JPH0470136U - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0470136U JPH0470136U JP11049890U JP11049890U JPH0470136U JP H0470136 U JPH0470136 U JP H0470136U JP 11049890 U JP11049890 U JP 11049890U JP 11049890 U JP11049890 U JP 11049890U JP H0470136 U JPH0470136 U JP H0470136U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reaction chamber
- microwave
- microwaves
- short circuit
- generate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
Description
第1図a,bは本考案の一実施例の構成を示す
説明図、第2図は従来のこの種のマイクロ波プラ
ズマ装置の一例の構成を示す説明図、第3図は第
2図に示す装置によつて棒状、または線状の基材
を処理する方法を示す説明図である。 1……マイクロ波発振器、2……アイソレータ
、3……主導波管、4……パワーモニタ、5……
スリースタブチユーナ、6……矩形導波管からな
るアプリケータ、7…可変短絡器、8……石英管
からなる反応室、9……基板台、10……基板、
11……真空室、12……ガス供給装置、13…
…ガス導入管。
説明図、第2図は従来のこの種のマイクロ波プラ
ズマ装置の一例の構成を示す説明図、第3図は第
2図に示す装置によつて棒状、または線状の基材
を処理する方法を示す説明図である。 1……マイクロ波発振器、2……アイソレータ
、3……主導波管、4……パワーモニタ、5……
スリースタブチユーナ、6……矩形導波管からな
るアプリケータ、7…可変短絡器、8……石英管
からなる反応室、9……基板台、10……基板、
11……真空室、12……ガス供給装置、13…
…ガス導入管。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) マイクロ波損失の少ない誘電体容器からな
る反応室内に可変短絡器を備えた矩形導波管から
なるアプリケータを介してマイクロ波を導入し、
該反応室内を流れるガスと結合させてプラズマ放
電を発生させ、反応室内に配置した物体表面に薄
膜、結晶等を生成したり、物体表面を改質したり
するマイクロ波プラズマ装置において、 反応室内に該反応室内のガスの流れの方向に重
ね合わせて配置したそれぞれが可変短絡器を備え
た複数の矩形導波管を介してマイクロ波を導入し
、該反応室内を流れるガスと結合させてプラズマ
放電を発生させる構成としたことを特徴とするマ
イクロ波プラズマ装置。 (2) 重ね合わせて配置した複数の矩形導波管に
一方の端の導波管から交互に発振周波数の異なる
2台のマイクロ波発振器からのマイクロ波を導入
する構成としたことを特徴とする請求項第1項記
載のマイクロ波プラズマ装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1990110498U JPH084103Y2 (ja) | 1990-10-24 | 1990-10-24 | マイクロ波プラズマ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1990110498U JPH084103Y2 (ja) | 1990-10-24 | 1990-10-24 | マイクロ波プラズマ装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0470136U true JPH0470136U (ja) | 1992-06-22 |
JPH084103Y2 JPH084103Y2 (ja) | 1996-02-07 |
Family
ID=31857835
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1990110498U Expired - Lifetime JPH084103Y2 (ja) | 1990-10-24 | 1990-10-24 | マイクロ波プラズマ装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH084103Y2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005524962A (ja) * | 2002-05-08 | 2005-08-18 | ダナ・コーポレーション | 複数の放射供給源を有したプラズマ発生装置およびその方法 |
JP2008508683A (ja) * | 2004-07-30 | 2008-03-21 | アマランテ テクノロジーズ,インク. | 均一でスケーラブルなマイクロ波プラズマ発生を行うためのプラズマノズルアレイ |
JP2010540216A (ja) * | 2007-09-21 | 2010-12-24 | アールエフ サミン テクノロジーズ,インコーポレイテッド | 複数共振構造のプロセス・反応室のための方法および装置 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0270063A (ja) * | 1988-09-02 | 1990-03-08 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | プラズマ/イオン生成源およびプラズマ/イオン処理装置 |
-
1990
- 1990-10-24 JP JP1990110498U patent/JPH084103Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0270063A (ja) * | 1988-09-02 | 1990-03-08 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | プラズマ/イオン生成源およびプラズマ/イオン処理装置 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005524962A (ja) * | 2002-05-08 | 2005-08-18 | ダナ・コーポレーション | 複数の放射供給源を有したプラズマ発生装置およびその方法 |
JP2008508683A (ja) * | 2004-07-30 | 2008-03-21 | アマランテ テクノロジーズ,インク. | 均一でスケーラブルなマイクロ波プラズマ発生を行うためのプラズマノズルアレイ |
JP2010540216A (ja) * | 2007-09-21 | 2010-12-24 | アールエフ サミン テクノロジーズ,インコーポレイテッド | 複数共振構造のプロセス・反応室のための方法および装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH084103Y2 (ja) | 1996-02-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2001192840A (ja) | プラズマプロセス装置 | |
JPS53145595A (en) | Elastic surface wave oscillator | |
JP3957135B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
KR950034579A (ko) | 플라즈마 처리방법 및 장치 | |
JPH0470136U (ja) | ||
KR930005280A (ko) | 큰 면적의 기판을 처리하기 위한 박막 프로세스용 장치 | |
JP3979453B2 (ja) | マイクロ波プラズマ処理装置 | |
JPS6411403A (en) | Plasma generation reacting device | |
SE9502138L (sv) | Anordning och förfarande avseende avstämbara anordningar | |
JP3129814B2 (ja) | マイクロ波プラズマ装置 | |
GB2021311B (en) | Rectangular at-quartz resonator | |
JP2007180034A (ja) | プラズマ処理装置 | |
JPH04181646A (ja) | マイクロ波プラズマ装置 | |
JPH11111696A (ja) | プラズマ処理装置 | |
JPH07263186A (ja) | プラズマ処理装置 | |
JPS62254834A (ja) | プラズマ装置 | |
JP4401400B2 (ja) | マイクロ波プラズマ処理装置 | |
JPS5732637A (en) | Dry etching apparatus | |
JPH0834129B2 (ja) | マイクロ波プラズマ生成方法及びその装置 | |
Bikmukhametov et al. | Investigation of the stability of the oscillation frequency of a mercury laser emitting at λ= 1.53 μ | |
JPH064898Y2 (ja) | プラズマ装置 | |
JP2001110781A (ja) | プラズマ処理装置 | |
Orlov | Analysis of the performance of a self-oscillating system in a gas-discharge plasma excitation mode | |
JPS57153208A (en) | Chemical vapor growth device | |
JPS5691429A (en) | Processing device by means of microwave excitation |