JPH0468624B2

JPH0468624B2 -

Info

Publication number: JPH0468624B2
Application number: JP62254801A
Authority: JP
Inventors: Ii Ramusuden Fuugu; Eru Waado Daun
Original assignee: Individual
Current assignee: Individual
Priority date: 1986-11-10
Filing date: 1987-10-12
Publication date: 1992-11-02
Also published as: JPS63186243A; KR950000238B1; AU594509B2; IE872341L; ES2055697T3; IL84388A0; DE3785418D1; IE59971B1; EP0267540A3; EP0267540A2; KR880006572A; ATE88285T1; IL84388A; AU7909887A; CA1329037C; DE3785418T2; EP0267540B1

Description

【発明の詳細な説明】

［産業上の利用分野］本発明は新規なフオトレジストストリツピング
（除去又は剥離）用組成物と、このストリツピン
グ用組成物を使用してレジストを除去する方法と
に関する。更に詳しくは、本発明は２−ピロリジ
ノン化合物、テトラヒドロチオフエン−１，１−
ジオキシド化合物、ポリエチレングリコール、ジ
エチレングリコールモノアルキルエーテル、及び
アミン又はアミン誘導体類の混合物からなる新規
なフオトレジストストリツピング用組成物と、こ
のストリツピング用組成物でレジストを除去する
（はぎ取る）ことに関する。［従来の技術］近代技術はポジ型のレジスト材料を用いてリト
グラフで基質上にパターンを描き、続いて基質材
料上でエツチングしてこのパターンにするか、又
はパターンを他の方法で基質材料上につけること
ができる。レジスト材料はフイルムとして付着さ
れ、望んでいるパターンはレジストをエネルギー
照射に当てることによつて決められる。そのあと
露出部分を適当な定着液によつて溶解させる。パ
ターンがこうして基質上につけられたら、その後
の操作や加工段階への悪影響や妨害を避けるため
に、レジスト材料を基質から完全に除去しなけれ
ばならない。このようなフオトリソグラフイ法では、パター
ンを描いた後、更にリソグラフイ操作ができるよ
うに、フオトレジスト材料はすべての未露出部分
から均等かつ完全に除去される必要がある。なお
もパターンを描くべき区域にレジストが部分的に
でも残つているのは望ましくない。また、パター
ンを描いた線の間に、望んでいないレジスト残留
物があると、金属被覆のようなその後の操作に悪
影響を与えたり、望ましくない表面状態や荷電を
生じたりすることもある。これまでレジスト材料は、以下のものの一つな
いしそれ以上を含有するストリツピング剤によつ
て除去されていた。すなわち、ハロゲン化炭化水
素、例えばメチレンやテトラクロロエチレン；ジ
メチルホルムアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリド
ン、ジエタノールアミン及びトリエタノールアミ
ンのようなアミン類とその誘導体類；エチレング
リコールモノエチルエーテル、２−ブトキシエタ
ノール、２−（２−ブトキシエトキシ）エタノー
ル及びそれらのアセテートのようなグリコールエ
ーテル類；メチルエチルケトン、アセトン、メチ
ルイソブチルケトン及びシクロヘキサノンのよう
なケトン類；並びにジオキサン、ナトリウムフエ
ノラート、イソプロピルアルコール、硫酸／硝酸
混合物のような材料、カロ酸と硫酸／過硫酸アン
モニウムのような過硫酸混合物；及び苛性及びフ
エノール誘導体類混合物やその他種々の材料。［発明が解決しようとする問題点］しかし、これらの種々の材料には、さまざまな
欠点が多数ある。このような各ストリツピング剤
の使用において、次のような欠点を一つ以上挙げ
ることができる。望ましくない可燃性、揮発性、
悪臭及び毒性；全レジストフイルムの不完全な除
去；ある種のレジストフイルムに対してしかない
有効性；ストリツピング剤による金属基質の攻撃
といつた、レジスト材料以外の成分の攻撃；スト
リツピング剤の取り扱いと処分に際しての安全
性；及び選ばれたレジストをストリツピングする
時に特定された高温で使用せねばならない望まれ
ない必要性。更に、ストリツピング剤の限られた
ストリツピング性能が非常に決定的な欠点であ
る。そのほか、苛酷なポストベーキング操作にか
けるレジスト材料に対して、多くのこのようなス
トリツピング剤は十分に有効ではなく、そのため
有用性が限定される。ストリツピング剤によつて
は、水分の存在が極めて有害である。そのうえ、
金属基質に対してストリツピング剤の不活性を要
するストリツピング用には、取り扱い中の毒性と
廃棄の困難が第一の欠点となつている。もつと最近になつて、２−ピロリジノン化合物
とテトラヒドロチオフエン−１，１−ジオキシド
化合物との混合物から、大幅に改良されたストリ
ツピング用組成物が提供されることがわかつた。
好ましくは、この混合物はポリエチレングリコー
ル及び１又はジエチレングリコールモノアルキル
エーテルをも包含している。このようなストリツ
ピング用組成物は、例えば1983年７月26日にア
イ・ウオードらに発行されジエイ・テイー・ベー
カー社に譲渡された合衆国特許第4395479号に明
らかにされている。このようなストリツピング用
組成物はこの技術での相当な進歩を表わしてお
り、これまで使用された組成物のもつ欠点の多く
を排除し、又は実質的に減少させはしたが、いつ
そう有効なストリツピング用組成物に対する大き
な必要がまだある。しかもウオードらの特許のス
トリツピング用組成物は、150℃で１時間までの
ポストベーキングにかけた基質からレジスト組成
物を除くには一般に有効であるが、より高温のポ
ストベーキング温度、例えば180ないし200℃で１
時間のポストベーキングにかけた基質からフオト
レジストを容易に除去できるようなストリツピン
グ用組成物を提供することは、非常に望ましく、
また必要でもある。更に、材料の異なる新しいフオトレジスト組成
物の導入に伴つて、別の古いフオトレジストを除
くのに有効なストリツピング用組成物が、新しい
フオトレジスト組成物を基質から除くには必ずし
も有効ではなく、全く有効でない場合もあること
がわかつた。従つて、より有効な改良されたフオトレジスト
ストリツピング用組成物、特に新しい改良された
フオトレジスト組成物や150℃、180℃、200℃の
ポストベーキング温度にかけたフオトレジスト組
成物をも有効迅速に除去するような、ストリツピ
ング用組成物が必要とされている。［問題点を解決する手段］これまで述べた欠点をなくすか、又は実質的に
減らし、ストリツピング用組成物の有用性範囲を
大幅に拡大した、適切な改良フオトレジストスト
リツピング用組成物が、本発明の教示に従つて得
られる。また新規なストリツピング用組成物は、
相乗的に強化されたストリツピング作用をも示
し、個々の成分をフオトレジストストリツピング
剤として単独使用しても得られないレジストスト
リツピング性能を提供している。本発明の新規な
ストリツピング用組成物は、２−ピロリジノン化
合物約30ないし約76重量％、テトラヒドロチオフ
エン−１、１−ジオキシド化合物約10ないし約56
重量％、ポリエチレングリコール約３ないし約20
重量％、ジエチレングリコールモノアルキルエー
テル約10ないし約30重量％、及びあるアミン類又
はアミン誘導体類、好ましくはヒドロキシル化ア
ミン化合物類約１ないし約15重量％の混合物から
なる。本発明のストリツピング用組成物中の水の
存在は有害ではなく、不要な逆効果を生じること
なく約０〜約10重量％の量で存在できる。本発明は又フオトレジスト材料を基質から除く
為のこのようなストリツピング用組成物の使用法
にも関する。本発明のストリツピング用組成物は、式［式中Ｒは水素、１−３個の炭素原子のアルキ
ル、及び１−３個の炭素原子のヒドロキシアルキ
ルからなる群から選ばれる］の２−ピロリジノン
化合物約30ないし約76重量％、好ましくは約45な
いし約70重量％、及び更に好ましくは約45ないし
約60重量％；式［式中R¹は水素、メチル又はエチル］のテト
ラヒドロチオフエン−１，１−ジオキシド化合物
約10ないし約56重量％、好ましくは約10ないし約
40重量％、及びより好ましくは約15ないし約30重
量％；ポリエチレングリコール約３ないし約20重
量％、好ましくは約５ないし約12重量％、及び最
も好ましくは約７ないし約12重量％；ジエチレン
グリコールモノアルキルエーテル約10ないし約30
重量％、好ましくは約12ないし約20重量％、及び
最も好ましくは約15ないし約20重量％；及びイミ
ダゾール、３−アミノ−１−プロパノール、エタ
ノールアミン、２（２−アミノエチルアミノ）エ
タノール、２−アミノ−２−メチル−１−プロパ
ノール、イソプロパノールアミン、２−アミノ−
３−ピコリン、２−アミノ−４−ニトロフエノー
ル、２−アミノ−６−ピコリン、モルホリン、２
−アミノエチルピペラジン及び２−アミノ−４，
６−ジメチルピリミジンからなる群から選ばれる
アミン又はアミン誘導体類約１ないし約15重量
％、好ましくは約２ないし約10重量％、及び最も
好ましくは約３ないし約10重量％を含有するスト
リツピング用組成物からなる。本発明組成物中に使用できるジエチレングリコ
ールモノアルキルエーテル類は、式HOCH₂CH₂
−Ｏ−CH₂CH₂−Ｏ−R²［式中R²は１−４個の炭
素原子のアルキル］のものである。本発明の組成
物類に使用されるこのような化合物の例は、例え
ばジエチレングリコールのモノメチル−モノエチ
ル−、及びモノブチルエーテル類である。２−
（２−エトキシエトキシ）エタノールが特に好ま
しい。本発明のストリツピング用組成物中に任意適当
なポリエチレングリコールを使用できるが、分子
量約200のポリエチレングリコールが好ましい。本発明のストリツピング用組成物は水を含まな
いものでありうるが、これは本質的ではなく、水
は約10重量％までの量で存在しうる。本発明の好ましい組成物は、ピロリジノン化合
物約45ないし60重量％、テトラヒドロチオフエン
−１、１−ジオキシド化合物約15ないし30重量
％、ポリエチレングリコール約６ないし12重量
％、ジエチレングリコールモノアルキルエーテル
化合物約15ないし20重量％、及びアミン又はアミ
ン誘導体類約３ないし10重量％を含有するもので
ある。本発明の例示的なストリツピング用組成物とし
て、第１表の以下の組成物類を挙げることができ
る。

【表】

【表】本発明のストリツピング用組成物は広範囲の多
種多様なポジ型フオトレジストのストリツピング
に有効である。ほとんどのポジ型フオトレジスト
は、ノボラツク、レゾール、ポリアクリルアミド
又はアクリル共重合型結合剤又は樹脂を伴つたオ
ルトナフトキノンジアジドスルホン酸エステル又
はアミド増感剤又は光活性成分からなる。このよ
うなポジ型フオトレジストは、この技術で周知で
ある。このようなレジストや増感剤は、例えば、
合衆国特許第3046118号；第3046121号；第
3106465号；第3201239号；第3538137号；第
3666473号；第3934057号；第3984582号及び第
4007047号に記述されている。本発明のストリツ
ピング用組成物を使用できるこのようなポジ型フ
オトレジスト組成物の例として、イーストマン・
コダツク社のフオトレジストコダツク809；ジエ
イ・テイー・ベーカー・ケミカル社のフオトレジ
スト1PR−21，1PR−５，1PR25及び1PR−95；
フイリツプス・Ａ・ハント・ケミカル・コーポレ
ーシヨンのウエイコートHPR 104，HPR 106，
HPR 204及びHPR 206フオトレジスト；アメリ
カン・ヘキスト・コーポレーシヨンのフオトレジ
ストAZ−1350，AZ−1350B，AZ−1350H，AZ
−1350J，AZ−1370，AZ−1450B，AZ−1450J，
AZ−1470，AZ−2400，AZ−111，AZ−1375，
AZ−1350B−SF，AZ−1350J−SF，及びAZ−
1370−SF；ポリクローム・コーポレーシヨンの
フオトレジストPC−129，PC−129SF及びPC−
138；フジ・ケミカル・インダストリアル・カン
パニーのフオトレジストFPR−200；ダイナケ
ム・コーポレーシヨンのフオトレジストOFPR−
800；及びマツク・ダーミツド社のフオトレジス
トウルトラマツクUM−74，PR 913，PR 914及
びPR 915を挙げることができる。［発明の効果］本発明のストリツピング用組成物は、約150℃、
180℃又は200℃のポストベーク温度に約１時間か
けた時でも、フオトレジスト材料を基質から完全
に除去するのに有効である。本発明のストリツピング用組成物は、次に述べ
る多くの理由から特に有利である。ストリツピン
グ用組成物は、基質を攻撃せずに金属その他の基
質からポジ型フオトレジスト材料を除去する。組
成物は本質的に無毒であり、水と混ざる。ストリ
ツピング操作中の水の存在は、ストリツピング組
成物の操作に有害ではない。フエノール基盤のス
トリツピング剤と異なり、本発明の組成物は特別
な取り扱いを要せず、通常の汚水処理施設で容易
に処分できる。そのうえ、組成物の浴寿命とスト
リツピング有効性は、大部分、温度と無関係であ
る。本発明のストリツピング用組成物を使用する
と、その後脱イオン水でリンスするだけでよい
が、先行技術の多くのストリツピング剤では更に
有機溶剤を使う必要がある。本発明のストリツピ
ング用組成物は、除去しにくいポジ型フオトレジ
ストを約75ないし95℃以下で完全に除去する一
方、幾つかの先行技術のストリツピング剤は約95
℃ないし約100℃以上の浴温を必要とする。また、
ほとんどのポジ型フオトレジストは約５分以内に
完全に除去されるが、市販の多くのストリツピン
グ用組成物では20分までのストリツピング時間が
推薦されている。アミン又はアミン誘導体成分を含有する本発明
のストリツピング用組成物は、先行の合衆国特許
第4395479号の組成物類では有効かつ完全にフオ
トレジストが除去されない基質から、ポジ型フオ
トレジスト材料を有効かつ完全に除去することが
予想外に見い出された。［実施例］本発明のストリツピング用組成物のストリツピ
ング作用の有効性と予想外の性質は、以下の実施
例中に提示されたデータに示されている。ウエハー基質３″を、この技術で認められた手
順に従つて、ポジ型フオトレジスト材料の1μ被
覆で覆い、約150℃で約１時間ポストベークした。
ストリツピング浴を水浴と同じ恒温に保持し、ポ
ストベークし被覆したウエハーを、恒温ストリツ
ピング用組成物含有の600mlビーカーに浸けて、
同一期間時々かきまぜた。このあと、ウエハーを
取り出し、脱イオン水の流水でリンスし、窒素流
中で乾燥した。レジストの除去を確かめるために
ウエハーを検査することによつて、ストリツピン
グ性を判定した。下の第２表の実施例１−12で指定された本発明
の組成物類を、対照Ａで指定される前記合衆国特
許第4395479号の好ましい組成物について得られ
たストリツピング結果と比較した。対照Ａの組成
物は次のとおりである。１−メチル−２−ピロリ
ジノン51重量％、テトラヒドロチオフエン−１，
１−ジオキシド26重量％、２−（エトキシエトキ
シ）エタノール17重量％、及びポリエチレングリ
コール６重量％、実施例１−12は対照A97重量％
プラス指定されたアミン又はアミン誘導体３重量
％を含有する。ストリツピング用組成物は、一般
的に除去しにくいフオトレジスト、すなわちアメ
リカン・ヘキスト・コーポレーシヨン製のAZ−
2400及びAZ−1450Jフオトレジスト、ジエイ・テ
イー・ベーカー・ケミカル社の1PR−21フオトレ
ジスト、ダイナケム製のOFPR−800フオトレジ
スト、及びマツク・ダーミツド製のUM−74フオ
トレジストを除くために使用された。第２表実施例番号成分１対照Ａ＋イミダゾール２対照Ａ＋３−アミノ−１−プロパノール３対照Ａ＋エタノールアミン４対照Ａ＋２（２−アミノエチルアミノ）エ
タノール５対照Ａ＋２−アミノ−２−メチル−１−プ
ロパノール６対照Ａ＋DL−１−アミノ−２−プロパノ
ール７対照Ａ＋２−アミノ−６−ピコリン８対照Ａ＋モルホリン９対照Ａ＋２−アミノエチルピペラジン 10 対照Ａ＋２−アミノ−４，６−ジメチルピ
リジン 11 対照Ａ＋２−アミノ−２−ピコリン 12 対照Ａ＋２−アミノ−４−ニトロフエノー
ル本発明の組成物類、すなわち実施例１−12の
各々は、合衆国特許第4395479号の比較組成物で
ある対照Ａのみよりフオトレジストの効果的な除
去をもたらした。本発明組成物類は、更に試験すると、上記の合
衆国特許第4395479号の組成物すなわち対照Ａに
比べ、特に150℃と同様180℃や200℃のポストベ
ーキング温度にかけた被覆基質からフオトレジス
トを除去するのに、大幅に改良されたフオトレジ
ストストリツピング性を実証した。基質からのフ
オトレジストのこのような改良された除去の例
は、下の実施例13−15に示すものである。実施例
13−15で使用された組成物類は、第３表に記載の
組成物Ａ−Ｆである。第２表組成物成分Ａ対照A97％＋エタノールアミン３％Ｂ対照A90％＋エタノールアミン10％Ｃ対照A97％＋２（２−アミノエチルアミ
ノ）エタノール３％Ｄ対照A90％＋２（２−アミノエチルアミ
ノ）エタノール10％Ｅ対照A97％＋DL−１−アミノ−２−プ
ロパノール３％Ｆ対照A90％＋DL−１−アミノ−２−プ
ロパノール10％実施例１−12で使用された除去しにくいフオト
レジストAZ−1450J，1PR−21，OFPR−800及
びUM−74を除くために、ストリツピング用組成
物の組成物Ａ−Ｆ並びに単独の対照Ａを使用し
た。実施例１−12で用いた同じ一般手順を実施例
13−15に使用したが、但しポストベーク処理温
度、ストリツピング浴温及び浸漬時間は実施例に
示すとおりであつた。実施例13−15で、フオトレ
ジストの受入れられる除去（removal）をＲで示
し、フオトレジストの非除去（non−removal）
をNRで示す。実施例 13 フオトレジストの被覆ウエハーを150℃で１時
間ポストベークした。ストリツピング浴温は75℃
であり、ストリツピング浴へのウエハーの浸漬時
間は５分であつた。

【表】実施例 14 フオトレジストの被覆ウエハーを180℃で１時
間ポストベークした。ストリツピング浴温は75℃
又は95℃であり（指示のとおり）、ストリツピン
グ浴へのウエハーの浸漬時間は５分であつた。

【表】

【表】実施例 15 フオトレジストの被覆ウエハーを200℃で１時
間ポストベークした。ストリツピング浴温は75℃
又は95℃であり（指示のとおり）、ストリツピン
グ浴へのウエハー浸漬時間は５分であつた。

【表】実施例13−15は、本発明の改良されたストリツ
ピング用組成物が、150℃、180℃、及び200℃で
ポストベークされた基質からフオトレジストを除
去するが、先行技術の合衆国特許第4395479号の
組成物（対照Ａ）はそうしないことを例証してい
る。更に、多くの場合、本発明の改良されたスト
ツピリング用組成物類は、より低温で基質からフ
オトレジストを除去でき、このため改良されたス
トリツピング効率を可能としている。本発明の改良されたストリツピング用組成物類
で得られるストリツピングの結果は予想外であつ
た。というのは、他の同様な多くのアミン類やア
ミン誘導体類が、合衆国特許第4395479号の対照
Ａ組成物に添加されたとき、このような改良され
たフオトレジスト除去を生じないからである。例
えば、次に挙げるアミン類やアミン誘導体類約３
ないし６重量％を対照Ａに添加し、実施例１−12
に関連して記述されたものと同じ方法で試験した
とき、対照Ａのみに比べて、まつたく改善され
ず、ある場合には、ストリツピング能力が低下し
悪くなつた。４−メチルモルホリン−Ｎ−オキシ
ド、３，４−キシリデン、Ｎ−（３−アミノプロ
ピル）ジエタノールアミン、トリエチレンテトラ
ミン、アミノメチル−３，５，５−トリメチルシ
クロヘキサン、１，８−ジアミノ−ｐ−メンタ
ン、ドデシルアミン、４−ブチルアニリン、４−
アミノフエニルスルホン、ジイソプロパノールア
ミン、２−（第三ブチルアミノ）エタノール、２
−（ジイソプロピルアミノ）エタノール、水酸化
ベンジルトリメチルアンモニウム及びポリエチレ
ンイミン（分子量50000）。種々の手段、例えばストリツピング浴に浸す
か、未露出フオトレジスト表面にストリツピング
用組成物を噴霧するなど、基質上の未露出フオト
レジストをストリツピング用組成物と接触させる
ことにより、本発明のストリツピング用組成物を
ポジ型フオトレジスト用ストリツピング剤として
使用できることが期待される。フオトレジスト材料を基質から除去するための
上の組成物の使用法のみを例示したが、当業者に
明白な他の用途、例えば反応容器や硬化器等から
重合体残留物を除去するため、又は例えばペン
キ、ワニス等の塗料を表面から除去するために
も、本発明のストリツピング用組成物が適してい
ることが期待されている。

Claims

【特許請求の範囲】１式［式中Ｒは水素、１−３個の炭素原子のアルキ
ル、及び１−３個の炭素原子のヒドロキシアルキ
ルからなる群から選ばれる］の２−ピロリジノン
化合物約30ないし約76重量％；式［式中R¹は水素、メチル又はエチルからなる
群から選ばれる］のテトラヒドロチオフエン−
１，１−ジオキシド化合物約10ないし約56重量
％；ポリエチレングリコール約３ないし約20重量
％；式HOCH₂CH₂−Ｏ−CH₂CH₂−Ｏ−R₂［式
中R₂は１−４個の炭素原子のアルキル］のジエ
チレングリコールモノアルキルエーテル約10ない
し約30重量％；及びイミダゾール、３−アミノ−
１−プロパノール、エタノールアミン、２（２−
アミノエチルアミノ）エタノール、２−アミノ−
２−メチル−１−プロパノール、イソプロパノー
ルアミン、２−アミノ−３−ピコリン、２−アミ
ノ−４−ニトロフエノール、２−アミノ−６−ピ
リコン、モルホリン、２−アミノエチルピペラジ
ン及び２−アミノ−４，６−ジメチルピリミジン
からなる群から選ばれるアミン又はアミン誘導体
類約１ないし約15重量％を含有するストリツピン
グ用組成物。２２−ピロリジノン化合物約45ないし約70重量
％、テトラヒドロチオフエン−１，１−ジオキシ
ド化合物約10ないし約40重量％、ポリエチレング
リコール約５ないし約12重量％、ジエチレングリ
コールモノアルキルエーテル化合物約12ないし約
20重量％、及びアミン又はアミン誘導体類約２な
いし約10重量％を含有する特許請求の範囲第１項
の組成物。３２−ピロリジノン化合物約45ないし約60重量
％、テトラヒドロチオフエン−１，１−ジオキシ
ド化合物約15ないし約30重量％、ポリエチレング
リコール約６ないし約12重量％、ジエチレングリ
コールモノアルキルエーテル化合物約15ないし約
20重量％、及びアミン又はアミン誘導体類約３な
いし約10重量％を含有する特許請求の範囲第１項
の組成物。４２−ピロリジノン化合物が１−メチル−２−
ピロリジノンであり、テトラヒドロチオフエン−
１，１−ジオキシド化合物がテトラヒドロチオフ
エン−１，１−ジオキシドであり、ジエチレング
リコールモノアルキルエーテル化合物が２−（２
−エトキシエトキシ）エタノールであり、アミン
又はアミン誘導体類が１−アミノ−２−プロパノ
ール、エタノールアミン及び２−（２−アミノエ
チルアミノ）エタノールからなる群から選ばれ
る、特許請求の範囲第１項の組成物。５２−ピロリジノン化合物が１−メチル−２−
ピロリジノンであり、テトラヒドロチオフエン−
１，１−ジオキシド化合物がテトラヒドロチオフ
エン−１，１−ジオキシドであり、ジエチレング
リコールモノアルキルエーテル化合物が２−（２
−エトキシエトキシ）エタノールであり、アミン
又はアミン誘導体類が１−アミノ−２−プロパノ
ール、エタノールアミン及び２−（２−アミノエ
チルアミノ）エタノールからなる群から選ばれ
る、特許請求の範囲第２項の組成物。６２−ピロリジノン化合物が１−メチル−２ピ
ロリジノンであり、テトラヒドロチオフエン−
１，１−ジオキシド化合物がテトラヒドロチオフ
エン−１，１−ジオキシドであり、ジエチレング
リコールモノアルキルエーテル化合物が２−（２
−エトキシエトキシ）エタノールであり、アミン
又はアミン誘導体類が１−アミノ−２−プロパノ
ール、エタノールアミン及び２−（２−アミノエ
チルアミノ）エタノールからなる群から選ばれ
る、特許請求の範囲第３項の組成物。７ポリエチレングリコールが分子量約200のポ
リエチレングリコールである、特許請求の範囲第
４項の組成物。８ポリエチレングリコールが分子量約200のポ
リエチレングリコールである、特許請求の範囲第
５項の組成物。９ポリエチレングリコールが分子量約200のポ
リエチレングリコールである、特許請求の範囲第
６項の組成物。