JP2002217256A - 半導体装置の検査装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体装置の検査装置において、被検査半
導体装置、例えば固体撮像装置が形成された半導体ウェ
ハ１を汚染されないように検査できるようにする。 【解決手段】被検査半導体装置である半導体ウェハ１
を、ステージ２にてその表面を下向きにして下側にて保
持できるようにし、該半導体ウェハ１に光を投射する光
源４、レンズ５等の光学系及び検査用プローブ３をステ
ージ２の下側に配置して検査をするようにしてなる。更
に、ステージ２を、半導体ウェハ１を移動可能に保持で
きるようにし、以て該半導体ウェハ１を検査位置からダ
スト除去位置までずらすことができるようにし、そし
て、ダスト除去位置までずらされた半導体ウェハ１に対
してノズル７によりダスト除去材を吐出してダストを除
去できるようにする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の検査
装置、特に、雰囲気ダストやチッピングによるダストに
よっての被検査半導体装置の汚染が少ない半導体装置の
検査装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】ＣＣＤ型固体撮像装置等、固体撮像装置
の半導体ウェハ状態での測定は、他の一般の半導体装置
と異なり、単に表面の電極等に検査用プローブを当てて
該固体撮像装置の回路と検査用測定回路とを電気的に接
続するだけでなく、光を当てることも必要となる。そし
て、従来においては図２に示すようにして測定が行われ
た。同図において、１１は被測定物であるウェハ状態の
固体撮像装置、１１ａは該固体撮像装置１１の電極で、
後で述べるプローブ（１３）が接触せしめられる。１２
は該固体撮像装置１１を上側にて保持するステージ、１
３は上記固体撮像装置１１の電極１１ａに接触せしめら
れる検査用プローブ、１４は固体撮像装置１１表面を照
射する光源、１５は該光源１４から投射された光を集光
するレンズ、１６は該レンズ１５により集光された光を
絞る絞りである。

【０００３】このように従来においては、ウェハ状態に
ある固体撮像装置１１はステージ１２上面上に上向きに
して保持されて上から電極１１ａに検査用プローブ１３
を当てられ、光源１４からの光をレンズ１５、絞り１６
を介して上から照射された状態で測定された。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記の従来
技術によれば、ウェハ状態にある固体撮像装置１１自体
が測定機内に直に晒されるので、測定される固体撮像装
置１１は測定機内の雰囲気ダストにより表面を汚染され
るおそれがあるという問題があった。

【０００５】また、上記検査用プローブ１３を上記固体
撮像装置１１の電極１１ａ上に接触させて検査を行う際
に、その接触によりチッピング、即ち、電極１１ａの一
部が検査用プローブ１３との接触によりダストになり飛
び散る現象が起き、そのダストがウェハ状態の固体撮像
装置１１表面に対する汚染源になるという問題もあっ
た。

【０００６】雰囲気ダストであれ、チッピングによるダ
ストであれ、従来においては、表面を上向きにして保持
された固体撮像装置１１の表面を汚染する要因になり、
歩留まり低下を招いた。従って、ダストによって汚染さ
れるという問題は看過できなかった。

【０００７】本発明はこのような問題点を解決すべく為
されたものであり、被検査半導体装置を汚染されないよ
うに検査することのできる新規な半導体装置の検査装置
を提供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】請求項１の半導体装置の
検査装置は、被検査半導体装置を、その表面を下向きに
して下側にて保持するステージと、該ステージに保持さ
れた上記被検査半導体装置の上記下向きの表面を照射す
る光源と、検査時に上記被検査半導体装置の表面に接触
せしめられる検査用プローブを有することを特徴とす
る。

【０００９】従って、請求項１の半導体装置の検査装置
によれば、被検査半導体装置の表面が下向きにされてい
るので、雰囲気ダスト或いはチッピングによるダストが
被検査半導体装置表面にたまり汚染が生じるというおそ
れをなくすことが可能になる。

【００１０】請求項２の半導体装置の検査装置は、被検
査半導体装置を、その表面を下向きにして下側にて移動
可能に保持するステージと、該ステージに保持された上
記被検査半導体装置の上記下向きの表面を照射する光源
と、検査時に上記被検査半導体装置の表面に接触せしめ
られる検査用プローブと、上記ステージにより保持され
且つ検査位置から移動せしめられた被検査半導体装置に
対してダスト除去材を噴出するノズルを有することを特
徴とする。

【００１１】従って、請求項２の半導体装置の検査装置
によれば、ステージを、被検査半導体装置を移動可能に
保持できるようにし、以て被検査半導体装置を検査する
位置からずらすことができるようにし、そして、ずらさ
れた被検査半導体装置に対してノズルによりダスト除去
材を吐出してダストを除去できるようにしたので、より
完璧に汚染度の低下を図ることができる。

【００１２】

【発明の実施の形態】本発明は、基本的には、被検査半
導体装置を、その表面を下向きにして下側にて保持する
ステージと、該ステージに保持された上記被検査半導体
装置の上記下向きの表面を照射する光源と、検査時に上
記被検査半導体装置の表面に接触せしめられる検査用プ
ローブと、を有するものであり、被検査半導体装置の典
型例は固体撮像装置であるが、しかし、光源により表面
を照射された状態で検査用プローブにより検査が行われ
るものは本発明における被検査半導体装置になり得るの
であり、必ずしも固体撮像装置には限定されない。

【００１３】尚、上記ステージを、被検査半導体装置、
例えばウェハ状態の固体撮像装置を移動可能に保持でき
るようにし、以て被検査半導体装置を検査する位置から
ずらすことができるようにし、ずらされた固体撮像装置
に対してノズルによりダスト除去材を吐出してダストを
除去できるようにし、以て、より完璧な汚染度の低下を
図るようにすると極めて良い。そのダスト除去を受ける
位置がダスト除去位置である。尚、その場合、ノズルか
ら吐出するダスト除去材の典型例としてクリーン度の高
いエアーが挙げられる。

【００１４】そして、複数回検査を行う場合、各検査間
に上記被検査半導体装置を上記ダスト除去位置に移動さ
せてのダスト除去を行うようにすると良い。尚、複数回
行う検査の例として、第１回目の検査がポテンシャル及
びＤＣ測定、第２回目の検査が撮像測定という例が挙げ
られる。但し、この場合、順序は逆にしても良い。そし
て、この複数回行う検査は、飽くまで一例に過ぎない。

【００１５】

【実施例】以下、本発明を図示実施例に従って詳細に説
明する。図１は本発明半導体装置の検査装置の第１の実
施例を示す概略構成図である。図面において、１は被測
定物である固体撮像装置が形成された半導体ウェハ、１
ａは電極である。

【００１６】２は該半導体ウェハを保持するステージ
で、図２に示す従来の半導体装置の検査装置のステージ
１２とは、第１に、半導体ウェハ１をその表面を下側に
向けた状態で、下側にて保持するようにされている点で
異なる。第２に、半導体ウェハ１１を略水平方向に移動
可能に保持することができる点で異なる。

【００１７】３は上記固体撮像装置１の電極１ａに接触
せしめられる検査用プローブ、４は固体撮像装置１表面
を照射する光源、５は該光源４から投射された光を集光
するレンズ、６は該レンズ５により集光された光を絞る
絞りである。これ等、即ち検査用プローブ３、光源４、
レンズ５、絞り６は、被検査物である半導体ウェハ１が
表面を下向きに保持されているので、当然のことなが
ら、ステージ２に保持された半導体ウェハ１よりも下側
に位置されている。

【００１８】７はスクラバーノズルで、上記ステージ２
により、検査をする検査部から移動せしめられた半導体
ウェハ１に対してダスト除去材を吐出することにより該
半導体ウェハ１表面に付着したダストを除去する役割を
果たす。

【００１９】８は仕切板であり、ウェハ通スリット９を
有する。該仕切板８は、半導体ウェハ１に光源４からの
光を照射し、その表面の電極１ａに上記検査用プローブ
を当てて検査を行う検査部と、上記ステージ２により該
半導体ウェハ１を移動（図１における右方向への移動）
させ上記スクラバーノズル７によりダスト除去材を吐出
させてダスト除去を行うダスト除去部との間を仕切るも
ので、半導体ウェハ１は上記ウェハ通スリット９を通っ
て検査部とダスト除去部との間をステージ２の働きによ
り移動せしめられるようになっている。

【００２０】次に、図１に示す半導体装置の検査装置に
よる検査の具体的方法について説明する。先ず、ステー
ジ２下面に半導体ウェハ１をその表面を下向きにしてセ
ットし、光源４で該半導体ウェハ１表面を照射すると共
に、その所定の電極１ａ各々にそれと対応する検査用プ
ローブ３を当て、第１回目の検査（例えば、ポテンシャ
ル測定、ＤＣ測定）を行う。

【００２１】次に、ステージ２の働きによりその半導体
ウェハ１を図１における右方向に移動させ、ダスト除去
部内の２点鎖線で示すところに位置させ、その状態でス
クラバーノズル７によりダスト除去材を吐出させて半導
体ウェハ１表面のダストを除去ずる。即ち、スクラバー
洗浄を行う。

【００２２】その後、半導体ウェハ１を図１における左
方向に移動させ、光源４で該半導体ウェハ１表面を照射
すると共に、その所定の電極１ａ各々にそれと対応する
検査用プローブ３を当て、第２回目の検査（例えば、撮
像測定）を行う。しかる後、該半導体ウェハ１は検査装
置からアンロードされる。

【００２３】このような半導体装置の検査装置によれ
ば、被検査物である半導体ウェハ１がその表面を下向き
にしてステージ２にセットされて検査されるので、雰囲
気ダスト或いはチッピングによるダストが被検査物であ
る半導体ウェハ１の表面にたまり汚染が生じるというお
それをなくすことが可能になる。

【００２４】しかも、ステージ２により被検査半導体装
置である半導体ウェハ１を移動可能に保持できるように
してその半導体ウェハ１の位置を、検査部からダスト除
去部までずらすことができるようにし、更に、そのダス
ト除去部までずらされた半導体ウェハ１に対してノズル
７によりダスト除去材を吐出してダストを除去できるよ
うにしたので、同じ半導体ウェハ１に対する２回の検査
の間にその裏面に付着したダストをそのダスト除去部に
て除去することができる。従って、先の検査により生じ
た汚染を残したまま次の検査を行うことを回避すること
ができ、常に汚染のない状態で検査を行うことが可能と
なる。以て、より完璧な汚染除去が可能になる。

【００２５】

【発明の効果】請求項１の半導体装置の検査装置によれ
ば、被検査半導体装置の表面が下向きにされているの
で、雰囲気ダスト或いはチッピングによるダストが被検
査半導体装置表面にたまり汚染が生じるというおそれを
なくすことが可能になる。

【００２６】請求項２の半導体装置の検査装置によれ
ば、ステージを、被検査半導体装置を移動可能に保持で
きるようにし、以て被検査半導体装置を検査する位置か
らずらすことができるようにし、そして、ずらされた被
検査半導体装置に対してノズルによりダスト除去材を吐
出してダストを除去できるようにしたので、より完璧に
汚染度の低下を図ることができる。

【００２７】請求項３の半導体装置の検査装置によれ
ば、同じ被検査半導体装置に対する検査を複数回行う場
合に、該各検査間に上記被検査半導体装置を上記ダスト
除去位置に上記ステージにより移動させて上記ノズルか
ら該被検査半導体装置に対して上記ダスト除去材を噴出
してのダスト除去を行うことができるようにしたので、
先の検査により生じた汚染を残したまま次の検査を行う
ことを回避することができ、常に汚染のない状態で検査
を行うことが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明半導体装置の検査装置の第１の実施例を
示す構成図である。

【図２】半導体装置の検査装置の一つの従来例を示す構
成図である。

【符号の説明】

１・・・被検査半導体装置（固体撮像装置の半導体ウェ
ハ）、１ａ・・・電極、２・・・ステージ、３・・・検
査用プローブ、４・・・光源、７・・・ノズル、８・・
・仕切板、９・・・ウェハ通スリット。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 被検査半導体装置を、その表面を下向き
   にして下側にて保持するステージと、 上記ステージに保持された上記被検査半導体装置の上記
   下向きの表面を照射する光源と、 検査時に上記被検査半導体装置の表面に接触せしめられ
   る検査用プローブと、 を有することを特徴とする半導体装置の検査装置。
2. 【請求項２】 被検査半導体装置を、その表面を下向き
   にして下側にて移動可能に保持するステージと、 上記ステージに保持された上記被検査半導体装置の上記
   下向きの表面を照射する光源と、 検査時に上記被検査半導体装置の表面に接触せしめられ
   る検査用プローブと、 上記検査用プローブが表面に接触せしめられ得る検査位
   置から上記ステージによりダスト除去位置に移動せしめ
   られた被検査半導体装置に対してダスト除去材を吐出す
   るノズルと、 を有することを特徴とする半導体装置の検査装置。
3. 【請求項３】 上記検査用プローブを被検査半導体装置
   の表面に接触せしめる検査を複数回行う場合には、該各
   検査間に上記被検査半導体装置を上記ダスト除去位置に
   上記ステージにより移動させて上記ノズルから該被検査
   半導体装置に対して上記ダスト除去材を噴出してのダス
   ト除去を行うことができるようにされてなることを特徴
   とする請求項２記載の半導体装置の検査装置。