JPH0465130A - 半田ボールの搭載方法とその搭載装置 - Google Patents
半田ボールの搭載方法とその搭載装置Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
パッド形成用半田ボールの搭載方法とその搭載装置に関
し、 小型、高密度のパッド間の連通をなくすことを目的とし
、 絶縁基板の表面の半田バンプ形成用パッドにはピンの先
端に被着させた半田フラックスを転写し、マスクの透孔
に嵌合し網板に当接せしめ真空吸着させた半田ボールの
下部が該マスクより突出する半田ボールキャリアを使用
して該半田ボールを該ハツトの半田フラックスに搭載し
、 該半田フラックスの粘着力によって該半田ボールを保持
せしめることを特徴とする半田ボールの搭載方法、 および、半田フラックスに搭載する半田ボールを真空吸
着して搬送する半田ボールキャリアが、該半田ボールの
直径より薄く該半田ボールの嵌合する透孔のあけられた
マスク、該透孔に嵌合し真空吸着した該半田ボールが当
接する網板とを少なくとも具えてなることを特徴とする
、 並びに、前記半田ボールキャリアに真空吸着せしめるた
めに多数の半田ボールを収容する半田ボール容器が、半
田ボール収容室の上面を該半田ボールキャリアのマスク
の透孔と対向かつほぼ同径の貫通孔のあいた蓋板で覆っ
てなることを特徴とし構成する。
し、 小型、高密度のパッド間の連通をなくすことを目的とし
、 絶縁基板の表面の半田バンプ形成用パッドにはピンの先
端に被着させた半田フラックスを転写し、マスクの透孔
に嵌合し網板に当接せしめ真空吸着させた半田ボールの
下部が該マスクより突出する半田ボールキャリアを使用
して該半田ボールを該ハツトの半田フラックスに搭載し
、 該半田フラックスの粘着力によって該半田ボールを保持
せしめることを特徴とする半田ボールの搭載方法、 および、半田フラックスに搭載する半田ボールを真空吸
着して搬送する半田ボールキャリアが、該半田ボールの
直径より薄く該半田ボールの嵌合する透孔のあけられた
マスク、該透孔に嵌合し真空吸着した該半田ボールが当
接する網板とを少なくとも具えてなることを特徴とする
、 並びに、前記半田ボールキャリアに真空吸着せしめるた
めに多数の半田ボールを収容する半田ボール容器が、半
田ボール収容室の上面を該半田ボールキャリアのマスク
の透孔と対向かつほぼ同径の貫通孔のあいた蓋板で覆っ
てなることを特徴とし構成する。
本発明は、絶縁基板に形成された多数の小型。
高密度パッドのそれぞれに、半田フラックスの粘着性を
利用して半田ボールを搭載する方法とその搭載装置に関
する。
利用して半田ボールを搭載する方法とその搭載装置に関
する。
絶縁基板の表面に多数の抵抗素子を形成し、該抵抗素子
の外部接続端子が、絶縁基板のスルーホールを介して絶
縁基板の裏面に形成された終端抵抗装置等において、該
端子の高密度化および生産性向上のため導体リードを利
用した従来方法に替わり、該端子に形成した半田ハンプ
を利用する表面実装形式が検討されるようになった。
の外部接続端子が、絶縁基板のスルーホールを介して絶
縁基板の裏面に形成された終端抵抗装置等において、該
端子の高密度化および生産性向上のため導体リードを利
用した従来方法に替わり、該端子に形成した半田ハンプ
を利用する表面実装形式が検討されるようになった。
そして、終端抵抗装置の如（高密度の外部接続端子には
、直径０．４ｍｎ＋乃至それ以下の小形半田ボールを使
用する必要がある。
、直径０．４ｍｎ＋乃至それ以下の小形半田ボールを使
用する必要がある。
第１２図は終端抵抗装置の平面図（イ）とその側面図（
υ）とその下面図（ハ）である。
υ）とその下面図（ハ）である。
第１２図において、終端抵抗装置１は絶縁基板２の表面
に多数の膜抵抗素子３を形成し、抵抗素子３は絶縁基板
２の表面に形成した半田バンプ４゜絶縁基板２に形成し
たスルーホール（図示せず）を介して絶縁基板２の裏面
の半田バンプ５に接続する。
に多数の膜抵抗素子３を形成し、抵抗素子３は絶縁基板
２の表面に形成した半田バンプ４゜絶縁基板２に形成し
たスルーホール（図示せず）を介して絶縁基板２の裏面
の半田バンプ５に接続する。
抵抗素子３が高密化した終端抵抗装置１において、半田
バンプ４の形成には直径０．３１１ｍ以下の半田ボール
が、半田バンプ５の形成には直径０．４ｍｍ程度の半田
ボールが使用される。
バンプ４の形成には直径０．３１１ｍ以下の半田ボール
が、半田バンプ５の形成には直径０．４ｍｍ程度の半田
ボールが使用される。
第１３図は従来の半田バンプ形成方法の説明図、第１４
図は従来の他の半田バンプ形成方法の説明図である。
図は従来の他の半田バンプ形成方法の説明図である。
第１２図に示す半田バンプ５は、第１３図（イ）におい
て絶縁基板２の上面に多数のパッド６を形成したのち、
第１３図（ロ）に示す如く絶縁基板２の全上面に半田フ
ラックス７を被着する。次いで、第１３図（八）に示す
如く、半田フラックス７の上に多数の透孔１９があいた
マスク１８を重ね、パッド６と対向する透孔１９に半田
ボール８を挿入したのち、例えばペーパーフェイス炉を
利用して半田ボール８を溶かしマスク１８を取り除くと
、第１３図（ニ）に示す如く各バッド６の上に半田バン
プ９が形成される。
て絶縁基板２の上面に多数のパッド６を形成したのち、
第１３図（ロ）に示す如く絶縁基板２の全上面に半田フ
ラックス７を被着する。次いで、第１３図（八）に示す
如く、半田フラックス７の上に多数の透孔１９があいた
マスク１８を重ね、パッド６と対向する透孔１９に半田
ボール８を挿入したのち、例えばペーパーフェイス炉を
利用して半田ボール８を溶かしマスク１８を取り除くと
、第１３図（ニ）に示す如く各バッド６の上に半田バン
プ９が形成される。
第１４図（イ）において、絶縁基板２の上面に多数のバ
ッド６を形成する。
ッド６を形成する。
バッド６の上には第１４図（ハ）に示す如き半田フラッ
クス１０を形成することになるが、その方法は第１４図
（Ｉｌ＋）に示す如く、底板に多数の透孔１２があけら
れた容器１３に半田フラックス１１を入れ、適当なガス
圧（空気圧）によって透孔１２より半田フラックス１１
の一部を滴下せしめる。
クス１０を形成することになるが、その方法は第１４図
（Ｉｌ＋）に示す如く、底板に多数の透孔１２があけら
れた容器１３に半田フラックス１１を入れ、適当なガス
圧（空気圧）によって透孔１２より半田フラックス１１
の一部を滴下せしめる。
次いで、第１４図（ニ）に示す如く半田フラックス１０
の上に半田ボール８を搭載し、ペーパーフェイス炉の利
用等によって半田ボール８を溶かすと、第１４図（ネ）
に示す如く各バッド６の上に半田ハンプ９が形成される
。
の上に半田ボール８を搭載し、ペーパーフェイス炉の利
用等によって半田ボール８を溶かすと、第１４図（ネ）
に示す如く各バッド６の上に半田ハンプ９が形成される
。
第１５図は従来技術における半田ボール搭載方法の説明
図であり、半田フランクスフに搭載する半田ボール８は
半田ボールキャリア１３に真空吸着し搬送する。キャリ
ア１３は真空室（減圧室）１４の底板（マスク）１５に
、半田ボール８が嵌合する多数の凹所１６を具え、凹所
１６は吸気孔１７により真空室１４に連通ずる。
図であり、半田フランクスフに搭載する半田ボール８は
半田ボールキャリア１３に真空吸着し搬送する。キャリ
ア１３は真空室（減圧室）１４の底板（マスク）１５に
、半田ボール８が嵌合する多数の凹所１６を具え、凹所
１６は吸気孔１７により真空室１４に連通ずる。
前記従来方法において、絶縁基板２の全上面に半田フラ
ックス層７を被着する方法は、マスクを重ねた状態でバ
ンプ９を形成するため、基板２からマスクを外すのに洗
浄が必要となり厄介であり、特にバンプ９が高密度にな
ると隣接するバンプ９が連通ずる恐れがあった。
ックス層７を被着する方法は、マスクを重ねた状態でバ
ンプ９を形成するため、基板２からマスクを外すのに洗
浄が必要となり厄介であり、特にバンプ９が高密度にな
ると隣接するバンプ９が連通ずる恐れがあった。
他方、第１４図のようにバッド６の上のみに半田フラッ
クス１０を滴下する方法は、バンプ９の形成後における
洗浄が容易になるが、直径０．４ｎ＋＋＋程度の小型半
田ボールを使用し、バンプ間隔を０．６４＋ｎｍ程度の
高密度にしようとすると、半田フラックス１０の滴下量
を直径０．４＋ｎｍ程度の小型半田ボールの必要最小限
に近く、かつ、ばらつきを少なく制御することが困難で
あり、例えば隣接するバッド間でその上に形成した半田
フラックス１０が運ながり易く、そのことによって半田
バンプ９が連通ずるという問題点があり、従来方法およ
び装置では、バンプ間隔が０．６４ｍｍ程度の高密度に
なると自動化できなかった。
クス１０を滴下する方法は、バンプ９の形成後における
洗浄が容易になるが、直径０．４ｎ＋＋＋程度の小型半
田ボールを使用し、バンプ間隔を０．６４＋ｎｍ程度の
高密度にしようとすると、半田フラックス１０の滴下量
を直径０．４＋ｎｍ程度の小型半田ボールの必要最小限
に近く、かつ、ばらつきを少なく制御することが困難で
あり、例えば隣接するバッド間でその上に形成した半田
フラックス１０が運ながり易く、そのことによって半田
バンプ９が連通ずるという問題点があり、従来方法およ
び装置では、バンプ間隔が０．６４ｍｍ程度の高密度に
なると自動化できなかった。
本発明の目的は、特に直径０．４ｍｍ乃至それ以下の半
田ボールを使用し、高密度の半田バンプが隣接間で連通
ずることなく確実に自動化し形成せしめることである。
田ボールを使用し、高密度の半田バンプが隣接間で連通
ずることなく確実に自動化し形成せしめることである。
上記目的は本発明に係わる第１図と第３図によれば、絶
縁基板２の表面の半田バンプ形成用バッド６にはビン２
２の先端に被着させた半田フラックス２３を転写し、 マスク２８の透孔３１に嵌合し網板２９に当接せしめ真
空吸着させた半田ボール８の下部がマスク２８より突出
する半田ボールキャリア２６を使用して半田ボール８を
バッド６の半田フラックス２３に搭載し、半田フラック
ス２３の粘着力によって半田ボール８を保持せしめるこ
とを特徴とする半田ボールの搭載方法、 本発明に係わる第３図によれば、半田フラックスに搭載
する半田ボール８を真空吸着して搬送する半田ボールキ
ャリア２６が、半田ボール８の直径より薄く半田ボール
８の嵌合する透孔３１のあけられたマスク２８、透孔３
１に嵌合し真空吸着した半田ボール８が当接する網板２
９とを少なくとも具えてなることを特徴とする半田ボー
ル搭載装置、並びに、本発明に係わる第６図によれば、
半田ボールキャリア２６に真空吸着せしるために多数の
半田ボール８を収容する半田ボール容器４５が、半田ボ
ール収容室４６の上面を該半田ボールキャリア２６のマ
スク２８の半田ボール吸着用透孔と対向かつほぼ同径の
貫通孔５５のあいた上蓋４８で覆ってなることを特徴と
する半田ボール搭載装置によって達成される。
縁基板２の表面の半田バンプ形成用バッド６にはビン２
２の先端に被着させた半田フラックス２３を転写し、 マスク２８の透孔３１に嵌合し網板２９に当接せしめ真
空吸着させた半田ボール８の下部がマスク２８より突出
する半田ボールキャリア２６を使用して半田ボール８を
バッド６の半田フラックス２３に搭載し、半田フラック
ス２３の粘着力によって半田ボール８を保持せしめるこ
とを特徴とする半田ボールの搭載方法、 本発明に係わる第３図によれば、半田フラックスに搭載
する半田ボール８を真空吸着して搬送する半田ボールキ
ャリア２６が、半田ボール８の直径より薄く半田ボール
８の嵌合する透孔３１のあけられたマスク２８、透孔３
１に嵌合し真空吸着した半田ボール８が当接する網板２
９とを少なくとも具えてなることを特徴とする半田ボー
ル搭載装置、並びに、本発明に係わる第６図によれば、
半田ボールキャリア２６に真空吸着せしるために多数の
半田ボール８を収容する半田ボール容器４５が、半田ボ
ール収容室４６の上面を該半田ボールキャリア２６のマ
スク２８の半田ボール吸着用透孔と対向かつほぼ同径の
貫通孔５５のあいた上蓋４８で覆ってなることを特徴と
する半田ボール搭載装置によって達成される。
上記手段によれば、ピンを利用した転写法によって半田
フラックスをバッドに被着させることにより、半田フラ
ックスは従来より少量かつ高密度の所要部に適量（従来
方法より少量）だけ被着可能であり、その半田フラック
スに搭載するための半田ボールキャリアを、半田ボール
が網板に当接する構成としたため、半田ボールの脱落が
容易かつ確実になる。その結果、従来よりも小さい半田
ボールを利用し高密度の半田バンブの形成が、バンブ間
の連通なしに自動化可能になる。
フラックスをバッドに被着させることにより、半田フラ
ックスは従来より少量かつ高密度の所要部に適量（従来
方法より少量）だけ被着可能であり、その半田フラック
スに搭載するための半田ボールキャリアを、半田ボール
が網板に当接する構成としたため、半田ボールの脱落が
容易かつ確実になる。その結果、従来よりも小さい半田
ボールを利用し高密度の半田バンブの形成が、バンブ間
の連通なしに自動化可能になる。
以下に、図面を用いて本発明による半田ボールの搭載方
法とその搭載装置について説明する。
法とその搭載装置について説明する。
第１図は本発明による半田ボール搭載方法の概略工程説
明図、第２図は第１図に示す半田フラックス転写方法の
説明図、第３図は本発明による半田ボールキャリアの基
本構成の断面図である。
明図、第２図は第１図に示す半田フラックス転写方法の
説明図、第３図は本発明による半田ボールキャリアの基
本構成の断面図である。
第１図（イ）において、絶縁基板２の表面に多数の半田
バンブ形成用のバンド６を形成する。
バンブ形成用のバンド６を形成する。
第１図（＋１）において、半田フラックス転写工具２１
は垂下するビン２２の先端面に半田フラックス２３を被
着させる。半田フラックス２３の被着方法は、例えば第
２図（イ）〜（ハ）に示す如く、シルクスクリーンを使
用する等によって平板２４に半田フラックス２５を均一
厚さに被着し、半田フラックス２５に転写工具２１のビ
ン２２の先端面を接触したのち、転写工具２１を持ち上
げるとビン２２の先端面には半田フラックス２３（半田
フラックス２５の一部）が被着する。
は垂下するビン２２の先端面に半田フラックス２３を被
着させる。半田フラックス２３の被着方法は、例えば第
２図（イ）〜（ハ）に示す如く、シルクスクリーンを使
用する等によって平板２４に半田フラックス２５を均一
厚さに被着し、半田フラックス２５に転写工具２１のビ
ン２２の先端面を接触したのち、転写工具２１を持ち上
げるとビン２２の先端面には半田フラックス２３（半田
フラックス２５の一部）が被着する。
第１図（八）において、半田フラックス２３をパッド６
に押し付けたのち、転写工具２１を取り除くと第１図（
ニ）に示す如く、半田フラックス２３がパッド６に転写
される。
に押し付けたのち、転写工具２１を取り除くと第１図（
ニ）に示す如く、半田フラックス２３がパッド６に転写
される。
そこで、第１図（ネ）に示す如く半田フラックス２３に
半田ボール８を搭載すると、半田ボール８は半田フラッ
クス２３の粘着力によって保持されるようになる。
半田ボール８を搭載すると、半田ボール８は半田フラッ
クス２３の粘着力によって保持されるようになる。
半田ボール８の搭載に使用する半田ボールキャリア２６
は、例えば第３図に示す如（、真空室（減圧室）２７の
下部開口面を半田ボールマスク２８． Ｗ４板２９．吸
気板３０にて覆った構成である。
は、例えば第３図に示す如（、真空室（減圧室）２７の
下部開口面を半田ボールマスク２８． Ｗ４板２９．吸
気板３０にて覆った構成である。
半田ボール８の直径より薄いステンレス等の金属板より
なるマスク２８には、半田ボール８が嵌合する透孔３１
を設ける。
なるマスク２８には、半田ボール８が嵌合する透孔３１
を設ける。
ステンレスワイヤ等にてなる網板２９は、透孔３１内に
複数の網目が露呈するメツシュ（例えば２５０メツシユ
）とし、周囲に目潰し用コーディング材（例えばエマル
ジョン）３４を被着する。
複数の網目が露呈するメツシュ（例えば２５０メツシユ
）とし、周囲に目潰し用コーディング材（例えばエマル
ジョン）３４を被着する。
ステンレス等の金属板よりなる吸気板３０には、網板２
９を挟んで透孔３１に対向する吸気孔３２を設ける。
９を挟んで透孔３１に対向する吸気孔３２を設ける。
従って、吸気用口金３３に接続した真空装置を駆動し真
空室２７を減圧すると、透孔３１に嵌合した半田ボール
８は、網板２９．吸気孔３２を通る吸気力によって透孔
３１内に保持され、真空装置を停止し加振することによ
って透孔３１より脱落する。
空室２７を減圧すると、透孔３１に嵌合した半田ボール
８は、網板２９．吸気孔３２を通る吸気力によって透孔
３１内に保持され、真空装置を停止し加振することによ
って透孔３１より脱落する。
第４図は本発明の実施例に係わる半田ボールキャリアの
斜視図（イ）とその断面図（ロ）、第５図は第４図に示
す半田ボールキャリアの要部の分解斜視図、第６図は本
発明の実施例に係わる半田ボール容器の断面図、第７図
は第６図に示す上蓋の斜視図、第８図は第６図に示す半
田ボール容器の要部の分解斜視図、第９図と第１０図は
第４図に示す半田ボールキャリアに半田ボールを吸着せ
しめる方法の説明図、第１１図は半田ボールキャリアの
半田ボールをパッドに搭載せしめる方法の説明図である
。
斜視図（イ）とその断面図（ロ）、第５図は第４図に示
す半田ボールキャリアの要部の分解斜視図、第６図は本
発明の実施例に係わる半田ボール容器の断面図、第７図
は第６図に示す上蓋の斜視図、第８図は第６図に示す半
田ボール容器の要部の分解斜視図、第９図と第１０図は
第４図に示す半田ボールキャリアに半田ボールを吸着せ
しめる方法の説明図、第１１図は半田ボールキャリアの
半田ボールをパッドに搭載せしめる方法の説明図である
。
第４図において、半田ボールキャリア２６は真空室２７
の主構成部材である本体４１．本体４１の下部開口縁に
固着する枠４２．枠４２の下面に固着する吸気板３０．
吸気板３０の下面に固着する網板２９．網板２９の下面
に固着するマスク２８１本体４１の一側に固着した口金
３３を具えてなる。
の主構成部材である本体４１．本体４１の下部開口縁に
固着する枠４２．枠４２の下面に固着する吸気板３０．
吸気板３０の下面に固着する網板２９．網板２９の下面
に固着するマスク２８１本体４１の一側に固着した口金
３３を具えてなる。
第５図において、枠４２．吸気板３０． ｗ４板２９．
マスク２８には、それらを本体４１に固着するねじの貫
通孔４３−＋、 ４３−ｔ、 ４３−＋、 ４３−４が
、それぞれのコーナ部に有する。
マスク２８には、それらを本体４１に固着するねじの貫
通孔４３−＋、 ４３−ｔ、 ４３−＋、 ４３−４が
、それぞれのコーナ部に有する。
半田ボール８の直径（例えば０．４ｍｍ）のほぼ１／２
の厚さ （約０．２＋＋ｕｎ）のマスク２８には、パッ
ド６に対向し半田ボール８が嵌合する径（例えば０．５
ｎ＋＋ｎ）の透孔３１を有する。
の厚さ （約０．２＋＋ｕｎ）のマスク２８には、パッ
ド６に対向し半田ボール８が嵌合する径（例えば０．５
ｎ＋＋ｎ）の透孔３１を有する。
網板２９には、少なくとも透孔３１が対向しない領域、
例えば図中の一点鎖線より外側領域にコーテイング材３
４を被着し、コーテイング材３４は真空室２７の減圧に
際し網板２９の側方から外気を吸引しないようにする。
例えば図中の一点鎖線より外側領域にコーテイング材３
４を被着し、コーテイング材３４は真空室２７の減圧に
際し網板２９の側方から外気を吸引しないようにする。
吸気板３０には、透孔３１に対向する吸気孔３２を有す
る。
る。
かかるマスク２８．網板２９．吸気板３０を具えたキャ
リア２６に吸着させた半田ボール８は、第４図（ｒｌ）
に例示する如く網板２９に当接し、下部がマスク２８よ
り半ば突出する状態であり、吸着を解除し軽く加振する
ことによって、網板２９に食い付くことなく確実に落下
するようになる。
リア２６に吸着させた半田ボール８は、第４図（ｒｌ）
に例示する如く網板２９に当接し、下部がマスク２８よ
り半ば突出する状態であり、吸着を解除し軽く加振する
ことによって、網板２９に食い付くことなく確実に落下
するようになる。
第６図において、半田ボールキャリア２６が嵌合する半
田ボール容器４５は、半田ボール収容室４６の主構成部
材となる本体４７９本体４７の上面の上蓋４８゜本体４
７の上面に固着し上蓋４８を固定する枠状金具４９、金
具４９の上面に固着し半田ボールキャリア２６の嵌合に
際してガイドとなる枠状金具５０．半田ボール収容室４
６の下面を覆う第１のマスク５１．マスク５２の下面に
固着する網板５２．網板５２の下面に固着する第２のマ
スク５３．マスク５３の下面に固着する枠５４を具えて
なる。
田ボール容器４５は、半田ボール収容室４６の主構成部
材となる本体４７９本体４７の上面の上蓋４８゜本体４
７の上面に固着し上蓋４８を固定する枠状金具４９、金
具４９の上面に固着し半田ボールキャリア２６の嵌合に
際してガイドとなる枠状金具５０．半田ボール収容室４
６の下面を覆う第１のマスク５１．マスク５２の下面に
固着する網板５２．網板５２の下面に固着する第２のマ
スク５３．マスク５３の下面に固着する枠５４を具えて
なる。
第６図および第７図において、ステンレス等の金属にて
なり厚さが半田ボール８の直径のほぼ２である上蓋４８
には、マスク２８の透孔３１に連通しかつ透孔３１と同
一径の貫通孔５５を有する。
なり厚さが半田ボール８の直径のほぼ２である上蓋４８
には、マスク２８の透孔３１に連通しかつ透孔３１と同
一径の貫通孔５５を有する。
第８図において、マスク５１． ｗ４板５２．マスク５
３゜枠５４には、それらを本体４７に固着するねじの貫
通孔５６．−、、５６−２．５６−、、５６−、を、そ
れぞれのコーナ部に有する。
３゜枠５４には、それらを本体４７に固着するねじの貫
通孔５６．−、、５６−２．５６−、、５６−、を、そ
れぞれのコーナ部に有する。
マスク５１には、半田ボール８の直径より小さい径（例
えば０．２＋ａｍ）の多数の透孔５７を有する。
えば０．２＋ａｍ）の多数の透孔５７を有する。
網板５２は網板２９と同じものを使用してもよいが、網
板２９におけるコーテイング材３４は特に必要としない
。
板２９におけるコーテイング材３４は特に必要としない
。
マスク５１との間に網板５２を挟むマスク５３には、透
孔５７に対向せしめ多数の透孔５８を有する。かかる透
孔６８の直径および配置は、特にこだわる必要がない。
孔５７に対向せしめ多数の透孔５８を有する。かかる透
孔６８の直径および配置は、特にこだわる必要がない。
かかる上蓋４８．マスク５１．網板５２．マスク５３を
具えた半田ポール容器４５において、収容室４６に収容
した多数の半田ボール８は、上蓋４８の透孔５５より取
り出し可能であり、必要数の半田ボール８をキャリア２
６に移すには、先ず第６図に示す如く半田ポール容器４
５にキャリア２６を嵌合させる。すると、キャリア２６
のマスク２８は上蓋４８に接触し、マスク２８の透孔３
１と上蓋４８の透孔５５が一致する。
具えた半田ポール容器４５において、収容室４６に収容
した多数の半田ボール８は、上蓋４８の透孔５５より取
り出し可能であり、必要数の半田ボール８をキャリア２
６に移すには、先ず第６図に示す如く半田ポール容器４
５にキャリア２６を嵌合させる。すると、キャリア２６
のマスク２８は上蓋４８に接触し、マスク２８の透孔３
１と上蓋４８の透孔５５が一致する。
次いで第９図に示す如く、キャリア２６と半田ポール容
器４５とを嵌合させた状態で上下を引っ繰り返すと、上
蓋４８の透孔５５に嵌合した半田ボール８はマスク２８
の透孔３１に嵌合する。その際、透孔５５に半田ボール
８が嵌合し易くするため、キャリア２６と半田ポール容
器４５とに振動または衝撃を与えるとよい。
器４５とを嵌合させた状態で上下を引っ繰り返すと、上
蓋４８の透孔５５に嵌合した半田ボール８はマスク２８
の透孔３１に嵌合する。その際、透孔５５に半田ボール
８が嵌合し易くするため、キャリア２６と半田ポール容
器４５とに振動または衝撃を与えるとよい。
そこで、図示しない真空装置を駆動せしめ真空室２７内
の大気を口金３３より吸引すると、透孔３１内に半田ボ
ール８が保持されるようになる。
の大気を口金３３より吸引すると、透孔３１内に半田ボ
ール８が保持されるようになる。
次いで、真空室２７内大気の吸引を続けながら、第１０
図に示す如く嵌合するキャリア２６と半田ポール容器４
６との上下も元の状態に戻すと、透孔３１内に吸着され
た半田ボール８を残して余分の半田ボール８はマスク５
１の上に落下する。
図に示す如く嵌合するキャリア２６と半田ポール容器４
６との上下も元の状態に戻すと、透孔３１内に吸着され
た半田ボール８を残して余分の半田ボール８はマスク５
１の上に落下する。
そこで、第１１図に示す如く半田ポール容器４６より離
したキャリア２６を移動し、キャリア２６の半田ボール
８を半田フラックス２３に搭載すると、その半田ボール
８は半田フラックス２３の粘着力によって保持されるよ
うになる。
したキャリア２６を移動し、キャリア２６の半田ボール
８を半田フラックス２３に搭載すると、その半田ボール
８は半田フラックス２３の粘着力によって保持されるよ
うになる。
（発明の効果〕
以上説明したように本発明によれば、０．４ｗ＋ｗ乃至
それ以下の小型半田ボールを利用する半田バンプの高密
度形成が、パン１間の連通なしに自動化可能となり、終
端抵抗装置等の生産性を向上せしめた効果が顕著である
。
それ以下の小型半田ボールを利用する半田バンプの高密
度形成が、パン１間の連通なしに自動化可能となり、終
端抵抗装置等の生産性を向上せしめた効果が顕著である
。
第１図は本発明による半田ボール搭載方法の概略図、
第２図は第１図に示す半田フラックス転写方法の説明図
、 第３図は本発明による半田ボールキャリアの基本構成図
、 第４図は本発明の実施例に係わる半田ボールキャリア、 第５図は第４図に示す半田ボールキャリアの要部、 第６図は本発明の実施例に係わる半田ボール容器、 第７図は第６図に示す上蓋、 第８図は第６図に示す半田ボール容器の要部、第９図と
第１０図は半田ボールキャリアの半田ボール吸着方法の
説明図、 第１１図は半田ボールキャリアの半田ボールをパッドに
搭載せしめる方法の説明図、 第１２図は終端抵抗装置、 第１３図は従来の半田ハンプ形成方法、第１４図は従来
の他の半田バンプ形成方法、第１５図は従来の半田ボー
ル搭載方法、を示す。 図中において、 ２は絶縁基板、 ６は半田バンプ形成用パッド、 ２２は半田フラックス転写ピン、 ２３は半田フラツクス、 ２６は半田ボールキャリア、 ２７は半田ボールキャリアの真空室、 ２８は半田ボール吸着用マスク、 ２９は綱板、 ３１はマスクの透孔、 ４５は半田ボール容器、 ４６は半田ボール収容室、 ４８は半田ボール収容室の上蓋、 ５５は上蓋の貫通孔、 を示す。 ２５ 平田７う１．フス 〆 第１図１：示Ｔ：＋田フラ・、７２ス転写乃法の説明図
箭 ２ 図 本ｆｆＢ用二よ５＋田ホールを杏龜ｄ次の橿時図箪 １
図 本定明ＩＩ６半田ボール＋Ｖり了の基本構成図第３図 δ 木免明の失殊例１：１千市６十田ホ 第４図 ルキャリア ２本、年明の実走１１ｊ・ｌｌ二ｉホめ６半田ボ一ル割
谷第６図 射６図（二示オ上ｌ 第７図 第４図に示、Ｔ＋旧ホールｈり了の突台１第５図 第６図に木１牛出ホール往器のや音丁 第δ図 半田ボ゛ ル＋Ｙリアの＋ｍボ゛−ル吸肴η汰の説明図第９図 牛田ポール土Ｙり了の牛田ホ ル吸も７７汰の説ＢＩｌ１図 １督追祇杭校！ 第１２圀 第１１図 従来の半田床゛−ル持載右法 ￥１５１に 従来の千円ハじアルへ７５法 第１３図
、 第３図は本発明による半田ボールキャリアの基本構成図
、 第４図は本発明の実施例に係わる半田ボールキャリア、 第５図は第４図に示す半田ボールキャリアの要部、 第６図は本発明の実施例に係わる半田ボール容器、 第７図は第６図に示す上蓋、 第８図は第６図に示す半田ボール容器の要部、第９図と
第１０図は半田ボールキャリアの半田ボール吸着方法の
説明図、 第１１図は半田ボールキャリアの半田ボールをパッドに
搭載せしめる方法の説明図、 第１２図は終端抵抗装置、 第１３図は従来の半田ハンプ形成方法、第１４図は従来
の他の半田バンプ形成方法、第１５図は従来の半田ボー
ル搭載方法、を示す。 図中において、 ２は絶縁基板、 ６は半田バンプ形成用パッド、 ２２は半田フラックス転写ピン、 ２３は半田フラツクス、 ２６は半田ボールキャリア、 ２７は半田ボールキャリアの真空室、 ２８は半田ボール吸着用マスク、 ２９は綱板、 ３１はマスクの透孔、 ４５は半田ボール容器、 ４６は半田ボール収容室、 ４８は半田ボール収容室の上蓋、 ５５は上蓋の貫通孔、 を示す。 ２５ 平田７う１．フス 〆 第１図１：示Ｔ：＋田フラ・、７２ス転写乃法の説明図
箭 ２ 図 本ｆｆＢ用二よ５＋田ホールを杏龜ｄ次の橿時図箪 １
図 本定明ＩＩ６半田ボール＋Ｖり了の基本構成図第３図 δ 木免明の失殊例１：１千市６十田ホ 第４図 ルキャリア ２本、年明の実走１１ｊ・ｌｌ二ｉホめ６半田ボ一ル割
谷第６図 射６図（二示オ上ｌ 第７図 第４図に示、Ｔ＋旧ホールｈり了の突台１第５図 第６図に木１牛出ホール往器のや音丁 第δ図 半田ボ゛ ル＋Ｙリアの＋ｍボ゛−ル吸肴η汰の説明図第９図 牛田ポール土Ｙり了の牛田ホ ル吸も７７汰の説ＢＩｌ１図 １督追祇杭校！ 第１２圀 第１１図 従来の半田床゛−ル持載右法 ￥１５１に 従来の千円ハじアルへ７５法 第１３図
Claims (4)
- （１）絶縁基板（２）の表面の半田バンプ形成用パッド
（６）にはピン（２２）の先端に被着させた半田フラッ
クス（２３）を転写し、 マスク（２８）の透孔（３１）に嵌合し網板（２９）に
当接せしめ真空吸着させた半田ボール（８）の下部が該
マスク（２８）より突出する半田ボールキャリア（２６
）を使用して該半田ボール（８）を該パッド（６）の半
田フラックス（２３）に搭載し、 該半田フラックス（２３）の粘着力によって該半田ボー
ル（８）を保持せしめることを特徴とする半田ボールの
搭載方法。 - （２）前記半田ボールキャリア（２６）、多数の半田ボ
ール（８）を収容する半田ボール収容室（４６）の上面
を前記透孔（３１）と対向かつ同径の貫通孔（５５）の
あいた上蓋（４８）にて覆った半田ボール容器（４５）
を準備し、 該上蓋（４８）に前記マスク（２８）が接する如く該半
田ボール容器（４５）に該半田ボールキャリア（２６）
を重ね、 重ねた該半田ボール容器（４５）と該半田ボールキャリ
ア（２６）とを上下方向に引っ繰り返して該透孔（３１
）に該半田ボール（８）を嵌合し、 該半田ボールキャリア（２６）の真空室（２７）を減圧
して該透孔（３１）内の半田ボール（８）を該半田ボー
ルキャリア（２６）に真空吸着し、 重ねた該半田ボール容器（４５）と該半田ボールキャリ
ア（２６）との上下方向を戻し、 しかるのち該半田ボールキャリア（２６）を該半田ボー
ル容器（４５）から分離して該半田ボールキャリア（２
６）の半田ボール（８）を前記パッド（６）の半田フラ
ックス（２３）に搭載することを特徴とする前記請求項
１記載の半田ボールの搭載方法。 - （３）半田フラックス（２３）に搭載する半田ボール（
８）を真空吸着して搬送する半田ボールキャリア（２６
）が、該半田ボール（８）の直径より薄く該半田ボール
（８）の嵌合する透孔（３１）のあけられたマスク（２
８）、該透孔（３１）に嵌合し真空吸着した該半田ボー
ル（８）が当接する網板（２９）とを少なくとも具えて
なることを特徴とする半田ボールの搭載装置。 - （４）請求項３記載の半田ボールキャリア（２６）に真
空吸着せしるために多数の半田ボール（８）を収容する
半田ボール容器（４５）が、半田ボール収容室（４６）
の上面を該半田ボールキャリア（２６）のマスク（２８
）の透孔（３１）と対向かつほぼ同径の貫通孔（５５）
のあいた上蓋（４８）で覆ってなることを特徴とする半
田ボールの搭載装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2178302A JP2897356B2 (ja) | 1990-07-05 | 1990-07-05 | 半田ボールの搭載方法とその搭載装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2178302A JP2897356B2 (ja) | 1990-07-05 | 1990-07-05 | 半田ボールの搭載方法とその搭載装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0465130A true JPH0465130A (ja) | 1992-03-02 |
| JP2897356B2 JP2897356B2 (ja) | 1999-05-31 |
Family
ID=16046100
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2178302A Expired - Fee Related JP2897356B2 (ja) | 1990-07-05 | 1990-07-05 | 半田ボールの搭載方法とその搭載装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2897356B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998009332A1 (en) * | 1996-08-27 | 1998-03-05 | Nippon Steel Corporation | Semiconductor device provided with low melting point metal bumps and process for producing same |
| US6107181A (en) * | 1997-09-08 | 2000-08-22 | Fujitsu Limited | Method of forming bumps and template used for forming bumps |
| US6320158B1 (en) | 1998-01-29 | 2001-11-20 | Fujitsu Limited | Method and apparatus of fabricating perforated plate |
| US6884708B2 (en) * | 1996-08-27 | 2005-04-26 | Nippon Steel Corporation | Method of partially plating substrate for electronic devices |
| US11488928B2 (en) * | 2020-02-07 | 2022-11-01 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Ball disposition system, method of disposing a ball on a substrate and method of manufacturing semiconductor device |
-
1990
- 1990-07-05 JP JP2178302A patent/JP2897356B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998009332A1 (en) * | 1996-08-27 | 1998-03-05 | Nippon Steel Corporation | Semiconductor device provided with low melting point metal bumps and process for producing same |
| US6884708B2 (en) * | 1996-08-27 | 2005-04-26 | Nippon Steel Corporation | Method of partially plating substrate for electronic devices |
| US7045389B1 (en) | 1996-08-27 | 2006-05-16 | Nippon Steel Corporation | Method for fabricating a semiconductor devices provided with low melting point metal bumps |
| US7045388B2 (en) | 1996-08-27 | 2006-05-16 | Nippon Steel Corporation | Semiconductor device provided with low melting point metal bumps |
| EP1918991A2 (en) * | 1996-08-27 | 2008-05-07 | Nippon Steel Corporation | Semiconductor device provided with low melting point metal bumps and process for producing same |
| EP1918991A3 (en) * | 1996-08-27 | 2011-02-16 | Nippon Steel Corporation | Semiconductor device provided with low melting point metal bumps and process for producing same |
| US6107181A (en) * | 1997-09-08 | 2000-08-22 | Fujitsu Limited | Method of forming bumps and template used for forming bumps |
| US6320158B1 (en) | 1998-01-29 | 2001-11-20 | Fujitsu Limited | Method and apparatus of fabricating perforated plate |
| US11488928B2 (en) * | 2020-02-07 | 2022-11-01 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Ball disposition system, method of disposing a ball on a substrate and method of manufacturing semiconductor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2897356B2 (ja) | 1999-05-31 |
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