JPH0470566B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0470566B2 JPH0470566B2 JP24867786A JP24867786A JPH0470566B2 JP H0470566 B2 JPH0470566 B2 JP H0470566B2 JP 24867786 A JP24867786 A JP 24867786A JP 24867786 A JP24867786 A JP 24867786A JP H0470566 B2 JPH0470566 B2 JP H0470566B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resistor
- transistor
- collector
- intersection
- capacitor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 15
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 10
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、検出温度によるサーミスタの抵抗値
変化を出力信号の周波数変化に変換し、それをア
ナログLPFを通すことによりアナログ電圧値を
得、クウンタを利用することによつて、デイジタ
ルデータに変換するようにした温度検出回路に関
するものである。
変化を出力信号の周波数変化に変換し、それをア
ナログLPFを通すことによりアナログ電圧値を
得、クウンタを利用することによつて、デイジタ
ルデータに変換するようにした温度検出回路に関
するものである。
従来の技術
近年、信号処理技術はアナログからデイジタル
化されてきており、温度検出はサーミスタの抵抗
値変化を利用し、それを電圧、まはは電流値のア
ナログ値で処理を行なつてきている。以下図面を
参照しながら、従来技術の一例について説明す
る。
化されてきており、温度検出はサーミスタの抵抗
値変化を利用し、それを電圧、まはは電流値のア
ナログ値で処理を行なつてきている。以下図面を
参照しながら、従来技術の一例について説明す
る。
第３図が従来の一例で、第３図ａは電圧出力型
を示す。図中、抵抗２７とサーミスタ３を直列に
接続しておき、その交点電圧をアンプ２９により
増幅して、電圧出力３０を得、後段でその電圧値
を利用するものである。第３図ｂは電流型で、抵
抗３１、サーミスタ３、トランジスタ３２、抵抗
３３が直列に接続されており、この直列回路に流
れる電流を抵抗３４、トランジスタ３５の電流増
幅手段で増幅して電流出力３６を得るものであ
る。
を示す。図中、抵抗２７とサーミスタ３を直列に
接続しておき、その交点電圧をアンプ２９により
増幅して、電圧出力３０を得、後段でその電圧値
を利用するものである。第３図ｂは電流型で、抵
抗３１、サーミスタ３、トランジスタ３２、抵抗
３３が直列に接続されており、この直列回路に流
れる電流を抵抗３４、トランジスタ３５の電流増
幅手段で増幅して電流出力３６を得るものであ
る。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら上記のような構成では、得られる
出力がアナログ値である。しかるに最近の信号処
理では、デイジタル化が図られている為、これに
対応するためには第４図に示すように、アナログ
値をデイジタル値に変換する、Ａ／Ｄ変換器３７
が必要であると言う問題点を有していた。
出力がアナログ値である。しかるに最近の信号処
理では、デイジタル化が図られている為、これに
対応するためには第４図に示すように、アナログ
値をデイジタル値に変換する、Ａ／Ｄ変換器３７
が必要であると言う問題点を有していた。
本発明では上記問題点に鑑み、温度変化のアナ
ログ値を周波数値に変換し、その周波数変換をカ
ウンタを利用する事によつてデイジタル値に変換
する事により、従来例のようなＡ／Ｄ変換器を必
要としない温度検出回路を提供するものである。
ログ値を周波数値に変換し、その周波数変換をカ
ウンタを利用する事によつてデイジタル値に変換
する事により、従来例のようなＡ／Ｄ変換器を必
要としない温度検出回路を提供するものである。
問題点を解決するための手段
上記問題点を解決する為に本発明の温度検出回
路は、電源電圧ラインに接続された第１の抵抗の
他端にサーミスタの一端を接続し、そのサーミス
タの他端に第１のトランジスタのエミツタを接続
し、このサーミスタに第２の抵抗を並列に接続
し、第１のトランジスタのベースとコレクタを互
いに接続し、その交点を第３の抵抗を介して接地
する。さらに、第１のトランジスタのベースとコ
レクタの交点に第２のトランジスタのベースを接
続し、この第２のトランジスタのエミツタを第４
の抵抗を通して電源電圧ラインに接続する。第２
のトランジスタのコレクタには第５の抵抗と第１
のコンデンサの直列回路をコンデンサ側が接地さ
れるように接続し、第５の抵抗と第１のコンデン
サの交点に第６の抵抗を接続し、第６の抵抗の他
端は第７の抵抗により接地する。これらの第６の
抵抗と第７の抵抗の交点を第３のトランジスタの
ベースに接続し、第３のトランジスタはエミツタ
を接地し、コレクタを第８の抵抗を介して電源電
圧ラインに接続する。さらに、同コレクタを第１
のダイオードのカソードに接続し、第１のダイオ
ードのアノードは第２のトランジスタのコレクタ
と第５の抵抗の交点に接続し、かつ第３のトラン
ジスタのコレクタと第８の抵抗の交点にアナログ
LPFおよびセツト・リセツトパルス発生器をお
のおの接続し、前記セツト・リセツトパルス発生
器にクロツク発生器よりクロツクを入力するよう
にするとともにセツト・リセツトパルス発生器よ
り出力されるセツト・リセツトパルスをカウンタ
に入力し、前記カウンタには上記のクロツク発生
器よりクロツクを入力し、前記カウンタよりデイ
ジタルデータが得られるように構成したことを特
徴とする。
路は、電源電圧ラインに接続された第１の抵抗の
他端にサーミスタの一端を接続し、そのサーミス
タの他端に第１のトランジスタのエミツタを接続
し、このサーミスタに第２の抵抗を並列に接続
し、第１のトランジスタのベースとコレクタを互
いに接続し、その交点を第３の抵抗を介して接地
する。さらに、第１のトランジスタのベースとコ
レクタの交点に第２のトランジスタのベースを接
続し、この第２のトランジスタのエミツタを第４
の抵抗を通して電源電圧ラインに接続する。第２
のトランジスタのコレクタには第５の抵抗と第１
のコンデンサの直列回路をコンデンサ側が接地さ
れるように接続し、第５の抵抗と第１のコンデン
サの交点に第６の抵抗を接続し、第６の抵抗の他
端は第７の抵抗により接地する。これらの第６の
抵抗と第７の抵抗の交点を第３のトランジスタの
ベースに接続し、第３のトランジスタはエミツタ
を接地し、コレクタを第８の抵抗を介して電源電
圧ラインに接続する。さらに、同コレクタを第１
のダイオードのカソードに接続し、第１のダイオ
ードのアノードは第２のトランジスタのコレクタ
と第５の抵抗の交点に接続し、かつ第３のトラン
ジスタのコレクタと第８の抵抗の交点にアナログ
LPFおよびセツト・リセツトパルス発生器をお
のおの接続し、前記セツト・リセツトパルス発生
器にクロツク発生器よりクロツクを入力するよう
にするとともにセツト・リセツトパルス発生器よ
り出力されるセツト・リセツトパルスをカウンタ
に入力し、前記カウンタには上記のクロツク発生
器よりクロツクを入力し、前記カウンタよりデイ
ジタルデータが得られるように構成したことを特
徴とする。
作 用
本発明は上記した構成によつて、温度検出値を
周波数変化に変換する為に従来のようにＡ／Ｄ変
換器を用いる異なく、デイジタル化温度検出信号
が得られる事となる。
周波数変化に変換する為に従来のようにＡ／Ｄ変
換器を用いる異なく、デイジタル化温度検出信号
が得られる事となる。
実施例
以下本発明の一実施例の温度検出回路につて、
図面を参照しなながら説明する。
図面を参照しなながら説明する。
第１図は本発明の一実施例における温度検出回
路を示すものである。第１図において、抵抗２、
抵抗４、サーミスタ３、トランジスタ５、抵抗６
で構成されるのが測温抵抗分圧回路で、サーミス
タ３による検出温度に対応した出力電圧が、トラ
ンジスタ５と抵抗６によつて得られ、これがトラ
ンジスタ８のベースに入力されている為、サーミ
スタ３の検出温度に対応した電流をトランジスタ
８のコレクタを発生する。そしてその電流は、抵
抗９を通してコンデンサ１１を充電する。なおト
ランジスタ５とトランジスタ８はペアトランジス
タを用いる事により温度特性の補償が行なえる。
路を示すものである。第１図において、抵抗２、
抵抗４、サーミスタ３、トランジスタ５、抵抗６
で構成されるのが測温抵抗分圧回路で、サーミス
タ３による検出温度に対応した出力電圧が、トラ
ンジスタ５と抵抗６によつて得られ、これがトラ
ンジスタ８のベースに入力されている為、サーミ
スタ３の検出温度に対応した電流をトランジスタ
８のコレクタを発生する。そしてその電流は、抵
抗９を通してコンデンサ１１を充電する。なおト
ランジスタ５とトランジスタ８はペアトランジス
タを用いる事により温度特性の補償が行なえる。
以上のような状態で、トランジスタ８のコレク
タからコレクタ電流が流れだすと、抵抗９を通し
てコンデンサ１１が充電される。この様子を第２
図ａに示す。ここで温度がT0℃であつた時、ト
ランジスタ８のコレクタ電流がI0であつたとする
れば、コンデンサ１１は、コンデンサ１１の端子
電圧市をVcとすればVc＝１／C1∫iodtで充電され る。そて上記の電圧は抵抗１０と抵抗１２によ
り、トランジスタ１４のベースに入力されている
為、抵抗１０と抵抗１２の交点電圧をＶとすれ
ば、Ｖ＝R6／R7＋R6Vc（ここでR6は抵抗１０の値、 R7は抵抗１２の値）でトランジスタ１４のベー
ス・エミツタ電圧をVBE3とすればVc＞VBE＞０て
トランジスタ１４はオンする。よつてトランジス
タ１４のコレクタ電圧は高レベル→低レベルに変
化する。この結果、ダイオード１５のカソードが
低レベルになる為、ダイオード１５はオンする。
このことによりコンデンサ１１に充電されていた
電荷が、抵抗９を通して放電される。このように
してコンデンサ１１の電荷が放電される為、Vc
の電圧が下がる事により、トランジスタ１４のベ
ース電圧も下がり、トランジスタ１４はオフす
る。よつて、トランジスタ１４のコレクタ電圧は
低レベル→高レベルに変化し、ダイオード１５が
オフされる為に、再びコンデンサ１１は充電を開
始する。
タからコレクタ電流が流れだすと、抵抗９を通し
てコンデンサ１１が充電される。この様子を第２
図ａに示す。ここで温度がT0℃であつた時、ト
ランジスタ８のコレクタ電流がI0であつたとする
れば、コンデンサ１１は、コンデンサ１１の端子
電圧市をVcとすればVc＝１／C1∫iodtで充電され る。そて上記の電圧は抵抗１０と抵抗１２によ
り、トランジスタ１４のベースに入力されている
為、抵抗１０と抵抗１２の交点電圧をＶとすれ
ば、Ｖ＝R6／R7＋R6Vc（ここでR6は抵抗１０の値、 R7は抵抗１２の値）でトランジスタ１４のベー
ス・エミツタ電圧をVBE3とすればVc＞VBE＞０て
トランジスタ１４はオンする。よつてトランジス
タ１４のコレクタ電圧は高レベル→低レベルに変
化する。この結果、ダイオード１５のカソードが
低レベルになる為、ダイオード１５はオンする。
このことによりコンデンサ１１に充電されていた
電荷が、抵抗９を通して放電される。このように
してコンデンサ１１の電荷が放電される為、Vc
の電圧が下がる事により、トランジスタ１４のベ
ース電圧も下がり、トランジスタ１４はオフす
る。よつて、トランジスタ１４のコレクタ電圧は
低レベル→高レベルに変化し、ダイオード１５が
オフされる為に、再びコンデンサ１１は充電を開
始する。
以上により、温度に対応したトランジスタ８の
コレクタ電流I0の値によつてコンデンサ１１の充
電・放電の期間が制御される為にトランジスタ１
４のコレクタ電圧は、第２図ｂのように変化す
る。よつて温度に対応した上記コレクタ電流I0の
値が変化すれば、トランジスタ１４のコレクタ電
圧も変化し、つまる所周波数変化出力信号１６が
得られる。
コレクタ電流I0の値によつてコンデンサ１１の充
電・放電の期間が制御される為にトランジスタ１
４のコレクタ電圧は、第２図ｂのように変化す
る。よつて温度に対応した上記コレクタ電流I0の
値が変化すれば、トランジスタ１４のコレクタ電
圧も変化し、つまる所周波数変化出力信号１６が
得られる。
従つて、この周波数変化出力信号１６をナノロ
グLPF２３に通せば、温度変化に対応したアナ
ログ電圧２５が得られ、一方周波数変化出力信号
１６をセツト・リセツトパルス発生器１７に入力
し、クロツク発生器２２よりのクロツク２１によ
り、周波数変化出力信号１６を離散化して、周波
数変化出力信号１６の立上り時にセツトパルスを
出力し、周波数変化出力信号の立下り時にリセツ
トパルスを出力するようにする事により、カウン
タ２０を動作させれば、その出力端より周波数変
化出力信号１６の高レベル期間に応じたデイジタ
ルデータ２４が得られる。この様子を第２図ｃ，
ｄ，ｅに示す。よつて温度に応じたデイジタルデ
ータ値が得られることになる。
グLPF２３に通せば、温度変化に対応したアナ
ログ電圧２５が得られ、一方周波数変化出力信号
１６をセツト・リセツトパルス発生器１７に入力
し、クロツク発生器２２よりのクロツク２１によ
り、周波数変化出力信号１６を離散化して、周波
数変化出力信号１６の立上り時にセツトパルスを
出力し、周波数変化出力信号の立下り時にリセツ
トパルスを出力するようにする事により、カウン
タ２０を動作させれば、その出力端より周波数変
化出力信号１６の高レベル期間に応じたデイジタ
ルデータ２４が得られる。この様子を第２図ｃ，
ｄ，ｅに示す。よつて温度に応じたデイジタルデ
ータ値が得られることになる。
発明の効果
以上のように、本発明によれば、温度変化を周
波数変化としてとりだせる為、デイジタル信号処
理の演算を行なう場合に、周波数変化出力をカウ
ンタで計数する事により温度変化をデイジタル値
に変換できる為にＡ／Ｄ変換器を必要としないも
のである。また。周波数変化出力をアナログ
LPFを通せばアナログ電圧も得られる。本回路
は構成が簡単であり、サーミスタとコンデンサを
除けば、IC化するのに適した構成である為、温
度変化データの必要な部分に、本回路を付加して
おく事により、周波数変化出力をデイジタル値で
扱い、温度補正を行なう場合に、大巾なコストア
ツプ（Ａ／Ｄ変換器を必要とない）を招かなくて
も、温度補正が行なえるものである。
波数変化としてとりだせる為、デイジタル信号処
理の演算を行なう場合に、周波数変化出力をカウ
ンタで計数する事により温度変化をデイジタル値
に変換できる為にＡ／Ｄ変換器を必要としないも
のである。また。周波数変化出力をアナログ
LPFを通せばアナログ電圧も得られる。本回路
は構成が簡単であり、サーミスタとコンデンサを
除けば、IC化するのに適した構成である為、温
度変化データの必要な部分に、本回路を付加して
おく事により、周波数変化出力をデイジタル値で
扱い、温度補正を行なう場合に、大巾なコストア
ツプ（Ａ／Ｄ変換器を必要とない）を招かなくて
も、温度補正が行なえるものである。
第１図は本発明の一実施例における温度検出回
路の回路図、第２図は本発明の実施例における動
作説明のためのタイムチヤート、第３図、第４図
はおのおの従来例の構成を示す回路図である。 １……電源電圧ライン、２，４，６，７，９，
１０，１２，１３……抵抗、３……サーミスタ、
５，８，１４……トランジスタ、１１……コンデ
ンサ、１５……ダイオード、１６……周波数変化
出力信号、１７……セツト・リセツトパルス発生
器、２０……カウンタ、２２……クロツク発生
器、２３……アナログLPF、２４……デイジタ
ルデータ、２５……アナログ電圧。
路の回路図、第２図は本発明の実施例における動
作説明のためのタイムチヤート、第３図、第４図
はおのおの従来例の構成を示す回路図である。 １……電源電圧ライン、２，４，６，７，９，
１０，１２，１３……抵抗、３……サーミスタ、
５，８，１４……トランジスタ、１１……コンデ
ンサ、１５……ダイオード、１６……周波数変化
出力信号、１７……セツト・リセツトパルス発生
器、２０……カウンタ、２２……クロツク発生
器、２３……アナログLPF、２４……デイジタ
ルデータ、２５……アナログ電圧。
Claims (1)
- １ 電源電圧ラインに接続された第１の抵抗の他
端にサーミスタの一端を接続し、そのターミスタ
の他端に第１のトランジスタのエミツタを接続
し、上記サーミスタに第２の抵抗を並列に接続
し、第１のトランジスタのベースとコレクタを互
いに接続し、その交点を第３の抵抗を介して接地
し、上記第１のトランジスタのベースとコレクタ
の交点に第２のトランジスタのベースを接続し、
第２のトランジスタのエミツタを第４の抵抗を通
して電源電圧ラインに接続し、第２のトランジス
タのコレクタには第５の抵抗と第１のコンデンサ
の直列回路をコンデンサ側が接地されるように接
続し、第５の抵抗と第１のコンデンサの交点に第
６の抵抗を接続し、第６の抵抗の他端は第７の抵
抗により接地し、第６の抵抗と第７の抵抗の交点
を第３のトランジスタのベースに接続し、第３の
トランジスタはエミツタを接地し、コレクタを第
８の抵抗を介して電源電圧ラインに接続するとと
もに、同コレクタを第１のダイオードのカソード
に接続し、第１のダイオードのアノードは第２の
トランジスタのコレクタと第５の抵抗の交点に接
続し、かつ第３のトランジスタのコレクタと第８
の抵抗の交点にアナログLPFおよびセツト・リ
セツトパルス発生器をおのおの接続し、前記セツ
ト・リセツトパルス発生器にクロツク発生器より
クロツクを入力するようにするとともにセツト・
リセツトパルス発生器より出力されるセツト・リ
セツトパルスをカウンタに入力し、前記カウンタ
には上記のクロツク発生器よりクロツクを入力
し、前記カウンタよりデイジタルデータが出力さ
れるように構成した温度検出回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24867786A JPS63101722A (ja) | 1986-10-20 | 1986-10-20 | 温度検出回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24867786A JPS63101722A (ja) | 1986-10-20 | 1986-10-20 | 温度検出回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63101722A JPS63101722A (ja) | 1988-05-06 |
| JPH0470566B2 true JPH0470566B2 (ja) | 1992-11-11 |
Family
ID=17181692
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24867786A Granted JPS63101722A (ja) | 1986-10-20 | 1986-10-20 | 温度検出回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63101722A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH082587Y2 (ja) * | 1989-10-20 | 1996-01-29 | シチズン時計株式会社 | 温度検出回路 |
-
1986
- 1986-10-20 JP JP24867786A patent/JPS63101722A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63101722A (ja) | 1988-05-06 |
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