KR930005280A - 큰 면적의 기판을 처리하기 위한 박막 프로세스용 장치 - Google Patents
큰 면적의 기판을 처리하기 위한 박막 프로세스용 장치 Download PDFInfo
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Abstract
내용 없음.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 마이크로파 도파관, 장방형 혼 및 프라즈마 챔버를 가진 본 발명에 따른 장치의 단면도,
제2도는 제1도의 종축 X-X을 따라 자른 단면도.
Claims (5)
- 소우스로부터 적어도 하나의 장방형 도파관부 및 혼 안테나로 이루어진 도파관을 통해 플라즈마 챔버(5)내로 모이는 고주파 전자파, 특히 마이크로파(M)에 의해 여기되는 플라즈마를 이용해서 통상적으로 500-1,000mm×500-1,000mm의 용적을 갖는 큰 면적의 기판을 처리하기 위한 박막과 프로세스용 장치에 있어서, 도파관은 장방형 개구를 갖으며, 장방형 도파구부(1)의 끝에 예컨데, 슬롯형 측소부(Q)를 가진 영역이 제공되며, 이 영역 바로 다음에 혼 안테나(2)가 연결되며, 혼 안테나(2)의 가장큰 개구와 플라즈마 챔버(5)사에는 보상영역(3)이 제공되고, 전자파, 특히 마이크로파(M)는 플라즈마 챔버내로 투입시 창(4)의 평면에 대해 평행한 대략 평면의 동위상면, 및 대략 동일한 형태의 진폭분포를 갖는 것을 특징으로 하는 큰 면적의 기판을 처리하기 위한 박막 프로세스용 장치.
- 제1항에 있어서, 도파관(W)의 구조가 그종축 X-X에 대해 반사대칭으로 구현되는 것을 특징으로 하는 장치.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 도파관(W)이 보상영역(3)과 플라즈마 챔버(5)사이의 영역에 깔대기형의 개구 확대부(K)를 갖는 것을 특징으로 하는 장치.
- 제1항, 2항 또는 제3항에 있어서, 혼 안테나(2)의 깔대기형 확대부, 및 보상영역(3)과 플라즈마 챔버(5)사이의 확대부(K)가 단지 한 좌표방향으로만 도파관의 종축(K)가 단지 한 좌표방향으롬반 도파관의 종축 X-X에 대해 수직으로 형성되는 것들 특징으로 하는 장치.
- 제4항에 있어서, 혼 안테나(2)의 삼각형 투영면은 확대부(K)의 투영면에 대해 수직으로 배열되는 것을 특징으로 하는 장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DEP4126216.6 | 1991-08-08 | ||
DE4126216A DE4126216B4 (de) | 1991-08-08 | 1991-08-08 | Vorrichtung für Dünnschichtverfahren zur Behandlung großflächiger Substrate |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR930005280A true KR930005280A (ko) | 1993-03-23 |
Family
ID=6437897
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019920010798A KR930005280A (ko) | 1991-08-08 | 1992-06-22 | 큰 면적의 기판을 처리하기 위한 박막 프로세스용 장치 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5237152A (ko) |
EP (1) | EP0527290A1 (ko) |
JP (1) | JP3068342B2 (ko) |
KR (1) | KR930005280A (ko) |
DE (1) | DE4126216B4 (ko) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5620754A (en) | 1994-01-21 | 1997-04-15 | Qqc, Inc. | Method of treating and coating substrates |
US5731046A (en) | 1994-01-18 | 1998-03-24 | Qqc, Inc. | Fabrication of diamond and diamond-like carbon coatings |
US5554415A (en) | 1994-01-18 | 1996-09-10 | Qqc, Inc. | Substrate coating techniques, including fabricating materials on a surface of a substrate |
EP0716562B1 (de) * | 1994-12-07 | 1997-05-21 | Balzers und Leybold Deutschland Holding Aktiengesellschaft | Vorrichtung für Dünnschichtverfahren zur Behandlung grossflächiger Substrate |
DE19532435C2 (de) * | 1995-09-02 | 2001-07-19 | Ver Foerderung Inst Kunststoff | Vorrichtung und Verfahren zum Erzeugen eines Plasmas |
JPH10337401A (ja) * | 1997-03-12 | 1998-12-22 | Nukem Nuklear Gmbh | 含塩溶液の濃縮のための方法及び装置 |
US6228438B1 (en) * | 1999-08-10 | 2001-05-08 | Unakis Balzers Aktiengesellschaft | Plasma reactor for the treatment of large size substrates |
EP1397939B1 (en) * | 2001-06-01 | 2007-12-19 | Communication and Power Industries, Inc. | Microwave heating applicator for heating a moving fluid |
DE102011006710A1 (de) * | 2011-04-04 | 2012-10-04 | Siemens Aktiengesellschaft | HF-Generator |
DE102011006983A1 (de) * | 2011-04-07 | 2012-10-11 | Siemens Aktiengesellschaft | HF-Generator |
DE102011075480A1 (de) * | 2011-05-09 | 2012-11-15 | Siemens Ag | HF-Generator |
KR101674615B1 (ko) * | 2015-05-14 | 2016-11-09 | 주식회사 아바코 | 증착장치 |
RU2717841C1 (ru) * | 2019-10-15 | 2020-03-26 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики твердого тела Российской академии наук (ИФТТ РАН) | Коллинеарный электрод |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2245779B1 (ko) * | 1973-09-28 | 1978-02-10 | Cit Alcatel | |
JPS5779621A (en) * | 1980-11-05 | 1982-05-18 | Mitsubishi Electric Corp | Plasma processing device |
JPS5782955A (en) * | 1980-11-12 | 1982-05-24 | Hitachi Ltd | Microwave plasma generating apparatus |
JPS62213126A (ja) * | 1986-03-13 | 1987-09-19 | Fujitsu Ltd | マイクロ波プラズマ処理装置 |
DE3705666A1 (de) * | 1987-02-21 | 1988-09-01 | Leybold Ag | Einrichtung zum herstellen eines plasmas und zur behandlung von substraten darin |
FR2616614B1 (fr) * | 1987-06-10 | 1989-10-20 | Air Liquide | Torche a plasma micro-onde, dispositif comportant une telle torche et procede pour la fabrication de poudre les mettant en oeuvre |
JP2805009B2 (ja) * | 1988-05-11 | 1998-09-30 | 株式会社日立製作所 | プラズマ発生装置及びプラズマ元素分析装置 |
JPH0216732A (ja) * | 1988-07-05 | 1990-01-19 | Mitsubishi Electric Corp | プラズマ反応装置 |
KR900013579A (ko) * | 1989-02-15 | 1990-09-06 | 미다 가쓰시게 | 마이크로파 플라즈마 처리방법 및 장치 |
FR2647293B1 (fr) * | 1989-05-18 | 1996-06-28 | Defitech Sa | Reacteur a plasma perfectionne muni de moyens de couplage d'ondes electromagnetiques |
DE4034450A1 (de) * | 1989-12-23 | 1991-06-27 | Leybold Ag | Einrichtung fuer die erzeugung eines plasmas durch mikrowellen |
US5047612A (en) * | 1990-02-05 | 1991-09-10 | General Electric Company | Apparatus and method for controlling powder deposition in a plasma spray process |
-
1991
- 1991-08-08 DE DE4126216A patent/DE4126216B4/de not_active Expired - Lifetime
- 1991-09-30 US US07/768,014 patent/US5237152A/en not_active Expired - Lifetime
-
1992
- 1992-03-26 EP EP92105177A patent/EP0527290A1/de not_active Ceased
- 1992-06-22 KR KR1019920010798A patent/KR930005280A/ko not_active Application Discontinuation
- 1992-08-07 JP JP4211332A patent/JP3068342B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0527290A1 (de) | 1993-02-17 |
JP3068342B2 (ja) | 2000-07-24 |
DE4126216A1 (de) | 1993-02-11 |
US5237152A (en) | 1993-08-17 |
DE4126216B4 (de) | 2004-03-11 |
JPH05211100A (ja) | 1993-08-20 |
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