JP2849869B2 - 半導体素子収納用パッケージ - Google Patents
半導体素子収納用パッケージInfo
- Publication number
- JP2849869B2 JP2849869B2 JP2296504A JP29650490A JP2849869B2 JP 2849869 B2 JP2849869 B2 JP 2849869B2 JP 2296504 A JP2296504 A JP 2296504A JP 29650490 A JP29650490 A JP 29650490A JP 2849869 B2 JP2849869 B2 JP 2849869B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal
- metal frame
- insulating base
- package
- integrated circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/1515—Shape
- H01L2924/15153—Shape the die mounting substrate comprising a recess for hosting the device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16195—Flat cap [not enclosing an internal cavity]
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は半導体集積回路素子を収容するための半導体
素子収納用パッケージの改良に関するものである。
素子収納用パッケージの改良に関するものである。
（従来技術及びその課題） 従来、半導体素子、特にLSI等の半導体集積回路素子
を収容するための半導体素子収納用パッケージは、一般
に、アルミナセラミックス等の電気絶縁材料から成り、
その上面中央部に半導体集積回路素子を収容するための
空所を有し、且つ上面にコバール金属（鉄:54.0重量
％、ニッケル:29.0重量％、コバルト17.0重量％から成
る合金）から成る金属枠体がロウ付けされた絶縁基体
と、同じくコバール等の金属材料より成る蓋体とから構
成されており、絶縁基体の空所内に半導体集積回路素子
を取着収容するとともに絶縁基体の金属製蓋体を溶接、
或いはロウ付けし、絶縁基体と金属製蓋体とから成る容
器内部に半導体集積回路素子を気密に封止することによ
って最終製品としての半導体装置となる。
を収容するための半導体素子収納用パッケージは、一般
に、アルミナセラミックス等の電気絶縁材料から成り、
その上面中央部に半導体集積回路素子を収容するための
空所を有し、且つ上面にコバール金属（鉄:54.0重量
％、ニッケル:29.0重量％、コバルト17.0重量％から成
る合金）から成る金属枠体がロウ付けされた絶縁基体
と、同じくコバール等の金属材料より成る蓋体とから構
成されており、絶縁基体の空所内に半導体集積回路素子
を取着収容するとともに絶縁基体の金属製蓋体を溶接、
或いはロウ付けし、絶縁基体と金属製蓋体とから成る容
器内部に半導体集積回路素子を気密に封止することによ
って最終製品としての半導体装置となる。
尚、前記半導体素子収納用パッケージにおいては絶縁
基体の上面にタングステン、モリブデン等の高融点金属
粉末から成るメタライズ金属層が予め被着されており、
該メタライズ金属層に金属枠体が銀ロウ等のロウ材を介
してロウ付けされる。
基体の上面にタングステン、モリブデン等の高融点金属
粉末から成るメタライズ金属層が予め被着されており、
該メタライズ金属層に金属枠体が銀ロウ等のロウ材を介
してロウ付けされる。
しかしながら、近時、半導体集積回路素子の高密度
化、高集積化が急激に進んでおり、半導体集積回路素子
の作動時に発生する熱量が極めて大きなものとなってき
ている。そのためこの半導体集積回路素子を上述した従
来の半導体素子収納用パッケージに収容した場合、パッ
ケージの絶縁基体を構成するアルミナセラミックスの熱
伝導率が約20W/m・Ｋと低いため、該絶縁基体を介して
半導体集積回路素子が作動時に発生する熱を大気中に良
好に放出させることができず、その結果、半導体集積回
路素子が該素子自身の発生する熱によって高温となり、
半導体集積回路素子に熱破壊を起こさせたり、特性に熱
変化を与え、誤動作を生じさせたりするという欠点を招
来した。
化、高集積化が急激に進んでおり、半導体集積回路素子
の作動時に発生する熱量が極めて大きなものとなってき
ている。そのためこの半導体集積回路素子を上述した従
来の半導体素子収納用パッケージに収容した場合、パッ
ケージの絶縁基体を構成するアルミナセラミックスの熱
伝導率が約20W/m・Ｋと低いため、該絶縁基体を介して
半導体集積回路素子が作動時に発生する熱を大気中に良
好に放出させることができず、その結果、半導体集積回
路素子が該素子自身の発生する熱によって高温となり、
半導体集積回路素子に熱破壊を起こさせたり、特性に熱
変化を与え、誤動作を生じさせたりするという欠点を招
来した。
そこで上記欠点を解消するために絶縁基体を熱伝導率
が80W/m・Ｋ以上の極めて熱を伝え易い窒化アルミニウ
ム質焼結体で形成することが考えられる。
が80W/m・Ｋ以上の極めて熱を伝え易い窒化アルミニウ
ム質焼結体で形成することが考えられる。
しかしながら、絶縁基体を窒化アルミニウム質焼結体
で形成した場合、該窒化アルミニウム質焼結体はその熱
膨張係数が4.2〜4.7×10-6/℃であり、金属枠体の熱膨
張係数（コバール金属:5.6×10-6/℃）と相違するた
め、絶縁基体に金属枠体をロウ付けするとロウ付け部に
両者の熱膨張係数の相違に起因する熱応力が発生内在
し、その結果、金属枠体に小さな外力が印加されても該
外力は前記内在応力と相俊って大きくなり、金属枠体を
絶縁基体より剥がされてしまうという欠点を誘発した。
で形成した場合、該窒化アルミニウム質焼結体はその熱
膨張係数が4.2〜4.7×10-6/℃であり、金属枠体の熱膨
張係数（コバール金属:5.6×10-6/℃）と相違するた
め、絶縁基体に金属枠体をロウ付けするとロウ付け部に
両者の熱膨張係数の相違に起因する熱応力が発生内在
し、その結果、金属枠体に小さな外力が印加されても該
外力は前記内在応力と相俊って大きくなり、金属枠体を
絶縁基体より剥がされてしまうという欠点を誘発した。
（発明の目的） 本発明は上記諸欠点に鑑み案出されたもので、その目
的は金属枠体の剥がれを有効に防止し、且つパッケージ
の熱伝導を良好として内部に収容する半導体集積回路素
子が熱破壊したり、特性に熱変化が生じるような高温と
なるのを皆無となし、半導体集積回路素子を常に正常、
安定に作動させることができる半導体素子収納用パッケ
ージを提供することにある。
的は金属枠体の剥がれを有効に防止し、且つパッケージ
の熱伝導を良好として内部に収容する半導体集積回路素
子が熱破壊したり、特性に熱変化が生じるような高温と
なるのを皆無となし、半導体集積回路素子を常に正常、
安定に作動させることができる半導体素子収納用パッケ
ージを提供することにある。
（課題を解決するための手段） 本発明は上面に金属枠体がロウ付けされた絶縁基体と
金属製蓋体とから成り、絶縁基体の金属枠体に金属製蓋
体を取着することによって内部に半導体集積回路素子を
収容するようになした半導体素子収納用パッケージにお
いて、前記絶縁基体を窒化アルミニウム質焼結体で形成
し、金属枠体を熱膨張係数が4.0乃至5.0×10-6/℃（20
〜400℃）の金属で形成したことを特徴とするものであ
る。
金属製蓋体とから成り、絶縁基体の金属枠体に金属製蓋
体を取着することによって内部に半導体集積回路素子を
収容するようになした半導体素子収納用パッケージにお
いて、前記絶縁基体を窒化アルミニウム質焼結体で形成
し、金属枠体を熱膨張係数が4.0乃至5.0×10-6/℃（20
〜400℃）の金属で形成したことを特徴とするものであ
る。
（実施例） 次に本発明を添付図面に示す実施例に基づき詳細に説
明する。
明する。
第１図は本発明の半導体素子収納用パッケージの一実
施例を示す断面図であり、１は絶縁基体、２は金属製の
蓋体である。この絶縁基体１と蓋体２とで半導体集積回
路素子４を収容するための容器３が構成される。
施例を示す断面図であり、１は絶縁基体、２は金属製の
蓋体である。この絶縁基体１と蓋体２とで半導体集積回
路素子４を収容するための容器３が構成される。
前記絶縁基体１はその上面中央部に半導体集積回路素
子４を収容するための空所を形成すつ段状の凹部が設け
てあり、該凹部底面には半導体集積回路素子４が接着材
を介し取着される。
子４を収容するための空所を形成すつ段状の凹部が設け
てあり、該凹部底面には半導体集積回路素子４が接着材
を介し取着される。
前記絶縁基体１は窒化アルミニウム質焼結体から成
り、該窒化アルミニウム質焼結体はその熱伝導率が80W/
m・Ｋ以上と高く、熱を伝導し易いため絶縁基体１の凹
部底面に半導体集積回路素子４を取着し、作動させた場
合、絶縁基体１は半導体集積回路素子４が発生する熱を
直接伝導吸収するとともに該吸収した熱を大気中に良好
に放出することが可能となり、これによって半導体集積
回路素子４は常に低温として熱破壊したり、特性に熱変
化を生し、誤動作したりすることはなくなる。
り、該窒化アルミニウム質焼結体はその熱伝導率が80W/
m・Ｋ以上と高く、熱を伝導し易いため絶縁基体１の凹
部底面に半導体集積回路素子４を取着し、作動させた場
合、絶縁基体１は半導体集積回路素子４が発生する熱を
直接伝導吸収するとともに該吸収した熱を大気中に良好
に放出することが可能となり、これによって半導体集積
回路素子４は常に低温として熱破壊したり、特性に熱変
化を生し、誤動作したりすることはなくなる。
尚、前記窒化アルミニウム質焼結体から成る絶縁基体
１は例えば、主原料である窒化アルミニウム粉末に焼結
助剤としての酸化イットリウム、カルシア等の粉末及び
適当な有機溶剤、溶媒を添加混合して混漿物を作るとと
もに該泥漿物をドクターブレード法を採用することによ
ってグリーンシート（生シート）と成し、しかる後、前
記グリーンシートに適当な打ち抜き加工を施すとともに
これを複数枚積層し、約1800℃の高温で焼成することに
よって製作される。
１は例えば、主原料である窒化アルミニウム粉末に焼結
助剤としての酸化イットリウム、カルシア等の粉末及び
適当な有機溶剤、溶媒を添加混合して混漿物を作るとと
もに該泥漿物をドクターブレード法を採用することによ
ってグリーンシート（生シート）と成し、しかる後、前
記グリーンシートに適当な打ち抜き加工を施すとともに
これを複数枚積層し、約1800℃の高温で焼成することに
よって製作される。
また前記絶縁基体１にはその上面にメタライズ金属層
５が被着形成されており、該メタライズ金属層５には金
属枠体６が銀ロウ等のロウ材を介しロウ付けされてい
る。
５が被着形成されており、該メタライズ金属層５には金
属枠体６が銀ロウ等のロウ材を介しロウ付けされてい
る。
前記絶縁基体１上面のメタライズ金属層５はタングス
テン、モリブデン等の高融点金属粉末から成り、該タン
グステン粉末等に適当な有機溶剤、溶媒を添加混合して
得た金属ペーストを絶縁基体１の上面に従来周知のスク
リーン印刷法を採用することによって所定パターンに印
刷塗布し、しかる後、これを高温で焼付けることによっ
て絶縁基体１の上面に被着形成される。
テン、モリブデン等の高融点金属粉末から成り、該タン
グステン粉末等に適当な有機溶剤、溶媒を添加混合して
得た金属ペーストを絶縁基体１の上面に従来周知のスク
リーン印刷法を採用することによって所定パターンに印
刷塗布し、しかる後、これを高温で焼付けることによっ
て絶縁基体１の上面に被着形成される。
また前記メタライズ金属層５にロウ付けされる金属枠
体６は金属製蓋体２を絶縁基体１に取着する際の下地金
属部材として作用し、金属枠体６に金属製蓋体２をシー
ムウエルド法等の溶接、あるいはロウ材を介しロウ付け
することによって金属製蓋体２は絶縁基体11上に取着さ
れる。
体６は金属製蓋体２を絶縁基体１に取着する際の下地金
属部材として作用し、金属枠体６に金属製蓋体２をシー
ムウエルド法等の溶接、あるいはロウ材を介しロウ付け
することによって金属製蓋体２は絶縁基体11上に取着さ
れる。
前記金属枠体６はその熱膨張係数が4.0乃至5.0×10-6
/℃（20〜400℃）の金属、例えば、鉄51.0乃至64.0重量
％、ニッケル29.0乃至34.0重量％及びコバルト7.0乃至1
5.0重量％の合金より成っている。
/℃（20〜400℃）の金属、例えば、鉄51.0乃至64.0重量
％、ニッケル29.0乃至34.0重量％及びコバルト7.0乃至1
5.0重量％の合金より成っている。
前記金属枠体６はその熱膨張係数が4.0乃至5.0×10-6
/℃（20〜400℃）であり、絶縁基体１を構成する窒化ア
ルミニウム質焼結体の熱膨張係数（4.2乃至4.7×10-6/
℃）と近似していることから絶縁基体１に被着させたメ
タライズ金属層５に金属枠体６をロウ付けする際、絶縁
基体１と金属枠体６との間には両者の熱膨張係数の相違
に起因する大きな熱応力が発生することはなく、両者の
ロウ付け部に大きな熱応力が内在することもない。
/℃（20〜400℃）であり、絶縁基体１を構成する窒化ア
ルミニウム質焼結体の熱膨張係数（4.2乃至4.7×10-6/
℃）と近似していることから絶縁基体１に被着させたメ
タライズ金属層５に金属枠体６をロウ付けする際、絶縁
基体１と金属枠体６との間には両者の熱膨張係数の相違
に起因する大きな熱応力が発生することはなく、両者の
ロウ付け部に大きな熱応力が内在することもない。
従って、ロウ付け後、金属枠体６に外力が印加された
としても該外力がロウ付け部に内在する応力と相俊って
大きくなり、絶縁基体１より金属枠体６を剥がれさせる
ことはない。
としても該外力がロウ付け部に内在する応力と相俊って
大きくなり、絶縁基体１より金属枠体６を剥がれさせる
ことはない。
尚、前記金属枠体６は例えば、鉄51.0乃至64.0重量
％、ニッケル29.0乃至34.0重量％及びコバルト7.0乃至1
5.0重量％を加熱溶融し、合金化させてインゴットを作
るとともに該インゴットを従来周知の圧延加工法及び打
ち抜き加工法によって所定の形状に形成される。
％、ニッケル29.0乃至34.0重量％及びコバルト7.0乃至1
5.0重量％を加熱溶融し、合金化させてインゴットを作
るとともに該インゴットを従来周知の圧延加工法及び打
ち抜き加工法によって所定の形状に形成される。
また前記絶縁基体１には凹部段上面から容器３の外部
に導出するメタライズ配線層７が被着形成されており、
該メタライズ配線層７の凹部段状上面部には半導体集積
回路素子４の電極がボンディングワイヤ８を介して電気
的に接続され、また容器の外部に導出された部位には外
部回路と接続される外部リード端子９が銀ロウ等のロウ
材を介し取着される。
に導出するメタライズ配線層７が被着形成されており、
該メタライズ配線層７の凹部段状上面部には半導体集積
回路素子４の電極がボンディングワイヤ８を介して電気
的に接続され、また容器の外部に導出された部位には外
部回路と接続される外部リード端子９が銀ロウ等のロウ
材を介し取着される。
前記絶縁基体１のメタライズ配線層７はタングステ
ン、モリブデン等の高融点金属粉末から成り、従来周知
のスクリーン印刷法を採用することによって絶縁基体１
の凹部段状上面から容器３の外部に導出するよう被着形
成される。
ン、モリブデン等の高融点金属粉末から成り、従来周知
のスクリーン印刷法を採用することによって絶縁基体１
の凹部段状上面から容器３の外部に導出するよう被着形
成される。
また前記絶縁基体１に被着させたメタライズ配線層７
にロウ付けされる外部リード端子９は内部に収容する半
導体集積回路素子４を外部回路に接続する作用を為し、
外部リード端子９を外部回路に接続することによって内
部に収容される半導体集積回路素子４はメタライズ配線
層７及び外部リード端子９を介して外部回路に電気的に
接続されることとなる。
にロウ付けされる外部リード端子９は内部に収容する半
導体集積回路素子４を外部回路に接続する作用を為し、
外部リード端子９を外部回路に接続することによって内
部に収容される半導体集積回路素子４はメタライズ配線
層７及び外部リード端子９を介して外部回路に電気的に
接続されることとなる。
前記外部リード端子９は例えば、前述の金属枠体６と
同じ材料、具体的には鉄51.0乃至64.0重量％、ニッケル
29.0乃至34.0重量％及びコバルト7.0乃至15.0重量％の
合金により形成されている。
同じ材料、具体的には鉄51.0乃至64.0重量％、ニッケル
29.0乃至34.0重量％及びコバルト7.0乃至15.0重量％の
合金により形成されている。
尚、前記外部リード端子９を鉄51.0乃至64.0重量％、
ニッケル29.0乃至34.0重量％及びコバルト7.0乃至15.0
重量％の合金で形成しておくと該外部リード端子９の熱
膨張係数を絶縁基体１の熱膨張係数に近似させることが
でき、絶縁基体１に被着させたメタライズ配線層７に外
部リード端子９をロウ付けする際、絶縁基体１と外部リ
ード端子９とのロウ付け部に両者の熱膨張係数の相違に
起因して発生する大きな熱圧力が内在するのを皆無とな
し、外部リード端子９のロウ付け強度を極めて強いもの
となすことができる。従って、外部リード端子９は鉄5
1.0乃至64.0重量％、ニッケル29.0乃至34.0重量％及び
コバルト7.0至15.0重量％の合金で形成しておくことが
好ましい。
ニッケル29.0乃至34.0重量％及びコバルト7.0乃至15.0
重量％の合金で形成しておくと該外部リード端子９の熱
膨張係数を絶縁基体１の熱膨張係数に近似させることが
でき、絶縁基体１に被着させたメタライズ配線層７に外
部リード端子９をロウ付けする際、絶縁基体１と外部リ
ード端子９とのロウ付け部に両者の熱膨張係数の相違に
起因して発生する大きな熱圧力が内在するのを皆無とな
し、外部リード端子９のロウ付け強度を極めて強いもの
となすことができる。従って、外部リード端子９は鉄5
1.0乃至64.0重量％、ニッケル29.0乃至34.0重量％及び
コバルト7.0至15.0重量％の合金で形成しておくことが
好ましい。
かくして前記絶縁基体１の凹部底面に半導体集積回路
素子４を接着材を介し取着するとともに半導体集積回路
素子４の各電極をメタライズ配線層７にボンディングワ
イヤ８を介して電気的に接続し、しかる後、絶縁基体１
の上面にロウ付けした金属枠体６に金属製蓋体２をシー
ムウエルド法等の溶接、あるいはロウ材を用いてロウ付
けし、容器３の内部を気密に封止することによって最終
製品としての半導体装置となる。
素子４を接着材を介し取着するとともに半導体集積回路
素子４の各電極をメタライズ配線層７にボンディングワ
イヤ８を介して電気的に接続し、しかる後、絶縁基体１
の上面にロウ付けした金属枠体６に金属製蓋体２をシー
ムウエルド法等の溶接、あるいはロウ材を用いてロウ付
けし、容器３の内部を気密に封止することによって最終
製品としての半導体装置となる。
（実験例） 次に本発明の作用効果を以下に示す実験例に基づき説
明する。
明する。
まず、鉄、ニッケル及びコバルトを第１表に示す値に
秤量し、これを合金化させて幅0.4mm、長さ20.0mm、幅
0.4mm、厚さ0.15mmの金属枠体用の試料を得る。
秤量し、これを合金化させて幅0.4mm、長さ20.0mm、幅
0.4mm、厚さ0.15mmの金属枠体用の試料を得る。
尚、試料番号21は本発明品と比較するための比較試料
であり、従来一般に金属枠体として使用されているコバ
ール金属である。
であり、従来一般に金属枠体として使用されているコバ
ール金属である。
次に窒化アルミニウム質焼結体から成る絶縁基体の表
面に幅2.0mm、長さ3.0mm、厚さ20〜30μｍのタングステ
ンから成るメタライズ金属層を多数個、被着形成すると
ともに該メタライズ金属層上に前記金属枠体用の試料を
各々20個ずつ、その一端を銀ロウ材（BAg8:銀72.0重量
％、銅28.0重量％）を介しロウ付けする。
面に幅2.0mm、長さ3.0mm、厚さ20〜30μｍのタングステ
ンから成るメタライズ金属層を多数個、被着形成すると
ともに該メタライズ金属層上に前記金属枠体用の試料を
各々20個ずつ、その一端を銀ロウ材（BAg8:銀72.0重量
％、銅28.0重量％）を介しロウ付けする。
そして次に前記ロウ付けした試料の他端（ロウ付けし
た側の端部とは反対の端部）をロウ付け面に対し垂直方
向に所定の力で引っ張り、試料が窒化アルミニウム質焼
結体の絶縁基体より剥がれた個数を調べるとともにこれ
を金属枠体のロウ付け強度の評価とした。
た側の端部とは反対の端部）をロウ付け面に対し垂直方
向に所定の力で引っ張り、試料が窒化アルミニウム質焼
結体の絶縁基体より剥がれた個数を調べるとともにこれ
を金属枠体のロウ付け強度の評価とした。
尚、前記試料のロウ付け面積は幅0.4mm、長さ2.5mmの
1.0mm2とし、またタングステンメタライズ金属層の外表
面にはニッケルをメッキにより1.5乃至2.0μｍの厚みに
層着させておいた。
1.0mm2とし、またタングステンメタライズ金属層の外表
面にはニッケルをメッキにより1.5乃至2.0μｍの厚みに
層着させておいた。
上記の結果を第１表に示す。
上記実験結果からも判るように、従来のコバール合金
から成る金属枠体（試料番号21）は3Kgの力で引っ張る
と金属枠体の全てが剥がれてしまい、窒化アルミニウム
質焼結体から成る絶縁基体と金属枠体とのロウ付け強度
が極めて低いものであるのに対し、本発明の熱膨張係数
が4.0乃至5.0×10-6/℃の金属から成る金属枠体を使用
したものは4Kgの力で引っ張っても金属枠体が剥がれる
ことは殆どなく、窒化アルミニウム質焼結体から成る絶
縁基体と金属枠体とのロウ付け強度が極めて高いもので
あることが判る。
から成る金属枠体（試料番号21）は3Kgの力で引っ張る
と金属枠体の全てが剥がれてしまい、窒化アルミニウム
質焼結体から成る絶縁基体と金属枠体とのロウ付け強度
が極めて低いものであるのに対し、本発明の熱膨張係数
が4.0乃至5.0×10-6/℃の金属から成る金属枠体を使用
したものは4Kgの力で引っ張っても金属枠体が剥がれる
ことは殆どなく、窒化アルミニウム質焼結体から成る絶
縁基体と金属枠体とのロウ付け強度が極めて高いもので
あることが判る。
特に金属枠体の熱膨張係数を4.46乃至4.89×10-6/℃
の範囲としたものは5Kgの力で引っ張っても金属枠体の
剥がれはなく、金属枠体を窒化アルミニウム質焼結体か
ら成る絶縁基体に強固にロウ付けするには金属枠体の熱
膨張係数を4.46乃至4.89×10-6/℃の範囲とすることが
好ましい。
の範囲としたものは5Kgの力で引っ張っても金属枠体の
剥がれはなく、金属枠体を窒化アルミニウム質焼結体か
ら成る絶縁基体に強固にロウ付けするには金属枠体の熱
膨張係数を4.46乃至4.89×10-6/℃の範囲とすることが
好ましい。
（発明の効果） 以上の通り、本発明の半導体素子収納用パッケージに
よれば、窒化アルミニウム質焼結体から成る絶縁基体に
ロウ付けする金属枠体の熱膨張係数を4.0乃至5.0×10-6
/℃（20〜400℃）としたことから絶縁基体の金属枠体の
熱膨張係数を近似させることができ、その結果、絶縁基
体の上面に金属枠体をロウ付けする際、絶縁基体と金属
枠体との間には両者の熱膨張係数の相違に起因する熱応
力は殆ど発生せず、絶縁基体上面に金属枠体を極めて強
固にロウ付けすることを可能として高信頼性の半導体素
子収納用パッケージを提供することができる。
よれば、窒化アルミニウム質焼結体から成る絶縁基体に
ロウ付けする金属枠体の熱膨張係数を4.0乃至5.0×10-6
/℃（20〜400℃）としたことから絶縁基体の金属枠体の
熱膨張係数を近似させることができ、その結果、絶縁基
体の上面に金属枠体をロウ付けする際、絶縁基体と金属
枠体との間には両者の熱膨張係数の相違に起因する熱応
力は殆ど発生せず、絶縁基体上面に金属枠体を極めて強
固にロウ付けすることを可能として高信頼性の半導体素
子収納用パッケージを提供することができる。
また本発明の半導体素子収納用パッケージによれば半
導体素子が収容される絶縁基体を熱伝導率が80.0W/m・
Ｋ以上の窒化アルミニウム質焼結体で形成したことから
内部に収容する半導体集積回路素子の発生する熱は絶縁
基体を介して大気中に良好に放出され、その結果、半導
体集積回路素子を高温とすることは一切なく、半導体集
積回路素子を長期間にわたり正常、且つ安定に作動させ
ることもできる。
導体素子が収容される絶縁基体を熱伝導率が80.0W/m・
Ｋ以上の窒化アルミニウム質焼結体で形成したことから
内部に収容する半導体集積回路素子の発生する熱は絶縁
基体を介して大気中に良好に放出され、その結果、半導
体集積回路素子を高温とすることは一切なく、半導体集
積回路素子を長期間にわたり正常、且つ安定に作動させ
ることもできる。
第１図は本発明の半導体素子収納用パッケージの一実施
例を示す断面図である。 １……絶縁基体、２……金属製蓋体 ６……金属枠体、９……外部リード端子
例を示す断面図である。 １……絶縁基体、２……金属製蓋体 ６……金属枠体、９……外部リード端子
Claims (2)
- 【請求項１】上面に金属枠体がロウ付けされている絶縁
基体と金属製蓋体とから成り、金属枠体に金属製蓋体を
取着することによって内部に半導体集積回路素子を収容
するようになした半導体素子収納用パッケージにおい
て、前記絶縁基体を窒化アルミニウム質焼結体で形成す
るとともに、金属枠体を熱膨張係数が4.0乃至5.0×10-6
/℃（20〜400℃）の金属で形成し、かつ前記金属枠体を
絶縁基体に形成されているメタライズ金属層にロウ付け
したことを特徴とする半導体素子収納用パッケージ。 - 【請求項２】前記金属枠体が鉄51.0乃至64.0重量％、ニ
ッケル29.0乃至34.0重量％及びコバルト7.0乃至15.0重
量％の合金より成ることを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の半導体素子収納用パッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2296504A JP2849869B2 (ja) | 1990-10-31 | 1990-10-31 | 半導体素子収納用パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2296504A JP2849869B2 (ja) | 1990-10-31 | 1990-10-31 | 半導体素子収納用パッケージ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04168750A JPH04168750A (ja) | 1992-06-16 |
| JP2849869B2 true JP2849869B2 (ja) | 1999-01-27 |
Family
ID=17834405
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2296504A Expired - Lifetime JP2849869B2 (ja) | 1990-10-31 | 1990-10-31 | 半導体素子収納用パッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2849869B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113539974B (zh) * | 2021-09-15 | 2021-11-23 | 凯瑞电子(诸城)有限公司 | 一种芯片封装外壳及其钎焊工艺 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2650044B2 (ja) * | 1987-07-03 | 1997-09-03 | 住友電気工業株式会社 | 半導体装置用部品間の接続構造 |
-
1990
- 1990-10-31 JP JP2296504A patent/JP2849869B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04168750A (ja) | 1992-06-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2849869B2 (ja) | 半導体素子収納用パッケージ | |
| JP2883235B2 (ja) | 半導体素子収納用パッケージ | |
| JP2764340B2 (ja) | 半導体素子収納用パッケージ | |
| JPH083009Y2 (ja) | 半導体素子収納用パッケージ | |
| JP2849865B2 (ja) | 放熱体の製造方法 | |
| JP2543149Y2 (ja) | 半導体素子収納用パッケージ | |
| JP3318453B2 (ja) | 電子部品収納用パッケージ | |
| JP3297577B2 (ja) | 半導体素子収納用パッケージ | |
| JP3346655B2 (ja) | 半導体素子収納用パッケージ | |
| JP3559457B2 (ja) | ロウ材 | |
| JP2515051Y2 (ja) | 半導体素子収納用パッケージ | |
| JP3559458B2 (ja) | ロウ材 | |
| JP2746813B2 (ja) | 半導体素子収納用パッケージ | |
| JP2710893B2 (ja) | リード付き電子部品 | |
| JP2873105B2 (ja) | 半導体素子収納用パッケージ | |
| JP4562301B2 (ja) | 電子部品収納用パッケージ | |
| JP2543153Y2 (ja) | 半導体素子収納用パッケージ | |
| JP2746841B2 (ja) | 配線基板 | |
| JP2948990B2 (ja) | 半導体素子収納用パッケージ | |
| JP2740602B2 (ja) | 半導体素子収納用パッケージ | |
| JPH08316353A (ja) | 半導体素子収納用パッケージ | |
| JP2948991B2 (ja) | 半導体素子収納用パッケージ | |
| JP2784094B2 (ja) | 半導体素子収納用パッケージ | |
| JP2515672Y2 (ja) | 半導体素子収納用パッケージ | |
| JP2717727B2 (ja) | 半導体素子収納用パッケージ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071113 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081113 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091113 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101113 Year of fee payment: 12 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |