JP3971472B2 - 半導体製造装置 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体製造における反応工程で使用される半導体製造装置に関する。
近年、半導体装置の製造にあたって、微細パターン化が進んできて、一般的に高分解能で寸法及び形状の制御性のよい半導体製造装置が用いられてきている。特に、クリーンルーム内に設置されるエッチング装置、ＣＶＤ装置、イオン注入（ＩＣ）装置等の半導体製造装置では、反応室を大気開放状態にして化学汚染や異臭を除去し、反応室の内部治具交換、反応室の内部洗浄を定期的に行っている。そのため、反応室の大気開放時における該反応室によるクリーンルーム内の汚染等を防止する必要がある。
【０００２】
【従来の技術】
図８に、従来の半導体製造における反応工程で使用される製造装置の構成図を示す。図８において、クリーンルーム１１内に反応室１２が設置されると共に、ガス漏れ警報機１３が設置される。また、クリーンルーム１１の室外と室内を結ぶ外部排気ダクト１４が蛇腹等で移動自在に設置される。
【０００３】
反応室１２は、上部が蓋部１２ａによって開放自在であり、反応工程後に大気開放の準備を行うために、窒素ガスを供給するための供給バルブ１５を備えるガス供給パイプ１６が接続される。また、反応室１２内のガスを上記窒素ガスにより稀釈して排出するための、排気バルブ１７を備える真空配管１８が接続される。なお、図示しないが反応室１２内には室内の気圧を監視する気圧センサが設けられる。
【０００４】
一方、上記真空配管１８は、ポンプ室２１に延出されて商用電源で駆動する真空ポンプ２２に接続され、また該真空ポンプ２２に外部排気を行う排気パイプ２３が接続されたものである。
上記のような構成で、通常反応室１２は、供給バルブ１５が閉状態であり、排気バルブ１７が開状態であって、真空ポンプ２２が動作維持することで、いわゆる真空引きの状態で真空状態が保たれる。また、排気バルブ１７が閉状態であり、供給バルブ１５が開状態のときに窒素の供給が行われる。このとき、反応室１２の内部圧力が気圧センサで監視されており、内部圧力が大気圧になったときに供給バルブ１５が閉状態にされるもので、該反応室１２は大気圧状態となる。
【０００５】
上記真空引きと窒素供給とを数回繰り返した後に反応室１２の蓋部１２ａを開放することで大気開放となる。そして、外部排気ダクト１４を反応室に近づけて化学汚染や異臭を吸引しながら、当該反応室１２の内部治具交換や内部洗浄を行うものである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、反応室１２を大気開放する場合に、上記真空引きと窒素供給とを繰り返して化学汚染や異臭を軽減する方法は、充分なガス供給時間と真空引き時間を必要とし、しかもこれらを数回繰り返すことから、異臭を軽減するには多大な準備時間を費やす必要があるという問題がある。
【０００７】
また、化学汚染や異臭を吸引する外部排気ダクト１４を、その吸気口を反応室１２の近傍に取り付け、その排気口を外部に連通させるためのダクト工事をクリーンルーム１１に行わなければならない。
さらに、反応室１２の真空引きと窒素供給を繰り返し行っても反応室１２からクリーンルーム１１への化学汚染や異臭の発散が軽減するに止まり、完全に防止することができないもので、場合によってはガス漏れ警報機１３が感知し、その原因究明等で生産工程を中断しなければならない事態を生じるという問題がある。
【０００８】
そこで、本発明は上記課題に鑑みなされたもので、反応室の大気開放時における汚染防止を図る半導体製造装置を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、請求項１では、開放自在の蓋部を備えて半導体製造における所定の反応処理を行うための反応室を有し、該反応室に所定ガスを供給する供給手段、及び該ガスと共に該反応室内のガスを排出する排気手段を有する半導体製造装置において、前記反応室の蓋部の開放を検知する検知手段と、該検知手段による開放検知により前記反応室に取り付けられた配管を通して該反応室内のガスを吸引して外部に排出する吸引手段と、を有して半導体製造装置が構成される。
【００１０】
請求項２では、請求項１記載の半導体製造装置において、前記排気手段は、前記反応室と排気口を結ぶ排気配管に介在される排気駆動部と、前記吸引手段で開閉制御される排気開閉部とを有し、該吸引手段の動作時に少なくとも該排気開閉部が閉状態にされてなる。請求項３では、請求項１記載の半導体製造装置において、前記検知手段は、前記反応室の蓋部の開放を検知すると共に、該蓋部開放による反応室内の圧力を検知してなる。
【００１１】
請求項４では、請求項１〜３の何れか一項に記載の半導体製造装置において、前記吸引手段は、前記配管に設けられる吸引開閉部と、前記反応室より内部ガスを吸引する吸引駆動部と、前記検知手段からの検知に応じて該排気手段の排気を停止させると共に、該吸引開閉部を開状態として該吸引駆動部を駆動させる吸引制御部と、を有する。
【００１２】
請求項５では、請求項２記載の半導体製造装置において、前記吸引手段は、前記排気手段の排気を行う前記排気駆動部を、排気時に排気動作させ、また前記反応室の蓋部開放時に吸引動作させる駆動制御部と、前記検知手段からの検知に応じて該駆動制御部を該排気駆動部の排気動作又は吸引動作の制御を行わせるべく制御する吸引制御部と、を有する。
【００１３】
請求項６では、請求項４記載の半導体製造装置において、前記吸引手段は、前記配管より分岐して前記排気手段の排気を行う前記排気駆動部に連通する吸引配管に設けられる吸引開閉部と、前記検知手段からの検知に応じて該吸引開閉部を開状態として該吸引駆動部を駆動させる吸引制御部と、該吸引配管に設けられるものであって、前記反応室の蓋部の開放時に該排気駆動部を駆動可能状態とする流路絞り部と、を有する。
【００１４】
上述のように請求項１乃至３の発明では、蓋部を有する反応室に所定ガスを供給手段により供給し、内部ガスを排気手段の例えば排気開閉部と排気駆動部で排出するものであって、蓋部の開放と内部圧力を検知手段で検知し、開放検圧、圧力検知に応じて吸引手段が反応室内のガスを排気手段側から吸引、排出する。これにより、反応室の大気開放による反応室の内部ガスを吸引手段より排気することから、大気開放の準備時間の短縮が図られ、外部の汚染を防止することが可能となる。
【００１５】
請求項４の発明では、吸引手段が、排気配管より分岐する吸引配管に吸引開閉部及び吸引駆動部を有し、吸引制御部で検知手段の検知で排気手段を停止させると共に吸引開閉部を開として吸引駆動部を駆動させる。これにより、反応室の大気開放時の汚染防止を実現することが可能となる。
【００１６】
請求項５の発明では、吸引手段が、排気手段の排気駆動部を排気動作、吸引動作を行わせる駆動制御部を有し、吸引制御部で検知手段の検知に応じて駆動制御部を排気動作又は吸引動作によって制御する。これにより、反応室の大気開放時の汚染防止を実現することが可能となる。
【００１７】
請求項６の発明では、吸引手段が吸引開閉部と吸引制御部と流路絞り部とを有し、反応室の大気開放の検出で吸引制御部が吸引開閉部と流路絞り部との経路で排気手段の排気駆動部で吸引、排出を行わせる。これにより、反応室の大気開放時の汚染防止を実現することが可能となる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
図１に、本発明の第１実施例の原理図を示す。図１は、半導体製造における例えばエッチング、ＣＶＤ（ケミカル気相成長）、ＩＩ（イオン注入）等の反応処理に使用される半導体製造装置３１の原理図を示したもので、クリーンルーム３２内での設備とポンプ室３３内での設備で構成される。
【００１９】
クリーンルーム３２内には、反応処理が行われる反応室３４が設置され、反応室３４は上方に蓋部３４ａが開閉自在に設けられる。この反応室３４には、例えば内部治具交換や内部洗浄等を行うために、反応処理後に生じた処理残留物（化学汚染や異臭）を排出する必要があり、該反応室３４に処理残留物を稀釈するための例えば窒素ガスを室内に供給する供給手段としての供給バルブ３５を介在したガス供給配管３６が取り付けられる。
【００２０】
また、反応室３４の内部又は外部（蓋部３４ａも含む）の近傍に検知手段としての大気開放検知部３７が設けられる。この大気開放検知部３７は、後述のように蓋部３４ａが開放状態となったことを検出する大気開放センサと反応室３４内が大気圧になったことを検出する大気圧センサとを備える。
【００２１】
さらに、反応室３４は、上記処理残留物を排気するための排気配管である真空配管３８が取り付けられ、この真空配管３８は排気開閉部である排気バルブ３９を介在させてポンプ室３３の排気駆動部である真空ポンプ４０に連通され、該真空ポンプ４０の他方側より外部排気配管４１が取り付けられて外部と連通される。この真空ポンプ４０は例えば商用電源（５０Ｈｚ／６０Ｈｚ）で駆動されるものである。
【００２２】
一方、真空配管３８より分岐して吸引配管４２がポンプ室３３内の吸引手段（一部クリーンルーム３２内に配置）４３に連通され、該吸引手段４３の他方側より外部排気配管４１に連通される。この吸引手段４３は、大気開放検知部３７からの所定の検知信号で、適宜排気バルブ３９を閉状態とするように制御すると共に、反応室３４内の処理残留物を吸引し外部排気配管４１より外部に排出するものである。
【００２３】
このような半導体製造装置３１は、反応室３４が蓋部３４ａで密閉状態において所定の反応処理が行われ、処理後、また排気バルブ３９を閉状態とし、供給バルブ３５を開状態として該反応室３４に窒素ガスが供給される。また、供給バルブ３５を閉状態とし、排気バルブ３９を開状態として真空ポンプ４０により該反応室３４内を真空状態にすることで当該反応室３４内の窒素ガスと処理残留物とを所定量外部に排出する。これらを所定回数行って、反応室３４の蓋部３４ａが開放される。
【００２４】
蓋部３４ａの開放は大気開放検知部３７で検知（反応室３４内の気圧をも検知）することで吸引手段４３が動作して、真空配管３８、吸引配管４２を介して反応室３４内の化学汚染や異臭が吸引され、外部排気配管４１より外部に排出される。すなわち、真空配管３８、吸引配管４２で排気を行いながら反応室３４の内部治具交換や内部洗浄が行われる。この場合、立上げに時間を要する真空ポンプ４０がダウン状態（真空動作が正常に行われない状態）とならないように排気バルブ３９が閉状態とされる。
【００２５】
このように反応室３４が大気開放になったときに、化学汚染や異臭を吸引手段４３で真空配管３８から吸引配管４２を介して外部排気配管４３に吸引排気を行うことから、クリーンルーム３２内に化学汚染や異臭の発散を防止することができる。また、大気開放の準備としての窒素ガスの供給と真空ポンプ４０による真空引きの回数を減少させることができ、準備時間を短縮させることができる。また、クリーンルーム３２内に外部排気ダクトの取付工事を不要とすることができると共に、ガス漏れ警報等を作動させないようにできることから生産ラインを中断させることもなく支障を来すことがないものである。
【００２６】
次に、図２に、本発明の第１実施例の構成図を示す。図２に示す半導体製造装置３１は、図１に示す吸引手段４３を吸引開閉部である吸引バルブ５１，吸引駆動部である吸引ファン５２，及び吸引制御部５３で構成したものである。すなわち、真空配管５１より分岐する吸引配管４２に吸引バルブ５１を介在させて吸引ファン５２に連通させ、該吸引ファン５２の他方側を外部排気配管４１に連通させる。また、吸引制御部５３は、大気開放検知部３７からの検知信号に基づいて吸引ファン５２を駆動制御すると共に、吸引バルブ５１及び排気バルブ３９の開閉を制御する。他の構成は、図１と同様であり、説明を省略する。
【００２７】
なお、反応室３４における蓋部３４ａが閉塞状態のときに、窒素ガス供給のための供給バルブ３５の開閉制御、及び真空引きの排気バルブ３９の開閉制御は、別の図示しない制御部により行われるものである。
ここで、図３に、図２の大気開放検知部及び吸引制御部の回路図を示す。図３において、大気開放検知部３７は、大気開放センサ６１と大気圧センサ６２とで構成されるもので、他の回路構成は吸引制御部５３を構成する。大気開放センサ６１は、発光ダイオードＬＥＤとフォトトランジスタＰＴで構成されて、発光ダイオードのアノードが抵抗Ｒ１を介して電源電圧Ｖｄに接続され、カソードが接地される。また、フォトトランジスタＰＴのコレクタは抵抗Ｒ２を介して電源電圧Ｖｃに接続されると共に、インバータ回路ＩＮＶ１の入力端に接続され、エミッタは接地される。
【００２８】
一方、大気圧センサ６２は例えばスイッチング動作をするものとして、大気圧を検知したときに導通状態となる。この大気圧センサ６２の一方の端子は接地され、他方の端子は抵抗Ｒ３を介して電源電圧Ｖｃに接続されると共に、インバータ回路ＩＮＶ２の入力端に接続される。
【００２９】
上記２つのインバータ回路ＩＮＶ１，ＩＮＶ２のそれぞれの出力端は２入力のアンドゲート回路ＡＮＤ１の２つの入力端にそれぞれ接続され、該アンドゲート回路ＡＮＤ１の出力端は制御信号として吸引バルブ５１及び吸引ファン５２に出力されるように接続される。なお、アンドゲート回路ＡＮＤ１の出力は、後述のインバータ制御部又は絞り弁の制御信号として接続されるものである。
【００３０】
また、アンドゲート回路ＡＮＤ１の出力端は、インバータ回路ＩＮＶ３の入力端に接続され、該インバータ回路ＩＮＶ３の出力端は２入力のアンドゲート回路ＡＮＤ２の一方の入力端に接続される。該アンドゲート回路ＡＮＤ２の他方の入力端には、上述の図示しない制御部からの排気バルブ３９の開／閉信号が入力されるように接続される。そして、アンドゲート回路ＡＮＤ２の出力端は、制御信号として排気バルブ３９に出力されるように接続されるものである。
【００３１】
上記のような回路において、反応室３４が蓋部３４ａで閉塞状態のときには、大気開放センサ６１の発光ダイオードＬＥＤからの光は遮ぎられてフォトトランジスタＰＴでは受光されず、インバータ回路ＩＮＶ１の出力は「Ｌ」となる。この場合、供給バルブ３５が開状態とされ、反応室３４内に窒素ガスが供給されて大気圧となり、大気圧センサ６２が検知してインバータ回路ＩＮＶ２の出力が「Ｈ」となってもアンドゲート回路ＡＮＤ１の出力が「Ｌ」であり、吸引バルブ５１及び吸引ファン５２には駆動の制御信号は出力されない。
【００３２】
また、アンドゲート回路ＡＮＤ１の出力が「Ｌ」であるから、インバータ回路ＩＮＶ３の出力は「Ｈ」となる。従って、アンドゲート回路ＡＮＤ２に入力される排気バルブ３９の開／閉信号に応じてアンドゲート回路ＡＮＤ２からは排気バルブ３９に開／閉の制御信号が出力される。
【００３３】
一方、反応室３４の蓋部３４ａが開放されると、大気開放センサ６１の発光ダイオードＬＥＤの光がフォトトランジスタＰＴのベースをバイアスしてオン状態となることでインバータ回路ＩＮＶ１の出力が「Ｈ」となる。また、蓋部３４ａの開放によって反応室３４が大気圧になると、大気圧センサ６２がオン状態となってインバータ回路ＩＮＶ２の出力が「Ｈ」となる。従って、アンドゲート回路ＡＮＤ１の出力が「Ｈ」となって、吸引バルブ５１を開放状態とし、吸引ファン５２を駆動するように制御信号を出力する。
【００３４】
これにより、反応室３４内の化学汚染や異臭がクリーンルーム３２に発散することなく、外部排気配管４１より排出されるものである。
この場合、アンドゲート回路ＡＮＤ１の出力が「Ｈ」であることからインバータ回路ＩＮＶ３の出力は「Ｌ」であり、アンドゲート回路ＡＮＤ２の出力は、入力される排気バルブ３９の開／閉の信号に拘らず、「Ｌ」となって排気バルブ３９を閉状態とするものである。
【００３５】
そこで、図４に、反応室内の圧力状態の説明図を示す。また、図５に、反応室内の圧力状態における動作タイミングチャートを示す。図４及び図５は反応室の圧力状態が遷移するシーケンス（Ｓ１〜Ｓ７）を示したもので、図４及び図５のＳ１においては、排気バルブ３９が開状態（図５（Ｂ））のときに真空ポンプ４０により反応室３４は真空状態である。この状態から排気バルブ３９を閉状態とすると共に（図５（Ｂ））、供給バルブ３５を開状態として窒素ガスを供給すると、反応室３４内は徐々に気圧が上昇し（Ｓ２，図５（Ａ））、大気圧まで上昇して維持状態となる（Ｓ３）。この状態では、図３に示す大気圧センサ６２はオン状態となる（図５（Ｄ））。
【００３６】
このとき、反応室３４の蓋部３４ａを開放状態にすると、図３に示す大気開放センサ６１がオン状態となる（Ｓ４，図５（Ｃ））。そして、吸引バルブ５１を開状態（図５（Ｅ））として吸引ファン５２を駆動させることにより吸引動作が行われる（Ｓ４，図５（Ｆ））。すなわち、反応室３４内の化学汚染や異臭がクリーンルーム３２内には発散せず外部排気配管４１より窒素ガスと共に排出されるもので、この状態で反応室３４の内部治具交換や内部洗浄が行われる。
【００３７】
続いて、反応室３４の内部治具交換等が終了すると、蓋部３４ａが閉状態とされ、大気開放センサ６１はオフ状態となる（Ｓ５，図５（Ｃ））。この状態では、反応室３４内は大気圧状態であり、大気圧センサ６２はオン状態のままである（図５（Ｄ））。そして、排気バルブ３９を閉状態とすることで真空ポンプ４０による反応室３４内の真空引きが開始される（Ｓ６）。このときに大気圧センサ６２がオフ状態となる（図５（Ｄ））。反応室３４内が真空状態となっても、排気バルブ３９が開状態を維持して真空ポンプ４０により該反応室３４の真空状態を維持するものである。
【００３８】
なお、大気開放センサ６１は、透過型又は反射型の光センサを用いた場合を図３に示しており、蓋部３４ａに遮蔽板を設けることで何れの型の光センサの使用を適宜可能とすることができる。また、大気開放時に吸引動作を一時的に停止したい場合には、大気開放センサ６１の発光ダイオードＬＥＤの電源電圧Ｖｄを一時的に遮断する手動スイッチを設けてもよい。さらに、吸引配管４２の何れかの部分にフィルタ等を設けてもよく、これによる異物混入を防止することができる。これらのことは、以下の実施例においても同様である。
【００３９】
次に、図６に、本発明の第２実施例の構成図を示す。図６に示す半導体製造装置３１は、図２に示す吸引配管４２を、真空配管３８における排気バルブ３９の入力側と出力側にバイパスするように連通させたもので、真空ポンプ４０を商用電源ではなく、吸引制御部５３で駆動制御されるインバータ制御部５４により駆動する構成として吸引ファン５２の機能を真空ポンプ４０で兼用させたものである。すなわち、吸引手段４３を、吸引配管４２、吸引バルブ５１、吸引制御部５３、インバータ制御部５４、及び真空ポンプ４０（排気手段と兼用）で構成したものである。なお、他の構成は図２と同様であり、説明を省略する。
【００４０】
上記真空ポンプ４０は、例えば誘導電動機を駆動源としたものを用いるものとして、これを商用電源（５０Ｈｚ／６０Ｈｚ）で駆動することで真空引きを行うが、反応室３４が大気開放時には真空引きも吸引をも行うことができない。そこで、インバータ制御部５４が真空ポンプ４０に対して、真空引きのときには商用電源と同じ周波数の電源を供給し、吸引の場合には商用電源周波数より小さい周波数（例えば２０〜３０Ｈｚ）の電源を供給することで回転数を減少させて吸引ファンの代用をさせるものである。この場合、インバータ制御部５４には、吸引制御部５３により大気開放検知部３７の検知に応じて周波数指示等の制御が行われる。
【００４１】
これにより、図２と同様の作用、効果を得ることができると共に、吸引ファンが不要となってコスト低減を図ることができるものである。
なお、吸引配管４２の径は、真空配管３８の径の例えば半分とすることで真空ポンプ４０における吸引動作の負荷を軽減させているが、真空配管３８の径を真空引きと吸引との同時にできる範囲に設定することで、吸引バルブ５１及び吸引配管４２を省くことができる。この場合、排気バルブ３９の吸引バルブ５１を機能的に兼用させるものである。
【００４２】
次に、図７に、本発明の第３実施例の構成図を示す。図７に示す半導体製造装置３１は、図６に示す吸引配管４２中に流路絞り部としての絞り弁５５を設け、インバータ制御部５４を省略したもので、他の構成は図６と同様である。上記絞り弁５５は例えば可変オリフィス等であり、吸引制御部５３によって反応室３４の大気開放時に駆動される。
【００４３】
この場合、真空ポンプ４０は商用電源（５０Ｈｚ／６０Ｈｚ）で駆動されるものであるが、反応室３４の大気開放時には絞り弁５５で該真空ポンプの負荷を軽減して、上述の吸引ファンと同様の吸引を行わせることができるものである。
これにより、図２と同様の作用、効果を得ることができると共に、吸引ファンやインバータ制御部が不要となってコスト低減を図ることができるものである。
【００４４】
【発明の効果】
以上のように請求項１乃至３の発明によれば、蓋部を有する反応室に所定ガスを供給手段により供給し、内部ガスを排気手段の例えば排気開閉部と排気駆動部で排出するものであって、蓋部の開放と内部圧力を検知手段で検知し、開放検圧、圧力検知に応じて吸引手段が反応室内のガスを排気手段側から吸引、排出することにより、反応室の大気開放による反応室の内部ガスを吸引手段より排気することから、大気開放の準備時間の短縮が図られ、外部の汚染を防止することができる。
【００４５】
請求項４の発明によれば、吸引手段が、排気配管より分岐する吸引配管に吸引開閉部及び吸引駆動部を有し、吸引制御部で検知手段の検知で排気手段を停止させると共に吸引開閉部を開として吸引駆動部を駆動させることにより、反応室の大気開放時の汚染防止を実現することができる。
【００４６】
請求項５の発明によれば、吸引手段が、排気手段の排気駆動部を排気動作、吸引動作を行わせる駆動制御部を有し、吸引制御部で検知手段の検知に応じて駆動制御部を排気動作又は吸引動作によって制御することにより、反応室の大気開放時の汚染防止を実現することができる。
【００４７】
請求項６の発明によれば、吸引手段が吸引開閉部と吸引制御部と流路絞り部とを有し、反応室の大気開放の検出で吸引制御部が吸引開閉部と流路絞り部との経路で排気手段の排気駆動部で吸引、排出を行わせることにより、反応室の大気開放時の汚染防止を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施例の原理図である。
【図２】本発明の第１実施例の構成図である。
【図３】図２の大気開放検知部及び吸引制御部の回路図である。
【図４】反応室内の圧力状態の説明図である。
【図５】反応室内の圧力状態における動作タイミングチャートである。
【図６】本発明の第２実施例の構成図である。
【図７】本発明の第３実施例の構成図である。
【図８】従来の半導体製造における反応工程で使用される製造装置の構成図である。
【符号の説明】
３１ 半導体製造装置
３２ クリーンルーム
３３ ポンプ室
３４ 反応室
３４ａ 蓋部
３５ 供給バルブ
３７ 大気開放検知部
３８ 真空配管
３９ 排気バルブ
４０ 真空ポンプ
４１ 外部排気配管
４２ 吸引配管
４３ 吸引手段
５１ 吸引バルブ
５２ 吸引ファン
５３ 吸引制御部
５４ インバータ制御部
５５ 絞り弁
６１ 大気開放センサ
６２ 大気圧センサ
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体製造における反応工程で使用される半導体製造装置に関する。
近年、半導体装置の製造にあたって、微細パターン化が進んできて、一般的に高分解能で寸法及び形状の制御性のよい半導体製造装置が用いられてきている。特に、クリーンルーム内に設置されるエッチング装置、ＣＶＤ装置、イオン注入（ＩＣ）装置等の半導体製造装置では、反応室を大気開放状態にして化学汚染や異臭を除去し、反応室の内部治具交換、反応室の内部洗浄を定期的に行っている。そのため、反応室の大気開放時における該反応室によるクリーンルーム内の汚染等を防止する必要がある。
【０００２】
【従来の技術】
図８に、従来の半導体製造における反応工程で使用される製造装置の構成図を示す。図８において、クリーンルーム１１内に反応室１２が設置されると共に、ガス漏れ警報機１３が設置される。また、クリーンルーム１１の室外と室内を結ぶ外部排気ダクト１４が蛇腹等で移動自在に設置される。
【０００３】
反応室１２は、上部が蓋部１２ａによって開放自在であり、反応工程後に大気開放の準備を行うために、窒素ガスを供給するための供給バルブ１５を備えるガス供給パイプ１６が接続される。また、反応室１２内のガスを上記窒素ガスにより稀釈して排出するための、排気バルブ１７を備える真空配管１８が接続される。なお、図示しないが反応室１２内には室内の気圧を監視する気圧センサが設けられる。
【０００４】
一方、上記真空配管１８は、ポンプ室２１に延出されて商用電源で駆動する真空ポンプ２２に接続され、また該真空ポンプ２２に外部排気を行う排気パイプ２３が接続されたものである。
上記のような構成で、通常反応室１２は、供給バルブ１５が閉状態であり、排気バルブ１７が開状態であって、真空ポンプ２２が動作維持することで、いわゆる真空引きの状態で真空状態が保たれる。また、排気バルブ１７が閉状態であり、供給バルブ１５が開状態のときに窒素の供給が行われる。このとき、反応室１２の内部圧力が気圧センサで監視されており、内部圧力が大気圧になったときに供給バルブ１５が閉状態にされるもので、該反応室１２は大気圧状態となる。
【０００５】
上記真空引きと窒素供給とを数回繰り返した後に反応室１２の蓋部１２ａを開放することで大気開放となる。そして、外部排気ダクト１４を反応室に近づけて化学汚染や異臭を吸引しながら、当該反応室１２の内部治具交換や内部洗浄を行うものである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、反応室１２を大気開放する場合に、上記真空引きと窒素供給とを繰り返して化学汚染や異臭を軽減する方法は、充分なガス供給時間と真空引き時間を必要とし、しかもこれらを数回繰り返すことから、異臭を軽減するには多大な準備時間を費やす必要があるという問題がある。
【０００７】
また、化学汚染や異臭を吸引する外部排気ダクト１４を、その吸気口を反応室１２の近傍に取り付け、その排気口を外部に連通させるためのダクト工事をクリーンルーム１１に行わなければならない。
さらに、反応室１２の真空引きと窒素供給を繰り返し行っても反応室１２からクリーンルーム１１への化学汚染や異臭の発散が軽減するに止まり、完全に防止することができないもので、場合によってはガス漏れ警報機１３が感知し、その原因究明等で生産工程を中断しなければならない事態を生じるという問題がある。
【０００８】
そこで、本発明は上記課題に鑑みなされたもので、反応室の大気開放時における汚染防止を図る半導体製造装置を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、請求項１では、開放自在の蓋部を備えて半導体製造における所定の反応処理を行うための反応室を有し、該反応室に所定ガスを供給する供給手段、及び該ガスと共に該反応室内のガスを排出する排気手段を有する半導体製造装置において、前記反応室の蓋部の開放を検知する検知手段と、該検知手段による開放検知により前記反応室に取り付けられた配管を通して該反応室内のガスを吸引して外部に排出する吸引手段と、を有して半導体製造装置が構成される。
【００１０】
請求項２では、請求項１記載の半導体製造装置において、前記排気手段は、前記反応室と排気口を結ぶ排気配管に介在される排気駆動部と、前記吸引手段で開閉制御される排気開閉部とを有し、該吸引手段の動作時に少なくとも該排気開閉部が閉状態にされてなる。請求項３では、請求項１記載の半導体製造装置において、前記検知手段は、前記反応室の蓋部の開放を検知すると共に、該蓋部開放による反応室内の圧力を検知してなる。
【００１１】
請求項４では、請求項１〜３の何れか一項に記載の半導体製造装置において、前記吸引手段は、前記配管に設けられる吸引開閉部と、前記反応室より内部ガスを吸引する吸引駆動部と、前記検知手段からの検知に応じて該排気手段の排気を停止させると共に、該吸引開閉部を開状態として該吸引駆動部を駆動させる吸引制御部と、を有する。
【００１２】
請求項５では、請求項２記載の半導体製造装置において、前記吸引手段は、前記排気手段の排気を行う前記排気駆動部を、排気時に排気動作させ、また前記反応室の蓋部開放時に吸引動作させる駆動制御部と、前記検知手段からの検知に応じて該駆動制御部を該排気駆動部の排気動作又は吸引動作の制御を行わせるべく制御する吸引制御部と、を有する。
【００１３】
請求項６では、請求項４記載の半導体製造装置において、前記吸引手段は、前記配管より分岐して前記排気手段の排気を行う前記排気駆動部に連通する吸引配管に設けられる吸引開閉部と、前記検知手段からの検知に応じて該吸引開閉部を開状態として該吸引駆動部を駆動させる吸引制御部と、該吸引配管に設けられるものであって、前記反応室の蓋部の開放時に該排気駆動部を駆動可能状態とする流路絞り部と、を有する。
【００１４】
上述のように請求項１乃至３の発明では、蓋部を有する反応室に所定ガスを供給手段により供給し、内部ガスを排気手段の例えば排気開閉部と排気駆動部で排出するものであって、蓋部の開放と内部圧力を検知手段で検知し、開放検圧、圧力検知に応じて吸引手段が反応室内のガスを排気手段側から吸引、排出する。これにより、反応室の大気開放による反応室の内部ガスを吸引手段より排気することから、大気開放の準備時間の短縮が図られ、外部の汚染を防止することが可能となる。
【００１５】
請求項４の発明では、吸引手段が、排気配管より分岐する吸引配管に吸引開閉部及び吸引駆動部を有し、吸引制御部で検知手段の検知で排気手段を停止させると共に吸引開閉部を開として吸引駆動部を駆動させる。これにより、反応室の大気開放時の汚染防止を実現することが可能となる。
【００１６】
請求項５の発明では、吸引手段が、排気手段の排気駆動部を排気動作、吸引動作を行わせる駆動制御部を有し、吸引制御部で検知手段の検知に応じて駆動制御部を排気動作又は吸引動作によって制御する。これにより、反応室の大気開放時の汚染防止を実現することが可能となる。
【００１７】
請求項６の発明では、吸引手段が吸引開閉部と吸引制御部と流路絞り部とを有し、反応室の大気開放の検出で吸引制御部が吸引開閉部と流路絞り部との経路で排気手段の排気駆動部で吸引、排出を行わせる。これにより、反応室の大気開放時の汚染防止を実現することが可能となる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
図１に、本発明の第１実施例の原理図を示す。図１は、半導体製造における例えばエッチング、ＣＶＤ（ケミカル気相成長）、ＩＩ（イオン注入）等の反応処理に使用される半導体製造装置３１の原理図を示したもので、クリーンルーム３２内での設備とポンプ室３３内での設備で構成される。
【００１９】
クリーンルーム３２内には、反応処理が行われる反応室３４が設置され、反応室３４は上方に蓋部３４ａが開閉自在に設けられる。この反応室３４には、例えば内部治具交換や内部洗浄等を行うために、反応処理後に生じた処理残留物（化学汚染や異臭）を排出する必要があり、該反応室３４に処理残留物を稀釈するための例えば窒素ガスを室内に供給する供給手段としての供給バルブ３５を介在したガス供給配管３６が取り付けられる。
【００２０】
また、反応室３４の内部又は外部（蓋部３４ａも含む）の近傍に検知手段としての大気開放検知部３７が設けられる。この大気開放検知部３７は、後述のように蓋部３４ａが開放状態となったことを検出する大気開放センサと反応室３４内が大気圧になったことを検出する大気圧センサとを備える。
【００２１】
さらに、反応室３４は、上記処理残留物を排気するための排気配管である真空配管３８が取り付けられ、この真空配管３８は排気開閉部である排気バルブ３９を介在させてポンプ室３３の排気駆動部である真空ポンプ４０に連通され、該真空ポンプ４０の他方側より外部排気配管４１が取り付けられて外部と連通される。この真空ポンプ４０は例えば商用電源（５０Ｈｚ／６０Ｈｚ）で駆動されるものである。
【００２２】
一方、真空配管３８より分岐して吸引配管４２がポンプ室３３内の吸引手段（一部クリーンルーム３２内に配置）４３に連通され、該吸引手段４３の他方側より外部排気配管４１に連通される。この吸引手段４３は、大気開放検知部３７からの所定の検知信号で、適宜排気バルブ３９を閉状態とするように制御すると共に、反応室３４内の処理残留物を吸引し外部排気配管４１より外部に排出するものである。
【００２３】
このような半導体製造装置３１は、反応室３４が蓋部３４ａで密閉状態において所定の反応処理が行われ、処理後、また排気バルブ３９を閉状態とし、供給バルブ３５を開状態として該反応室３４に窒素ガスが供給される。また、供給バルブ３５を閉状態とし、排気バルブ３９を開状態として真空ポンプ４０により該反応室３４内を真空状態にすることで当該反応室３４内の窒素ガスと処理残留物とを所定量外部に排出する。これらを所定回数行って、反応室３４の蓋部３４ａが開放される。
【００２４】
蓋部３４ａの開放は大気開放検知部３７で検知（反応室３４内の気圧をも検知）することで吸引手段４３が動作して、真空配管３８、吸引配管４２を介して反応室３４内の化学汚染や異臭が吸引され、外部排気配管４１より外部に排出される。すなわち、真空配管３８、吸引配管４２で排気を行いながら反応室３４の内部治具交換や内部洗浄が行われる。この場合、立上げに時間を要する真空ポンプ４０がダウン状態（真空動作が正常に行われない状態）とならないように排気バルブ３９が閉状態とされる。
【００２５】
このように反応室３４が大気開放になったときに、化学汚染や異臭を吸引手段４３で真空配管３８から吸引配管４２を介して外部排気配管４３に吸引排気を行うことから、クリーンルーム３２内に化学汚染や異臭の発散を防止することができる。また、大気開放の準備としての窒素ガスの供給と真空ポンプ４０による真空引きの回数を減少させることができ、準備時間を短縮させることができる。また、クリーンルーム３２内に外部排気ダクトの取付工事を不要とすることができると共に、ガス漏れ警報等を作動させないようにできることから生産ラインを中断させることもなく支障を来すことがないものである。
【００２６】
次に、図２に、本発明の第１実施例の構成図を示す。図２に示す半導体製造装置３１は、図１に示す吸引手段４３を吸引開閉部である吸引バルブ５１，吸引駆動部である吸引ファン５２，及び吸引制御部５３で構成したものである。すなわち、真空配管５１より分岐する吸引配管４２に吸引バルブ５１を介在させて吸引ファン５２に連通させ、該吸引ファン５２の他方側を外部排気配管４１に連通させる。また、吸引制御部５３は、大気開放検知部３７からの検知信号に基づいて吸引ファン５２を駆動制御すると共に、吸引バルブ５１及び排気バルブ３９の開閉を制御する。他の構成は、図１と同様であり、説明を省略する。
【００２７】
なお、反応室３４における蓋部３４ａが閉塞状態のときに、窒素ガス供給のための供給バルブ３５の開閉制御、及び真空引きの排気バルブ３９の開閉制御は、別の図示しない制御部により行われるものである。
ここで、図３に、図２の大気開放検知部及び吸引制御部の回路図を示す。図３において、大気開放検知部３７は、大気開放センサ６１と大気圧センサ６２とで構成されるもので、他の回路構成は吸引制御部５３を構成する。大気開放センサ６１は、発光ダイオードＬＥＤとフォトトランジスタＰＴで構成されて、発光ダイオードのアノードが抵抗Ｒ１を介して電源電圧Ｖｄに接続され、カソードが接地される。また、フォトトランジスタＰＴのコレクタは抵抗Ｒ２を介して電源電圧Ｖｃに接続されると共に、インバータ回路ＩＮＶ１の入力端に接続され、エミッタは接地される。
【００２８】
一方、大気圧センサ６２は例えばスイッチング動作をするものとして、大気圧を検知したときに導通状態となる。この大気圧センサ６２の一方の端子は接地され、他方の端子は抵抗Ｒ３を介して電源電圧Ｖｃに接続されると共に、インバータ回路ＩＮＶ２の入力端に接続される。
【００２９】
上記２つのインバータ回路ＩＮＶ１，ＩＮＶ２のそれぞれの出力端は２入力のアンドゲート回路ＡＮＤ１の２つの入力端にそれぞれ接続され、該アンドゲート回路ＡＮＤ１の出力端は制御信号として吸引バルブ５１及び吸引ファン５２に出力されるように接続される。なお、アンドゲート回路ＡＮＤ１の出力は、後述のインバータ制御部又は絞り弁の制御信号として接続されるものである。
【００３０】
また、アンドゲート回路ＡＮＤ１の出力端は、インバータ回路ＩＮＶ３の入力端に接続され、該インバータ回路ＩＮＶ３の出力端は２入力のアンドゲート回路ＡＮＤ２の一方の入力端に接続される。該アンドゲート回路ＡＮＤ２の他方の入力端には、上述の図示しない制御部からの排気バルブ３９の開／閉信号が入力されるように接続される。そして、アンドゲート回路ＡＮＤ２の出力端は、制御信号として排気バルブ３９に出力されるように接続されるものである。
【００３１】
上記のような回路において、反応室３４が蓋部３４ａで閉塞状態のときには、大気開放センサ６１の発光ダイオードＬＥＤからの光は遮ぎられてフォトトランジスタＰＴでは受光されず、インバータ回路ＩＮＶ１の出力は「Ｌ」となる。この場合、供給バルブ３５が開状態とされ、反応室３４内に窒素ガスが供給されて大気圧となり、大気圧センサ６２が検知してインバータ回路ＩＮＶ２の出力が「Ｈ」となってもアンドゲート回路ＡＮＤ１の出力が「Ｌ」であり、吸引バルブ５１及び吸引ファン５２には駆動の制御信号は出力されない。
【００３２】
また、アンドゲート回路ＡＮＤ１の出力が「Ｌ」であるから、インバータ回路ＩＮＶ３の出力は「Ｈ」となる。従って、アンドゲート回路ＡＮＤ２に入力される排気バルブ３９の開／閉信号に応じてアンドゲート回路ＡＮＤ２からは排気バルブ３９に開／閉の制御信号が出力される。
【００３３】
一方、反応室３４の蓋部３４ａが開放されると、大気開放センサ６１の発光ダイオードＬＥＤの光がフォトトランジスタＰＴのベースをバイアスしてオン状態となることでインバータ回路ＩＮＶ１の出力が「Ｈ」となる。また、蓋部３４ａの開放によって反応室３４が大気圧になると、大気圧センサ６２がオン状態となってインバータ回路ＩＮＶ２の出力が「Ｈ」となる。従って、アンドゲート回路ＡＮＤ１の出力が「Ｈ」となって、吸引バルブ５１を開放状態とし、吸引ファン５２を駆動するように制御信号を出力する。
【００３４】
これにより、反応室３４内の化学汚染や異臭がクリーンルーム３２に発散することなく、外部排気配管４１より排出されるものである。
この場合、アンドゲート回路ＡＮＤ１の出力が「Ｈ」であることからインバータ回路ＩＮＶ３の出力は「Ｌ」であり、アンドゲート回路ＡＮＤ２の出力は、入力される排気バルブ３９の開／閉の信号に拘らず、「Ｌ」となって排気バルブ３９を閉状態とするものである。
【００３５】
そこで、図４に、反応室内の圧力状態の説明図を示す。また、図５に、反応室内の圧力状態における動作タイミングチャートを示す。図４及び図５は反応室の圧力状態が遷移するシーケンス（Ｓ１〜Ｓ７）を示したもので、図４及び図５のＳ１においては、排気バルブ３９が開状態（図５（Ｂ））のときに真空ポンプ４０により反応室３４は真空状態である。この状態から排気バルブ３９を閉状態とすると共に（図５（Ｂ））、供給バルブ３５を開状態として窒素ガスを供給すると、反応室３４内は徐々に気圧が上昇し（Ｓ２，図５（Ａ））、大気圧まで上昇して維持状態となる（Ｓ３）。この状態では、図３に示す大気圧センサ６２はオン状態となる（図５（Ｄ））。
【００３６】
このとき、反応室３４の蓋部３４ａを開放状態にすると、図３に示す大気開放センサ６１がオン状態となる（Ｓ４，図５（Ｃ））。そして、吸引バルブ５１を開状態（図５（Ｅ））として吸引ファン５２を駆動させることにより吸引動作が行われる（Ｓ４，図５（Ｆ））。すなわち、反応室３４内の化学汚染や異臭がクリーンルーム３２内には発散せず外部排気配管４１より窒素ガスと共に排出されるもので、この状態で反応室３４の内部治具交換や内部洗浄が行われる。
【００３７】
続いて、反応室３４の内部治具交換等が終了すると、蓋部３４ａが閉状態とされ、大気開放センサ６１はオフ状態となる（Ｓ５，図５（Ｃ））。この状態では、反応室３４内は大気圧状態であり、大気圧センサ６２はオン状態のままである（図５（Ｄ））。そして、排気バルブ３９を閉状態とすることで真空ポンプ４０による反応室３４内の真空引きが開始される（Ｓ６）。このときに大気圧センサ６２がオフ状態となる（図５（Ｄ））。反応室３４内が真空状態となっても、排気バルブ３９が開状態を維持して真空ポンプ４０により該反応室３４の真空状態を維持するものである。
【００３８】
なお、大気開放センサ６１は、透過型又は反射型の光センサを用いた場合を図３に示しており、蓋部３４ａに遮蔽板を設けることで何れの型の光センサの使用を適宜可能とすることができる。また、大気開放時に吸引動作を一時的に停止したい場合には、大気開放センサ６１の発光ダイオードＬＥＤの電源電圧Ｖｄを一時的に遮断する手動スイッチを設けてもよい。さらに、吸引配管４２の何れかの部分にフィルタ等を設けてもよく、これによる異物混入を防止することができる。これらのことは、以下の実施例においても同様である。
【００３９】
次に、図６に、本発明の第２実施例の構成図を示す。図６に示す半導体製造装置３１は、図２に示す吸引配管４２を、真空配管３８における排気バルブ３９の入力側と出力側にバイパスするように連通させたもので、真空ポンプ４０を商用電源ではなく、吸引制御部５３で駆動制御されるインバータ制御部５４により駆動する構成として吸引ファン５２の機能を真空ポンプ４０で兼用させたものである。すなわち、吸引手段４３を、吸引配管４２、吸引バルブ５１、吸引制御部５３、インバータ制御部５４、及び真空ポンプ４０（排気手段と兼用）で構成したものである。なお、他の構成は図２と同様であり、説明を省略する。
【００４０】
上記真空ポンプ４０は、例えば誘導電動機を駆動源としたものを用いるものとして、これを商用電源（５０Ｈｚ／６０Ｈｚ）で駆動することで真空引きを行うが、反応室３４が大気開放時には真空引きも吸引をも行うことができない。そこで、インバータ制御部５４が真空ポンプ４０に対して、真空引きのときには商用電源と同じ周波数の電源を供給し、吸引の場合には商用電源周波数より小さい周波数（例えば２０〜３０Ｈｚ）の電源を供給することで回転数を減少させて吸引ファンの代用をさせるものである。この場合、インバータ制御部５４には、吸引制御部５３により大気開放検知部３７の検知に応じて周波数指示等の制御が行われる。
【００４１】
これにより、図２と同様の作用、効果を得ることができると共に、吸引ファンが不要となってコスト低減を図ることができるものである。
なお、吸引配管４２の径は、真空配管３８の径の例えば半分とすることで真空ポンプ４０における吸引動作の負荷を軽減させているが、真空配管３８の径を真空引きと吸引との同時にできる範囲に設定することで、吸引バルブ５１及び吸引配管４２を省くことができる。この場合、排気バルブ３９の吸引バルブ５１を機能的に兼用させるものである。
【００４２】
次に、図７に、本発明の第３実施例の構成図を示す。図７に示す半導体製造装置３１は、図６に示す吸引配管４２中に流路絞り部としての絞り弁５５を設け、インバータ制御部５４を省略したもので、他の構成は図６と同様である。上記絞り弁５５は例えば可変オリフィス等であり、吸引制御部５３によって反応室３４の大気開放時に駆動される。
【００４３】
この場合、真空ポンプ４０は商用電源（５０Ｈｚ／６０Ｈｚ）で駆動されるものであるが、反応室３４の大気開放時には絞り弁５５で該真空ポンプの負荷を軽減して、上述の吸引ファンと同様の吸引を行わせることができるものである。
これにより、図２と同様の作用、効果を得ることができると共に、吸引ファンやインバータ制御部が不要となってコスト低減を図ることができるものである。
【００４４】
【発明の効果】
以上のように請求項１乃至３の発明によれば、蓋部を有する反応室に所定ガスを供給手段により供給し、内部ガスを排気手段の例えば排気開閉部と排気駆動部で排出するものであって、蓋部の開放と内部圧力を検知手段で検知し、開放検圧、圧力検知に応じて吸引手段が反応室内のガスを排気手段側から吸引、排出することにより、反応室の大気開放による反応室の内部ガスを吸引手段より排気することから、大気開放の準備時間の短縮が図られ、外部の汚染を防止することができる。
【００４５】
請求項４の発明によれば、吸引手段が、排気配管より分岐する吸引配管に吸引開閉部及び吸引駆動部を有し、吸引制御部で検知手段の検知で排気手段を停止させると共に吸引開閉部を開として吸引駆動部を駆動させることにより、反応室の大気開放時の汚染防止を実現することができる。
【００４６】
請求項５の発明によれば、吸引手段が、排気手段の排気駆動部を排気動作、吸引動作を行わせる駆動制御部を有し、吸引制御部で検知手段の検知に応じて駆動制御部を排気動作又は吸引動作によって制御することにより、反応室の大気開放時の汚染防止を実現することができる。
【００４７】
請求項６の発明によれば、吸引手段が吸引開閉部と吸引制御部と流路絞り部とを有し、反応室の大気開放の検出で吸引制御部が吸引開閉部と流路絞り部との経路で排気手段の排気駆動部で吸引、排出を行わせることにより、反応室の大気開放時の汚染防止を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施例の原理図である。
【図２】本発明の第１実施例の構成図である。
【図３】図２の大気開放検知部及び吸引制御部の回路図である。
【図４】反応室内の圧力状態の説明図である。
【図５】反応室内の圧力状態における動作タイミングチャートである。
【図６】本発明の第２実施例の構成図である。
【図７】本発明の第３実施例の構成図である。
【図８】従来の半導体製造における反応工程で使用される製造装置の構成図である。
【符号の説明】
３１ 半導体製造装置
３２ クリーンルーム
３３ ポンプ室
３４ 反応室
３４ａ 蓋部
３５ 供給バルブ
３７ 大気開放検知部
３８ 真空配管
３９ 排気バルブ
４０ 真空ポンプ
４１ 外部排気配管
４２ 吸引配管
４３ 吸引手段
５１ 吸引バルブ
５２ 吸引ファン
５３ 吸引制御部
５４ インバータ制御部
５５ 絞り弁
６１ 大気開放センサ
６２ 大気圧センサ
Claims (6)
- 開放自在の蓋部を備えて半導体製造における所定の反応処理を行うための反応室を有し、該反応室に所定ガスを供給する供給手段、及び該ガスと共に該反応室内のガスを排出する排気手段を有する半導体製造装置において、
前記反応室の蓋部の開放を検知する検知手段と、
該検知手段による開放検知により前記反応室に取り付けられた配管を通して該反応室内のガスを吸引して外部に排出する吸引手段と、
を有することを特徴とする半導体製造装置。 - 請求項１記載の半導体製造装置において、
前記排気手段は、前記配管と排気口を結ぶ排気配管に介在される排気駆動部と、前記吸引手段で開閉制御される排気開閉部とを有し、該吸引手段の動作時に少なくとも該排気開閉部が閉状態にされてなることを特徴とする半導体製造装置。 - 請求項１記載の半導体製造装置において、
前記検知手段は、前記反応室の蓋部の開放を検知すると共に、該蓋部開放による反応室内の圧力を検知してなることを特徴とする半導体製造装置。 - 請求項１〜３の何れか一項に記載の半導体製造装置において、
前記吸引手段は、前記配管に設けられる吸引開閉部と、
前記反応室より内部ガスを吸引する吸引駆動部と、
前記検知手段からの検知に応じて該排気手段の排気を停止させると共に、該吸引開閉部を開状態として該吸引駆動部を駆動させる吸引制御部と、
を有することを特徴とする半導体製造装置。 - 請求項２記載の半導体製造装置において、
前記吸引手段は、前記排気手段の排気を行う前記排気駆動部を、排気時に排気動作させ、また前記反応室の蓋部開放時に吸引動作させる駆動制御部と、
前記検知手段からの検知に応じて該駆動制御部を該排気駆動部の排気動作又は吸引動作の制御を行わせるべく制御する吸引制御部と、
を有することを特徴とする半導体製造装置。 - 請求項４記載の半導体製造装置において、
前記吸引手段は、前記配管より分岐して前記排気手段の排気を行う前記排気駆動部に連通する吸引配管に設けられる吸引開閉部と、
前記検知手段からの検知に応じて該吸引開閉部を開状態として該吸引駆動部を駆動させる吸引制御部と、
該吸引配管に設けられるものであって、前記反応室の蓋部の開放時に該排気駆動部を駆動可能状態とする流路絞り部と、
を有することを特徴とする半導体製造装置。
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