JPH0270062A - プラズマ／イオン生成源およびプラズマ／イオン処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、高密度プラズマ／イオン生成源およびそれを
用いたプラズマＣＶＤ装置やプラズマエツヂング装置の
ようなプラズマ／イオン処理装置の高＋Ｊ１．能化に関
し、特にプラズマ／イオン処理装置に用いて好適なプラ
ズマ／イオン生成源の大電流化および大口径化に関する
ものである。

［従来の技術］ 半導体製造のプロセス技術として、トライプロセスが半
導体装置の微細化および高集積化のために非常に重要な
技術となってきた。このようなトライプロセスにおいて
、エツチング、デポジション、イオン打ち込みなどをプ
ラズマ・イオンを用いて行うプラズマ処理装置が最近使
用されつつある。また、次世代材料の創成、材料の表面
特性を改質する新プロセス技術として、基板上に薄膜を
形成すると同時にイオン・プラズマを照射するイオン・
プラズマアシスト技術が注目されている。

これらの代表的な装習例としては、プラズマＣｖＤ装置
１イオンシャワーエツチング装「、プラズマ流エツヂン
グ装置、イオン打ち込み装置、ダイナミックイオンビー
ムミキシング装置、イオンアシストデポジション装置等
がある。これら装置では、いずれも、プラズマ生成室に
おける放電ガスをプラズマ状態にした後、このプラズマ
もしくはこのプラズマ中のイオンを取り出して、試料の
表面に照射している。すなわち、これらのプラズマまた
はイオン処理装置の共通点はプラズマ発生手段にあり、
しかもこれらの装置の性能はこのプラズマの性質に左右
されている。

第７図に従来のＥＣＲ放電を用いたプラズマ生成源およ
びそれを用いたＥＣＲＣＶＤ装置の基本構成を示す（例
えば、Ｊｐｎ、Ｊ、八ｐｐ１．Ｐｈｙｓ、ｖｏ１．２２
．ｎｏ、４゜（１９１１３）１２１０〜２１２参照）。

第７図において、１はプラズマ生成室であり、このプラ
ズマ生成室１には、マイクロ波発振源（図示省略）から
アイソレタおよび整合器（図示省略）を介して得たマイ
クロ波（たとえは２．４５ＧＨｚ）を、導波管２および
マイクロ波導入窓３を介して導く。プラズマ生成室１の
周囲には電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＩＩ）のための
磁気コイル４を配置する。プラズマ生成室１にはカス導
入口５よりプラズマ化すべきガスを導入する。６はプラ
ズマ生成室１の外壁に冷却水を導く冷却水通路である。

プラズマ生成室１の底部にはプラズマリミッタ７を設け
、プラズマ生成室１で発生させたプラズマを、このプラ
ズマリミッタ７を介してプラズマ流８として取り出し、
試料室９内に配置した試料台１０上の試料１１に導く。

１２は試料室９に対するガス導入口である。１３は、プ
ラズマ生成室１および試料室９を真空に引くための排気
系である。

プラズマ生成室１にガス導入口５よりガスを導入すると
共に、導波管２からマイクロ波（例えば２．４５Ｇ）ｌ
ｚ）を導入し、磁気コイル４によって電子サイクロトロ
ン共鳴（ＥＣＲ）条件の直流磁場（８７５ガウス）をマ
イクロ波電界に対して直角方向に印加すると、これらの
相互作用で、プラズマ発生室１に導入されたガスはプラ
ズマになる。例えば、試料（Ｓｉウニ八へ）＋１の上に
５１０２をデポジションする場合には、ガス導入口５か
ら酸素ガスを導入してプラズマ化し、ガス導入口１２か
ら５ｉｔｌ＋を導入することにより、試料１１を加熱す
ることなくその試料１１の上に緻密な膜か低温で形成さ
れる。また、試料１１の表面の５ｉ（ｈをエツチングす
る場合には、ガス導入Ｄ５から導入したＣＦ４などのガ
スをプラズマ化して試料１１を照射することにより５ｉ
０２がエツチングされる。

また、第７図の装置において、プラズマリミッタ７によ
るプラズマの引き出し口にイオン引き出し電極を取り付
けて、プラズマ中のイオンのみを取り出し、しかもその
イオンエネルギを制御するコトニヨって、この装置をイ
オンシャワーエツヂング装置として使用することもでき
る。

［発明が解決しようとする課題］ 今後、生産性の向」二のためには大きな試料や大量の試
料を微細加工できる装置の開発が必要となる。この要求
に応えるためには、大口径で高密度のプラズマを生成す
るプラズマ生成源を用いた大口径・高速処理のプラズマ
デポジション／エツチング装置やダイナミックイオンビ
ームミキシング装置の開発が必要である。そのためには
、大口径ビームてしかも高密度のプラズマを生成するプ
ラズマ生成源の開発が必須である。

ところか、第７図のようなプラズマ生成源においては、
単純にプラズマ生成室ｌを大きくして、大口径のプラズ
マ生成源を構成しても、マイクロ波の電界強度は周辺で
弱くなり、しかもマイクロ波の伝播モードも多重モード
になり電界強度の不均一化が生じるため、プラズマ密度
が低下するばかりか、均一性を得る条件が厳しくなって
くる。

すなわち、従来のＥＣＲプラズマ生成源では、マイクロ
波電力を大量＜シていっても、プラズマ密度は増大せず
限界があフだ。また、一般にプラズマ生成室を大きくし
ても均一なプラズマが得られず、均一で大口径のビーム
を得るためには限界があった。このように、従来のプラ
ズマ生成源では、大電流化および大口径化の点で限界が
あった。

このような目的に対処するためには、均一な高密度プラ
ズマ、さらに大口径なプラズマを発生するプラズマ生成
源の開発が重要な課題になりている。

そこで、本発明の目的は、均一で高密度のプラズマ／イ
オンを発生し、しかも大口径化に適用できるプラズマ／
イオン生成源を提供することにある。

本発明の他の目的は、かかるプラズマ／イオン生成源を
用いて、高速・大面積のプラズマ／イオン処理装置を提
供することにある。

［課題を解決するための手段］ このような目的を達成するために、本発明プラズマ生成
源は、プラズマを生成する複数個のプラズマ生成部と、
複数個のプラズマ生成部でそれぞれ生成された複数のプ
ラズマが導かれるプラズマ結合用空洞部と、複数個のプ
ラズマ生成部で生成された複数のプラズマをプラズマ結
合用空洞部内において結合するプラズマ結合手段とを具
えたことを特徴とする。

本発明プラズマ処理装置は、プラズマを生成する複数個
のプラズマ生成部と、複数個のプラズマ生成部でそれぞ
れ生成された複数のプラズマが導かれるプラズマ結合用
空洞部と、複数個のプラズマ生成部で生成された複数の
プラズマをプラズマ結合用空洞部内において結合するプ
ラズマ結合手段と、プラズマ結合用空洞部に接続された
試料室と、試料室内に配置され、プラズマにより処理さ
れる試料な載置可能な試料台とを具え、複数個のプラズ
マ生成部からのプラズマが試料の上゛に重ね合わされて
照射されるようにしたことを特徴とする。

本発明イオン生成源は、プラズマを生成する複数個のプ
ラズマ生成部と、複数個のプラズマ生成部でそれぞれ生
成された複数のプラズマが導かれるプラズマ結合用空洞
部と、複数個のプラズマ生成部で生成された複数のプラ
ズマをプラズマ結合用空洞部内において結合するプラズ
マ結合手段と、プラズマ結合用空洞部からイオンを引き
出すイオン引き出し電極系とを具えたことを特徴とする
。

本発明イオン処理装置は、プラズマを生成する複数個の
プラズマ生成部と、複数個のプラズマ生成部でそれぞれ
生成された複数のプラズマか導かれるプラズマ結合用空
洞部と、複数個のプラズマ生成部て生成された複数のプ
ラズマをプラズマ結合用空洞部内において結合するプラ
ズマ結合手段と、プラズマ結合用空洞部からイオンを引
き出すイオン引き出し電極系と、プラズマ結合用空洞部
に接続された試料室と、試料室内に配置され、イオンに
より処理される試料を載置可能な試料台とを具え、イオ
ン引き出し電極系からのイオンが試料の上に重ね合わさ
れて照射されるようにしたことを特徴とする。

［作　用］ 本発明では、プラズマを生成するＥＣＲプラズマ生成部
を複数個設置し、しかもそれらの複数のプラズマを重ね
合わせて高密度化を実現するようにしたので、単体のＥ
ＣＲプラズマ生成源の高密度化の限界以上に高密度なプ
ラズマ、イオンが得られる。しかもまた、プラズマを重
ね合わせる磁気回路などの結合手段を具備しているため
、プラズマビーム、イオンビームの大口径化および均一
化の実現が容易である。

［実施例コ 以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する
。

実施例１ 第１図（Ａ＞および（８）は本発明ＥＣＲプラズマ生成
生成−実施例を示す構成図であって、第１図（Ａ）はこ
のプラズマ生成源を横から見た構成図、第１図（Ｂ）は
同じく上から見た構成図を示す。

第１図（八）および（Ｂ）において、２１は複数個のＥ
ＣＲプラズマ生成部を示す。プラズマ生成部２１の各々
それ自体は第７図示の従来公知の構成でよく、プラズマ
生成室】としてのプラズマ生成用空洞、マイクロ波導入
用の導波管２、マイクロ波導入窓３、磁気コイル４、ガ
ス導入口５、冷却水通路（図示せず）、プラズマリミッ
タ７を有する。

２２はプラズマ結合用の円筒状空洞部であって、複数の
プラズマ生成部２１をこの空洞部２２の外周部に配置し
て、各プラズマ生成部２１のプラズマリミッタ７より取
り出されたプラズマ流２３をこの空洞部２２内に導く。

このプラズマ結合用空洞部２２の外周部には、プラズマ
結合用磁気回路を構成する磁気コイル２４を配置して、
その磁力線によって各プラズマ流２３を同一方向、すな
わちこの磁力線の方向に偏向させる。

ＥＣＲプラズマ生成部２１は円筒形状のプラズマ結合用
空洞部２２の周囲に２個以上（本例では６個）が配置さ
れている。たとえば、ＥＣ’Ｒプラズマ生成部生成性１
を１０〜２０ｃｍとして、６個のかかるプラズマ生成部
２１を空洞部２２の周囲に配置すると、プラズマ結合用
空洞部２２の内径は２０〜４０ｃｍになる。

ＥＣＲプラズマ生成部２１の磁気コイル４については、
通常、２４５ＧＩＩｚに対するεＣＲ条件である８７５
ガウス近傍の磁場か使われており、比較的大きな磁場が
外側まできている。本実施例では、このようなＥＣＲプ
ラズマ生成部２１の磁気コイル４で発生する磁界の磁力
線の方向と直交する磁力線を発生し、かつ双方の磁力線
の方向か連続するように磁気回路４と２４の相互の極性
を定めて、プラズマ結合用の磁気回路２４を構成配置し
、それによりＥＣＲプラズマ生成部２１で生成されたプ
ラズマは、プラズマ結合用の磁力線に沿い、かつその磁
力線の方向に曲げられ、重ね合わされて結合プラズマ流
２７となる。

本実施例はこのような構成になっているので、ＥＣＲプ
ラズマ生成部２１のプラズマ生成用空洞１にガス導入口
５からガス、マイクロ波導入導波管２からマイクロ波を
導入し、マグネットコイル４で磁場を発生すれば、プラ
ズマが生成される。このようにして生成したプラズマ生
成用空洞１からのプラズマ流２３は、プラズマ結合用磁
気回路２４で発生ずる磁場の作用で、お互いに重なり合
うように同一の方向に曲げられる。この重ね合わされた
プラズマ流２７は、このままプラズマ生成源として、処
理に使うことかできる。

あるいはまた、第１図（八）に示すように、重ね合わさ
れたプラズマ流２７の下流側にイオン引き出し電極系２
５を配置することにより、プラズマ中からイオンビーム
２６を取り出すとともに、そのイオンエネルギを必要と
するエネルギに制御することができる。なお、第１図（
Ａ）ては、イオン引き出し電極系２５として、３枚電極
の構成例を示しであるが、制御するイオンエネルギに対
応して、２枚電極、１枚電極、単葉メツシュ電極などの
各種弓き出し電極を使用することかてきる。

本実施例において、たとえば、各ＥＣＲプラズマ生成部
２１が２００ｍＡに相当するプラズマを生成すれば、６
個のプラズマ生成部２１によって合計でＩＡを越えるよ
うな大電流プラズマ生成源を構成することができる。さ
らに、各プラズマ生成部２１およびプラズマ結合用空／
１ｉｉ１２２の大きさと配置を適切に設計することによ
って、大口径のプラズマ生成源を実現できる。しかもま
た、結合用磁気回路２４の大きさと位置および磁場の強
さを適切に定めることにより、ビームの均一化を図るこ
とは容易であり、特に、磁気回路２４の位置と磁場の強
さを変えることで均一性を調整することができる。

なお、第１図（八）においては、イオン引き出し電極系
２５を用いてイオンビームを生成するイオン源の形態の
例を示したか、上述したように、引き出し電極系を設け
ずにプラズマ流２７自体を用いるプラズマ生成源として
使用できることは言うまでもない。

さらにまた、本実施例では、第１図（八）に示すように
、プラズマ結合用空洞部２２の周囲に、はぼ同一水平面
上に複数個のプラズマ生成部２１を配置したが、このよ
うな水平面を複数設定して、各水平面に沿って、第１図
（Ａ）　に示したような形態で複数個のプラズマ生成部
２１を配列した多段重ね合わせの形態としてもよい。

第１図（八）では、各ＥＣＲプラズマ生成部２１からの
プラズマ流２３を直角方向に曲げて結合する例を示した
が、一般にはこの偏向角度は小さいほどプラズマ流を重
ね合わせやすい。そこで、偏向角度を小さくした構成の
具体例を第２図に示す。第２図において、２８はプラズ
マ結合用空洞部であって、その上部には傾斜をつけたテ
ーパ面を形成し、そのテーパ面に複数個のＥＣＲプラズ
マ生成部２１を配設し、それによりプラズマ流２３の偏
向角度を９０度より小さくする。この実施例において、
残余の構成および動作は第１図の場合と同しである。

実施例２ 第３図は本発明の別の実施例を示し、ここで符号３１は
プラズマの進行方向に磁力線を有していなかったり、あ
るいは弱い磁場でプラズマを生成しているプラズマ生成
部である。３２はプラズマ生成部３１から取り出された
プラズマ流２３を制御するための補助磁気回路である。

ここで、プラズマ制御用の補助磁気回路３２の磁力線の
方向は、プラズマをプラズマ結合用空洞部２２から引き
出す方向、すなわちプラズマ結合用磁気回路２４の磁力
線の方向と直交し、かつ双方の磁力線の方向が連続する
ように磁気回路２４と３２の相互の極性を定めるものと
する。本実施例の残余の構成および動作は第１図（八）
および（Ｂ）の場合と全く同様であり、これらの磁場の
作用によりプラズマ生成部３１で生成された全てのプラ
ズマ流３３は、イオン引き出し電極系２５の方向に曲げ
られ、大口径および大電流のイオンビームを得ることが
できる。

火廠■ユ 第４図（Ａ）および（Ｂ）は本発明の実施例３の構成を
示す図でありて、プラズマ生成部の個数をさらに増大さ
せるために、第１図（八）およびＣＢ）の基本構成に加
えて、プラズマ生成部４１を付加した例である。すなわ
ち、ここでは、ＥＣＲプラズマ生成生成部上１じ構成の
プラズマ生成部４Ｉをプラズマ結合用空洞部２２の上面
に配置する。なお、プラズマ生成部４■としては、他の
形態のプラズマ生成部を用いても、同様に構成できる。

第４図において、ＥＣ１ｔプラズマ生成部２１の磁気回
路４による磁力線の向きは、第１図（八）および（Ｂ）
の構成と同様に、プラズマ結合用の磁気回路２４の磁力
線の向きと直交し、かつ双方の磁力線が連続するように
磁気回路４と２４の相互の極性を定めておく。一方、Ｅ
ＣＲプラズマ生成部４１の磁気回路４は、それによる磁
力線の向きか、ＥＣＲプラズマ生成生成部上１気回路４
による磁力線の向きと一致せず、すなわち連続せず反発
する方向に向くように構成されている。第１図（Ａ）お
よび（Ｂ）の構成の場合と同様に、プラズマ生成部２１
からのプラズマ流２３は、引き出し電極系２５の方向に
重なり合うように曲げられる。さらに、プラズマ生成部
４１からのプラズマは、プラズマ生成部２１の磁気回路
４からのｂｎ場によって、発散しないようにプラズマ流
４２として直進する。これらのプラズマ流２３と４２と
は合流して、結合プラズマ流４３として引き出し電極系
２５に達する。本実施例では、このようにして、ざらに
イオン電流が増大される。

実施例４ 第５図は本発明プラズマ加工装置の一実施例であって、
本発明プラズマ生成源を用いたプラズマ】　９ ＣＶＤ装置／イオン流エツチング装置の構成例である。

第５図において、プラズマ結合用空洞２２の下部に設け
たプラズマリミッタ７および試料室９の構造は第７図の
従来例と同様である。

複数個のプラズマ生成部２１て生成されたプラズマはプ
ラズマ結合用の空洞部２２のなかで相互に重ね合わされ
て、大きなプラズマ流２７として試料台ｌＯの方向に輸
送される。この試料台ＩＯの上に種々の試料１１を設置
することにより、デポジションエッヂング等のプラズマ
処理を行うことかてきる。

例えば、不活性ガス、水素化物、ハロゲン化物、有機金
属化合物ガスなどの各種のガス（ＡｒＫｒ、１１２，０
２．ＳｉＨ，、ＧｅＨ４，へｓＨ３，Ｇａｎ３．八ｊ２
　Ｒ８，ＣＦ４など）を用いて、絶縁膜、金属膜、化合
物（Ｓｉ、５ｉＱ２Ｓｉ、、Ｎ、、Ｇｅ、八１　、Ｇａ
八へなど）の■膜形成や工・ンヂングを行うことができ
る。この装置は、先に説明したように、大電流のプラズ
マを用いているので、高速に処理できる。さらに、この
プラズマ生成源として大口径ビームを得ることができる
ように装置を構成すれは、５０〜１００ｃｍφのような
大面積の試才４も処理できる。

なお、第５図に示すように、窓硝子５６を介して、紫外
線、赤外線などの光５７を試料１１の上に照射できる構
成にすれは、低温でより高品質かつ高精度の膜形成やエ
ツチングなどの処理を行うことかできる。

実施例５ 第６図に本発明のプラズマ処理装置の他の例として、ダ
イナミックイオンビームミキシング装置の構成例を示す
。

ダイナミックイオンビームミキシングとは、薄膜形成と
イオン注入とを同時に、あるいは順次に繰り返すことに
より、合金膜の形成と界面消失を起こさせるものであり
、極めて母材と一体化した強固で特性の優れた膜が表面
に形成できる。

第６図において、８１は試料室９内に設けた蒸発源、６
２はシャッタ、６３はシャッタ６２の駆動機構、６４は
試料台１０に冷却水を供給する冷却水通路である。ここ
で、試料台ＩＯをイオンビーム２６および蒸発源６１の
双方釘列して傾けて配置することによって、イオンビー
ム２６および蒸発源６１からの蒸発材料６５か共に試料
１１に照射されるようにする。

蒸発源６１によって、Ｔ１．Δｆｔ、ＢもしくはＳｌを
蒸発させ、一方イオン源（すなわち、プラズマ生成源）
側から、引き出し電極系２５の制御の下て、Ｎイオンビ
ーム２６を試料１１に１〜４０ｋＶのエネルギて照射す
ることにより、ＴｉＮ、八ｊ２　Ｎ、ＢＮや５ｊｓＮ４
か形成される。また、Ｃを蒸発源６１て蒸発させながら
、后のイオンビーム２６を照射すると、ダイアモンド薄
膜など通常の膜形成方法ては実現できない膜を形成てぎ
る。

この装置は、先に説明した均一で高密度のプラズマを生
成するプラズマ生成源を使用して、均で高密度のイオン
ビーム２６を得ているので、試料１１を高速でしかも均
一に処理できる。

［発明の効果］ 以上説明したように、本発明によれは、複数のプラズマ
生成部からプラズマまたはイオン生成源か構成されてい
るので、均一で高密度のプラズマまたはイオンを生成で
きる。しかも、大口径ビムのプラズマ／イオンビームを
生成するのに適した構成になっている。

さらに、本発明プラズマ／イオン生成源を搭載してプラ
ズマまたはイオンを応用する処Ｊ里装置（たとえば、エ
ツヂング、イオン打ち込み、プラズマデポジション、イ
オンビームダイナミックミキシング、イオンアシストデ
ポジションなど）は、均一で高密度のプラズマまたはイ
オンを用いて処理できるので、大口径試料に適用でき、
しかもスループットを高くすることかできる。

さらにまた、本発明のプラズマ／イオン生成源は、イオ
ンドーピング、半導体表面の清浄化などのプラズマ加工
装置にも使用して、きわめて有効である。

なお、本発明はプラズマ生成源およびそれを用いたプラ
ズマ処理装置にのみ限られるものではなく、上述したよ
うにプラズマ生成源にイオン引き出し電８ｉ系を単にイ
」加するのみでイオン生成源を構成し、あるいはそのイ
オン生成源を用いたイオン処理装置をも構成てきること
は明らかてあり、ここでいうプラズマ生成源およびプラ
ズマ処理装置とは、プラズマのみならずイオンをも包含
するように広義に解釈するものとする。

【図面の簡単な説明】

第１図（八）および（Ｂ）、第２図、第３図および第４
図（八）および（Ｂ）は本発明プラズマ／イオン生成源
の種々の実施例を示す構成図、 第５図および第６図は本発明プラズマ／イオン処理装置
の２実施例を示す構成図、 第７図は従来のＥＣＲＣＶＤ装置の構成例を示す構成図
である。 １・・・プラズマ生成室（プラズマ生成用空洞）、２・
・・マイクロ波導入窓、 ３・・・導波管、 ４・・・磁気コイル、 ５、１２．５１・・・ガス導入口、 ６．６４・・・冷却水通路、 ７・・・プラズマリミッタ、 ８・・・プラズマ流、 ９・・・試料室、 ｌＯ・・・試料台、 １１・・・試料、 １３・・・排気系、 ２１、４１・・・ＥＣＲプラズマ生成部、２２、２８・
・・プラズマ結合用空洞部、２３、３３．４２・・・プ
ラズマ流、 ２４・・・プラズマ結合用の磁気回路、２５・・・引き
出し電極系、 ２６・・・イオンビーム、 ２７、４３・・・結合プラズマ流、 ３１・・・プラズマ生成源、 ３２・・・プラズマ制御用の補助磁気回路、５６・・・
窓硝子、 ５７・・・紫外線、赤外線などの光、 ６１・・・蒸発源、 ６２・・・シャッタ・ ６３・・・シャッタ駆動機構、 ６５・・・蒸発材料。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）プラズマを生成する複数個のプラズマ生成部と、 該複数個のプラズマ生成部でそれぞれ生成された複数の
   プラズマが導かれるプラズマ結合用空洞部と、 前記複数個のプラズマ生成部で生成された複数のプラズ
   マを前記プラズマ結合用空洞部内において結合するプラ
   ズマ結合手段と を具えたことを特徴とする高密度プラズマ生成源。 ２）プラズマを生成する複数個のプラズマ生成部と、 該複数個のプラズマ生成部でそれぞれ生成された複数の
   プラズマが導かれるプラズマ結合用空洞部と、 前記複数個のプラズマ生成部で生成された複数のプラズ
   マを前記プラズマ結合用空洞部内において結合するプラ
   ズマ結合手段と、 前記プラズマ結合用空洞部に接続された試料室と、 該試料室内に配置され、プラズマにより処理される試料
   を載置可能な試料台と を具え、前記複数個のプラズマ生成部からのプラズマが
   前記試料の上に重ね合わされて照射されるようにしたこ
   とを特徴とするプラズマ処理装置。 ３）プラズマを生成する複数個のプラズマ生成部と、 該複数個のプラズマ生成部でそれぞれ生成された複数の
   プラズマが導かれるプラズマ結合用空洞部と、 前記複数個のプラズマ生成部で生成された複数のプラズ
   マを前記プラズマ結合用空洞部内において結合するプラ
   ズマ結合手段と、 前記プラズマ結合用空洞部からイオンを引き出すイオン
   引き出し電極系と を具えたことを特徴とするイオン生成源。 ４）プラズマを生成する複数個のプラズマ生成部と、 該複数個のプラズマ生成部でそれぞれ生成された複数の
   プラズマが導かれるプラズマ結合用空洞部と、 前記複数個のプラズマ生成部で生成された複数のプラズ
   マを前記プラズマ結合用空洞部内において結合するプラ
   ズマ結合手段と、 前記プラズマ結合用空洞部からイオンを引き出すイオン
   引き出し電極系と、 前記プラズマ結合用空洞部に接続された試料室と、 該試料室内に配置され、イオンにより処理される試料を
   載置可能な試料台と を具え、前記イオン引き出し電極系からのイオンが前記
   試料の上に重ね合わされて照射されるようにしたことを
   特徴とするイオン処理装置。