JPH02149426A - 酸化物超伝導材料およびその製造法 - Google Patents
酸化物超伝導材料およびその製造法Info
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- JPH02149426A JPH02149426A JP63304366A JP30436688A JPH02149426A JP H02149426 A JPH02149426 A JP H02149426A JP 63304366 A JP63304366 A JP 63304366A JP 30436688 A JP30436688 A JP 30436688A JP H02149426 A JPH02149426 A JP H02149426A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
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- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は新規なビスマス系酸化物超伝導材料およびその
製造方法に関する。
製造方法に関する。
(従来の技術)
1988年2月に前日らはビスマスを含む複合酸化物が
超伝導性をもっことを初めて見いだした。
超伝導性をもっことを初めて見いだした。
この物質は110に付近から急激な電気抵抗の減少が観
測されると同時に、この温度付近でのマイスナー効果も
認められる。110にという温度はY B a t C
u 30 yの90Kを大きく上回り、Tl系とともに
将来の応用が期待されている。
測されると同時に、この温度付近でのマイスナー効果も
認められる。110にという温度はY B a t C
u 30 yの90Kを大きく上回り、Tl系とともに
将来の応用が期待されている。
この発見以降、様々な研究が行われ、同じBi、Sr、
CaおよびCuを含む酸化物でもTcが110にのもの
、80にのもの、半導体性を示すものなどの存在するこ
とが明らかとなった。構造に関する研究により、これら
各相はいずれも層状構造をもち、上記の110に相はB
1−0層の間に3枚の、80に相は2枚の、半導体相は
1枚のCu−0層をそれぞれ有していることが明らかと
なった。従ってC軸方向の格子定数は大きく異なり、1
10に相が約37人、80に相が31人、半導体相が2
4人となる。a軸方向はほぼ一定で約5゜4人である。
CaおよびCuを含む酸化物でもTcが110にのもの
、80にのもの、半導体性を示すものなどの存在するこ
とが明らかとなった。構造に関する研究により、これら
各相はいずれも層状構造をもち、上記の110に相はB
1−0層の間に3枚の、80に相は2枚の、半導体相は
1枚のCu−0層をそれぞれ有していることが明らかと
なった。従ってC軸方向の格子定数は大きく異なり、1
10に相が約37人、80に相が31人、半導体相が2
4人となる。a軸方向はほぼ一定で約5゜4人である。
(発明が解決しようとした課題)
本願の発明者らにより110に相単独の試料が作成され
、上記3相が混在するという問題点は解決された(ジャ
パニーズ・ジャーナル・オブ・フィジカル・ソサエティ
ー27巻L1476ペーシオよびL1861ページ)。
、上記3相が混在するという問題点は解決された(ジャ
パニーズ・ジャーナル・オブ・フィジカル・ソサエティ
ー27巻L1476ペーシオよびL1861ページ)。
しかしこの過程で、抵抗の測定を行った場合、超伝導特
性が試料によって異なるという現象が見られた。すなわ
ち、80に相や半導体相の混入にかかわらず、ある試料
では100に以上で抵抗0になり、またある試料では抵
抗−温度曲線の低温側に裾をひき、見掛は上Tcが低く
なる。
性が試料によって異なるという現象が見られた。すなわ
ち、80に相や半導体相の混入にかかわらず、ある試料
では100に以上で抵抗0になり、またある試料では抵
抗−温度曲線の低温側に裾をひき、見掛は上Tcが低く
なる。
本発明の目的は上記のような裾引きの見られない、シャ
ープに抵抗の低下する超伝導材料およびその製造方法を
提供することにある。この目的を達成するため種々検討
した結果、生成物の格子定数aおよびCがある条件を満
たしたとき、シャープに抵抗が低下することを見いだし
本発明を完成した。
ープに抵抗の低下する超伝導材料およびその製造方法を
提供することにある。この目的を達成するため種々検討
した結果、生成物の格子定数aおよびCがある条件を満
たしたとき、シャープに抵抗が低下することを見いだし
本発明を完成した。
(課圀を解決するための手段)
前述のごと(Bi系超超伝導体は110に相、80に相
および半導体相の3つの相が知られているが、本発明で
いう格子定数は110に相についてのものである。本発
明の超伝導材料の特徴はa軸方向の格子定数a(以下a
と呼ぶ)およびb軸方向の格子定数C(以下Cと呼ぶ)
が a<0.052・c+3.4747 という式を満足する一部のaおよびCで表される超伝導
体を少なくとも一部含んでいるという点である。ここで
aおよびCはいずれも単位は人である。本発明の超伝導
材料には80に相および半導体相が含まれていてもよい
。また多少の他の不純物が含まれていてもよい。いずれ
にしても上記条件を満足する110に相を含んでいる必
要がある。
および半導体相の3つの相が知られているが、本発明で
いう格子定数は110に相についてのものである。本発
明の超伝導材料の特徴はa軸方向の格子定数a(以下a
と呼ぶ)およびb軸方向の格子定数C(以下Cと呼ぶ)
が a<0.052・c+3.4747 という式を満足する一部のaおよびCで表される超伝導
体を少なくとも一部含んでいるという点である。ここで
aおよびCはいずれも単位は人である。本発明の超伝導
材料には80に相および半導体相が含まれていてもよい
。また多少の他の不純物が含まれていてもよい。いずれ
にしても上記条件を満足する110に相を含んでいる必
要がある。
本発明の超伝導材料の優れた点は下記実施例で詳細に述
べられているように、臨界温度において抵抗が極めてシ
ャープに低下するところにある。
べられているように、臨界温度において抵抗が極めてシ
ャープに低下するところにある。
ビスマス系酸化物超伝導材料はBi、Sr、Ca、Cu
、Oからなり、B1の一部をPbで置換すると110に
相の割合が増えるといわれている。
、Oからなり、B1の一部をPbで置換すると110に
相の割合が増えるといわれている。
また、これら元素の組成により異なった特性を示す事が
知られており、鉛を含まない系の場合B:Sr:Ca:
Cu=1:1:1:2の時に最も110に相の割合が多
くなると言われており、方Bi:Sr:Ca:Cu=2
:2:1:2の場合、80に相が大部分を占めるものと
なる。pbはBiのうちモル比で0.1から04の範囲
で置換される。本発明の超伝導材料はpbを含む系であ
り、B 1xPb、(S rucavcuw)zo#な
る仕込み組成が好適に用いられる。ここでx=0150
〜0.215、y=0.030〜0.090、z−0,
720〜0.800 (但しx+y+z=1)、u>0
.269、v>0.243、W>0.430 (但しu
+v+w=l)の範囲である。さらに好ましい仕込み組
成は、x=O1150〜0.215、y=0.030〜
0.090、z=0.720〜0.800 (但しX+
Y+Z1)、u>0.290、v>0.243、W〉0
゜430(但しu +v +w = 1 )の範囲、ま
たはX=0.150〜0.215、y−0,030〜0
゜090、z=0.720〜0.800 (但しx十y
+z=1) 、u=0.269〜0.290、V=0.
243〜0.275 (、但しu+v+w=l)の範囲
である。
知られており、鉛を含まない系の場合B:Sr:Ca:
Cu=1:1:1:2の時に最も110に相の割合が多
くなると言われており、方Bi:Sr:Ca:Cu=2
:2:1:2の場合、80に相が大部分を占めるものと
なる。pbはBiのうちモル比で0.1から04の範囲
で置換される。本発明の超伝導材料はpbを含む系であ
り、B 1xPb、(S rucavcuw)zo#な
る仕込み組成が好適に用いられる。ここでx=0150
〜0.215、y=0.030〜0.090、z−0,
720〜0.800 (但しx+y+z=1)、u>0
.269、v>0.243、W>0.430 (但しu
+v+w=l)の範囲である。さらに好ましい仕込み組
成は、x=O1150〜0.215、y=0.030〜
0.090、z=0.720〜0.800 (但しX+
Y+Z1)、u>0.290、v>0.243、W〉0
゜430(但しu +v +w = 1 )の範囲、ま
たはX=0.150〜0.215、y−0,030〜0
゜090、z=0.720〜0.800 (但しx十y
+z=1) 、u=0.269〜0.290、V=0.
243〜0.275 (、但しu+v+w=l)の範囲
である。
原料は水酸化物、酸化物、炭酸塩、硝酸塩、しゅう酸塩
、酢酸塩など焼成により分解あるいは反応して酸化物に
変化するものなら何でも用いることができる。
、酢酸塩など焼成により分解あるいは反応して酸化物に
変化するものなら何でも用いることができる。
製造にあたり、これら原料は均一に混合される。
混合はどのような方法で行ってもよい。例えば各原料を
メノウ乳鉢で粉砕しながら混合してもよいし、ボールミ
ルを用いてもよい。各金属化合物のうち少なくともCu
の化合物として硝酸塩を用いることが望ましい。この場
合、水などの溶媒に溶解または分散させる。この溶液を
撹拌しながら加熱乾燥させることが望ましく、スプレー
ドライ法で乾燥しながら混合することもできる。各金属
化合物としてそれぞれの硝酸塩を用いてもよいことは勿
論である。また、炭酸塩や酸化物を硝酸に溶解させても
よい。これとは別に、スパッタリング法等により形成さ
れた薄膜も均一に混合するのに良い方法である。
メノウ乳鉢で粉砕しながら混合してもよいし、ボールミ
ルを用いてもよい。各金属化合物のうち少なくともCu
の化合物として硝酸塩を用いることが望ましい。この場
合、水などの溶媒に溶解または分散させる。この溶液を
撹拌しながら加熱乾燥させることが望ましく、スプレー
ドライ法で乾燥しながら混合することもできる。各金属
化合物としてそれぞれの硝酸塩を用いてもよいことは勿
論である。また、炭酸塩や酸化物を硝酸に溶解させても
よい。これとは別に、スパッタリング法等により形成さ
れた薄膜も均一に混合するのに良い方法である。
このようにして得られた混合物あるいは生成物は仮焼せ
ずにそのまま本焼成を行ってもよいが、通常仮焼を行う
。つまり、酸化物以外の化合物の混合物は通常800°
C前後の温度で仮焼される。
ずにそのまま本焼成を行ってもよいが、通常仮焼を行う
。つまり、酸化物以外の化合物の混合物は通常800°
C前後の温度で仮焼される。
しかし、仮焼は必須ではない。酸化物の混合物あるいは
スパッタリング法等により形成された酸化物薄膜あるい
は金属薄膜については、仮焼をする必要はない。仮焼雰
囲気は空気、酸素、あるいは不活性ガスと酸素の混合物
のいずれでもよい。
スパッタリング法等により形成された酸化物薄膜あるい
は金属薄膜については、仮焼をする必要はない。仮焼雰
囲気は空気、酸素、あるいは不活性ガスと酸素の混合物
のいずれでもよい。
次に焼成を行う。焼成前の原料が粉末状態であればあら
かじめ成型を行う。その大きさ、形状はどのようなもの
でもかまわない。例えば、ベレットでもよいし線状のも
のでもよい。焼成は通常空気中で行われるが、酸素分圧
をOから0.15気圧、好ましくは0.03から01気
圧に保つことが望ましい。このために酸素を窒素、アル
ゴン、等の不活性ガスで希釈してもよいし、空気を上記
不活性ガスで希釈してもよい。温度は酸素分圧や組成に
よって異なるがいずれの場合も融点直下から融点の下5
0°Cの範囲が望ましい。ビスマス系酸化物超伝導体の
場合、融点を越える温度で反応させることができない。
かじめ成型を行う。その大きさ、形状はどのようなもの
でもかまわない。例えば、ベレットでもよいし線状のも
のでもよい。焼成は通常空気中で行われるが、酸素分圧
をOから0.15気圧、好ましくは0.03から01気
圧に保つことが望ましい。このために酸素を窒素、アル
ゴン、等の不活性ガスで希釈してもよいし、空気を上記
不活性ガスで希釈してもよい。温度は酸素分圧や組成に
よって異なるがいずれの場合も融点直下から融点の下5
0°Cの範囲が望ましい。ビスマス系酸化物超伝導体の
場合、融点を越える温度で反応させることができない。
−度融解した試料は超伝導性を示さなくなるからである
。本発明における超伝導材料の融点は酸素分圧0.2気
圧のとき約845°Cとなる。酸素分圧を下(すること
により、広い温度範囲で、比較的短時間で生成物を得る
ことができる。
。本発明における超伝導材料の融点は酸素分圧0.2気
圧のとき約845°Cとなる。酸素分圧を下(すること
により、広い温度範囲で、比較的短時間で生成物を得る
ことができる。
焼成時間は概ね12時間以上を必要とする。冷却過程は
焼成時と同じ酸素分圧で行ってもよいがより高い酸素分
圧で行ってもよい。むしろ高い酸素分圧のほうが、生成
した超伝導材料に流すことのできる電流が大きくなる。
焼成時と同じ酸素分圧で行ってもよいがより高い酸素分
圧で行ってもよい。むしろ高い酸素分圧のほうが、生成
した超伝導材料に流すことのできる電流が大きくなる。
もちろん焼成時と同じ酸素分圧のままで冷却し、その後
焼成温度以下の温度に再加熱し、高圧力酸素処理を行っ
てもよい。
焼成温度以下の温度に再加熱し、高圧力酸素処理を行っ
てもよい。
(実施例)
以下に実施例により更に詳細に説明する。
実施例1および2
B ! to *、P b O、S r COy、Ca
COsおよびCuOを、Bi:Pb:Sr:Ca:C
uの比が1.84:0.34:2.04:1.90:3
゜06になるように秤り取った。この組成はBixP
b 、 (S r uCa vCu v) 、O、とい
う組成式においてx=0.200、y=0.037、z
−0゜763、u=0.291、y=0.271、W−
〇 437に相当する。これらを加熱しながら過剰の硝
酸に完全に溶解させた。この溶液を白金の蒸発皿にいれ
、絶えず撹拌しながら加熱蒸発させ、溶媒である水を除
いた。このとき、過剰の硝酸も同時に除かれる。生成し
た硝酸塩の混合物をアルミナ製のルツボにいれ、更に加
熱を続けた。硝酸塩が分解しNo、が発生する。最終的
に800°CでNo、が生成しな(なるまで加熱した。
COsおよびCuOを、Bi:Pb:Sr:Ca:C
uの比が1.84:0.34:2.04:1.90:3
゜06になるように秤り取った。この組成はBixP
b 、 (S r uCa vCu v) 、O、とい
う組成式においてx=0.200、y=0.037、z
−0゜763、u=0.291、y=0.271、W−
〇 437に相当する。これらを加熱しながら過剰の硝
酸に完全に溶解させた。この溶液を白金の蒸発皿にいれ
、絶えず撹拌しながら加熱蒸発させ、溶媒である水を除
いた。このとき、過剰の硝酸も同時に除かれる。生成し
た硝酸塩の混合物をアルミナ製のルツボにいれ、更に加
熱を続けた。硝酸塩が分解しNo、が発生する。最終的
に800°CでNo、が生成しな(なるまで加熱した。
これをメノウ乳鉢で粉砕し直径13mm、厚さ約1mm
のペレットに成型した。焼成には内径100mm。
のペレットに成型した。焼成には内径100mm。
長さ600mmの管状炉を用いた。すなわち、ベレット
をアルミナ製のボートに置き、これを炉の中心部分に設
置したのち、アルゴンと酸素の比を12=1に調整し、
毎分250ccの流通下、835℃で12時間反応させ
た。反応後、室温まで冷却した後、これを再度粉砕し、
上記と同じ大きさのベレットに成型し、同条件で更に7
2時間反応させた。その後、約2°C/minで室温ま
で徐冷し実施例1の試料を得た。
をアルミナ製のボートに置き、これを炉の中心部分に設
置したのち、アルゴンと酸素の比を12=1に調整し、
毎分250ccの流通下、835℃で12時間反応させ
た。反応後、室温まで冷却した後、これを再度粉砕し、
上記と同じ大きさのベレットに成型し、同条件で更に7
2時間反応させた。その後、約2°C/minで室温ま
で徐冷し実施例1の試料を得た。
実施例2の試料については、B + x P b y
(S ru Ca v Cu w) x Oaという組
成式においてx−0゜200、y=0.037、z=0
.763、U−0,275、v=0.275、w=0.
450としたこと以外は実施例1と同様にして合成した
。
(S ru Ca v Cu w) x Oaという組
成式においてx−0゜200、y=0.037、z=0
.763、U−0,275、v=0.275、w=0.
450としたこと以外は実施例1と同様にして合成した
。
これらのもののX線回折測定を行った結果、aおよびC
はそれぞれ表1に示される値が得られた。
はそれぞれ表1に示される値が得られた。
またこれらの試料について抵抗の温度依存性を調べた。
結果を図1に示す。抵抗は約110Kからシャープに低
下し、抵抗Oに到達する温度は実施例1の試料で104
に、実施例2の試料で103にとなった。
下し、抵抗Oに到達する温度は実施例1の試料で104
に、実施例2の試料で103にとなった。
比較例1.2および3
B 1xPb、(S r、CavCuw)go、という
組成式において、比較例1の試料はx=0.200、y
=0.037、z=0.763、u=0.260、V=
0.303、w=0.437とし、比較例2の試料はx
=0.200、y=o、037、z=0.763、IJ
=0.240、V=0.310、w=0.450とし、
比較例3の試料はX=0.200.y=0.037、z
−0,763、u=0.253、V=0.2.84、w
=0.463としたこと以外は実施例1と同様にして合
成した。
組成式において、比較例1の試料はx=0.200、y
=0.037、z=0.763、u=0.260、V=
0.303、w=0.437とし、比較例2の試料はx
=0.200、y=o、037、z=0.763、IJ
=0.240、V=0.310、w=0.450とし、
比較例3の試料はX=0.200.y=0.037、z
−0,763、u=0.253、V=0.2.84、w
=0.463としたこと以外は実施例1と同様にして合
成した。
これらのもののX線回折測定を行った結果、aおよびC
はそれぞれ表1に示される値が得られた。
はそれぞれ表1に示される値が得られた。
またこれらの試料について抵抗の温度依存性を調べた。
結果を図2に示す。抵抗は約110Kからややシャープ
に低下した後大きく裾を引き、抵抗0に到達する温度は
比較例1の試料で93K、比較例2の試料で89K、比
較例3の試料で87にとなった。
に低下した後大きく裾を引き、抵抗0に到達する温度は
比較例1の試料で93K、比較例2の試料で89K、比
較例3の試料で87にとなった。
実施例3
実施例3の試料は通常の固相反応法で合成した。
Bi、○1、P b O,S r C03、Ca CO
3およびCuOを、Bi:Pb:Sr:Ca:Cuの比
を実施例1と同様になるように秤り取った。これをメノ
ウ乳鉢で十分混合した。これを空気の流通下、810°
Cで10時間仮焼した。その後、粉砕および3時間の仮
焼を2回繰り返した。得られた生成物を再度粉砕し、直
径13mm、厚さ約1mmのベレットに成型した。焼成
には内径100mm。
3およびCuOを、Bi:Pb:Sr:Ca:Cuの比
を実施例1と同様になるように秤り取った。これをメノ
ウ乳鉢で十分混合した。これを空気の流通下、810°
Cで10時間仮焼した。その後、粉砕および3時間の仮
焼を2回繰り返した。得られた生成物を再度粉砕し、直
径13mm、厚さ約1mmのベレットに成型した。焼成
には内径100mm。
長さ600mmの管状炉を用いた。すなわち、ペレット
をアルミナ製のボートに置き、これを炉の中心部分に設
置したのち、アルゴンと酸素の比を12=1に調整し、
毎分250ccの流通下、842°Cで800時間反応
せた。その後、酸素分圧をl/13に保ったまま約2°
C/minで室温まで徐冷した。
をアルミナ製のボートに置き、これを炉の中心部分に設
置したのち、アルゴンと酸素の比を12=1に調整し、
毎分250ccの流通下、842°Cで800時間反応
せた。その後、酸素分圧をl/13に保ったまま約2°
C/minで室温まで徐冷した。
生成物はやや反った形に変形しており、加熱が融点直下
であったことを示している。
であったことを示している。
このもののX線回折測定を行った結果、aおよびCはそ
れぞれ表1に示される値が得られた。またこの試料につ
いて抵抗の温度依存性を調べた。
れぞれ表1に示される値が得られた。またこの試料につ
いて抵抗の温度依存性を調べた。
抵抗Oに到達する温度は103にであり優れた超伝導特
性を示す。
性を示す。
図3は、上記実施例、比較例および種々の方法で合成し
た試料のaをCに対してプロットしたものである。測定
点の横に記した数値は0抵抗温度である。100に以上
のTcが得られるのは図中に示した a=0.052・c+3.4747 という直線の下だけであることがわかる。つまり全体と
してaは小さいほうがよいが、Cが小さければTcは低
くなる。また、Cが大きくてもaが大きければやはりT
cは低い。これらよりaとCとは、 a<0.052・c+3.4747 という式を満足させる関係にあることが必要であること
が知られる。
た試料のaをCに対してプロットしたものである。測定
点の横に記した数値は0抵抗温度である。100に以上
のTcが得られるのは図中に示した a=0.052・c+3.4747 という直線の下だけであることがわかる。つまり全体と
してaは小さいほうがよいが、Cが小さければTcは低
くなる。また、Cが大きくてもaが大きければやはりT
cは低い。これらよりaとCとは、 a<0.052・c+3.4747 という式を満足させる関係にあることが必要であること
が知られる。
(発明の効果)
本発明は正方晶または擬正方晶の構造をもつビスマス系
超伝導材料において、これら結晶のa軸およびC軸方向
の格子定数が一定の関係を有する場合、また特に、一定
の各成分組成比を有する場合、極めて優秀な超伝導特性
を示すという事実を見いだして完成されたものであるが
、今後の材料開発に当たってはこの関係を利用してa軸
方向およびC軸方向の格子定数が関係式を満足するかど
うかを見ることによって直ちに有用な材料か否かを判定
することができ、新規な超伝導材料を提供するととCに
、有用な材料開発を促進することができるという有用性
を有する。
超伝導材料において、これら結晶のa軸およびC軸方向
の格子定数が一定の関係を有する場合、また特に、一定
の各成分組成比を有する場合、極めて優秀な超伝導特性
を示すという事実を見いだして完成されたものであるが
、今後の材料開発に当たってはこの関係を利用してa軸
方向およびC軸方向の格子定数が関係式を満足するかど
うかを見ることによって直ちに有用な材料か否かを判定
することができ、新規な超伝導材料を提供するととCに
、有用な材料開発を促進することができるという有用性
を有する。
図1は実施例1および2で得られた試料の電気抵抗の温
度依存性を示す。 図2は比較例1〜3で得られた試料の電気抵抗の温度依
存性を示す。 図3は種々の試料のa軸方向の格子定数aをC軸方向の
格子定数Cに対してプロットしたものである。 以上 抵抗 (任意目盛) 図3 C(入) 手彰υ7市1]ミー12 平成 1年 昭和63年 特;rF E’fl 第30436
6号2、発明の名称 醇化物超伝樽材料およびその製造法 3 補正をする名 11件との関係 特許出願人 名称 (285) ダイキンr業株式会社4、代理人 67−121 [1 7補正の内容 明細書中、次の箇所を補正します。 ■ 特許請求の範囲の欄 別紙の通り。 ■2発明の詳細な説明の欄 (1)第8頁下から第1O行、「の範囲である。」の前
に、「、α−0,8〜1.3」を挿入。 以上 自 発 6、補正の対象 特許請求の範囲 (1)正方品または擬正方晶の構造をらち、a軸及びC
軸方向の格子定数が、それぞれ a<0.052 ・c+3.4747 (式中、aおよびCの単位は人である。)を2dm足す
る一部のaおよびCで表される超伝導体を少なくとら一
部含み、各成分の仕込み組成をモル比でB 1XPb、
(S r、CavCu、)20 (1(式中、LSYS
ZS’Js VN Wおよびαは以下の範囲であり、 x−0,150〜0.2 1 5 y=0.030〜0090 7、=0.720〜0.800 u>0.269 v>0.243 w>0.430 α=08〜13 x+y+z= 1であり、か−)u+v+w= 1であ
る。)としてA製したものであることを特徴とするビス
マス、鉛、ストロンチウム、カルシウム、銅および酸素
からなるビスマス系酸化物超伝導材料。 (2)各成分の仕込み組成をモル比でB IXP by
(SruCaVCuw)20a (式中、 x、 ySzSu、 v、 wおよびαは以
下の範囲であり、 X=O,150〜0.21 5 y=0.030〜0.090 z=0.720〜0800 u>0.290 v>0.243 w>0.430 α=0,8〜1.3 x+y+z−1であり、かつu+v+w= 1である。 )として調製したものであることを特徴とする特許請求
の範囲第(1)項に記載の超伝導(材料。 (3)各成分の仕込み組成をモル比でBiXPby(S
r B Cay Cuy) z O(z(式中、Ks
YN Z、uSVSWおよびαは以下の範囲であり、 X=0.150〜02 l 5 y=0.030〜0090 z=0.720〜0800 u=0.269〜0290 v=0.243〜0275 α=0.8〜1.3 x+y+z=1であり、かつu+v+w=1である。)
として調製したちのであることを特徴とする特許請求の
範囲第(1)項に記載の超伝導材料。 (4)各成分の仕込み組成をモル比でB1つPb、(S
r、CavCu、)、、O(1 (式中、x、 y、 zlu、 v、 wおよびαは以
下の範囲であり、 X=OI50〜02 y=0.030〜0.0 z=0.720〜0.8 u=0.269〜02 v=o’243〜02 α=0.8〜1.3 x+y+z= 1であり、かつu十v+w= 1である
。)として調製したものであることを特徴とする特許請
求の範囲第(3)項に記載の超伝導材料。 (5)原料としてビスマス化合物、鉛化合物、ストロン
チウム化合物、カルシウム化合物および銅化合物を均一
に混合し、仮焼したのち、あるいは仮焼せずに焼成する
ことを特徴とする特許請求の範囲第(1)項に記載の超
伝導材料の製造方法。 (6)ビスマス化合物、鉛化合物、ストロンチウム化合
物、カルシウム化合物および銅化合物のうち少なくとも
銅化合物の硝酸塩であり、これらの化合物を溶媒に溶解
または分散させた後、溶媒を除去し、更に加熱により硝
酸塩を分解することによって均一に混合することを特徴
とする特許請求の範囲第(5)項に記載の超伝導材料の
製造方法。 (7)ビスマス化合物、鉛化合物、ストロンチウム化合
物、カルシウム化合物および銅化合物としてそれぞれの
硝酸塩を用い、これらを溶媒に溶解させた後、溶媒を除
去し、更に加熱により硝酸塩を分解することによって均
一に混合することを特徴とする特許請求の範囲第(5)
項に記載の超伝導材料の製造方法。 (8)焼成時の酸素分圧か0.15気圧以下であること
を特徴とする特許請求の範囲第(5)項、第(6)項ま
たは第(7)項に記載の超伝導材料の製造方法。
度依存性を示す。 図2は比較例1〜3で得られた試料の電気抵抗の温度依
存性を示す。 図3は種々の試料のa軸方向の格子定数aをC軸方向の
格子定数Cに対してプロットしたものである。 以上 抵抗 (任意目盛) 図3 C(入) 手彰υ7市1]ミー12 平成 1年 昭和63年 特;rF E’fl 第30436
6号2、発明の名称 醇化物超伝樽材料およびその製造法 3 補正をする名 11件との関係 特許出願人 名称 (285) ダイキンr業株式会社4、代理人 67−121 [1 7補正の内容 明細書中、次の箇所を補正します。 ■ 特許請求の範囲の欄 別紙の通り。 ■2発明の詳細な説明の欄 (1)第8頁下から第1O行、「の範囲である。」の前
に、「、α−0,8〜1.3」を挿入。 以上 自 発 6、補正の対象 特許請求の範囲 (1)正方品または擬正方晶の構造をらち、a軸及びC
軸方向の格子定数が、それぞれ a<0.052 ・c+3.4747 (式中、aおよびCの単位は人である。)を2dm足す
る一部のaおよびCで表される超伝導体を少なくとら一
部含み、各成分の仕込み組成をモル比でB 1XPb、
(S r、CavCu、)20 (1(式中、LSYS
ZS’Js VN Wおよびαは以下の範囲であり、 x−0,150〜0.2 1 5 y=0.030〜0090 7、=0.720〜0.800 u>0.269 v>0.243 w>0.430 α=08〜13 x+y+z= 1であり、か−)u+v+w= 1であ
る。)としてA製したものであることを特徴とするビス
マス、鉛、ストロンチウム、カルシウム、銅および酸素
からなるビスマス系酸化物超伝導材料。 (2)各成分の仕込み組成をモル比でB IXP by
(SruCaVCuw)20a (式中、 x、 ySzSu、 v、 wおよびαは以
下の範囲であり、 X=O,150〜0.21 5 y=0.030〜0.090 z=0.720〜0800 u>0.290 v>0.243 w>0.430 α=0,8〜1.3 x+y+z−1であり、かつu+v+w= 1である。 )として調製したものであることを特徴とする特許請求
の範囲第(1)項に記載の超伝導(材料。 (3)各成分の仕込み組成をモル比でBiXPby(S
r B Cay Cuy) z O(z(式中、Ks
YN Z、uSVSWおよびαは以下の範囲であり、 X=0.150〜02 l 5 y=0.030〜0090 z=0.720〜0800 u=0.269〜0290 v=0.243〜0275 α=0.8〜1.3 x+y+z=1であり、かつu+v+w=1である。)
として調製したちのであることを特徴とする特許請求の
範囲第(1)項に記載の超伝導材料。 (4)各成分の仕込み組成をモル比でB1つPb、(S
r、CavCu、)、、O(1 (式中、x、 y、 zlu、 v、 wおよびαは以
下の範囲であり、 X=OI50〜02 y=0.030〜0.0 z=0.720〜0.8 u=0.269〜02 v=o’243〜02 α=0.8〜1.3 x+y+z= 1であり、かつu十v+w= 1である
。)として調製したものであることを特徴とする特許請
求の範囲第(3)項に記載の超伝導材料。 (5)原料としてビスマス化合物、鉛化合物、ストロン
チウム化合物、カルシウム化合物および銅化合物を均一
に混合し、仮焼したのち、あるいは仮焼せずに焼成する
ことを特徴とする特許請求の範囲第(1)項に記載の超
伝導材料の製造方法。 (6)ビスマス化合物、鉛化合物、ストロンチウム化合
物、カルシウム化合物および銅化合物のうち少なくとも
銅化合物の硝酸塩であり、これらの化合物を溶媒に溶解
または分散させた後、溶媒を除去し、更に加熱により硝
酸塩を分解することによって均一に混合することを特徴
とする特許請求の範囲第(5)項に記載の超伝導材料の
製造方法。 (7)ビスマス化合物、鉛化合物、ストロンチウム化合
物、カルシウム化合物および銅化合物としてそれぞれの
硝酸塩を用い、これらを溶媒に溶解させた後、溶媒を除
去し、更に加熱により硝酸塩を分解することによって均
一に混合することを特徴とする特許請求の範囲第(5)
項に記載の超伝導材料の製造方法。 (8)焼成時の酸素分圧か0.15気圧以下であること
を特徴とする特許請求の範囲第(5)項、第(6)項ま
たは第(7)項に記載の超伝導材料の製造方法。
Claims (8)
- (1)正方晶または擬正方晶の構造をもち、a軸及びc
軸方向の格子定数が、それぞれ a<0.052・c+3.4747 (式中、aおよびcの単位はÅである。) を満足する一群のaおよびcで表される超伝導体を少な
くとも一部含み、各成分の仕込み組成をモル比でBi_
xPb_y(Sr_uCa_vCu_w)_zO_α(
式中、x、y、Z、u、vおよびwは以下の範囲であり
、 x=0.150〜0.215 y=0.030〜0.090 z=0.720〜0.800 u>0.269 v>0.243 w>0.430 x+y+z=1であり、かつu+v+w=1である。) として調製したものであることを特徴とするビスマス、
鉛、ストロンチウム、カルシウム、銅および酸素からな
るビスマス系酸化物超伝導材料。 - (2)各成分の仕込み組成をモル比でBi_xPb_y
(.Sr_uCa_vCu_w)_zO_α(式中、x
、y、z、u、vおよびwは以下の範囲であり、 x=0.150〜0.215 y=0.030〜0.090 z=0.720〜0.800 u>0.290 v>0.243 w>0.430 x+y+z=1であり、かつu+v+w=1である。) として調製したものであることを特徴とする特許請求の
範囲第(1)項に記載の超伝導材料。 - (3)各成分の仕込み組成をモル比でBi_xPb_y
(Sr_uCa_vCu_w)_zO_α(式中、x、
y、z、u、vおよびwは以下の範囲であり、 x=0.150〜0.215 y=0.030〜0.090 z=0.720〜0.800 u=0.269〜0.290 v=0.243〜0.275 x+y+z=1であり、かつu+v+w=1である。) として調製したものであることを特徴とする特許請求の
範囲第(1)項に記載の超伝導材料。 - (4)各成分の仕込み組成をモル比でBi_xPb_y
(Sr_uCa_vCu_w)_zO_α(式中、x、
y、z、u、vおよびwは以下の範囲であり、 x=0.150〜0.215 y=0.030〜0.090 z=0.720〜0.800 u=0.269〜0.290 v=0.243〜0.250 x+y+z=1であり、かつu+v+w=1である。) として調製したものであることを特徴とする特許請求の
範囲第(3)項に記載の超伝導材料。 - (5)原料としてビスマス化合物、鉛化合物、ストロン
チウム化合物、カルシウム化合物および銅化合物を均一
に混合し、仮焼したのち、あるいは仮焼せずに焼成する
ことを特徴とする特許請求の範囲第(1)項に記載の超
伝導材料の製造方法。 - (6)ビスマス化合物、鉛化合物、ストロンチウム化合
物、カルシウム化合物および銅化合物のうち少なくとも
銅化合物が硝酸塩であり、これらの化合物を溶媒に溶解
または分散させた後、溶媒を除去し、更に加熱により硝
酸塩を分解することによって均一に混合することを特徴
とする特許請求の範囲第(5)項に記載の超伝導材料の
製造方法。 - (7)ビスマス化合物、鉛化合物、ストロンチウム化合
物、カルシウム化合物および銅化合物としてそれぞれの
硝酸塩を用い、これらを溶媒に溶解させた後、溶媒を除
去し、更に加熱により硝酸塩を分解することによって均
一に混合することを特徴とする特許請求の範囲第(5)
項に記載の超伝導材料の製造方法。 - (8)焼成時の酸素分圧が0.15気圧以下であること
を特徴とする特許請求の範囲第(5)項、第(6)項ま
たは第(7)項に記載の超伝導材料の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63304366A JPH02149426A (ja) | 1988-11-30 | 1988-11-30 | 酸化物超伝導材料およびその製造法 |
EP89121930A EP0371453A3 (en) | 1988-11-30 | 1989-11-28 | Bismuth system oxide superconductors and preparation thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63304366A JPH02149426A (ja) | 1988-11-30 | 1988-11-30 | 酸化物超伝導材料およびその製造法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02149426A true JPH02149426A (ja) | 1990-06-08 |
Family
ID=17932158
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63304366A Pending JPH02149426A (ja) | 1988-11-30 | 1988-11-30 | 酸化物超伝導材料およびその製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02149426A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03265522A (ja) * | 1990-03-15 | 1991-11-26 | Rikagaku Kenkyusho | 単斜晶系Bi系高温超伝導体及びその製造方法 |
JPH04219319A (ja) * | 1990-03-23 | 1992-08-10 | Rhone Poulenc Chim | ビスマス、ストロンチウム、カルシウム、銅及び鉛をベースとする超電導相の調製方法 |
-
1988
- 1988-11-30 JP JP63304366A patent/JPH02149426A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03265522A (ja) * | 1990-03-15 | 1991-11-26 | Rikagaku Kenkyusho | 単斜晶系Bi系高温超伝導体及びその製造方法 |
JPH04219319A (ja) * | 1990-03-23 | 1992-08-10 | Rhone Poulenc Chim | ビスマス、ストロンチウム、カルシウム、銅及び鉛をベースとする超電導相の調製方法 |
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