JPH0471676A - 高分子体の洗浄後の水切り乾燥方法 - Google Patents
高分子体の洗浄後の水切り乾燥方法Info
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- JPH0471676A JPH0471676A JP18121290A JP18121290A JPH0471676A JP H0471676 A JPH0471676 A JP H0471676A JP 18121290 A JP18121290 A JP 18121290A JP 18121290 A JP18121290 A JP 18121290A JP H0471676 A JPH0471676 A JP H0471676A
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- polymer
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Landscapes
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は高分子体の水切り乾燥方法に関する。
従来、高分子体を水槽から引上げて水切りを行う方法に
特公昭６２−５３２３３があるが、引上げ速度が５ ｃ
ｍ／分以上と早いため、水滴が残りやすく、又水滴が残
らない場合を含めても、高分子体上に水切り後、異物の
残留が多くなるという欠点を有していた。
特公昭６２−５３２３３があるが、引上げ速度が５ ｃ
ｍ／分以上と早いため、水滴が残りやすく、又水滴が残
らない場合を含めても、高分子体上に水切り後、異物の
残留が多くなるという欠点を有していた。
他方、高分子体以外の被乾燥物を対象とするが水槽から
引上げて水切りを行う方法が提案されている。
引上げて水切りを行う方法が提案されている。
特開昭６１−２７０３９９は引上げ速度の実用範囲を２
ｍ ｍ ／ ｓ ｅ ｃ 〜２０ ｍ ｍ ／ ｓ
ｅ ｃであると限定しているが、前述と同様、引上げ速
度が早いため、高い乾燥品質が得られないという欠点を
有していた。
ｍ ｍ ／ ｓ ｅ ｃ 〜２０ ｍ ｍ ／ ｓ
ｅ ｃであると限定しているが、前述と同様、引上げ速
度が早いため、高い乾燥品質が得られないという欠点を
有していた。
又特開昭６０−２２３１３０は、被乾燥物を揺動させな
がら引上げるため、被乾燥物と揺動棒との摩擦による発
塵が原因となり高い乾燥品質が得られないという欠点を
有していた。
がら引上げるため、被乾燥物と揺動棒との摩擦による発
塵が原因となり高い乾燥品質が得られないという欠点を
有していた。
又特開昭６３−６７７３５は水温が４５℃〜６５℃が好
ましいと記載しているが、４５℃以上では、槽材料や配
管料からの溶出分が増加しやすく、それが原因となり高
い乾燥品質が得られないという欠点と、高分子体に適用
しようとした場合、熱により寸法変化やクラック等が生
じ易いという欠点を有していた。
ましいと記載しているが、４５℃以上では、槽材料や配
管料からの溶出分が増加しやすく、それが原因となり高
い乾燥品質が得られないという欠点と、高分子体に適用
しようとした場合、熱により寸法変化やクラック等が生
じ易いという欠点を有していた。
従来技術では前述の如く、じみが残る或いはしみになら
ないまでも異物が残るとか、被乾燥物にダメージを与え
る等の問題点を有する。
ないまでも異物が残るとか、被乾燥物にダメージを与え
る等の問題点を有する。
そこで本発明はこのような問題点を解決するもので、そ
の目的とするところは、高分子体にダメージを与えるこ
となく、高い乾燥品質を付与する洗浄後の水切り乾燥方
法を提供するところにある。
の目的とするところは、高分子体にダメージを与えるこ
となく、高い乾燥品質を付与する洗浄後の水切り乾燥方
法を提供するところにある。
本発明の高分子体の洗浄後の水切り乾燥方法は被乾燥物
を浸漬する水の温度が５℃以上、４５℃未満、そして被
乾燥物の引上げ速度或いは水面の引下げ速度が０．２ｍ
ｍ／秒以上、０．８ｍｍ／秒以下である事を特徴とする
。
を浸漬する水の温度が５℃以上、４５℃未満、そして被
乾燥物の引上げ速度或いは水面の引下げ速度が０．２ｍ
ｍ／秒以上、０．８ｍｍ／秒以下である事を特徴とする
。
又水切り後、熱風加温する場合、その熱風の相対湿度が
５０％以下であることを特徴とする。
５０％以下であることを特徴とする。
又該熱風が赤外線により加熱されていることを特徴とす
る。
る。
本発明によれば、浸漬水の温度は５℃以上、４５℃未満
が好ましい。４５℃以上では耐熱性に劣る高分子体は、
寸法変化が生じたり、クラックが入り易い、又液温の上
昇は、槽及び配管等の接液部からの異物混入を促進し、
水質の低下を招き、水をとおして或いは水面上の蒸気を
とおして、高分子体の表面に（＝Ｊ着し、乾燥品質を低
下させる。
が好ましい。４５℃以上では耐熱性に劣る高分子体は、
寸法変化が生じたり、クラックが入り易い、又液温の上
昇は、槽及び配管等の接液部からの異物混入を促進し、
水質の低下を招き、水をとおして或いは水面上の蒸気を
とおして、高分子体の表面に（＝Ｊ着し、乾燥品質を低
下させる。
一方低温側では、乾燥時間の延長化傾向にあるため、実
用上５℃以上が必要である。
用上５℃以上が必要である。
水からの引上げ或いは水面の引下げ速度は、０２ｍｍ／
秒以上、０．８ｍｍ／秒以下が好ましい。
秒以上、０．８ｍｍ／秒以下が好ましい。
０．８ｍｍ／秒以上では、高分子体上に水滴が残りやす
くなり、それがシミの発生に結びつく。又水滴が残らな
いまでも、高分子体上には極めてうすい水の膜が残るが
、その膜の厚みは、上記の弓上げ或いは引下げ速度の増
加に伴い増えるため水の膜中に存在する異物も又該速度
の増加に伴い増え、該異物は乾燥後、高分子体の表面に
残留する。
くなり、それがシミの発生に結びつく。又水滴が残らな
いまでも、高分子体上には極めてうすい水の膜が残るが
、その膜の厚みは、上記の弓上げ或いは引下げ速度の増
加に伴い増えるため水の膜中に存在する異物も又該速度
の増加に伴い増え、該異物は乾燥後、高分子体の表面に
残留する。
一方、低速側では、上記の問題点は解決され、高分子体
上の水の膜の厚みは薄くなり、短時間で乾燥する。しか
し乾燥した高分子体の表面が水面上の水蒸気に触れるこ
とになり、その触れる時間は低速程ながくなる。結論的
には、水蒸気の発生する力で非水溶性の異物が空気中に
持ち上げられ、乾燥した高分子体の表面に付着し、非水
溶性ゆえに、再び高分子体上から水（水蒸気）の力で移
動する事は無く、その場に残留し、乾燥品質を低下させ
ることになる。実験から０．２ｍｍ／秒以上の引上げ或
いは引下げ速度が必要である。
上の水の膜の厚みは薄くなり、短時間で乾燥する。しか
し乾燥した高分子体の表面が水面上の水蒸気に触れるこ
とになり、その触れる時間は低速程ながくなる。結論的
には、水蒸気の発生する力で非水溶性の異物が空気中に
持ち上げられ、乾燥した高分子体の表面に付着し、非水
溶性ゆえに、再び高分子体上から水（水蒸気）の力で移
動する事は無く、その場に残留し、乾燥品質を低下させ
ることになる。実験から０．２ｍｍ／秒以上の引上げ或
いは引下げ速度が必要である。
又上記水切り後の乾燥は、該高分子体の余熱を利用する
方法と更に熱風を併する事が有効であるが、水の気化は
、送風の相対湿度の低下、赤外線加熱が有効である。
方法と更に熱風を併する事が有効であるが、水の気化は
、送風の相対湿度の低下、赤外線加熱が有効である。
ＣＲ３９製プラスチツクレンズを界面活性剤を含む水溶
液で洗浄し、水洗後ｌＮ−ＮａＯＨ水溶液（液温４０℃
）に３分間浸漬後、再び水洗する。
液で洗浄し、水洗後ｌＮ−ＮａＯＨ水溶液（液温４０℃
）に３分間浸漬後、再び水洗する。
更に純水（比抵抗５ＭΩ以上、液中パーティクル０．２
μｍ以上の粒子１個／ｍ１以下）に浸漬１分後、等速で
引上げ又は引下げを行った。更に熱風による加温の有無
で乾燥を行った。条件を第１表に示す。
μｍ以上の粒子１個／ｍ１以下）に浸漬１分後、等速で
引上げ又は引下げを行った。更に熱風による加温の有無
で乾燥を行った。条件を第１表に示す。
水切り乾燥品質は目視外観と平板ＣＲ３９プラスチツク
レンズを用いレーザー光散乱法による表面異物欠陥検査
装置（日立デコー、ＨＬＤ３００Ｂ）を用い０．２μｍ
以上の塵埃粒子数の測定を行った。
レンズを用いレーザー光散乱法による表面異物欠陥検査
装置（日立デコー、ＨＬＤ３００Ｂ）を用い０．２μｍ
以上の塵埃粒子数の測定を行った。
上記による乾燥品質を第２表に示す。
第１表
尚熱風加温は赤外線ヒーターを使用した。
第３表
尚実施例１４及び比較例９は熱風加温で１分間で乾燥、
実施例８及び比較例３は５分間で乾燥し、熱風加温によ
る効果が確認された。
実施例８及び比較例３は５分間で乾燥し、熱風加温によ
る効果が確認された。
欽に各種高分子体のシート（１０ｃｍ角、シート厚２０
０μｍから１ｍｍまで）を用い、界面活性剤を含む水溶
液で洗浄し水洗の後、純水（３５℃）に浸漬を１分間行
った後、等速（０，５ｍｍ／秒）で引上げた。水切り乾
燥後の品質確認は前述と同様の項目で行った。結果を第
３表に示す。
０μｍから１ｍｍまで）を用い、界面活性剤を含む水溶
液で洗浄し水洗の後、純水（３５℃）に浸漬を１分間行
った後、等速（０，５ｍｍ／秒）で引上げた。水切り乾
燥後の品質確認は前述と同様の項目で行った。結果を第
３表に示す。
更に各種高分子体（φ３０ｍｍ、１ｍｍ厚）を用い、界
面活性剤を含む水溶液で洗浄し水洗の後純水（２５℃及
び５５℃）に浸漬を１分間行った後、等速（０，５ｍｍ
／秒）で引上げた。
面活性剤を含む水溶液で洗浄し水洗の後純水（２５℃及
び５５℃）に浸漬を１分間行った後、等速（０，５ｍｍ
／秒）で引上げた。
上記高分子体の中心部１０ｍｍ間の寸法を洗浄、水切り
の前後で測定した。結果を第４表に示す。
の前後で測定した。結果を第４表に示す。
第４表
上表の如く、液温が高いと寸法変化が大きく、精密部品
への適用の場合（上記寸法間で公差が０゜００５ｍｍ）
実用不可になる事が生じる。
への適用の場合（上記寸法間で公差が０゜００５ｍｍ）
実用不可になる事が生じる。
本発明は上述の妬く、種々の高分子体の洗浄後の水切り
乾燥に於いて、高分子体に寸法変化やクラック等を生じ
させること無く、シミの発生を皆無にし更に、高分子体
表面に残留する異物数を極めて低い水準におさえること
を可能にした。
乾燥に於いて、高分子体に寸法変化やクラック等を生じ
させること無く、シミの発生を皆無にし更に、高分子体
表面に残留する異物数を極めて低い水準におさえること
を可能にした。
以 上
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）高分子体を洗浄後、水槽内から該高分子体を引上げ
て水切りを行い、更に該高分子体の余熱或いは、熱風加
温により乾燥を行う方法に於いて、水温が５℃以上、４
５℃未満、引上げ速度が０．２ｍｍ／秒以上、０．８ｍ
ｍ／秒以下の条件範囲内で引上げることを特徴とする高
分子体の洗浄後の水切り乾燥方法。 ２）高分子体を洗浄後、水槽内に浸漬し、水面を引下げ
て水切りを行い、更に該高分子体の余熱或いは熱風加熱
により乾燥を行う方法に於いて、水温が５℃以上、４５
℃未満、引下げ速度が０．２ｍｍ／秒以上、０．８ｍｍ
／秒以下の条件範囲内で引下げることを特徴とする高分
子体の洗浄後の水切り乾燥方法。 ３）相対湿度が５０％以下の熱風で加温することを特徴
とする請求項１又は請求項２記載の高分子体の洗浄後の
水切り乾燥方法。 ４）赤外線により加熱された熱風であることを特徴とす
る請求項１又は請求項２又は請求項３記載の高分子体の
洗浄後の水切り乾燥方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18121290A JPH0471676A (ja) | 1990-07-09 | 1990-07-09 | 高分子体の洗浄後の水切り乾燥方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18121290A JPH0471676A (ja) | 1990-07-09 | 1990-07-09 | 高分子体の洗浄後の水切り乾燥方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0471676A true JPH0471676A (ja) | 1992-03-06 |
Family
ID=16096789
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18121290A Pending JPH0471676A (ja) | 1990-07-09 | 1990-07-09 | 高分子体の洗浄後の水切り乾燥方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0471676A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012220936A (ja) * | 2011-04-14 | 2012-11-12 | Dainippon Printing Co Ltd | 基材処理装置および基材処理方法 |
-
1990
- 1990-07-09 JP JP18121290A patent/JPH0471676A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012220936A (ja) * | 2011-04-14 | 2012-11-12 | Dainippon Printing Co Ltd | 基材処理装置および基材処理方法 |
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