JPH0463230A - ｛１１０｝〈００１〉方位集積度が高く鉄損の低い極薄電磁鋼帯の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、圧延方法に磁化容易軸＜００１＞方位を有し
、圧延面に（１１０）面が現れている（ミラー指数で（
１１０）　＜００１＞と表示される）極薄電磁鋼帯の製
造方法に関するものである。

本発明によって得られる極薄電磁鋼帯は、薄い材料であ
るにも拘わらず磁束密度が高（かつ鉄損が低いという特
徴をもち、中、高周波電源用変圧器或は制御素子に用い
られる。

（従来の技術） 方向性型Ｍ！Ｌｍ板の基本的な磁気的概念は、１９２６
年に鉄の単結晶の磁気異方性が発見された（Ｋ。

Ｈｏｎｄａ　　ａｎｄ　　Ｓ、Ｋａｙａ　　Ｓｃｉ、　
　Ｒｅｐｓ、　　Ｔｏｈｏｋｕ　　Ｉｍｐ、　　Ｕｎｉ
ｖ。

１５、　（１９２６）　、　ｐ７２１）ことにその端緒
がある。その後、Ｎ、Ｐ、Ｇｏｓｓ　（米国特許第１，
９６５，５５９号明細書）によって、（１１０）　＜０
０１＞方位集合組織を有する材料の製造方法が発明され
て以来、方向性電磁鋼板の磁気特性は大きく改善されて
きた。

電磁鋼板における、この（１１０｝＜００１＞方位への
集積化は、二次再結晶と呼ばれるカタストロフィツタな
粒成長現象を利用することによって達成される。二次再
結晶を制御するためには、二次再結晶前の一次再結晶組
織の調整と、インヒビターと呼ばれる微細析出物若しく
は粒界偏折型の元素の調整が必須である。このインヒビ
ターは、−成典結晶組織の中で（１１０）＜００１＞方
位以外の粒の成長を抑制し、（１１０）＜ＯＯｔ＞方位
粒のみを選択的に成長させる機能をもつ。

現在、工業生産されている代表的な一方向性電磁鋼板の
製造技術には、３つの種類の技術がある。

第一の技術は、Ｍ、Ｆ、Ｌｉｔｔｍａｎｎによって特公
昭３０３６５１号公報に開示された、ＭｎＳをインヒビ
ターとして機能させる、２回冷延工程による製造技術で
ある。

第二の技術は、日日、坂倉によって特公昭４０１５６４
４号公報に開示された、ＡＺＮ＋ＭｎＳをインヒビター
として機能させ、最終冷延における圧延率を８０％を超
える強圧下とする工程を採る製造技術である。

第三の技術は、今中等によって特公昭５１−１３４６９
号公報に開示された、Ｍｎ５（またはＭｎＳｅ　）＋Ｓ
ｂをインヒビターとして機能させる、２回冷延工程によ
る製造技術である。

これらの技術によって、現在、磁束密度（Ｂ、値）が１
．９２Ｔｅｓ　ｌ　ａ前後である、極めて（１１０）　
＜００１＞方位集積度の高い方向性！磁鋼板が製造され
、市販されている。しかしながら、インヒビターを利用
するこれらの製造技術においては、材料の板厚が薄くな
ると、界面を通してのインヒビターの変化挙動が著しく
なるため、板厚の薄いものを工業的に生産することは困
難であり、現在、板厚０．２０閣以上のものが主として
生産されている。

ところで、高周波数域での方向性電磁鋼板の鉄損は、た
とえばＲ，Ｈ，Ｐｒｙ、Ｃ，Ｐ、Ｂｅａｎ　（Ｊ、Ａｐ
ｐｌ、Ｐｈｙｓ。

２９（１９５８）、ρ、　５３２）の報告にあるように
、板厚の二乗に比例して大きくなるから、鉄損の低い電
磁鋼板を得るためには、板厚を薄くすることが必須とな
る。

１９４９年に、Ｍ、Ｆ、Ｌｉｔｔｎ＋ａｎｎは薄い珪素
鋼板の製造方法を、米国特許第２，４７３．１５６号明
細書で開示した。この技術は、（１１０｝＜００１＞集
合組織を有する出発材を、冷間圧延し、再結晶させるプ
ロセスを採り、インヒビターを使用しない。この技術に
よって得られる製品の特性は、１〜５ｍ１ｌｓ（２５，
４〜１２７ａａ）の板厚で、磁束密度（Ｂ１１値）が１
．６００〜１．８１５　Ｔｅ５ｌａであり、鉄損（周波
数：６０Ｈｚ、最大磁束密度１．ＯＴ）は、０．２６〜
０、５３　Ｗ／ｌｂ　（０，４４〜０．９０　Ｗ／ｋｇ
）であった。

現在、この方法によって、極薄電磁網帯が製造されてい
る。

最近の電子機器の発達に伴って、中、高周波電源用変圧
器、制御素子等において、小型化、高効率化が望まれて
いた。ところが、前記のように、従来技術によって得ら
れる極薄電磁鋼帯は、磁束密度が低く、設計磁束密度を
高くすることができないために機器の小型化が図れない
こと、また、特に高励磁域での鉄損が極めて大きいとい
う問題があった。

（発明が解決しようとする課題） 本発明は、従来技術における上述の問題を解決し、磁束
密度が極めて高く、かつ高励磁域における鉄損が低い極
薄電磁鋼帯の製造方法を提供することを目的としている
。

（課題を解決するための手段） 本発明者らは、鉄損（特に高励磁域での鉄損）を低くす
るためには、重量で、Ｓｉ≦８％、ＳｎおよびＳｂの１
種または２種をｏ、ｏｏｓ〜０．３０％含有し、残部が
実質的にＦｅからなり、平均粒径：１．０ｍｍ以下、板
厚：１５０−以下の極薄電磁鋼帯で磁束密度Ｂ、／Ｂ、
＞０．９　（Ｂ、　：その成分系での飽和磁束密度）を
もつ材料が必須の要件であることを見出し、かかる電磁
銅帯の製造方法を提供しようとするものであり、その要
旨とするところは、下記のとおりである。

（１）重量で、Ｓｉ５８％、ＳｎおよびＳｂの１種また
は２種を０．００５〜０．３０％含有し、残部が実質的
にＦｅからなり、（１１０）＜００１＞方位集合組織を
有し、磁束密度Ｂｅ／Ｂ、＞０．９　（Ｂｓ：その成分
系での飽和磁束密度）である一方向性電磁鋼帯に、６０
〜９０％の圧下率を適用する少なくとも１回の冷間圧延
を施して１５０ｎ以下の最終板厚とし、次いで一次再結
晶焼鈍を施した後、５ｉｌＪ４を含む非酸化性雰囲気中
で滲珪処理し、次いで非酸化性雰囲気下にＳｉＯ鋼帯中
への拡散処理を施すことを特徴とする（１１０）＜００
１＞方位集積度が高く鉄損の低い極薄電磁鋼帯の製造方
法。

（２）−成典結晶焼鈍が、一次再結晶完了前に下記式で
定義される温度・時間関係領域に材料を保持した後昇温
し一次再結晶を完了させるものである前項１記載の（１
１０）＜００１＞方位集積度が高く鉄損の低い極薄電磁
鋼帯の製造方法。

４００℃≦Ｔ≦７００℃ ２０（秒）≦ｔ＜　（−６Ｔ　（℃）　＋４４００）　
　（秒）（３）前項１および２記載の方法により得られ
た電磁鋼帯に磁区細分化処理を施すことを、特徴とする
（１１０）＜００１＞方位集積度が高（鉄損の低い極薄
電磁鋼帯の製造方法。

以下、本発明の詳細な説明する。

電磁材料の鉄損を支配する磁化機構については、一般に
、°°静的なまたは低周波の磁化過程では、磁壁移動が
主役を演するが、高周波になると、磁壁は動き難くなる
のみならずエネルギー損失を伴うので、むしろ磁壁を動
き易くして回転磁化を行わせるのが得策とされているパ
（近情、応用物理５３　（１９８４）　ｐ　、２９４）
　と述べられているように、電磁材料の結晶方位の集積
度（磁束密度Ｂ８で表示される）は、高周波域において
はあまり重要な因子とは考えられておらず、Ｓｉ量を多
くして固有抵抗値を高（する等の方策が重要視されてき
た。たとえば、Ｙ、Ｔａｋａｄａ　ｅｔ　ａｌ　（Ｊｏ
ｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ａｐｐ、　Ｐｈｙｓ。

Ｎｏ、　６４　（１９８Ｂ）　、　ｐ、　５３６７〜５
３６９）によると、一方向性電磁鋼板、無方向性電磁鋼
板、６．５％５ｉ−Ｆｅを比較した場合、周波数５０Ｈ
ｚの低周波域においては、結晶方位制御を行っている一
方向性型＋１１鋼板の鉄損が最も低いが、周波数１０ｋ
Ｈｚの高周波域においては、６．５％５ｉ−Ｆｅが最も
鉄損が低く、Ｓｉのほぼ等しい一方向性電磁鋼板と無方
向性電磁鋼板の鉄損は大きな差はなく、高周波域におい
ては、結晶方位は鉄損にあまり影響しないことが分かる
（第１表）。

第１表 本発明者等は、中、高周波電源用変圧器或は制御素子等
に用いられる極薄電磁銅帯に関する研究によって、板厚
：１５０−以下、平均粒径：１．０ｍｍ以下、磁束密度
Ｂｓ／　Ｂｓ＞０．９　（Ｂよ：その成分系での飽和磁
束密度）をもち、かつ鋼中の５ｉｉｌが約６．５％であ
る鋼板の１８０°磁壁間隔を細分化することによって、
本発明の主旨である高周波領域で低鉄損であって、かつ
高磁束密度設計可能な調帯（製品）となることを新たに
知見した。

第１図に、種々の方法で製造した極薄電磁鋼帯の周波数
と鉄損の関係を示す。

第１図から、ｆ　＜　１０ｋＨｚの領域では、板厚より
も（１１０｝＜００１＞方位集積度が高いこと、即ちＢ
８値が高いことが低鉄損のために効いていることが分る
。ｆ＞１０ｋＨｚの高周波領域になると、逆に板厚が薄
いことが低鉄損のために重要である。

また、Ｓｉ量を約６．５％にすると、高配向材料（高磁
束密度の製品）の高周波領域における鉄損を大きく改善
できることが分る。即ち、ｆ＜１０ｋＨｚの領域で低鉄
損を実現するためには、先ず（１１０）＜００１＞　　
方位集積度の高い極薄電磁網帯とし、かつＳｉ量を多く
することが重要である。

このような磁束密度の高い極薄電磁調帯は、鉄損が低い
、ことと併せ設計磁束密度を高くすることができ、機器
の小型化を可能ならしめるとともに中、高周波電源用変
圧器や制御素子の特性を飛躍的に向上させる。

本発明者等は、重量で、Ｓｔ≦８％、ＳｎおよびＳｂの
１種または２種を０．００５〜０．３０％含有し、残部
が実質的にＦｅからなり、板厚：１５０ｎ以下、平均粒
径：１．０ｍ以下、磁束密度Ｂｅ／Ｂｓ＞０．９をもつ
材料（極薄電磁鋼帯）が、高周波域における鉄損が格段
に優れている（鉄損値が極めて低い）ということを新た
に知見した。

次に、このような極薄電磁調帯の製造方法を、詳細に説
明する。

本発明者等は、先に述べたように、電磁鋼帯の板厚が薄
くなると、インヒビター制御が困難になり二次再結晶が
不安定になると考え、インヒビターを用いない一次再結
晶により、（１１０）　＜００１＞方位への集積度を高
める研究を行った。その結果、極めて高い（１１０）＜
００１＞方位集積度を有する一方向性電磁鋼帯を出発材
とし、この材料に冷間圧延を施して１５０ｊｒｍ以下の
最終板厚とした後、結晶粒界からの再結晶を抑制した一
次再結晶焼鈍を施すことによって、鋭い（１１０）　＜
００１＞方位集積度を有し、かつ低い鉄損値をもつ極Ｉ
ｔ磁銅帯を製造できることを見出した。

このようにして得られた製品の集合組織は、成典結晶粒
の方位として、（１１０）　＜００１＞方位と併せて（
１１１）＜０１１＞方位が混在しており、後者の方位の
粒の増加が磁束密度の低下の原因となっている。

この集合組織は、阿、Ｆ、Ｌｉｔｔｎ＋ａｎｎによって
、米国特許第２，４７３．１５６号明細書に開示された
方法によって得られる集合組織（（２１０）＜００１＞
〜（３１０）＜００１＞）とは明らかに異なっている。

これは、Ｍ、Ｆ、Ｌｉ　ｔｔｍａｎｎの技術における出
発材は、磁束密度が８１゜＝１．７４７と低く、（１１
０）＜００１＞方位の集積度が悪いためであると考えら
れる。従って、製品の高磁束密度化を達成するためには
、出発材の（１１０）＜００１＞方位の集積度を高くす
るとともに、（１１１）　＜０１１＞方位粒の一次再結
晶を抑制することが必要である。

本発明者等は、この出発材の冷間圧延・再結晶に関する
研究によって、（１１０）＜ｏｏｔ＞方位粒は出発材の
粒内から、（１１１）＜０１１＞方位粒は主に粒界から
核発生し、成長することを解明した。この解明によって
、極薄製品の（１１０）＜００１＞方位への集積度を高
めるためには、出発材の結晶粒界面積を小さくすること
、或は粒界からの核発生を抑制すればよいことを確かめ
た。

本発明者等は、結晶粒界からの悪い方位粒の核発生を抑
止する手段について種々検討を重ねた結果、出発材であ
る一方向性電磁鋼帯にＳｎおよびＳｂの１種または２種
を添加することにより、粒界からの（１１１）＜０１１
＞方位粒の核′発生を抑制し、（１１０）＜００１＞方
位への集積度を高め、製品の磁束密度を向上せしめ得る
ことを見出した。

かかる知見は、次の実験によって得られた。

重量で、Ｓｉ　：　３．２％、Ｃ：０．００２％、Ｎ　
：０．００１％、Ａ７：０．００２％、Ｓ　：０．００
０４％、Ｍｎ　：　０．０５％を基本成分とし、Ｓｎお
よびＳｂの１種または２種を０〜０．５％含有する一方
向性電磁鋼帯（磁束密度（Ｂ、値）＝　１．９０　Ｔ、
平均粒径：５〜４０ｍｍ、板厚０．１４ｍｍ）を、冷間
圧延して３０ｎの最終板厚とした。

この材料を、８５０℃で１０分間焼鈍し、−成典結晶を
完了させた。

Ｓｎ含有量と得られた製品の磁束密度の関係を、第２図
に示す。第２図から、Ｓｎ添加量：０．０１％から結晶
粒界からの（１１１）＜０１１＞方位粒の核生成を抑制
し、製品の磁束密度を向上させ得ることが分る。Ｓｎ添
加量が０．３０％を超えると磁束密度が低下するのは、
出発材である一方向性電磁鋼帯の結晶粒が微細になり、
結晶粒界面積が増加し、結晶粒界からの核発生の頻度が
高くなるためであると考えられる。

また、出発材にＳｎおよびＳｂの１種または２種を合計
量で０．０３〜０．３０％含有せしめると、第３図に示
すように、得られる製品の磁束密度（Ｂ、値）の到達レ
ヘルが１．９４　Ｔｅ５ｌａと極めて高いものとなる。

さらに、製品が最も高い磁束密度をもつことになる冷延
率が、ＳｎおよびＳｂの１種または２種を含有しないも
のに比し高い冷延率側ヘシフトするから、同一厚さの出
発材から極めて薄い製品を得ることができる。また、製
品が高い磁束密度を有することになる好ましい冷延率領
域が、ＳｎおよびＳｂの１種または２種を含有しないも
のに比し非常に拡大されるから、あるゲージをもつ出発
材から種々のゲージの、高い磁束密度を有する極薄電磁
鋼帯を作り分けることが可能になる。

また、−次再結晶焼鈍を行うに際し、−武勇結晶完了前
に、低温域に保持若しくは徐加熱することによって一定
時間滞在させ、然る後温度を上昇させ一次再結晶を完了
させるプロセスを採ることによって、（１１０）＜００
１＞方位粒を優先的に核発生・成長させ得ることを見出
した。

従来、Ｃ，Ｇ、Ｄｕｎｎ　（Ａｃｔａ、Ｍｅｔ、　ｌ　
（１９５３）　ｐ、　１６３）によって、５５０℃で低
温予備焼鈍を行い、その後９８０℃で焼鈍すると、製品
の磁束密度（トルクで測定している）が低下すると言わ
れてきた。ところが、本発明者等は、上記新知見に基づ
いて一次再結晶焼鈍条件について詳細に検討を行った結
果、低温で長時間焼鈍すると、（ｌｌｏ　）　＜ｏｏｔ
＞方位粒と併せ（１１１）＜０１１＞方位粒も核発生・
成長し、製品の磁束密度が低下するが、−成典結晶が完
了しない一定時間内で低温焼鈍すると、（１１０｝＜０
０１＞方位粒のみが優先的に核発生し、その後昇温し粒
成長させることにより、製品の磁束密度を高くすること
ができるという新知見を得た。

前記のように、本発明の特徴である（１１０）＜００１
＞方位集積度が高いこと、出発材へＳｎおよびＳｂの１
種または２種を添加すること、−次再結晶焼鈍における
一次再結晶完了前の所定時間の低温焼鈍といった要件は
、製品の磁束密度を低下させる原因となる粒界から核発
生する（１１１）＜０１１＞方位粒の核発生・成長を抑
制し、（１１０）＜００１＞方位粒を優先的に核発生・
成長させるために効果的に機能する。従って、上記磁束
密度向上のメカニズムからしても、これらの要件を組合
せて製造プロセスを構成することによって、さらに高い
磁束密度を有する極薄電磁調帯を安定して製造し得るこ
とは言うまでもない。

このようにして得られる本発明の極薄電磁鋼帯の磁束密
度は、従来技術によって得られる極薄電磁鋼帯の磁束密
度に比し、格段に優れている。

これまでに述べた知見によって、磁束密度（Ｂ。

値）が高い、即ち（１１０）＜００１＞方位集積度が高
い３％５ｉ−Ｆｅ極薄電磁鋼帯の製造が可能になった。

かかる高い磁束密度（Ｂ１１値）を有する極薄電磁鋼帯
のＳｉ量を、それ自体公知の滲珪処理方法によって約６
．５％まで増加させることを試みた。Ｓｉ量を増加させ
る手段として、先ず、従来からよく知られている、珪素
粉末と塩化アンモニウム粉末の混合粉末中に材料を埋め
込んで加熱する方法、即ち固体滲珪処理方法を試みた。

しかしながらこの方法では、温度分布の不均一さに起因
すると思われる鋼帯におけるＳｉ量の不均一さがあるこ
とが特徴的であった。また、この方法によるときは、滲
珪処理後、銅板の表面が荒れる。さらに、温度条件の変
更によるＳｉ量の制御が難しく、工業的な手段としては
適当でないことが分った。

次に、通常広く行なわれている、気体滲珪処理法を試み
た。市販されている液状の５ｉｃ１４（沸点：約６０℃
）を６０″Ｃ以上の温度に保ち、気体５ｉＣＺａのキャ
リアガスとして乾燥Ｎ２ガスを用いた。

５ｉＣＺ４をモル分率で約１５％含む雰囲気中、７５０
〜１０００℃の温度域で銅帯に滲珪処理を施した。滲珪
処理後、鋼板の厚さ方向におけるＳｔの濃度勾配を小さ
くすべく、高温の乾燥Ｈ２ガス中での長時間の熱処理に
よって、Ｓｉを拡散させた。

この気体滲珪処理法によると、滲珪ガスの温度、熱処理
時間および５ｉ（Ｊａの濃度を適当に変化させることに
よって、目標とするＳｉ量を鋼板に含有せしめ得ること
が容易である。また、固体滲珪処理法に比し、調帯に均
一にＳｉを含有せしめ得、かつ調帯の表面性状を損なう
ことがなく、格段に優れている。

本発明に従い、優れた磁束密度（Ｂａ値）を有する極薄
材を製造すること、さらにＳｉ量を増加させる滲珪処理
を施すこと、次いでＳｉ拡散処理を施し、さらに１８０
°磁区細分化処理を施すことによって、高周波域で低鉄
損であり、かつ高磁束密度設計可能な極薄電磁鋼帯を得
ることができる。

以下、本発明を実施例に基づいて説明する。

実施例１ 重量で、Ｓｉ：３．０％、Ｍｎ：０．０６％、Ｃ：　０
．００３％、Ｎ　：　０．００２％、Ａｌ：０．００１
％、Ｓ　：　０．００１％、Ｓｎ：０．０７％、残部が
実質的にＦｅからなる一方向性電磁鋼板（Ｂａ＝１．８
８Ｔ、粒径：ＲＤ＝５ＩＩＩＩｌ、Ｒｃ＝３ＩＩＩＩＩ
ｌ、板厚：２３Ｏｎ）を、酸洗してグラス皮膜を除去し
た後、冷間圧延して５０ｎの最終板厚とした。

次いで、材料に、Ｎｔ：２５％十Ｈｔニア５％の雰囲気
中で、８５０℃×１０分間の焼鈍を施した。

得られた材料の磁束密度（Ｂａ値）は１．９１７であっ
た。

この鋼板（Ｒ帯）に５ｉＣＺｎをモル分率で約１５％含
む乾燥Ｎｔ雰囲気中、約９００℃の温度で約１分間、滲
珪処理を施した。然る後、Ｈ２雰囲気中、１０００℃Ｘ
５時間のＳｉ拡散熱処理をした。次いで、絶縁皮膜形成
焼鈍を施し、さらにレーザ照射による磁区細分化処理を
施した。こうして得られた製品の鉄損値は、以下の通り
であった。

Ｗｌｓｙａｏｏ＝　４．０　ｗ／ｋｇ ＷＩ５／４゜。＝　５．６　ｗ　／ｋｇ実施例２ 重量で、Ｓｉ：３．２％、Ｍｎ　：　０．０５％、Ｃ：
０．００２％、Ｎ　：　０．００１％、Ａｌ　：　０．
００２％、Ｓ　：　０．００１％、Ｓｂ二０．０２％、
残部が実質的にＦｅからなる一方向性電磁銅板（Ｂ、＝
　１．９０Ｔ、粒径：　Ｒ＋＋＝　６　ｍｎ、　Ｒｃ＝
　６　ａｎ、板厚：１４０μ）を、酸洗してグラス皮膜
を除去した後、冷間圧延して２６ｐの最終板厚とし、次
いで、Ｈ，：１００％の雰囲気中、８５０℃×１０分間
の焼鈍を施した。得られた鋼板の磁束密度（Ｂ１１値）
は１．８７７であった。

この鋼板に、実施例１におけると同様の滲珪処理を施し
、さらにＳｉの拡散熱処理をした。次いで、絶縁皮膜形
成処理を施し、さらにレーザ照射による磁区細分化処理
を行った。こうして得られた製品の１０ｋＨｚｉＪＪ磁
における鉄損値を第４図に示す。

第４図から明らかなように、Ｂ８値の低い従来材に比し
、本発明による６、５％５ｉ−Ｆｅ材（製品）で磁区細
分化処理を施した製品の鉄損値が極めて良好な（低い）
ものであることが分る。

（発明の効果） 本発明によって得られた製品は、下記のような優れた磁
気特性を有する。

（１）励磁力８００　ＡｌＭにおける磁束密度が、たと
えば３％Ｓｉの場合、１．８４〜１．９５７と、従来技
術によって得られた製品の磁束密度に比し、約０．２〜
０．４Ｔも高い。

（２）製品の鉄損値、たとえばＷ　、　、、４゜。は、
従来技術によって得られた製品の鉄損値の約５０％であ
り、極めて低い値を示す。特に、１．５Ｔ以上の高励磁
における鉄損値は、前例がない。

このような本発明品を、変圧器わけても高周波電源用変
圧器に用いれば、小型化、効率化の面で顕著な効果をも
たらす。また、本発明品は、制御素子に適用して大きな
効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は周波数と鉄損値の関係を極薄電磁調帯の磁束密
度水準側に示す図、第２図は本発明によって得られたＳ
ｎを添加した極薄電磁鋼帯の磁束密度（Ｂｅ値）とＳｎ
含有量の関係を示す図、第３図は本発明によって得られ
たＳｎ添加材と無添加材における冷延率と製品の磁束密
度（Ｂ１１値）の関係を示す図、第４図は本発明によっ
て得られた製品とＳｉ冨化をしない極薄電磁鋼帯の１０
ｋＨｚにおける鉄損値を示す図である。 第 図 励工ｌ波駅（１−、Ｈｚ） 第 ３図 ；食延圧下 辛 （％） 第２図 Ｃ０ θｌ Ｃ２ Ｃ５ Ｃ８ｎ〕 （％） 第 図 挾贋 （ＩＪａ　ｔらが

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）重量で、Ｓｉ≦８％、ＳｎおよびＳｂの１種また
   は２種を０．００５〜０．３０％含有し、残部が実質的
   にＦｅからなり、｛１１０｝＜００１＞方位集合組織を
   有し、磁束密度Ｂ＿ｓ／Ｂ＿ｓ＞０．９（Ｂ＿ｓ：その
   成分系での飽和磁束密度）である一方向性電磁鋼帯に、
   ６０〜９０％の圧下率を適用する少なくとも１回の冷間
   圧延を施して１５０μｍ以下の最終板厚とし、次いで一
   次再結晶焼鈍を施した後、ＳｉＣｌ＿４を含む非酸化性
   雰囲気中で滲珪処理し、次いで非酸化性雰囲気下にＳｉ
   の鋼帯中への拡散処理を施すことを特徴とする｛１１０
   ｝＜００１＞方位集積度が高く鉄損の低い極薄電磁鋼帯
   の製造方法。
2. （２）一次再結晶焼鈍が、一次再結晶完了前に下記式で
   定義される温度・時間関係領域に材料を保持した後昇温
   し一次再結晶を完了させるものである請求項１記載の｛
   １１０｝＜００１＞方位集積度が高く鉄損の低い極薄電
   磁鋼帯の製造方法。 ４００℃≦Ｔ≦７００℃ ２０（秒）≦ｔ＜（−６Ｔ（℃）＋４４００）（秒）（
   ３）請求項１および２記載の方法により得られた電磁鋼
   帯に磁区細分化処理を施すことを特徴とする｛１１０｝
   ＜００１＞方位集積度が高く鉄損の低い極薄電磁鋼帯の
   製造方法。