JPH0270063A - プラズマ／イオン生成源およびプラズマ／イオン処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、プラズマ／イオン生成源およびそれを用いた
プラズマＣＶＤ装置やプラズマエツチング装置のような
プラズマ／イオン処理装置の高性能化に関し、特に大き
な面積の試着を処理するのに好適なプラズマ／イオン生
成源およびそれを用いたプラズマ／イオン処理装置に関
するものである。

［従来の技術］ 半導体製造のプロセス技術として、トライプロセスが半
導体装置の微細化および高集積化のために非常に重要な
技術となってきた。このようなトライプロセスにおいて
、エツチング、デポジション、イオン打ち込みなどをプ
ラズマ・イオンを用いて行うプラズマ処理装置が最近使
用されつつある。また、次世代材料の創成、材料の表面
特性を改質する新プロセス技術としても、このようなイ
オン・プラズマを用いたイオン・プラズマアシスト技術
が注目されている。これらの代表的な装Ｍ例としては、
プラズマＣｖＤ装置、イオンシャワーエツチング装置、
プラズマ流エツチング装置、イオン打ち込み装置、ダイ
ナミックイオンビームミキシング装置、イオンアシスト
デポジション装置等がある。

第７図に従来のＥＣＲ放電を用いたプラズマ生成源およ
びそれを用いたＥＣＲＣＶＤ装置の基本構成を示す（例
えば、Ｊｐｎ、Ｊ　、Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、ｖｏｌ　、
２２．ｎｏ、４（１９８３）１２１０〜２１２参照）。

第７図において、１はプラズマ生成室であり、このプラ
ズマ生成室】には、マイクロ波発振源（図示省略）から
アイソレータおよび整合器（図示省略）を介して得たマ
イクロ波（たとえば２．４５ＧＨ２）を、導波管２およ
びマイクロ波導入窓３を介して導く。プラズマ生成室１
の周囲には電子サイクロトロン共０３％（ＥｃＲ）のた
めの磁気コイル４を配置する。プラズマ生成室１にはガ
ス導入口５よりプラズマ化すべきガスを導入する。６は
プラズマ生成室１の外壁に冷却水を導く冷却水通路であ
る。

プラズマ生成室ｌの底部にはプラズマリミッタ７を設り
、プラズマ生成室１で発生させたプラズマを、このプラ
ズマリミッタ７を介してプラズマ流８として取り出し、
試料室９内に配置した試料台１０上の試料ＩＩに導く。

１２は試料室９に対するガス導入口である。１３は、プ
ラズマ生成室１および試料室９を真空に引くための排気
系である。

プラズマ生成室１にガス導入口５よりガスを導入すると
共に、導波管２からマイクロ波（例えば２．４５Ｇ）１
２）を導入し、磁気コイル４によって電子サイクロトロ
ン共［％（ＥＣＲ）条件の直流磁場（８７５ガウス）を
マイクロ波電界に対して直角方向に印加すると、これら
の相互作用て、プラズマ発生室１に導入されたガスはプ
ラズマになる。例えば、試料（Ｓｉウニ八へ）１１の上
に５１０２をデポジションする場合には、ガス導入口５
から酸素ガスを導入してプラズマ化し、ガス導入口１２
からＳｉＨ４を導入することにより、試料１１を加熱す
ることなくその試料１１の上に緻密な膜か低温で形成さ
れる。また、試料１１の表面の５ｉｎ２をエツチングす
る場合には、ガス導入口５から導入したＣＦ４などのガ
スをプラズマ化して試料ＩＩを照射することによりＳｉ
Ｏ２かエツチングされる。

また、第７図の装置において、プラズマリミッタ７によ
るプラズマの引き出し口にイオン引き出し電極を取り付
けて、プラズマ中のイオンのみを取り出し、しかもその
イオンエネルギを制御することによって、この装置をイ
オンシャワーエツチング装置として使用することもてき
る。

［発明が解決しようとする課題］ 従来、この種のマイクロ波励起によるプラズマ生成室の
空洞は、直径２．０ｃｍ程度であり、これにより極端に
大きな、たとえば長さが１ｍ程度以上の試料を加工する
のは困難であフた。この要求に応えるためには、大口径
のプラズマを生成するプラズマ生成源を用いた大口径プ
ラズマデポジション／エツチング装置やダイナミックイ
オンビームミキシング装置の開発が必要である。そのた
めには、大口径ビームのプラズマを生成するプラズマ生
成源の開発か必須である。

ところか、第７図のようなプラズマ生成源においては、
単純にプラズマ生成室を大きくして、大口径のプラズマ
生成源を構成しても、マイクロ波の電界強度は周辺で弱
くなり、しかもマイクロ波の伝播モーＩ〜も多重モート
になり電界強度の不均一化か生しるため、プラズマ密度
か低下するばかりか、均一性を得る条件が厳しくなって
くる。さらにまた、複数個のプラズマ生成源をＪＩＬ純
に並べて面積を大粗くすることを試みても、比較的大き
な磁気回路を用いているため、プラズマ生成源の間隙を
空ける必要かあり、プラズマビーム均一化が困難であっ
たり、あるいはプラズマ密度が低下してしまうという問
題かあった。

すなわち、従来のＥＣＲプラズマ生成源では、ブイラズ
マ生成室の空洞を犬きくしても均一なプラズマが得られ
ず、均一で大口径のビームを得るためには限界かあった
。さらにまた、ＥＣＲプラズマ生成源は、比較的大きな
磁場を発生する磁気コイルを用いているため、間隙を空
けることなしにプラズマ生成源を設置できなかったため
、複数個のプラズマ生成源を単純に並へても均一で大面
積のプラズマビームを得ることは困難であった。

このような目的に対処するためには、均一な大口径プラ
ズマを発生するプラズマ生成源の開発か重要な課題にな
っている。

そこて、本発明の目的は、均一で大口径のプラズマ／イ
オンを発生するプラズマ／イオン生成源を提供すること
にある。

本発明の他の目的は、かかるプラズマ／イオン生成源を
用いて、大面積の試料を処理できるプラズマ／イオン処
理装置を提供することにある。

［課題を解決するための手段］ このような目的を達成するために、本発明プラズマ生成
源は、複数列の形態で配列され、プラズマを生成する複
数個のプラズマ生成部と、複数個のプラズマ生成部でそ
れぞれ生成された複数のプラズマが導かれるプラズマ結
合用空洞部と、複数列の各々の列のプラズマ生成部から
のプラズマをプラズマ結合用空洞部内において重ね合わ
せるプラズマ結合手段とを具えたことを特徴とする。

本発明プラズマ処理装置は、複数列の形態で配列され、
プラズマを生成する複数個のプラズマ生成部と、複数個
のプラズマ生成部でそれぞれ生成された複数のプラズマ
が導かれるプラズマ結合用空洞部と、複数列の各々の列
のプラズマ生成部からのプラズマをプラズマ結合用空洞
部内において重ね合わせるプラズマ結合手段と、プラズ
マ結合用空洞に接続された試料室と、試料室内に配置さ
れ、複数個のプラズマ生成部からのプラズマにより処理
される試料を載置可能な試料台とを具え、複数列の各々
の列の複数個のプラズマ生成部からのプラズマが試料の
上に重ね合わされて照射されるようにしたことを特徴と
する。

本発明イオン生成源は、複数列の形態で配列され、プラ
ズマを生成する複数個のプラズマ生成部と、複数個のプ
ラズマ生成部でそれぞれ生成された複数のプラズマか導
かれるプラズマ結合用空洞部と、複数列の各々の列のプ
ラズマ生成部からのプラズマをプラズマ結合用空洞部内
において重ね合わせるプラズマ結合手段と、プラズマ結
合用空洞部からイオンを引き出すイオン引き出し電極系
とを具えたことを特徴とする。

本発明イオン処理装置は、複数列の形態て配列され、プ
ラズマを生成する複数個のプラズマ生成部と、複数個の
プラズマ生成部でそれぞれ生成された複数のプラズマが
導かれるプラズマ結合用空洞部と、複数列の各々の列の
プラズマ生成部からのプラズマをプラズマ結合用空洞部
内において重ね合わせるプラズマ結合手段と、プラズマ
結合用空洞部からイオンを引き出すイオン引き出し電極
系と、プラズマ結合用空洞に接続された試料室と、試料
室内に配置され、イオンにより処理される試料を載置可
能な試料台とを具え、イオン引ぎ出し電極系からのイオ
ンが試料の上に重ね合わされて照射されるようにしたこ
とを特徴とする。

［作　用］ 本発明では、プラズマを生成する複数のＥＣＲブラズマ
生成部を２列以上設置し、しかも異なる列のプラズマ生
成部のプラズマを重ね合わせる磁気回路などのプラズマ
結合手段を具備することにより、大口径で均一なプラズ
マ／イオンビームを生成することかてきる。これによフ
て複数個のプラズマ／イオン生成源を間隙を空けないて
配置したのと等価にてきるとともに、プラズマ／イオン
の重ね合わさる度合いを制御できるので、プラズマビー
ム　イオンビームの均一性を向上てきる。しかもまた、
このようにすることにより、１つのプラズマ／イオン生
成源のプラズマ／イオン密度と同程度以上のプラズマ／
イオン密度で試料を照射てきるので、大面積の試料を高
速に処理できる。

［実施例］ 以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する
。

実施例１ 第１図（Ａ）および（Ｂ）は本発明ＥＣＲプラズマ生成
源の一実施例を示す構成図であって、第】図（Ａ）はこ
のプラズマ生成源を横から見た構成図、第１図（８）は
同しく上から見た構成図を示す。

第１図（Δ）およびＣＢ）において、２１は複数個のＥ
ＣＲプラズマ生成生成水す。プラズマ生成部２１の各々
それ自体は第７図示の従来公知の構成てＪ：く、プラズ
マ生成室１としてのプラズマ生成用空洞、マイクロ波導
入用の導波管２、マイクロ波導入窓３、磁気コイル４、
ガス導入口５、冷却水通路（図示せず）、プラズマリミ
ッタ７を有する。

２２はプラズマ結合用の矩形状の空洞部であって、複数
のプラズマ生成部２１を２列に分けて、この空洞部２２
の互いに対向する側面に配置する。それにより、各プラ
ズマ生成部２１のプラズマリミッタ７より取り出された
プラズマ流２３をこの空洞部２２内に導く。このプラズ
マ結合用空洞部２２の外周部には、プラズマ結合用磁気
回路を構成する磁気コイル２４を配置して、その磁力線
によって各プラズマ流２３を同一方向、すなわちこの磁
力線の方向に偏向させる。

ＥＣＲプラズマ生成生成部下１形状のプラズマ結合用空
洞部２２の周囲の互いに対向する側面に２個以上（本例
では金側で８個）が配列されている。たとえは、ＥＣＲ
イオン生成部２１０列方向の外寸を２０ｃｍとすると、
プラズマ結合用空洞部２２の列方向の長さは！１０ｃｍ
程度どなる。ＥＣＲプラズマ生成生成部下１気コイル４
については、通常、２．４５ＧＩＩｚに対するＥＣＲ条
件である８７５ガウス近傍の磁場が使われており、比較
的大きな磁場が外側まできている。本実施例では、この
ようなＥＣＲプラズマ生成生成部下１気コイル４で発生
する磁界の磁力線の方向と直交する磁力線を発生し、か
つ双方の磁力線の方向か連続するように磁気回路４と２
４の相互の極性を定めて、プラズマ結合用の磁気回路２
４を構成配置し、それによりＥＣＲプラズマ生成生成部
下１成されたプラズマは、プラズマ結合用の磁力線に沿
い、かつその磁力線の方向に曲げられ、重ね合わされて
結合プラズマ流２７となる。

プラズマ結合用の磁気回路２４は、たとえはプラズマ結
合用空洞２２の形状にあわせて、矩形状に導線を巻いた
矩形状の磁気コイルで構成することがてきる。

本実施例はこのような構成になフているので、ＥＣＲプ
ラズマ生成生成部下１ラズマ生成用空洞１にガス導入口
５からガス、マイクロ波導入導波管２からマイクロ波を
導入し、マグネットコイル４て磁場を発生すれば、プラ
ズマが生成される。このようにして生成されたプラズマ
生成用空洞１がらのプラズマ流２３は、プラズマ結合用
磁気回路２４で発生する磁場の作用で、お互いに列方向
に重なり合うように引き出し電極系２５の方向に１１０
デられる。この重ね合わされたプラズマ流２７は、引き
出し電極系２５がなければ、このままプラズマ生成源と
して、プラズマ処理に使うことかできる。

あるいはまた、第１図（八）に示すように、重ね合わさ
れたプラズマ滝２７の下流側にイオン引き出し電極系２
５を配置することにより、プラズマ中からイオンビーム
２６を取り出すとともに、そのイオンエネルギを必要と
するエネルギに制御することかてきる。なお、第１図（
八）では、イオン引き出し電極系２５として、３枚電極
の構成例を示しであるか、制御するイオンエネルギに対
応して、２枚電極、１枚電極、！８．葉メツシュ電極な
どの各種弓ぎ出し電極を使用することができる。

本実施例では、このように複数個のプラズマ生成部を列
の形態で配置した構成であるから、プラズマ密度とその
均一性を損なうことなく、列方向に非常に長いプラズマ
ビーム２７もしくはイオンビーム２６を生成てきる。原
理的には、プラズマ生成部２１の個数を増大することに
より、ビームの列方向の長さを制限なく大きくてきる。

したがって、本発明は、一方向に長い試料に対して有効
なことは勿論のこと、他方向には試料を動かすことによ
り２次元の面積の大きな試料の処理ができる。また、各
ＥＣＲプラズマ生成部２１が２００ｍＡに相当するプラ
ズマを生成すれは、８個のプラズマ生成部２１によって
合計で１．５八を越えるような大電流プラズマ生成源を
構成することができる。しかもまた、結合用磁気回路２
４の配置と位置および磁場の強さを適切に定めることに
より、ビームの均一性を制御することができる。

なお、第１図（Ａ）においては、イオン引き出し電極系
２５を用いてイオンビームを生成するイオン源の形態の
例を示したが、上述したように、引き出し電極系を設け
ずにプラズマ流２７自体を用いるプラズマ生成源として
使用できることは言うまでもない。

さらにまた、本実施例では、第１図（八）に示すように
、プラズマ結合用空洞部２２の対向側面に、はぼ同一水
平面上に２列にプラズマ生成部２】を配置したが、この
ような水平面を複数設定して、各水平面に沿って、第１
図（八）に示したような形態て、３列あるいは４列以上
にプラズマ生成部２１を配列した多段重ね合わせの形態
としてもよい。

犬族■ス 第２図（八）および（ＩＩ）は本発明プラズマ加工装置
の一実施例であって、本発明実施例１のプラズマ生成源
を用いたプラズマＣＶＤ装置／イオン流エツチング装置
の構成例である。第２図（八）において、プラズマ結合
用空洞部２２の下部に設けたプラズマリミッタ７および
試料室の構造は第７図の従来例と同様である。符号５６
は光を空洞部２２に導入する窓硝子、５７は紫外線１赤
外線のような光である。

列の形態で配着された複数個のプラズマ生成部２１で生
成されたプラズマはプラズマ結合用の空洞部２２のなか
で相互に重ね合わされて、プラズマ密度の高い結合プラ
ズマ流２７として試料台ｌＯの方向に輸送される。

あるいはまた、プラズマリミッタ７の代わりに引き出し
電オタ系を設置することにより、イオンを引き出し、そ
のエネルギを制御することができる。

この試料台ｌＯの上に種々の試料１１を設置することに
より、デポジション、エツチング等のプラズマ処理、イ
オンビーム処理を行うことができる。

例えば、不活性ガス、水素化物、ハロゲン化物、有機金
属化合物ガスなどの各種のガス（ＡｒＫｒ、Ｒ２，０２
，５ｉ）１４．ＧｅＨ４，Ａｓ１１３．ＧａＲ３，八ｌ
１Ｒ３，ＣＦａ？、＜　ど）を用いて、絶縁膜、金属膜
、化合物（Ｓｉ、５ｉ０２Ｓｉ３Ｎ４．Ｇｅ、八ｆｔ　
、Ｇａ八へなど）の膜形成やエツチングを行うことがで
きる。この装置によれば、先に説明したように、生成さ
れるプラズマ流あるいはイオンビームを列方向にいくら
でも大きなビーム径にできるので、非席に大きな試料を
処理てぎ、たとえは１ｍを越える試料の処理に刻して特
に有効である。すなわち、本実施例によれば、一方向に
均一なプラズマ処理ができるから、他方向には、矢印で
示すように試料１１を移動することにより、大面積の試
料に高品質の膜を形成したり、高精度にエツチングした
り、高イオンエネルギのイオンを照射して表面を改質し
たりすることができる。例えば、大面積のステンレス鋼
、鉄、プラスチックの表面に、低温で５ｉ０２，５ｉＪ
４の絶縁体を付着して腐食性、耐摩耗特性を向上させる
場合に有効である。しかもまた、複数個のプラズマ生成
部２１を用いて、プラズマ密度が低下することなくプラ
ズマ処理しているので、高速に（ｌ！ｌ！理できる。

あるいはまた、第２図（Ａ）に示すように、窓硝子５６
を介して、紫外線、赤外線のような光５７で試料１１を
照射することにより、試料表面の温度を上げたり、表面
反応を促進したり、表面の汚れを除去したりして、より
高度のＩＡ埋を付加することができる。

なお、第２図（Ａ）では、各ＥＣＲプラズマ生成部２１
からのプラズマ流２３を直角方向に曲げて結合する例を
示したが、一般にはこの偏向角度は小さいほどプラズマ
流を重ね合わせやすい。そこて偏向角度を小さくした構
成の具体例を第３図に示す。

第３図において、２８はプラズマ結合用空洞部であって
、その上部には傾斜をつけたテーパ面を形成し、そのテ
ーパ面に複数個のＥＣＲプラズマ生成部２１を配設して
、プラズマ流２３の偏向角度を９０度より小さくする。

この実施例において、残余の構成および動作は第２図の
場合と全く同じである。また、第３図ては、試料室９へ
のガスの供給方法として、カスか試料１１の近傍に均一
に供給されるようにガス供給機構２９を試料１１の近傍
に配置した。

実施例３ 第４図は本発明の別の実施例を示し、ここで符号３１は
プラズマの進行方向に磁力線を有しなかったり、あるい
は弱い磁場でプラズマを生成しているプラズマ生成部で
ある。３２はプラズマ生成部３１から取り出したプラズ
マ流２３を制御するための補助磁気回路である。ここで
、プラズマ制御用の補助磁気回路３２の磁力線の方向は
、プラズマをプラズマ結合用空洞部２２から引き出す方
向、すなわちプラズマ結合用磁気回路２４の磁力線の方
向と直交し、かつ双方の磁力線の方向が連続するように
磁気回路２４と３２の相互の極性を定めるものとする。

本実施例の残余の構成および動作は第２図（Ａ）および
（Ｂ）の場合と全く同様であり、これらの磁場の作用に
よりプラズマ生成部３１て生成されたプラズマ流３３は
、磁気回路２４による磁力線の方向に曲げられるととも
に重ね合わされて結合プラズマ流２７として、試料１１
を照射して加工する。

釆施例４ 第５図は本発明の実施例４の構成を示す図であって、プ
ラズマ生成部の個数を増大させるために、第２図（Δ）
および（Ｂ）の基本構成に加えて、プラズマ生成部４１
を付加した例である。すなわち、ここでは、ＥＣＲプラ
ズマ生成生成部上１し構成の１個または複数個のプラズ
マ生成部４１をプラズマ結合用空洞部２２の上面に列状
に配置する。なお、プラズマ生成部４１としては、他の
形態のプラズマ生成部を用いても、同様に構成できる。

第５図において、ＥＣＲプラズマ生成生成部上１気回路
４による磁力線の向きは、第２図（Ａ）および（Ｂ）の
構成と同様に、プラズマ結合用の磁気回路２４の磁力線
の向きと直交し、かつ双方の磁力線か連続するように磁
気回路２４と４の相互の極性を定めておく。一方、ＥＣ
Ｒプラズマ生成部４１の磁気回路４は、それによる磁力
線の向きが、ＥＣＲプラズマ生成生成部上１気回路４に
よる磁力線の向きと一致せず、すなわち連続せず反発す
る方向に向くように構成されている。第２図（八）およ
び（Ｂ）の構成の場合と同様に、プラズマ生成部２１か
らのプラズマ流２３は、引き出し電極系２５の方向に重
なり合うように曲げられる。さらに、プラズマ生成部４
１からのプラズマは、プラズマ生成部２１の磁気回路４
からの磁場によって、発散しないようにプラズマ流４２
として直進する。これらのプラズマ流２３と４２とは合
流して、結合プラズマ流４３として、試料１１を照射す
る。本実施例では、このようにして、さらにプラズマ密
度、イオン電流が増大したプラズマを用いて加工できる
。

衷】１吐旦 第６図は本発明のさらに別の実施例であり、ここては、
プラズマ結合用の磁気回路６１を試料台ｌＯの下側に設
置する。第６図では、この磁気回路６１として永久磁石
の例を示したが、磁気コイルでもよいことは言うまでも
ない。上述した実施例と同様に、プラズマ生成部２１で
生成されたプラズマは、磁気回路６１による磁力線に沿
って、試料１１の方向に結合プラズマ流２７として曲げ
られ、試料１１を照射する。この構成は、プラズマ結合
用の磁気回路６１を永久磁石で構成しやすい利点がある
とともに、この磁気回路６１の位置を動かしやすいのて
、プラズマ処理中に磁気回路６１を周期的に動かずこと
により均一性をさらに向上させることかできる。

［発明の効果コ 以上説明したように、本発明によれば、複数のプラズマ
生成部を列の形態で配置１することによって、均一な大
口径のプラズマビーム／イオンビームを生成てきるのて
、長さ１ｍ以上の大面積の試料を処理で診る。しかも、
高密度のプラズマ／イオンビームの生成に適した構成に
なっているので、高速に処理できる。本発明プラズマ／
イオン処理装置はプラズマ／イオンを応用したプラズマ
デポジション　エツチング　さらにはイオンビームダイ
ナミックミキシング、イオンアシストデポジションなど
を行うのに用いて、きわめて有効である。

さらにまた、本発明のプラズマ／イオン生成源およびプ
ラズマ／イオン処理装置は、イオントピング、半導体表
面の清浄化などにも有効に適用できる。

さらにまた、本発明のプラズマ／イオン生成源は、イオ
ンドーピング、半導体表面の清浄化などのプラズマ加工
装置にも使用して、きわめて有効である。

なお、本発明はプラズマ生成源およびそれを用いたプラ
ズマ処理装置にのみ限られるものではなく、上述したよ
うにプラズマ生成源にイオン引き出し電極系を単に付加
するのみてイオン生成源を構成し、あるいはそのイオン
生成源を用いたイオン処理装置をも構成で計ることは明
らかであり、ここでいうプラズマ生成源およびプラズマ
処理装置とは、プラズマのみならずイオンをも包含する
ように広義に解釈するものとする。

【図面の簡単な説明】

第１図（Ａ）および（Ｂ）は本発明プラズマ／イオン生
成源の一実施例を示す構成図、 第２図（Ａ）および（８）、第３図、第４図、第５図お
よび第６図は本発明プラズマ／イオン処理装置の種々の
実施例を示す構成図、 第７図は従来のＥＣＲ（ＩＶＤ装置の構成例を示す構成
図である。 １・・・プラズマ生成室（プラズマ生成用空洞）、２・
・・マイクロ波導入窓、 ３・・・導波管、 ４・・・磁気コイル、 ５、　＋２．２９．５１・・・ガス導入口、６・・・冷
却水通路、 ７・・・プラズマリミッタ、 ８・・・プラズマ流、 ９・・・試料室、 １０・・・試料台、 １１・・・試料、 １３・・・排気系、 ２１、４１・・・ＥＣ１＋プラズマ生成部、２２、２８
・・・プラズマ結合用空洞部、２３、　’１２・・・プ
ラズマ流、 ２４、６１・・・プラズマ結合用の磁気回路、２５・・
・引ぎ出し電極系、 ２６・・・イオンビーム、 ２７、４３・・・結合プラズマ流、 ３１・・・プラズマ生成源、 ３２・・・プラズマ制御用の補助磁気回路、５６・・・
窓硝子、 ５７・・・紫外線、赤外線などの光。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）複数列の形態で配列され、プラズマを生成する複数
   個のプラズマ生成部と、 該複数個のプラズマ生成部でそれぞれ生成された複数の
   プラズマが導かれるプラズマ結合用空洞部と、 前記複数列の各々の列のプラズマ生成部からのプラズマ
   を前記プラズマ結合用空洞部内において重ね合わせるプ
   ラズマ結合手段と を具えたことを特徴とするプラズマ生成源。 ２）複数列の形態で配列され、プラズマを生成する複数
   個のプラズマ生成部と、 該複数個のプラズマ生成部でそれぞれ生成され前記複数
   列の各々の列のプラズマ生成部からのプラズマを前記プ
   ラズマ結合用空洞部内において重ね合わせるプラズマ結
   合手段と、前記プラズマ結合用空洞に接続された試料室
   と、 該試料室内に配置され、前記複数個のプラズマ生成部か
   らのプラズマにより処理される試料を載置可能な試料台
   と を具え、前記複数列の各々の列の複数個のプラズマ生成
   部からのプラズマが前記試料の上に重ね合わされて照射
   されるようにしたことを特徴とするプラズマ処理装置。 ３）複数列の形態で配列され、プラズマを生成する複数
   個のプラズマ生成部と、 該複数個のプラズマ生成部でそれぞれ生成された複数の
   プラズマが導かれるプラズマ結合用空洞部と、 前記複数列の各々の列のプラズマ生成部からのプラズマ
   を前記プラズマ結合用空洞部内において重ね合わせるプ
   ラズマ結合手段と、 前記プラズマ結合用空洞部からイオンを引き出すイオン
   引き出し電極系と を具えたことを特徴とするイオン生成源。 ４）複数列の形態で配列され、プラズマを生成する複数
   個のプラズマ生成部と、 該複数個のプラズマ生成部でそれぞれ生成された複数の
   プラズマが導かれるプラズマ結合用空洞部と、 前記複数列の各々の列のプラズマ生成部からのプラズマ
   を前記プラズマ結合用空洞部内において重ね合わせるプ
   ラズマ結合手段と、 前記プラズマ結合用空洞部からイオンを引き出すイオン
   引き出し電極系と、 前記プラズマ結合用空洞に接続された試料室と、 該試料室内に配置され、イオンにより処理される試料を
   載置可能な試料台と を具え、前記イオン引き出し電極系からのイオンが前記
   試料の上に重ね合わされて照射されるようにしたことを
   特徴とするイオン処理装置。