JPH0471256A - 放熱体の製造方法 - Google Patents
放熱体の製造方法Info
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- JPH0471256A JPH0471256A JP2183514A JP18351490A JPH0471256A JP H0471256 A JPH0471256 A JP H0471256A JP 2183514 A JP2183514 A JP 2183514A JP 18351490 A JP18351490 A JP 18351490A JP H0471256 A JPH0471256 A JP H0471256A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は半導体素子、特に半導体集積回路素子を収容す
る半導体素子収納用パッケージに使用される放熱体の製
造方法に関するものである。
る半導体素子収納用パッケージに使用される放熱体の製
造方法に関するものである。
（従来の技術）
近時、情報処理装置の高性能化、高集積化に伴い、それ
を構成する半導体素子も高密度化、高集積化か急激に進
んでいる。そのため半導体素子の単位面積、単位体積あ
たりの発熱量が増大し、半導体素子を正常、且つ安定に
作動させるためにはその熱をいかに効率的に除去するか
が課題となっている。
を構成する半導体素子も高密度化、高集積化か急激に進
んでいる。そのため半導体素子の単位面積、単位体積あ
たりの発熱量が増大し、半導体素子を正常、且つ安定に
作動させるためにはその熱をいかに効率的に除去するか
が課題となっている。
従来、半導体素子が発生する熱の除去方法としては第３
図に示すように上面中央部に半導体素子１３か載置され
る載置部１１ａを存した金属製の放熱体１１上に、前記
半導体素子載置部１１ａを囲繞するようにして絶縁枠体
１２をロウ付は取着した構造の半導体素子収納用パッケ
ージを準備し、放熱体１１の半導体素子載置部１１ａに
半導体素子１３を載置固定し、半導体素子１３から発生
される熱を放熱体１１に吸収させるとともに該吸収した
熱を大気中に放出することによって半導体素子１３を熱
から保護している。
図に示すように上面中央部に半導体素子１３か載置され
る載置部１１ａを存した金属製の放熱体１１上に、前記
半導体素子載置部１１ａを囲繞するようにして絶縁枠体
１２をロウ付は取着した構造の半導体素子収納用パッケ
ージを準備し、放熱体１１の半導体素子載置部１１ａに
半導体素子１３を載置固定し、半導体素子１３から発生
される熱を放熱体１１に吸収させるとともに該吸収した
熱を大気中に放出することによって半導体素子１３を熱
から保護している。
尚、前記半導体素子収納用パッケージにおいて放熱体１
１は上面にロウ付は取着される絶縁枠体１２との間に大
きな熱応力が発生しないよう熱膨張係数が絶縁枠体１２
と近似する金属部材、例えばコバールもしくはインバー
合金と銅とを接合させた金属部材により形成されており
、その外表面には絶縁枠体１２をロウ付は取着する際の
ロウ材が強固に接合するようにロウ材と濡れ性が良いニ
ッケル等がメツキにより層着されている。
１は上面にロウ付は取着される絶縁枠体１２との間に大
きな熱応力が発生しないよう熱膨張係数が絶縁枠体１２
と近似する金属部材、例えばコバールもしくはインバー
合金と銅とを接合させた金属部材により形成されており
、その外表面には絶縁枠体１２をロウ付は取着する際の
ロウ材が強固に接合するようにロウ材と濡れ性が良いニ
ッケル等がメツキにより層着されている。
また前記絶縁枠体１２はその下面にモリブデン、タング
ステン、マンガン等の高融点金属粉末から成るメタライ
ズ金属層１４か被着形成されており、該メタライズ金属
層１４を放熱体１１に銀ロウ等のロウ材１５を介しロウ
付けすることによって絶縁枠体１２は放熱体１１上にロ
ウ付は取着されている。
ステン、マンガン等の高融点金属粉末から成るメタライ
ズ金属層１４か被着形成されており、該メタライズ金属
層１４を放熱体１１に銀ロウ等のロウ材１５を介しロウ
付けすることによって絶縁枠体１２は放熱体１１上にロ
ウ付は取着されている。
更に前記放熱体Ｕは第４図に示すようにコバールもしく
はインバー合金から成る２枚の金属板ｌｌｂ、ｌｌｂの
間に銅板１１ｃを接合させた構造を有しており、該放熱
体１１はコバールもしくはインバー合金から成り、複数
個の貫通孔ｌｉｄを有する２枚の金属板１１ｂ、１１ｂ
と銅板１１ｃを準備し、次に前記２枚の金属板１１ｔ＋
、 ｌｌｂ間に銅板１１ｃを配するとともにこれを圧延
し、銅板１１ｃの一部を２枚の金属板１１ｂ、 １ｉｔ
）の各々に設けた貫通孔ｌｉｄ内に圧入させ、銅板１１
ｃを２枚の金属板１１ｂ、 ｌｌｂ間に接合させること
によってその熱膨張係数が絶縁枠体１２と近似するよう
に形成される。
はインバー合金から成る２枚の金属板ｌｌｂ、ｌｌｂの
間に銅板１１ｃを接合させた構造を有しており、該放熱
体１１はコバールもしくはインバー合金から成り、複数
個の貫通孔ｌｉｄを有する２枚の金属板１１ｂ、１１ｂ
と銅板１１ｃを準備し、次に前記２枚の金属板１１ｔ＋
、 ｌｌｂ間に銅板１１ｃを配するとともにこれを圧延
し、銅板１１ｃの一部を２枚の金属板１１ｂ、 １ｉｔ
）の各々に設けた貫通孔ｌｉｄ内に圧入させ、銅板１１
ｃを２枚の金属板１１ｂ、 ｌｌｂ間に接合させること
によってその熱膨張係数が絶縁枠体１２と近似するよう
に形成される。
（発明か解決しようとする課題）
しかし乍ら、この従来の半導体素子収納用パッケージに
使用される放熱体１１は２枚の金属板１１ｂ。
使用される放熱体１１は２枚の金属板１１ｂ。
１１ｂ間に銅板！１ｃを配するとともにこれを圧延し、
銅板１１ｃの一部を金属板１１ｂ、 ｌｌｂに設けた貫
通孔ｌｉｄ内に圧入させ、銅板ｌｉｅを金属板１１ｂ、
ｌｌｂに接合させることとによって形成されており、
２枚の金属板１１ｂ、 ｌｌｂ間に銅板１１ｃを配し、
圧延して放熱体１１を形成する際、銅板１１ｃか２枚の
金属板１１ｂ、 ｌｌｂの各々に設けた貫通孔ｌｉｄ内
を完全に埋めることができず、貫通孔ｌｉｄの開口部、
即ち、放熱体１１の上下面に多数の空隙Ａを有したもの
となっている。
銅板１１ｃの一部を金属板１１ｂ、 ｌｌｂに設けた貫
通孔ｌｉｄ内に圧入させ、銅板ｌｉｅを金属板１１ｂ、
ｌｌｂに接合させることとによって形成されており、
２枚の金属板１１ｂ、 ｌｌｂ間に銅板１１ｃを配し、
圧延して放熱体１１を形成する際、銅板１１ｃか２枚の
金属板１１ｂ、 ｌｌｂの各々に設けた貫通孔ｌｉｄ内
を完全に埋めることができず、貫通孔ｌｉｄの開口部、
即ち、放熱体１１の上下面に多数の空隙Ａを有したもの
となっている。
そのためこの放熱体ｌｌ上に半導体素子１３を載置固定
した場合、放熱体１１の上面には多数の空隙Ａが形成さ
れていることから該空隙Ａによって放熱体１１と半導体
素子１３の接合部面積か狭いものとなり、その結果、半
導体素子１３の放熱体１１に対する接合強度か低く、半
導体素子１３に外力か印加されると該外力によって半導
体素子１３が放熱体１１より外れてしまい、半導体装置
としての機能か喪失してしまうという欠点を有していた
。
した場合、放熱体１１の上面には多数の空隙Ａが形成さ
れていることから該空隙Ａによって放熱体１１と半導体
素子１３の接合部面積か狭いものとなり、その結果、半
導体素子１３の放熱体１１に対する接合強度か低く、半
導体素子１３に外力か印加されると該外力によって半導
体素子１３が放熱体１１より外れてしまい、半導体装置
としての機能か喪失してしまうという欠点を有していた
。
また放熱体１１と半導体素子１３との間には多数の空隙
Ａが存在することから半導体素子１３の作動にに発生す
る熱は放熱体１１への伝達が前記空隙Ａによって悪（な
り、その結果、半導体素子１３を該半導体素子１３の発
生する熱によって高温とし、半導体素子１３に熱破壊を
起こさせたり、特性に熱変化を与え、誤動作を生じさせ
たりするという欠点も有していた。
Ａが存在することから半導体素子１３の作動にに発生す
る熱は放熱体１１への伝達が前記空隙Ａによって悪（な
り、その結果、半導体素子１３を該半導体素子１３の発
生する熱によって高温とし、半導体素子１３に熱破壊を
起こさせたり、特性に熱変化を与え、誤動作を生じさせ
たりするという欠点も有していた。
（発明の目的）
本発明は上記欠点に鑑み案出されたもので、その目的は
表面に半導体素子を強固に載置固定するのを可能とし、
且つ半導体素子の発生する熱を大気中に良好に放出させ
、半導体素子を長期間にわたり正常に作動させることを
可能とした半導体素子収納用パッケージに好適に使用さ
れる放熱体の製造方法を提供することにある。
表面に半導体素子を強固に載置固定するのを可能とし、
且つ半導体素子の発生する熱を大気中に良好に放出させ
、半導体素子を長期間にわたり正常に作動させることを
可能とした半導体素子収納用パッケージに好適に使用さ
れる放熱体の製造方法を提供することにある。
（課題を解決するための手段）
本発明の放熱体の製造方法は、コバールもしくはインバ
ー合金から成り、複数個の貫通孔を有する２枚の金属板
間に銅板を配した状態で１次圧延し、銅板の一部を金属
板に設けた貫通孔内に圧入させることによって銅板を金
属板間に接合させた接合体を得、 次に前記接合体の上下面に銅から成る薄板を配し、しか
る後、これを２次圧延し、銅薄板を接合体の上下面に接
合させることを特徴とするものである。
ー合金から成り、複数個の貫通孔を有する２枚の金属板
間に銅板を配した状態で１次圧延し、銅板の一部を金属
板に設けた貫通孔内に圧入させることによって銅板を金
属板間に接合させた接合体を得、 次に前記接合体の上下面に銅から成る薄板を配し、しか
る後、これを２次圧延し、銅薄板を接合体の上下面に接
合させることを特徴とするものである。
（実施例）
次に本発明を添付図面に基づき詳細に説明する。
第１図は本発明の製造方法によって製作された放熱体を
用いた半導体素子収納用パッケージの一実施例を示す断
面図であり、１は放熱体、２は絶縁枠体である。
用いた半導体素子収納用パッケージの一実施例を示す断
面図であり、１は放熱体、２は絶縁枠体である。
前記放熱体１はその上面中央部に半導体素子３を載置固
定するための凸状の載置部１ａが設けてあり、該載置部
１ａ上には半導体素子３が接着材を介し取着される。
定するための凸状の載置部１ａが設けてあり、該載置部
１ａ上には半導体素子３が接着材を介し取着される。
前記放熱体１は半導体素子３が発生ず熱を直接伝導吸収
するとともに該吸収した熱を大気中に放出する作用を為
し、後述する絶縁枠体２との間に大きな熱応力が発生し
ないよう熱膨張係数か絶縁枠体２と近似し、且つ良熱伝
導性である材料、具体的にはコバールもしくはインバー
合金に銅を接合させた金属部材により形成される。
するとともに該吸収した熱を大気中に放出する作用を為
し、後述する絶縁枠体２との間に大きな熱応力が発生し
ないよう熱膨張係数か絶縁枠体２と近似し、且つ良熱伝
導性である材料、具体的にはコバールもしくはインバー
合金に銅を接合させた金属部材により形成される。
前記放熱体ｌはまたその上面外周端に放熱体ｌの上面に
設けた凸状の半導体素子載置部１ａを囲繞するようにし
て絶縁枠体２が取着されており、放熱体１と絶縁枠体２
とて半導体素子３を収容すための空所が形成される。
設けた凸状の半導体素子載置部１ａを囲繞するようにし
て絶縁枠体２が取着されており、放熱体１と絶縁枠体２
とて半導体素子３を収容すための空所が形成される。
尚、前記放熱体ｌはその外表面にロウ材と濡れ性が良く
、耐蝕性に優れたニッケル、金等をメツキにより０．３
乃至１０．０μｍの厚さに層着させておくと放熱体１の
酸化腐食を有効に防止するとともに放熱体１上に絶縁枠
体２を銀ロウ等のロウ材を介し強固にロウ付は取着する
ことができる。従って、放熱体ｌの外表面にはニッケル
、金等を０．３乃至１０．０μｍの厚さに層着させてお
（ことが好ましい。
、耐蝕性に優れたニッケル、金等をメツキにより０．３
乃至１０．０μｍの厚さに層着させておくと放熱体１の
酸化腐食を有効に防止するとともに放熱体１上に絶縁枠
体２を銀ロウ等のロウ材を介し強固にロウ付は取着する
ことができる。従って、放熱体ｌの外表面にはニッケル
、金等を０．３乃至１０．０μｍの厚さに層着させてお
（ことが好ましい。
また前記放熱体１の上面に取着される絶縁枠体２はアル
ミナセラミックス等の電気絶縁材料から成り、例えばア
ルミナセラミックスの粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添
加混合して泥漿状となすとともにこれをドクターブレー
ド法を採用することによってセラミックグリーンシート
（セラミック生シート）を形成し、しかる後、セラミッ
クグリーンシートに適当な打抜き加工を施すととせに複
数枚積層し、高温（約１６００℃）で焼成することによ
って製作される。
ミナセラミックス等の電気絶縁材料から成り、例えばア
ルミナセラミックスの粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添
加混合して泥漿状となすとともにこれをドクターブレー
ド法を採用することによってセラミックグリーンシート
（セラミック生シート）を形成し、しかる後、セラミッ
クグリーンシートに適当な打抜き加工を施すととせに複
数枚積層し、高温（約１６００℃）で焼成することによ
って製作される。
前記絶縁枠体２はその下面にタングステン、モリブデン
、マンガン等の高融点金属粉末から成るメタライズ金属
層５か被着されており、該メタライズ金属層５と放熱体
ｌとを銀ロウ等のロウ材６を介しロウ付けすることによ
って放熱体１上に取着される。
、マンガン等の高融点金属粉末から成るメタライズ金属
層５か被着されており、該メタライズ金属層５と放熱体
ｌとを銀ロウ等のロウ材６を介しロウ付けすることによ
って放熱体１上に取着される。
また前記絶縁枠体２の内部にはモリブデン、タングステ
ン、マンガン等の高融点金属粉末から成る導電層７が設
けてあり、該導電層７は半導体素子３の電極を外部リー
ドビン８に接続する作用を為し、その一端に外部リード
ビン８が、また他端に半導体素子３の電極に接続された
ボンディングワイヤ９が取着される。
ン、マンガン等の高融点金属粉末から成る導電層７が設
けてあり、該導電層７は半導体素子３の電極を外部リー
ドビン８に接続する作用を為し、その一端に外部リード
ビン８が、また他端に半導体素子３の電極に接続された
ボンディングワイヤ９が取着される。
前記絶縁枠体２に設けた導電層７に取着される外部リー
ドビン８は内部に収容する半導体素子３の各電極を外部
電気回路に接続する作用を為し、コバール（Ｆｅ−Ｎｉ
−Ｃｏ合金）や４２Ａｌｌｏｙ（Ｆｅ−Ｎｉ合金）等の
金属を棒状に加工したものが使用される。
ドビン８は内部に収容する半導体素子３の各電極を外部
電気回路に接続する作用を為し、コバール（Ｆｅ−Ｎｉ
−Ｃｏ合金）や４２Ａｌｌｏｙ（Ｆｅ−Ｎｉ合金）等の
金属を棒状に加工したものが使用される。
尚、前記外部リードビン８の外表面にニッケル、金等か
ら成る良導電性で、且つ耐蝕性に優れた金属をメツキに
より０．３乃至２０．０μｍの厚さに層着させておくと
外部リードビン８と外部電気回路との電気的接続が良好
となり、また外部リードビン８の酸化腐食か有効に防止
される。従って、外部リードビン８の外表面にはニッケ
ル、金等の良導電性で、且つ耐蝕性に優れた金属をメツ
キにより０．３乃至２０．０μｍの厚さに層着させてお
くことが好ましい。
ら成る良導電性で、且つ耐蝕性に優れた金属をメツキに
より０．３乃至２０．０μｍの厚さに層着させておくと
外部リードビン８と外部電気回路との電気的接続が良好
となり、また外部リードビン８の酸化腐食か有効に防止
される。従って、外部リードビン８の外表面にはニッケ
ル、金等の良導電性で、且つ耐蝕性に優れた金属をメツ
キにより０．３乃至２０．０μｍの厚さに層着させてお
くことが好ましい。
また前記絶縁枠体２の上面には蓋体１０がガラス、樹脂
等の封止材を介して取着され、これによって放熱体１と
絶縁枠体２と蓋体１０とから成る半導体素子収納用パッ
ケージの内部か完全に気密に封止される。
等の封止材を介して取着され、これによって放熱体１と
絶縁枠体２と蓋体１０とから成る半導体素子収納用パッ
ケージの内部か完全に気密に封止される。
かくして絶縁枠体２か取着された放熱体ｌの凸状載置部
１ａ上に半導体素子３を載置固定し、半導体素子３の各
電極をボンディングワイヤ９を介して導電層７に接続す
るとともに蓋体ｌＯを絶縁枠体２の上面に封止材を介し
取着することによって最終製品としての半導体装置とな
る。
１ａ上に半導体素子３を載置固定し、半導体素子３の各
電極をボンディングワイヤ９を介して導電層７に接続す
るとともに蓋体ｌＯを絶縁枠体２の上面に封止材を介し
取着することによって最終製品としての半導体装置とな
る。
次に上記半導体素子収納用パッケージに使用される本発
明の放熱体の製造方法について第２図に基づき説明する
。
明の放熱体の製造方法について第２図に基づき説明する
。
まず第２図（ａ）に示す如く複数個の貫通孔１ｄを有す
る２枚の金属板１ｂ、１ｂと１枚の銅板１ｃを準備する
。
る２枚の金属板１ｂ、１ｂと１枚の銅板１ｃを準備する
。
前記金属板１ｂはコバールもしくはインバー合金から成
り、例えばコバールから成る場合、鉄、ニッケル、コバ
ルト等の金属粉末を高温で熔解させ、合金化させてコバ
ールのインゴットを作るとともに該インゴットを従来周
知の金属圧延加工法により板状となすことによって形成
され、また金属板１ｂに設けられる複数個の貫通孔１ｄ
は金属板ｉｂを従来周知の金属穴あけ加工法を採用する
ことによって断面０．２乃至２．０ｍｍφの孔に形成さ
れる。
り、例えばコバールから成る場合、鉄、ニッケル、コバ
ルト等の金属粉末を高温で熔解させ、合金化させてコバ
ールのインゴットを作るとともに該インゴットを従来周
知の金属圧延加工法により板状となすことによって形成
され、また金属板１ｂに設けられる複数個の貫通孔１ｄ
は金属板ｉｂを従来周知の金属穴あけ加工法を採用する
ことによって断面０．２乃至２．０ｍｍφの孔に形成さ
れる。
次に前記２枚の金属板１ｂ、ｌｂと１枚の銅板１ｃは、
２枚の金属板１ｂ、ｌｂ間に銅板１ｃを配するとともに
これをロール圧延により１次圧延し、銅板１ｃの一部を
２枚の金属板１ｂ、 ｌｂの各々に設けた貫通孔ｌｄ内
に圧入させることによって、２枚の金属板１ｂ、 １ｂ
と銅板１ｃとを接合させた第２図（ｂ）に示す接合体１
ｅとなす。
２枚の金属板１ｂ、ｌｂ間に銅板１ｃを配するとともに
これをロール圧延により１次圧延し、銅板１ｃの一部を
２枚の金属板１ｂ、 ｌｂの各々に設けた貫通孔ｌｄ内
に圧入させることによって、２枚の金属板１ｂ、 １ｂ
と銅板１ｃとを接合させた第２図（ｂ）に示す接合体１
ｅとなす。
尚、この場合、接合体１ｅは、銅板１ｃか２枚の金属板
１ｂ、ｌｂの各々に設けた貫通孔ｌｄ内を完全に埋める
ことができず、貫通孔１ｄの開口部に多数の空隙Ｂを有
したものとなる。
１ｂ、ｌｂの各々に設けた貫通孔ｌｄ内を完全に埋める
ことができず、貫通孔１ｄの開口部に多数の空隙Ｂを有
したものとなる。
そして次に第２図（Ｃ）に示す如く、前記接合体ｌｅの
上下面に銅から成る薄板Ｉｆ、Ｉｆを配し、しかる後、
これをロール圧延により２次圧延し、接合体１ｅの上下
面に銅の薄板Ｉｆ、 Ｉｆを接合させて第２図（ｄ）に
示すような製品としての放熱体ｌとなる。
上下面に銅から成る薄板Ｉｆ、Ｉｆを配し、しかる後、
これをロール圧延により２次圧延し、接合体１ｅの上下
面に銅の薄板Ｉｆ、 Ｉｆを接合させて第２図（ｄ）に
示すような製品としての放熱体ｌとなる。
前記鋼から成る薄板Ｉｆ、 Ｉｆは接合体１ｅの上下面
に接合させる際、接合体１ｅの貫通孔１ｄ開口部に形成
されている空隙Ｂを埋める作用を為し、これよって得ら
れる放熱体１は空隙の存在を皆無となすことができる。
に接合させる際、接合体１ｅの貫通孔１ｄ開口部に形成
されている空隙Ｂを埋める作用を為し、これよって得ら
れる放熱体１は空隙の存在を皆無となすことができる。
従ってこの得られた放熱体１に半導体素子３を載置固定
した場合、放熱体１と半導体素子３との間には空隙がな
いことから両者の接合部面積を大きなものとなすことか
でき、その結果、半導体素子３の放熱体１に対する接合
強度を極めて強いものとなすことが可能となる。
した場合、放熱体１と半導体素子３との間には空隙がな
いことから両者の接合部面積を大きなものとなすことか
でき、その結果、半導体素子３の放熱体１に対する接合
強度を極めて強いものとなすことが可能となる。
また放熱体ｌに空隙の存在か皆無であることから該放熱
体ｌに半導体素子３を載置固定した場合、半導体素子３
か作動時に発生する熱は放熱体１が良好に吸収するとと
もに大気中に放出し、これによって半導体素子３を常に
低温として該半導体素子３を長期間にわたり正常、且つ
安定に作動させることか可能となる。
体ｌに半導体素子３を載置固定した場合、半導体素子３
か作動時に発生する熱は放熱体１が良好に吸収するとと
もに大気中に放出し、これによって半導体素子３を常に
低温として該半導体素子３を長期間にわたり正常、且つ
安定に作動させることか可能となる。
尚、前記放熱体ｌの熱膨張係数は金属板１ｂの厚さ、銅
板１ｃの厚さ及び銅から成る薄板Ｉｆの厚さに左右され
、金属板１ｂの厚さを０．０５乃至０．５ｍｍ、銅板１
ｃの厚さを０．２乃至２．Ｏｍｍ、銅から成る薄板の厚
さを０．０２乃至０．５ｍｍとしておくとその熱膨張係
数は６．０〜？、ＯＸＩＯ”／ ”Ｃとなり、絶縁枠体
２を構成するアルミナセラミックスの熱膨張係数と近似
したものとなる。従って、放熱体ｌと絶縁枠体２とをそ
の間に熱応力を発生することな（強固に取着するには放
熱体ｌはそれを構成する金属板１ｂ、銅板１ｃ及び銅か
ら成る薄板Ｉｆの各々を上記範囲の厚さとしておくこと
が好ましい。
板１ｃの厚さ及び銅から成る薄板Ｉｆの厚さに左右され
、金属板１ｂの厚さを０．０５乃至０．５ｍｍ、銅板１
ｃの厚さを０．２乃至２．Ｏｍｍ、銅から成る薄板の厚
さを０．０２乃至０．５ｍｍとしておくとその熱膨張係
数は６．０〜？、ＯＸＩＯ”／ ”Ｃとなり、絶縁枠体
２を構成するアルミナセラミックスの熱膨張係数と近似
したものとなる。従って、放熱体ｌと絶縁枠体２とをそ
の間に熱応力を発生することな（強固に取着するには放
熱体ｌはそれを構成する金属板１ｂ、銅板１ｃ及び銅か
ら成る薄板Ｉｆの各々を上記範囲の厚さとしておくこと
が好ましい。
（発明の効果）
本発明の放熱体の製造方法によればコバールもしくはイ
ンバー合金から成る２枚の金属板間に銅板を接合させた
接合体の上下面に銅から成る薄板を圧延により接合させ
たことから放熱体に空隙の存在を皆無となすことができ
、その結果、放熱体に半導体素子を載置固定する際、放
熱体と半導体素子との接合部面積を広くして半導体素子
を放熱体上に極めて強固に接合させることが可能となる
。
ンバー合金から成る２枚の金属板間に銅板を接合させた
接合体の上下面に銅から成る薄板を圧延により接合させ
たことから放熱体に空隙の存在を皆無となすことができ
、その結果、放熱体に半導体素子を載置固定する際、放
熱体と半導体素子との接合部面積を広くして半導体素子
を放熱体上に極めて強固に接合させることが可能となる
。
また放熱体に空隙の存在が皆無であることから放熱体に
半導体素子が発生する熱を効率的に吸収除去させること
かでき、その結果、半導体素子を低温として該半導体素
子を長期間にわたり正常、且つ安定に作動させることも
可能となる。、
半導体素子が発生する熱を効率的に吸収除去させること
かでき、その結果、半導体素子を低温として該半導体素
子を長期間にわたり正常、且つ安定に作動させることも
可能となる。、
第１図は本発明の製造方法によって形成された放熱体を
使用した半導体素子収納用パッケージの一実施例を示す
断面図、第２図（ａ）（ｂＸｃ）（ｄ）は本発明の放熱
体の製造方法を説明するための各工程毎き断面図、第３
図は従来の放熱体を使用した半導体素子収納用パッケー
ジの断面図、第４図は第３図に示す放熱体の部分拡大斜
視図である。 ｌ・・・放熱体 １ｂ ・・金属板ｌｃ ・・銅板
１ｄ ・・貫通孔ｌｅ ・・接合体 Ｉｆ
・・薄板２・・・絶縁枠体
使用した半導体素子収納用パッケージの一実施例を示す
断面図、第２図（ａ）（ｂＸｃ）（ｄ）は本発明の放熱
体の製造方法を説明するための各工程毎き断面図、第３
図は従来の放熱体を使用した半導体素子収納用パッケー
ジの断面図、第４図は第３図に示す放熱体の部分拡大斜
視図である。 ｌ・・・放熱体 １ｂ ・・金属板ｌｃ ・・銅板
１ｄ ・・貫通孔ｌｅ ・・接合体 Ｉｆ
・・薄板２・・・絶縁枠体
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 コバールもしくはインバー合金から成り、複数個の貫通
孔を有する２枚の金属板間に銅板を配した状態で１次圧
延し、銅板の一部を金属板に設けた貫通孔内に圧入させ
ることによって銅板を金属板間に接合させた接合体を得
、 次に前記接合体の上下面に銅から成る薄板を配し、しか
る後、これを２次圧延し、銅薄板を接合体の上下面に接
合させることを特徴とする放熱体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2183514A JP2838154B2 (ja) | 1990-07-11 | 1990-07-11 | 放熱体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2183514A JP2838154B2 (ja) | 1990-07-11 | 1990-07-11 | 放熱体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0471256A true JPH0471256A (ja) | 1992-03-05 |
| JP2838154B2 JP2838154B2 (ja) | 1998-12-16 |
Family
ID=16137177
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2183514A Expired - Fee Related JP2838154B2 (ja) | 1990-07-11 | 1990-07-11 | 放熱体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2838154B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06163736A (ja) * | 1992-11-19 | 1994-06-10 | Kyocera Corp | 半導体素子収納用パッケージ |
| WO2007007602A1 (ja) * | 2005-07-07 | 2007-01-18 | Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki | 放熱装置およびパワーモジュール |
-
1990
- 1990-07-11 JP JP2183514A patent/JP2838154B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06163736A (ja) * | 1992-11-19 | 1994-06-10 | Kyocera Corp | 半導体素子収納用パッケージ |
| WO2007007602A1 (ja) * | 2005-07-07 | 2007-01-18 | Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki | 放熱装置およびパワーモジュール |
| JP2007019203A (ja) * | 2005-07-07 | 2007-01-25 | Toyota Industries Corp | 放熱装置 |
| JP4617209B2 (ja) * | 2005-07-07 | 2011-01-19 | 株式会社豊田自動織機 | 放熱装置 |
| US8198539B2 (en) | 2005-07-07 | 2012-06-12 | Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki | Heat radiator and power module |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2838154B2 (ja) | 1998-12-16 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |