JPH0472747A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPH0472747A
JPH0472747A JP18623790A JP18623790A JPH0472747A JP H0472747 A JPH0472747 A JP H0472747A JP 18623790 A JP18623790 A JP 18623790A JP 18623790 A JP18623790 A JP 18623790A JP H0472747 A JPH0472747 A JP H0472747A
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JP
Japan
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disc
stud
semiconductor device
male screw
heat dissipation
Prior art date
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Pending
Application number
JP18623790A
Other languages
English (en)
Inventor
Kaoru Tachibana
薫 立花
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概 要〕 放熱フィンを備えた半導体装置に関し、放熱フィンを半
導体素子の特性や集積度に合わせて自在に変更できるよ
うに構成することで生産性の向上を図ることを目的とし
、 中心軸に直交して複数の板状フィンがほぼ等間隔平行に
同心に固定されている放熱フィンをパッケージの所定面
上に具えた半導体装置であって、上記放熱フィンを、中
心軸相当部の一端には雄ネジが形成されまた他端には該
雄ネジの長さより少なくとも浅い深さで該雄ネジと等し
いネジ径の雌ネジが形成されている複数の着脱自在な板
状フィンで構成する。
〔産業上の利用分野〕
本発明は放熱フィンを備えた半導体装置に係り、特に放
熱フィンを半導体素子の特性や集積度に合わせて自在に
変更できるように構成して生産性の向上を図った半導体
装置に関する。
最近の半導体装置の分野では、高集積度化や高速度化が
進むにつれて使用時におけるパッケージとしての低熱抵
抗化が求められるようになっているため、例えば半導体
装置の表面に複数のフィンからなる放熱フィンを取り付
けて該半導体装置を冷却するようにしている。
〔従来の技術〕
第2図は従来の半導体装置の構成例を示す図であり、(
a)装着前をまた(b)は装着後の状態をそれぞれ示し
ている。
なお図ではピングリッドアレイ(PGA)に形成された
半導体素子に放熱フィンを装着して半導体装置を構成す
る場合を例として説明する。
図(a)で、例えば埋設されているため図示されない半
導体素子の各入出力端子に繋がる複数の外部接続端子1
aがグリッド状の配置で片面に突出しているピングリッ
ドアレイ(PGA)ICIの他面側には、そのほぼ中央
部に円柱状のスタッド1bが形成されている。
またアルミニウム(八2)等からなる放熱フィン2は、
上記スタッド1bと嵌合する径で該スタッドlbの高さ
より深い孔2aを中心軸2bの一端面に具えると共に、
該中心軸2bに該軸にほぼ直交する複数(図では5個)
の円板状フィン2cを等間隔平行に中心を合わせて固定
して構成したものである。
そこで、上記放熱フィン2の孔2a部分に例えばエポキ
シ系接着材を充填した後、該放熱フィン2を上述したピ
ングリッドアレイ(PGA)ICIのスタッド1bに対
応させて接着固定すると、(b)で示す如くピングリッ
ドアレイICIに放熱フィン2が装着された所要の半導
体装置3を得ることができる。
かかる構成になる半導体装置3では、該放熱フィン部分
に例えば空気を吹き付けることにより埋設されている半
導体素子から発生する熱を大気中に放散することができ
るので熱放散性のよい半導体装置3を得ることができる
しかし、最近の如く半導体素子の集積度が向上したり大
型化が進展するとそれにつれて半導体装置としての熱放
散性を高めなければならず、結果的に上記円板状フィン
2cの枚数を増やしたり外径を大きくする等の手段で放
熱フィン2としての表面積を増加させなければならない
そこで従来は、円板状フィンの枚数や外径の異なる複数
種類の放熱フィンを準備することで対応するようにして
いるが、そのため生産性の向上を期待することができな
い欠点がある。
〔発明が解決しようとする課題〕
従来の構成になる放熱フィンを具えた半導体装置では複
数種類の放熱フィンを準備しなければならず、生産性の
向上を期待することができないと言う問題があった。
〔課題を解決するための手段〕
上記問題点は、中心軸に直交して複数の板状フィンがほ
ぼ等間隔平行に同心に固定されている放熱フィンをパッ
ケージの所定面上に具えた半導体装置であって、上記放
熱フィンが、中心軸相当部の一端には雄ネジが形成され
また他端には該雄ネジの長さより少なくとも浅い深さで
該雄ネジと等しいネジ径の雌ネジが形成されている複数
の着脱自在な板状フィンで構成されている半導体装置に
よって解決される。
0作 用〕 円板状フィンの数を必要に応じて自由に変えることがで
きれば、如何なる熱放散性を必要とする半導体装置にも
適用させることができる。
本発明では、円板状フィンの中心軸相当部の両端に同じ
ネジ径の雄ネジと雌ネジを形成することで複数の円板状
フィンの積み重ねと取り外しが自由且つ容易に行なえる
ようにしている。
従って放熱フィンとしての表面積を自由に変えることが
できるため複数種類の放熱フィンを準備する必要がなく
なって生産性を向上させることができる。
〔実施例〕
第1図は本発明になる半導体装置の構成例を説明する図
であり、(A)は放熱フィン装着前の状態を示す図、(
B)は半導体装置の全体構成図を示す図である。
なお図では第2図同様にピングリッドアレイに放熱フィ
ンを装着して半導体装置とする場合を例としている。
図(A)で1は第2図で説明したビングリッドアレイI
Cであり、片面(上面)のほぼ中央部には第2図同様の
スタッド1bが形成されている。
またアルミニウム(A f )等からなる厚さ2111
1位の円板状フィン5の片面(図では下面)はぼ中央部
には、上記スタッド1bの径より少なくとも大きい径を
持ち長さが例えば3its程度の雄ネジ5aが該面から
突出して形成され更に該雄ネジ5aの端面には上記スタ
ッド1bと嵌合し且つ該スタッド1bが埋没する深さの
孔5bが形成されている。
更に、該円板状フィン5の他面(上面)で上記雄ネジ5
aと対応する位置には上記雄ネジ5aと螺合できる雌ネ
ジ5cが例えば工+mm程度の深さに形成されている。
そこで、上記ビングリッドアレイICIのスタッド1b
形成面に第2図で説明したように例えばエポキシ系接着
材を介して1個の上述した円板状フィン5を接着固定す
ると、該固定された円板状フィン5をベースとして(B
)の5°、5″に示すように複数の円板状フィン5をね
じ込み作業のみで自由に積み重ねたり取り外すことがで
きる。
従って、半導体素子の集積度や大きさに適合する表面積
を持つ放熱フィンを自由に構成することができるので、
複数種類の放熱フィンを準備する必要がなく生産性を向
上することができる。
なお本発明の説明に当たってはピングリッドアレイIC
Iに放熱フィンを装着する場合について行っているが、
パッケージ化された通常のICやLSI等の場合でも同
等の効果を得ることができる。
〔発明の効果〕
上述の如く本発明により、放熱フィンを半導体素子の特
性や集積度に合わせて自在に変更できるように構成して
生産性の向上を図った半導体装置を容易に提供すること
ができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明になる半導体装置の構成例を説明する図
、 第2図は従来の半導体装置の構成例を示す図、である。 図において、 ■はピングリッドアレイIC2 1奪はスタッド、 5.5°、5″・・・は円板状フィン、5aは雄ネジ、
      5bは孔、5cは雌ネジ、 をそれぞれ表わす。 (a) 彷し東のf!−尊書3に1の楕#lj家iす同第 2 

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  中心軸に直交して複数の板状フィンがほぼ等間隔平行
    に同心に固定されている放熱フィンをパッケージの所定
    面上に具えた半導体装置であって、上記放熱フィンが、
    中心軸相当部の一端には雄ネジ(5a)が形成されまた
    他端には該雄ネジ(5a)の長さより少なくとも浅い深
    さで該雄ネジ(5a)と等しいネジ径の雌ネジ(5c)
    が形成されている複数の着脱自在な板状フィン(5)で
    構成されていることを特徴とした半導体装置。
JP18623790A 1990-07-13 1990-07-13 半導体装置 Pending JPH0472747A (ja)

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