流せる
というメリットかえにくくなる。
無機質材料の添加・混合方法にとくに限定はなく、たと
えば乳鉢で混合するなとすればよい。
えば乳鉢で混合するなとすればよい。
つぎに、無機質材料粉末を添加・混合したものに熱処理
か施される。
か施される。
前記熱処理の方法にもとくに限定はないが、その−例と
しては、たとえばベレットを作製して仮焼き、粉砕した
のち成形し、焼成する方法があげられる。
しては、たとえばベレットを作製して仮焼き、粉砕した
のち成形し、焼成する方法があげられる。
前記仮焼きは、水蒸気、炭酸ガス、硝酸ガスなどの分解
成分を除去するため、または結晶化のために行なわれる
処理であり、600〜900℃で1〜50時間の条件で
行なわれるのが好ましい。
成分を除去するため、または結晶化のために行なわれる
処理であり、600〜900℃で1〜50時間の条件で
行なわれるのが好ましい。
前記焼成は、チッ素気流中、酸素気流中、チ・ン素また
はアルゴン−酸素混合ガス気流中、大気中などで、80
0〜900℃で5〜100時間の条件で行なわれるのが
好ましい。
はアルゴン−酸素混合ガス気流中、大気中などで、80
0〜900℃で5〜100時間の条件で行なわれるのが
好ましい。
本発明の方法の応用例は、多結晶体に限らず、たとえば
溶融法などによる単結晶、重重結晶の製造においても一
層の特性向上を計るうえで有効である。
溶融法などによる単結晶、重重結晶の製造においても一
層の特性向上を計るうえで有効である。
以下に、実施例および比較例をあげて本発明をさらに具
体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるもので
はない。
体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるもので
はない。
実施例l
Bi25rz Cat CLI20 の超電導体に対
し、無機質材料として金属白金5重量%を含有するもの
を目的物質(組成)とする。金属白金は超電導体よりも
880℃高い融点を有する。
し、無機質材料として金属白金5重量%を含有するもの
を目的物質(組成)とする。金属白金は超電導体よりも
880℃高い融点を有する。
出発原料としてBi2O3,5rC03、CaCO3、
Cu0(いずれも純度99,9%、平均粒径30−)お
よび金属白金(純度99.99%、平均粒径5m+)を
前記目的組成になるように秤量し、自動乳鉢で混合した
のち、ペレット化し、大気中750℃で10時間仮焼き
を行なった。さらにこの仮焼きベレットを再び自動乳鉢
で8時間粉砕して粉末にした。えられた粉末を油圧プレ
スによって、長さ30+gm、幅2■、厚さ1■の棒状
ベレットに成形した。これをチッ素ガス気流中860℃
で24時間焼成したのち徐冷し、特性測定用サンプルと
した。
Cu0(いずれも純度99,9%、平均粒径30−)お
よび金属白金(純度99.99%、平均粒径5m+)を
前記目的組成になるように秤量し、自動乳鉢で混合した
のち、ペレット化し、大気中750℃で10時間仮焼き
を行なった。さらにこの仮焼きベレットを再び自動乳鉢
で8時間粉砕して粉末にした。えられた粉末を油圧プレ
スによって、長さ30+gm、幅2■、厚さ1■の棒状
ベレットに成形した。これをチッ素ガス気流中860℃
で24時間焼成したのち徐冷し、特性測定用サンプルと
した。
超電導特性測定前にX線回折法により結晶構造を調べた
ところ、Biz Srz Cat Cu2Oの超電導体
と金属白金が同定された。
ところ、Biz Srz Cat Cu2Oの超電導体
と金属白金が同定された。
つぎに、4端子抵抗法による抵抗率の温度依存性より求
めた抵抗が0となる臨界温度(TC2oro)、77K
におけるO磁場での通電法による臨界電流密度(J
)を測定した。結果を第1表に示す。
めた抵抗が0となる臨界温度(TC2oro)、77K
におけるO磁場での通電法による臨界電流密度(J
)を測定した。結果を第1表に示す。
さらに、直流4端子法による77にでの0磁場における
臨界電流密度で規格化した臨界電流密度−外部磁場特性
を測定した。結果を第1図に示す。
臨界電流密度で規格化した臨界電流密度−外部磁場特性
を測定した。結果を第1図に示す。
なお、磁場が0のときの臨界電流密度で規格化している
理由は、絶対値の異なる試料間で磁場依存性の違いを比
較するためである。
理由は、絶対値の異なる試料間で磁場依存性の違いを比
較するためである。
実施例2
Biz Srz Cat Cu2Oの超電導体に対し、
無機質材料として5重量%のS、rZrOzを含有する
ものを目的物質(組成)とする。5rZr03は超電導
体よりも約1800℃高い融点を有する。
無機質材料として5重量%のS、rZrOzを含有する
ものを目的物質(組成)とする。5rZr03は超電導
体よりも約1800℃高い融点を有する。
はじめに5rC(h (純度99.99%、平均粒径
5 m、 )とZrO2(純度99.99%、平均粒径
5Iirl)を自動乳鉢で混合したのち、ペレット化し
、大気中1000℃で3時間仮焼きを行なった。この仮
焼きベレットを自動乳鉢にて粉砕したのち、さらにボー
ルミルを用いて湿式により24時間粉砕してSrZrO
3粉末をえた。
5 m、 )とZrO2(純度99.99%、平均粒径
5Iirl)を自動乳鉢で混合したのち、ペレット化し
、大気中1000℃で3時間仮焼きを行なった。この仮
焼きベレットを自動乳鉢にて粉砕したのち、さらにボー
ルミルを用いて湿式により24時間粉砕してSrZrO
3粉末をえた。
えられた5rZr03粉末(平均粒径20um)とBi
203SrCO3、CaCO3およびCuO(いずれも
純度99.9%、平均粒径30遍)とを前記目的組成に
なるように秤量し、自動乳鉢にて混合したのち、ペレッ
ト化し、大気中750℃で10時間仮焼きを行なった。
203SrCO3、CaCO3およびCuO(いずれも
純度99.9%、平均粒径30遍)とを前記目的組成に
なるように秤量し、自動乳鉢にて混合したのち、ペレッ
ト化し、大気中750℃で10時間仮焼きを行なった。
この仮焼きベレットを再び自動乳鉢にて8時間粉砕して
粉末にした。えられた粉末を油圧プレスによって、長さ
30II111.幅2mm s厚さ1mmの棒状ベレッ
トに成形した。これをチッ素ガス気流中860℃で24
時間焼成したのち徐冷し、特性測定用サンプルとした。
粉末にした。えられた粉末を油圧プレスによって、長さ
30II111.幅2mm s厚さ1mmの棒状ベレッ
トに成形した。これをチッ素ガス気流中860℃で24
時間焼成したのち徐冷し、特性測定用サンプルとした。
超電導特性測定前にX線回折法により結晶構造を調べた
ところ、Biz Srz Cat Cu2Oの超電導体
とSrZrO3か同定された。
ところ、Biz Srz Cat Cu2Oの超電導体
とSrZrO3か同定された。
つぎに、実施例1と全く同様にして特性評価を行なった
。結果を第1表および第1図に示す。
。結果を第1表および第1図に示す。
実施例3
Biz 5r2Cal Cu2Oの超電導体に対し、無
機質材料として5重量%の5rZr03を含有するもの
を目的物質(組成)とする。
機質材料として5重量%の5rZr03を含有するもの
を目的物質(組成)とする。
まず、実施例2と同様にして5rZr03粉末を製造し
た。
た。
一方、実施例2と同様にして
Biz Srz CalCu2 0 となるような配
合で750℃、10時間の仮焼を行ない、自動乳鉢によ
り8時間粉砕した。さらに、850℃、24時間で結晶
化を行ない、酸化物超電導体材料をえた。
合で750℃、10時間の仮焼を行ない、自動乳鉢によ
り8時間粉砕した。さらに、850℃、24時間で結晶
化を行ない、酸化物超電導体材料をえた。
つぎに、えられた酸化物超電導体材料を5rZr03粉
末とともに、自動乳鉢により8時間粉砕、混合し、実施
例2と同様にして焼結体をえ、特性を評偏した。結果を
第1表に示す。
末とともに、自動乳鉢により8時間粉砕、混合し、実施
例2と同様にして焼結体をえ、特性を評偏した。結果を
第1表に示す。
えられた焼結体は実施例2と同様に臨界電流密度および
その磁場依存性が向上していた。
その磁場依存性が向上していた。
比較例1
従来どおり無機質材料の添加を全く行なわずにBi2O
3、SrCO3、CaCO3、CuOを出発原料とし、
実施例1と同条件にて仮焼き、焼成を行なって特性測定
用サンプルを作製し、特性評価を行なった。
3、SrCO3、CaCO3、CuOを出発原料とし、
実施例1と同条件にて仮焼き、焼成を行なって特性測定
用サンプルを作製し、特性評価を行なった。
結果を第1表および第1図に示す。
比較例2
酸化物超電導体の融点よりも100℃以上高い融点のも
のではない、酸化物超電導体の融点よりも80℃高い融
点を有する金属銀を Biz Srz Cat Cu2Oに対し5重量%含有
するものを目的物質(組成)とする。
のではない、酸化物超電導体の融点よりも80℃高い融
点を有する金属銀を Biz Srz Cat Cu2Oに対し5重量%含有
するものを目的物質(組成)とする。
Bi2O3、SrCO3、CaCO3,CuOおよび金
属銀を出発原料とし、銀添加によりサンプルが溶融じゃ
すいため840℃で焼成を行なったほかは実施例1と同
様にして特性測定用サンプルを作製し、特性評価を行な
った。結果を第1表および第1図に示第 1
表 第1表より、本発明による実施例1.2および3の超電
導体は比較例1および2の超電導体と比べて抵抗が0と
なる臨界温度(Tc )が同じがzer。
属銀を出発原料とし、銀添加によりサンプルが溶融じゃ
すいため840℃で焼成を行なったほかは実施例1と同
様にして特性測定用サンプルを作製し、特性評価を行な
った。結果を第1表および第1図に示第 1
表 第1表より、本発明による実施例1.2および3の超電
導体は比較例1および2の超電導体と比べて抵抗が0と
なる臨界温度(Tc )が同じがzer。
もしくは若干高くなっており、無機質材料の添加が超電
導相の結晶性や均一性に悪影響を及はさないことかわか
る。また、77Kにおける臨界電流密度は、実施例1.
2および3の超電導体が比較例1および2の超電導体に
比べて高く、電流か流れやすいことがわかる。比較例2
てとくに臨界電流が低下しているのは、電子顕微鏡によ
る微細組織観察の結果、銀が結晶粒界を濡らすように析
出して超電導電流のつながりを阻害していることかわか
った。逆に、実施例でえられた本発明の酸化物超電導体
においては、無機質材料は結晶粒内に1〜0.2Jの大
きさで分散しており、超電導電流のつながりには影響し
ていないことがわかった。
導相の結晶性や均一性に悪影響を及はさないことかわか
る。また、77Kにおける臨界電流密度は、実施例1.
2および3の超電導体が比較例1および2の超電導体に
比べて高く、電流か流れやすいことがわかる。比較例2
てとくに臨界電流が低下しているのは、電子顕微鏡によ
る微細組織観察の結果、銀が結晶粒界を濡らすように析
出して超電導電流のつながりを阻害していることかわか
った。逆に、実施例でえられた本発明の酸化物超電導体
においては、無機質材料は結晶粒内に1〜0.2Jの大
きさで分散しており、超電導電流のつながりには影響し
ていないことがわかった。
さらに第1図より、実施例1および2の超電導体は、比
較例1および2の超電導体に比べ、外部磁場による臨界
電流の減少が少なく、磁場依存性が向上していることが
わかる。この原因としては、結晶粒内にある無機質材料
かピンニングセンターとして有効に作用しているものと
本発明者らは推定している。
較例1および2の超電導体に比べ、外部磁場による臨界
電流の減少が少なく、磁場依存性が向上していることが
わかる。この原因としては、結晶粒内にある無機質材料
かピンニングセンターとして有効に作用しているものと
本発明者らは推定している。
以上説明したように、酸化物超電導体材料の融点よりも
100℃以上高い融点を有する無機質材料粉末を酸化物
超電導体材料粉末または酸化物超電導体材料の原料粉末
中に添加・混合したのち熱処理することにより、無機質
材料を分散させた酸化物超電導体の製造が可能となり、
高い臨界温度を示す酸化物超電導材料の臨界電流密度、
磁場依存性を向上させることが可能となる。
100℃以上高い融点を有する無機質材料粉末を酸化物
超電導体材料粉末または酸化物超電導体材料の原料粉末
中に添加・混合したのち熱処理することにより、無機質
材料を分散させた酸化物超電導体の製造が可能となり、
高い臨界温度を示す酸化物超電導材料の臨界電流密度、
磁場依存性を向上させることが可能となる。
第1図は実施例および比較例における直流4端子法によ
る77にでの規格化した臨界電流密度〜外部磁場特性測
定結果を示すグラフである。 代 理 人 大 岩 増 雄 /l−1図 手続補正書(自発) 3、補正をする者 事件との関係
る77にでの規格化した臨界電流密度〜外部磁場特性測
定結果を示すグラフである。 代 理 人 大 岩 増 雄 /l−1図 手続補正書(自発) 3、補正をする者 事件との関係
Claims (1)
- (1)酸化物超電導体材料粉末または酸化物超電導体材
料の原料粉末中に、該酸化物超電導体材料の融点よりも
100℃以上高い融点を有する無機質材料粉末を添加・
混合したのち、熱処理することにより、無機質材料を超
電導結晶中に分散させることを特徴とする酸化物超電導
体の製法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2186480A JPH0474754A (ja) | 1990-07-12 | 1990-07-12 | 酸化物超電導体の製法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2186480A JPH0474754A (ja) | 1990-07-12 | 1990-07-12 | 酸化物超電導体の製法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0474754A true JPH0474754A (ja) | 1992-03-10 |
Family
ID=16189222
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2186480A Pending JPH0474754A (ja) | 1990-07-12 | 1990-07-12 | 酸化物超電導体の製法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0474754A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015011867A (ja) * | 2013-06-28 | 2015-01-19 | 株式会社フジクラ | 酸化物超電導体及び酸化物超電導導体 |
-
1990
- 1990-07-12 JP JP2186480A patent/JPH0474754A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015011867A (ja) * | 2013-06-28 | 2015-01-19 | 株式会社フジクラ | 酸化物超電導体及び酸化物超電導導体 |
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