JPH04732A - ウェハープローバ - Google Patents
ウェハープローバInfo
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- JPH04732A JPH04732A JP2102050A JP10205090A JPH04732A JP H04732 A JPH04732 A JP H04732A JP 2102050 A JP2102050 A JP 2102050A JP 10205090 A JP10205090 A JP 10205090A JP H04732 A JPH04732 A JP H04732A
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- wafer prober
- prober
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Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野コ
この発明はウェハー状の被試験素子(DeviceUn
der Te5t 、以下DOTという)を搬送、試験
するウェハーブローバに関するものである。
der Te5t 、以下DOTという)を搬送、試験
するウェハーブローバに関するものである。
[従来の技i]
第3図は従来のウェハーブローバの斜視図、第4図は第
3図に示すB−Bにおける主要部分の断面図を示す。
3図に示すB−Bにおける主要部分の断面図を示す。
図において(1)はDOTを試験する為の電気回路を搭
載したDOTホード、(2)はDOTホード(1)とD
OTとを電気的に接続する為のプローブカード、(3)
はウェハーをセツティングするカセットや、搬送するベ
ルトから構成されるウェハーロータ部、(4)はウェハ
ーを載せて、移動するウェハーステージである。
載したDOTホード、(2)はDOTホード(1)とD
OTとを電気的に接続する為のプローブカード、(3)
はウェハーをセツティングするカセットや、搬送するベ
ルトから構成されるウェハーロータ部、(4)はウェハ
ーを載せて、移動するウェハーステージである。
次に動作について説明する。ウェハーローダ−部(3)
のカセットにセットされたウェハーはベルトにより搬送
され、ウェハーステージ(4)に載せられる。その後、
プローブカード(2)とウェハー状のDOTとの位置合
せを行ない、ウェハーステージ(4)を上昇させて、プ
ローブカード(2)とDLITを接触させる。その後、
DOTボート(1)から、各種信号を与え各種試験を行
なう。試験終了後ウェハーステージ(4)が次のOUT
とプローブカード(2)が接触する様、移動する。すべ
てのDOTの試験が終了した場合、ウェハーステージ(
4)はウェハーローダ部(3)まで移動し、現在載って
いるウェハーをウェハーローダ部(3)に載せて、カセ
ットに戻す。以上の動作をすべてのウェハーに対して行
なう。
のカセットにセットされたウェハーはベルトにより搬送
され、ウェハーステージ(4)に載せられる。その後、
プローブカード(2)とウェハー状のDOTとの位置合
せを行ない、ウェハーステージ(4)を上昇させて、プ
ローブカード(2)とDLITを接触させる。その後、
DOTボート(1)から、各種信号を与え各種試験を行
なう。試験終了後ウェハーステージ(4)が次のOUT
とプローブカード(2)が接触する様、移動する。すべ
てのDOTの試験が終了した場合、ウェハーステージ(
4)はウェハーローダ部(3)まで移動し、現在載って
いるウェハーをウェハーローダ部(3)に載せて、カセ
ットに戻す。以上の動作をすべてのウェハーに対して行
なう。
これら一連の動作は現在すべて通常雰囲気中で行われて
いる。
いる。
[発明が解決しようとする課題]
従来のウエハーブローバは以上のように構成されている
ので、以上の一連の動作をすべて通常雰囲気中で実施し
ていた。この為、試験内容においては大電流が流れる場
合があり、その時、プローブカードが空気中の酸素によ
り酸化し、正常に試験が行われなくなる事があった。ま
た、DOTボード上の回路及び、ウエハープローバ本体
の発熱により、DOTの温度が上昇し、異常動作となる
事があった。また、上記の機械的な動作で発生する粉塵
がウェハープローバ内を浮遊し、DOTに浮着する事に
より、DOTか異常動作するなどの問題点があった。
ので、以上の一連の動作をすべて通常雰囲気中で実施し
ていた。この為、試験内容においては大電流が流れる場
合があり、その時、プローブカードが空気中の酸素によ
り酸化し、正常に試験が行われなくなる事があった。ま
た、DOTボード上の回路及び、ウエハープローバ本体
の発熱により、DOTの温度が上昇し、異常動作となる
事があった。また、上記の機械的な動作で発生する粉塵
がウェハープローバ内を浮遊し、DOTに浮着する事に
より、DOTか異常動作するなどの問題点があった。
この発明は上記の様な問題点を解消する為になされたも
ので、プローブカードの酸化を防止できるとともに、D
OTの温度上昇を防止し、さらに、ウェハーロータ部で
発生する粉塵を除去できるウェハーステージを得る事を
目的とする。
ので、プローブカードの酸化を防止できるとともに、D
OTの温度上昇を防止し、さらに、ウェハーロータ部で
発生する粉塵を除去できるウェハーステージを得る事を
目的とする。
[課題を解決するための手段]
この発明に係るウェハーステージは、外部からガスを吸
入する手段と、ブローパを外気から密閉する手段と粉塵
を除去するフィルタを設けたものである。
入する手段と、ブローパを外気から密閉する手段と粉塵
を除去するフィルタを設けたものである。
[作用]
この発明においてはガスを吸入する手段により、外部よ
り強制的にガス(例えば窒素)を送り込み、ウェハープ
ローバ内をガスか流れる事て、酸素、粉塵を除去し、D
OTを冷却する。
り強制的にガス(例えば窒素)を送り込み、ウェハープ
ローバ内をガスか流れる事て、酸素、粉塵を除去し、D
OTを冷却する。
[実施例]
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第1
図はウエハーブローバの斜視図、第2図は第1図に示す
A−Aにおける主要部分の断面図である。
図はウエハーブローバの斜視図、第2図は第1図に示す
A−Aにおける主要部分の断面図である。
図において、(1)〜(4)は第3図及び第4図の従来
例に示したものと同等であるので説明を省略する。(5
)は人とのインターフェイス部分を密閉する為の透明ケ
ース、(6)は外部からガスを吸入する為のフィルタ付
のコンプレッサ、(7)はプローバから発生した粉塵を
除去する為のフィルタ、(8)は外部へガスを排出する
排気ダクトである。
例に示したものと同等であるので説明を省略する。(5
)は人とのインターフェイス部分を密閉する為の透明ケ
ース、(6)は外部からガスを吸入する為のフィルタ付
のコンプレッサ、(7)はプローバから発生した粉塵を
除去する為のフィルタ、(8)は外部へガスを排出する
排気ダクトである。
次に動作について説明する。透明ケース(5)を開けて
、ウェハーをウェハーローダ部(3)へ設置した後、透
明ケース(5)を閉じ、ウェハーブローバを外気と遮断
する。その後、コンプレッサ(6)により窒素ガスをウ
ェハーロータ部へ強制的に送り込み、フィルタ(7)を
通して排気させる。この状態のまま、ウェハー状のDO
Tの位置合わせを行ないウェハーステージ(4)により
プローブカード(2)と接触させ各種試験を行なう。ウ
ェハーステージの動作中、常にフィルタ(7)を通して
、窒素ガスが送り込まれているので、内部の雰囲気から
酸素か除去され、プローブカード(2)の酸化が防止さ
れる。また、空冷の効果により、DLITの発熱か防止
される。また、ガスがウェハーロータ部を流れるので、
内部で発生した粉塵を外部に排除し、フィルタ(7)に
よって取り除く事ができる。
、ウェハーをウェハーローダ部(3)へ設置した後、透
明ケース(5)を閉じ、ウェハーブローバを外気と遮断
する。その後、コンプレッサ(6)により窒素ガスをウ
ェハーロータ部へ強制的に送り込み、フィルタ(7)を
通して排気させる。この状態のまま、ウェハー状のDO
Tの位置合わせを行ないウェハーステージ(4)により
プローブカード(2)と接触させ各種試験を行なう。ウ
ェハーステージの動作中、常にフィルタ(7)を通して
、窒素ガスが送り込まれているので、内部の雰囲気から
酸素か除去され、プローブカード(2)の酸化が防止さ
れる。また、空冷の効果により、DLITの発熱か防止
される。また、ガスがウェハーロータ部を流れるので、
内部で発生した粉塵を外部に排除し、フィルタ(7)に
よって取り除く事ができる。
[発明の効果コ
以上の様に、この発明によればウェハーブローバを密閉
し、外部から、フィルタを通したガスを強制的に吸入し
、排気できる様にしたので、プローブカードの酸化防止
、DOTの温度上昇の防止及び、ウェハーロータ部の粉
塵の除去が可能となり、信頼性の高い、安定した試験が
可能となる効果がある。
し、外部から、フィルタを通したガスを強制的に吸入し
、排気できる様にしたので、プローブカードの酸化防止
、DOTの温度上昇の防止及び、ウェハーロータ部の粉
塵の除去が可能となり、信頼性の高い、安定した試験が
可能となる効果がある。
第1図はこの発明の一実施例によるウェハーブローバを
示す斜視図、第2図は第1図に示すA−Aにおける主要
部分の断面図、第3図は従来のウェハーブローバを示す
斜視図、第4図は第3図に示すB−Bにおける主要部分
の断面図である。図において、(1)はDOTホード、
(2)はプローブカード、(3)はウェハーロータ部、
(4)はウェハーステージ、(5)は透明ケース、(6
)はコンプレッサ、(7)はフィルタである。 尚、 図中、 同一符号は同 又は相当部分を示 す。
示す斜視図、第2図は第1図に示すA−Aにおける主要
部分の断面図、第3図は従来のウェハーブローバを示す
斜視図、第4図は第3図に示すB−Bにおける主要部分
の断面図である。図において、(1)はDOTホード、
(2)はプローブカード、(3)はウェハーロータ部、
(4)はウェハーステージ、(5)は透明ケース、(6
)はコンプレッサ、(7)はフィルタである。 尚、 図中、 同一符号は同 又は相当部分を示 す。
Claims (1)
- ウェハー状の被試験素子を試験する為のウェハープロ
ーバにおいて、外部から、ガスを吸入させるコンプレッ
サを設けた事と、本体を密閉した事と、人とのインター
フェース部分に開閉可能な透明ケースを設け、密閉した
事と、外部へガスを排出する排気ダクトを設けた事と、
ダクト中にフィルタを設けた事を特徴とするウェハープ
ローバ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2102050A JPH04732A (ja) | 1990-04-17 | 1990-04-17 | ウェハープローバ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2102050A JPH04732A (ja) | 1990-04-17 | 1990-04-17 | ウェハープローバ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04732A true JPH04732A (ja) | 1992-01-06 |
Family
ID=14316939
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2102050A Pending JPH04732A (ja) | 1990-04-17 | 1990-04-17 | ウェハープローバ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04732A (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07263501A (ja) * | 1994-01-25 | 1995-10-13 | Hughes Aircraft Co | ピボット運動可能な自己中心位置設定エラストマー圧力ウェハプローブ |
US5532609A (en) * | 1992-06-11 | 1996-07-02 | Cascade Microtech, Inc. | Wafer probe station having environment control enclosure |
US5963027A (en) * | 1997-06-06 | 1999-10-05 | Cascade Microtech, Inc. | Probe station having environment control chambers with orthogonally flexible lateral wall assembly |
US6002263A (en) * | 1997-06-06 | 1999-12-14 | Cascade Microtech, Inc. | Probe station having inner and outer shielding |
JP2000216205A (ja) * | 1999-01-22 | 2000-08-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 検査装置及びそれを用いた検査方法 |
US6313649B2 (en) | 1992-06-11 | 2001-11-06 | Cascade Microtech, Inc. | Wafer probe station having environment control enclosure |
US6380751B2 (en) | 1992-06-11 | 2002-04-30 | Cascade Microtech, Inc. | Wafer probe station having environment control enclosure |
JP2002217256A (ja) * | 2001-01-17 | 2002-08-02 | Sony Corp | 半導体装置の検査装置 |
-
1990
- 1990-04-17 JP JP2102050A patent/JPH04732A/ja active Pending
Cited By (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6486687B2 (en) | 1992-06-11 | 2002-11-26 | Cascade Microtech, Inc. | Wafer probe station having environment control enclosure |
US7009383B2 (en) | 1992-06-11 | 2006-03-07 | Cascade Microtech, Inc. | Wafer probe station having environment control enclosure |
US6313649B2 (en) | 1992-06-11 | 2001-11-06 | Cascade Microtech, Inc. | Wafer probe station having environment control enclosure |
US6801047B2 (en) | 1992-06-11 | 2004-10-05 | Cascade Microtech, Inc. | Wafer probe station having environment control enclosure |
US6636059B2 (en) | 1992-06-11 | 2003-10-21 | Cascade Microtech, Inc. | Wafer probe station having environment control enclosure |
US5532609A (en) * | 1992-06-11 | 1996-07-02 | Cascade Microtech, Inc. | Wafer probe station having environment control enclosure |
US6380751B2 (en) | 1992-06-11 | 2002-04-30 | Cascade Microtech, Inc. | Wafer probe station having environment control enclosure |
US5604444A (en) * | 1992-06-11 | 1997-02-18 | Cascade Microtech, Inc. | Wafer probe station having environment control enclosure |
JPH07263501A (ja) * | 1994-01-25 | 1995-10-13 | Hughes Aircraft Co | ピボット運動可能な自己中心位置設定エラストマー圧力ウェハプローブ |
US6489789B2 (en) | 1997-06-06 | 2002-12-03 | Cascade Microtech, Inc. | Probe station having multiple enclosures |
US6288557B1 (en) | 1997-06-06 | 2001-09-11 | Cascade Microtech, Inc. | Probe station having inner and outer shielding |
US6252392B1 (en) | 1997-06-06 | 2001-06-26 | Cascade Microtech, Inc. | Probe station having environment control chamber with bendably extensible and retractable lateral wall assembly |
US6002263A (en) * | 1997-06-06 | 1999-12-14 | Cascade Microtech, Inc. | Probe station having inner and outer shielding |
US6639415B2 (en) | 1997-06-06 | 2003-10-28 | Cascade Microtech, Inc. | Probe station having multiple enclosures |
US5963027A (en) * | 1997-06-06 | 1999-10-05 | Cascade Microtech, Inc. | Probe station having environment control chambers with orthogonally flexible lateral wall assembly |
US6842024B2 (en) | 1997-06-06 | 2005-01-11 | Cascade Microtech, Inc. | Probe station having multiple enclosures |
US6362636B1 (en) | 1997-06-06 | 2002-03-26 | Cascade Microtech, Inc. | Probe station having multiple enclosures |
JP2000216205A (ja) * | 1999-01-22 | 2000-08-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 検査装置及びそれを用いた検査方法 |
JP2002217256A (ja) * | 2001-01-17 | 2002-08-02 | Sony Corp | 半導体装置の検査装置 |
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