JPH0461195A - 金属ベース配線基板の製造方法 - Google Patents
金属ベース配線基板の製造方法Info
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- JPH0461195A JPH0461195A JP16533690A JP16533690A JPH0461195A JP H0461195 A JPH0461195 A JP H0461195A JP 16533690 A JP16533690 A JP 16533690A JP 16533690 A JP16533690 A JP 16533690A JP H0461195 A JPH0461195 A JP H0461195A
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Landscapes
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- Insulated Metal Substrates For Printed Circuits (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、金属ベース配線基板の製造方法に関する。具
体的にいえば、本発明は、アディティブ法(セミアブイ
ブイブ法及びフルアブイブイブ法)による金属ベース配
線基板の製造方法じ関づる。
体的にいえば、本発明は、アディティブ法(セミアブイ
ブイブ法及びフルアブイブイブ法)による金属ベース配
線基板の製造方法じ関づる。
1背景技1ホ1ヨ
近年、電子機器の軽量、薄形、高密度化が進み、これに
使用される電子部品の高密度化じ′伴って、単位面積当
りの発熱量は、著[、<増大しでいる。
使用される電子部品の高密度化じ′伴って、単位面積当
りの発熱量は、著[、<増大しでいる。
そのため、こtlらの電子部品を実装する配線基板も、
耐熱性及び放熱性に優れたものが要求されている。これ
らの要求を満足するものとし、て、最近では、鉄、銅、
アルミニウム等の高熱伝導相を塙する金属板をベースと
したプリント配線板が、用いられるようになっている。
耐熱性及び放熱性に優れたものが要求されている。これ
らの要求を満足するものとし、て、最近では、鉄、銅、
アルミニウム等の高熱伝導相を塙する金属板をベースと
したプリント配線板が、用いられるようになっている。
従来の金属ベース配線基板の製造方法どしでは、金属ベ
ースの表面に接着された銅箔な必要部分のみ選択的(ご
残し、他の部分なエツチングにより溶解除去する、いわ
ゆるサブトラクブイブ法が一般的であった。サブトラク
ティブ法によれば、接着剤によって金属ベースの表面に
銅箔な接着させているので、銅箔の剥離強度は強いが、
エッヂレグ時における銅箔のサイドエツチングがあるた
め、量産ベースで高密度化パターン回路を製作するのが
難I7かった。、マた、ザブトラク・yイブ法によれI
A′、エツチング液もL<ば洗浄水を冬目に使用するた
め、排水処理の間覇があった。
ースの表面に接着された銅箔な必要部分のみ選択的(ご
残し、他の部分なエツチングにより溶解除去する、いわ
ゆるサブトラクブイブ法が一般的であった。サブトラク
ティブ法によれば、接着剤によって金属ベースの表面に
銅箔な接着させているので、銅箔の剥離強度は強いが、
エッヂレグ時における銅箔のサイドエツチングがあるた
め、量産ベースで高密度化パターン回路を製作するのが
難I7かった。、マた、ザブトラク・yイブ法によれI
A′、エツチング液もL<ば洗浄水を冬目に使用するた
め、排水処理の間覇があった。
そこで、必要な部分に選択的に金属を析出させて導体I
D回路な作成するアディティブ法が、高密度回路基板作
成、方法と1.で用いられるよウレこなってきた。この
アディティブ法としては、金属ベースの表面に形成され
た絶縁層の土に無電解メッキのみで導体Iul路を形成
するフルアデイティブ法と、金属ベースの表面に形成、
された絶縁層の−に−に無電解メッキを施L5、さらに
その上に電解メッキを施して導体回路の厚みを得るセミ
アYイΣイブ法どかある。−1−記絶縁層としては、い
ずれのアディティブ法においでも、熱硬化性樹脂と熱可
塑性樹脂のうちいずれでも使用E1能であるが、−船釣
には、塗布作業か容易で、汎用性及び耐熱性のあるエポ
キシ樹脂か使用されている。
D回路な作成するアディティブ法が、高密度回路基板作
成、方法と1.で用いられるよウレこなってきた。この
アディティブ法としては、金属ベースの表面に形成され
た絶縁層の土に無電解メッキのみで導体Iul路を形成
するフルアデイティブ法と、金属ベースの表面に形成、
された絶縁層の−に−に無電解メッキを施L5、さらに
その上に電解メッキを施して導体回路の厚みを得るセミ
アYイΣイブ法どかある。−1−記絶縁層としては、い
ずれのアディティブ法においでも、熱硬化性樹脂と熱可
塑性樹脂のうちいずれでも使用E1能であるが、−船釣
には、塗布作業か容易で、汎用性及び耐熱性のあるエポ
キシ樹脂か使用されている。
L発明が解決1.ようとする課題]
上記アディライブ法は、量産性にすぐれており、微細配
線が可能で、高密度実装用の金属ベース配線基板を製作
することができ゛る3゜ しかし、導体回路は、無電解メッキ(・、゛より絶縁層
の表面に定着させられるため、その剥離強度は絶縁層の
材質により強い影響を受ける。つまり、無電解メッキ前
の粗化処理で粗化された絶縁層の表面粗化処理により無
電解メッキ層の付着状態が大ぎく変化する。特に、エポ
キシ樹脂は、表面粗化しにくいので、エポキシ樹脂の絶
縁層の場合(こは、絶縁層表面に無電解メッキが付着し
しコ<<、このため、ザブトラクデイブ法番こ比較する
と導体回路の剥離強度が弱いという欠点かあった。
線が可能で、高密度実装用の金属ベース配線基板を製作
することができ゛る3゜ しかし、導体回路は、無電解メッキ(・、゛より絶縁層
の表面に定着させられるため、その剥離強度は絶縁層の
材質により強い影響を受ける。つまり、無電解メッキ前
の粗化処理で粗化された絶縁層の表面粗化処理により無
電解メッキ層の付着状態が大ぎく変化する。特に、エポ
キシ樹脂は、表面粗化しにくいので、エポキシ樹脂の絶
縁層の場合(こは、絶縁層表面に無電解メッキが付着し
しコ<<、このため、ザブトラクデイブ法番こ比較する
と導体回路の剥離強度が弱いという欠点かあった。
従って、導体回路の剥離強度なサブトラクデイブ法と同
程度に高めることが、アブイブイブ法による金属ベース
配線基板の製造方法の重要な課題となっていた。
程度に高めることが、アブイブイブ法による金属ベース
配線基板の製造方法の重要な課題となっていた。
本発明は、斜上の従来例の欠点に鑑みてなされたもので
あり、その目的とするところは、アディティブ法による
金属ベース配線基板の製造方法において、無電解メッキ
層とエポキシ樹脂絶縁層との接着強度を高め、導電体層
の剥離強度を向上させるごとげある。
あり、その目的とするところは、アディティブ法による
金属ベース配線基板の製造方法において、無電解メッキ
層とエポキシ樹脂絶縁層との接着強度を高め、導電体層
の剥離強度を向上させるごとげある。
[X課題な解決するだめの手段」
このため、本発明の金属ベース配線基板の製造方法は、
金属ベースの表面に絶縁層を形成し、この絶縁層の1−
.に導電体層を形成した金属ベース配線基板の製造方法
てあって、ガラスm維パウダーを5重量%以J1.4.
0重1%の割合で含有するエポキシ樹脂系オイ料を金属
ベースの上に塗布して絶縁層な形成した後、絶縁層の表
面に粗化処理を施し、この絶縁層の表面(、τ無電解メ
ッキ層を形成し、ついで、必要に応じて無電解メッキ層
の土に電解メッキ層を形成することにより導電体層を設
けることな特徴としτいる。
金属ベースの表面に絶縁層を形成し、この絶縁層の1−
.に導電体層を形成した金属ベース配線基板の製造方法
てあって、ガラスm維パウダーを5重量%以J1.4.
0重1%の割合で含有するエポキシ樹脂系オイ料を金属
ベースの上に塗布して絶縁層な形成した後、絶縁層の表
面に粗化処理を施し、この絶縁層の表面(、τ無電解メ
ッキ層を形成し、ついで、必要に応じて無電解メッキ層
の土に電解メッキ層を形成することにより導電体層を設
けることな特徴としτいる。
[作用]
本発明じあっては、絶縁層を形成するためのエポキシ樹
脂系絶縁材料にガラス繊維パウダーを含有させているの
で、強酸等な用いて絶縁層に表面粗化処理を施すと、絶
縁層内のガラス繊維パウダーが溶解して絶縁層に空孔が
生じ、あるいは絶縁層の表面にガラス繊維パウダーが析
出し、絶縁層の表面が粗化される。この結果、無電解メ
ッキを施すと、絶縁層の表面に析出したカラス繊維パウ
ダーあるいは空孔によるアンカー効果のため、無電解メ
ッキ層の付着力が犬き・くなり、導電体層の剥離強度か
大きくなる。
脂系絶縁材料にガラス繊維パウダーを含有させているの
で、強酸等な用いて絶縁層に表面粗化処理を施すと、絶
縁層内のガラス繊維パウダーが溶解して絶縁層に空孔が
生じ、あるいは絶縁層の表面にガラス繊維パウダーが析
出し、絶縁層の表面が粗化される。この結果、無電解メ
ッキを施すと、絶縁層の表面に析出したカラス繊維パウ
ダーあるいは空孔によるアンカー効果のため、無電解メ
ッキ層の付着力が犬き・くなり、導電体層の剥離強度か
大きくなる。
さらtこ、絶縁層内にガラス繊維パウダーが含まれてい
るので、絶縁層ひいては金属ベース配線基板の耐熱性及
び耐アーク性が向上する。
るので、絶縁層ひいては金属ベース配線基板の耐熱性及
び耐アーク性が向上する。
なお、ガラス繊維パウダーの添加量は、ガラス繊維パウ
ダーの添加量が、5重量%未満では剥離強度が小さく、
40重量%を超過するとエポキシ樹脂系材料の金属ベー
スへの塗布が困難に九り、剥離強度も小さくなる。従っ
て、この添加量としては、5重量%以上40重量%以下
が、好ましい。
ダーの添加量が、5重量%未満では剥離強度が小さく、
40重量%を超過するとエポキシ樹脂系材料の金属ベー
スへの塗布が困難に九り、剥離強度も小さくなる。従っ
て、この添加量としては、5重量%以上40重量%以下
が、好ましい。
[実施例−]
以下、本発明の実施例を添付図に基づいて詳述する。
第1図(a)〜(d)に示すものは、フルアデイティブ
法による金属ベース配線基板1の製造プロセスである。
法による金属ベース配線基板1の製造プロセスである。
このプロセスにおいては、まず第11’m(a)に小す
ように、金属ベース2の表面にエボλ゛−シ樹脂を主剤
とする絶縁層材1′1を塗布し、エポキシ樹脂系の絶縁
層3か形成される。ここで、金属・・、−ス2の材質は
、特(こ限定されず、鉄、銅なとでも、1、いが、軽量
て加工の容易なアルミニウムが望ましい。
ように、金属ベース2の表面にエボλ゛−シ樹脂を主剤
とする絶縁層材1′1を塗布し、エポキシ樹脂系の絶縁
層3か形成される。ここで、金属・・、−ス2の材質は
、特(こ限定されず、鉄、銅なとでも、1、いが、軽量
て加工の容易なアルミニウムが望ましい。
絶縁層:3に用いるエポキシ樹脂の種類は、特に限定さ
れないが、例えばビスツユ−ノールノル型グリシジルニ
ーデル類、クレゾールノボラック類、)1ノールノボラ
ツク類が望ましい。エポキシ樹脂の硬化剤としては、生
前にその種類は限定されないか、例えばアミン系、酔態
水物系、潜在性硬化剤などを使用することができ′る。
れないが、例えばビスツユ−ノールノル型グリシジルニ
ーデル類、クレゾールノボラック類、)1ノールノボラ
ツク類が望ましい。エポキシ樹脂の硬化剤としては、生
前にその種類は限定されないか、例えばアミン系、酔態
水物系、潜在性硬化剤などを使用することができ′る。
エポキシ樹脂は、普通、塗布作業を容易にするためゲト
ン類、芳香族炭化水素等の有機溶剤で47釈して用いら
才I、このエポキシ樹脂には、カラス繊維パウダーが7
を填さ才ビCいる。カラス繊維パウダーは、Eガラス、
Cガラス、Sガラス等のいずれでも差し支えない。この
ガラス繊維パウダーの添加量は、5 ti、Mx;以上
4[]重量%以下が適しており、特に20重量%の添加
量が最適である。第13図のグラフ1コ、ガラス繊維パ
ウダーの添力[1量(重量り、;)ど絶縁層の]−(5
−レ・ルアデイプイブ法で形成された無電解メッキ層の
ff1111強度(kgf/′cm2)との関係を調べ
た結果を;、Y”: Lでいる。このグラフよりカラス
繊維パウダ〜の添加量が、2()重量%の時に、最も剥
離強度が太き・くなり、5重量%未満では剥離強度か小
さくなり過きることが分かる。また、40車量%以]−
では、jボキシ樹脂の絶縁層+1判が高粘度(・、−な
り、金属・\−スパ\の塗布か困Xtt +=なり、五
〇離強度も小さくなる。
ン類、芳香族炭化水素等の有機溶剤で47釈して用いら
才I、このエポキシ樹脂には、カラス繊維パウダーが7
を填さ才ビCいる。カラス繊維パウダーは、Eガラス、
Cガラス、Sガラス等のいずれでも差し支えない。この
ガラス繊維パウダーの添加量は、5 ti、Mx;以上
4[]重量%以下が適しており、特に20重量%の添加
量が最適である。第13図のグラフ1コ、ガラス繊維パ
ウダーの添力[1量(重量り、;)ど絶縁層の]−(5
−レ・ルアデイプイブ法で形成された無電解メッキ層の
ff1111強度(kgf/′cm2)との関係を調べ
た結果を;、Y”: Lでいる。このグラフよりカラス
繊維パウダ〜の添加量が、2()重量%の時に、最も剥
離強度が太き・くなり、5重量%未満では剥離強度か小
さくなり過きることが分かる。また、40車量%以]−
では、jボキシ樹脂の絶縁層+1判が高粘度(・、−な
り、金属・\−スパ\の塗布か困Xtt +=なり、五
〇離強度も小さくなる。
従って、添加量は、5重曹% U)、十40]j m:
sg以1・゛か好ましい。、また、カラス繊維パウダ
ーとし、では、繊維径5〜司(]訓、繊維N30へ20
019のものか好ましい。第・4区を5−示すものは、
力ンス繊維パウターの繊維径が5〜l [’l (JI
l]で、その添加量が2011鮎の湯治における、モ均
カラス繊維長(uJn )ど剥離強度(kgf/+・m
2 )との関係を調べたものである。このグラフより
、繊維長か30 Bm以千゛では、剥離強度が弱くなる
ことが分かる。また、繊維長が200訓よりも長くなる
と、エポキシ樹脂が硬化するまでにガラス繊維が沈降し
5、無電解メッキ層の剥離強度が低−十する恐れかある
。従−つで、繊維長は、1記のように、;30〜20(
]訓か適17でいた。
sg以1・゛か好ましい。、また、カラス繊維パウダ
ーとし、では、繊維径5〜司(]訓、繊維N30へ20
019のものか好ましい。第・4区を5−示すものは、
力ンス繊維パウターの繊維径が5〜l [’l (JI
l]で、その添加量が2011鮎の湯治における、モ均
カラス繊維長(uJn )ど剥離強度(kgf/+・m
2 )との関係を調べたものである。このグラフより
、繊維長か30 Bm以千゛では、剥離強度が弱くなる
ことが分かる。また、繊維長が200訓よりも長くなる
と、エポキシ樹脂が硬化するまでにガラス繊維が沈降し
5、無電解メッキ層の剥離強度が低−十する恐れかある
。従−つで、繊維長は、1記のように、;30〜20(
]訓か適17でいた。
1)いで、無電解メッキを選択的に所出させるため、第
1図(b)に示すように、絶縁層3の十にしジス)・イ
ンキをスクリーン印刷し、100°C’77’ ]0分
間加熱硬化させ、回路パターンと同しパターンの開り、
15を石するレジスト膜4を形成する。このレジストイ
ンキとしては、特に限定し2、ないが、Wl細加工ので
きる一九性しシスト材料が適し、ており、液状、フィル
ム状、またネガ型1、ポジ型とちらでも差1.支えない
。この後、絶縁層:3のし・ミ、スト膜4から露出17
でいる部分を有機溶剤やその蒸気、で膨潤させ、さらに
り「〕ム酸などの強力な醇化剤を用いて絶縁層3の露出
部分の表面を・粗化処理し、回路パターンに合わせて絶
縁層3の表面を粗化させる。このとぎ、エポキシ樹脂中
に分散しているガラス繊維パウダーが、絶縁層3の表面
に析出し5たり、溶解して空孔な発生させたりし、絶縁
層の表面が粗イヒさね易くなる。
1図(b)に示すように、絶縁層3の十にしジス)・イ
ンキをスクリーン印刷し、100°C’77’ ]0分
間加熱硬化させ、回路パターンと同しパターンの開り、
15を石するレジスト膜4を形成する。このレジストイ
ンキとしては、特に限定し2、ないが、Wl細加工ので
きる一九性しシスト材料が適し、ており、液状、フィル
ム状、またネガ型1、ポジ型とちらでも差1.支えない
。この後、絶縁層:3のし・ミ、スト膜4から露出17
でいる部分を有機溶剤やその蒸気、で膨潤させ、さらに
り「〕ム酸などの強力な醇化剤を用いて絶縁層3の露出
部分の表面を・粗化処理し、回路パターンに合わせて絶
縁層3の表面を粗化させる。このとぎ、エポキシ樹脂中
に分散しているガラス繊維パウダーが、絶縁層3の表面
に析出し5たり、溶解して空孔な発生させたりし、絶縁
層の表面が粗イヒさね易くなる。
ごうI、て絶縁層33の表面を粗化させた後、Pi′1
−3n系アクチベーターで絶縁層3の露出部分な活性化
させ、ついで、クエン酸30g、濃塩酸280mQを溶
解させてIQの溶液とり、たl)d脱離ill kこ2
0°Cで5分間浸漬させ、水洗I7でし・シスト膜4−
、、ThのPdを除去する0、この後、第1図((・)
に示すように、無電解銅メッキな行ない、導体回路7に
必要な膜厚(2量訓以上)が得られるまで鉋1を析出さ
せ、無電解メッキ層6を形成する。
−3n系アクチベーターで絶縁層3の露出部分な活性化
させ、ついで、クエン酸30g、濃塩酸280mQを溶
解させてIQの溶液とり、たl)d脱離ill kこ2
0°Cで5分間浸漬させ、水洗I7でし・シスト膜4−
、、ThのPdを除去する0、この後、第1図((・)
に示すように、無電解銅メッキな行ない、導体回路7に
必要な膜厚(2量訓以上)が得られるまで鉋1を析出さ
せ、無電解メッキ層6を形成する。
ついで、水洗乾燥後、第12図(d)に示すように、)
・リフITI rii2エタンにてし・シスト膜4を除
去t5、回路パターンの導体回路7を得る。
・リフITI rii2エタンにてし・シスト膜4を除
去t5、回路パターンの導体回路7を得る。
第2図(?1)〜(f)に示すものは、本発明の別な実
施例であり、セミアデイティブ法による金属ベース配線
基板21の製造方法である。
施例であり、セミアデイティブ法による金属ベース配線
基板21の製造方法である。
このプロセスにおいては、まず第2図(a)に示すよう
に、金属ベース22の表面にガラス繊維パウダーな含有
したエポキシ樹脂を塗布り、て絶縁層23を形成する。
に、金属ベース22の表面にガラス繊維パウダーな含有
したエポキシ樹脂を塗布り、て絶縁層23を形成する。
この工程は、フルアブイブイブ法の第1図(a、)の工
程と同様にして行なわれる。
程と同様にして行なわれる。
次いで、絶縁J−23の表面全体を冶機溶剤やイの蒸気
で膨潤させ、さらにクロム酸などの強力な酸化剤な7V
7いて絶縁層23の表面を粗fヒさせる5、このとぎも
、エポキシ樹脂中に分散しているガラス繊維パウダーが
、絶縁層23の表面に析H]シ、たり、溶解して絶縁層
23に空孔を発生させたりし、粗化処理か容易になり、
絶縁1123の表面粗度が太き・くなる。絶縁層23の
表面粗化後、Pd−3n系アクヂベーターで絶縁層23
の表面を活性化させた後、第2図(b)に示すよう(、
−1無電解銅メツギあるいは無電解ユ・ソケルメッキに
より膜厚]、 iff以下に無電解メッキ層24を析出
させる。
で膨潤させ、さらにクロム酸などの強力な酸化剤な7V
7いて絶縁層23の表面を粗fヒさせる5、このとぎも
、エポキシ樹脂中に分散しているガラス繊維パウダーが
、絶縁層23の表面に析H]シ、たり、溶解して絶縁層
23に空孔を発生させたりし、粗化処理か容易になり、
絶縁1123の表面粗度が太き・くなる。絶縁層23の
表面粗化後、Pd−3n系アクヂベーターで絶縁層23
の表面を活性化させた後、第2図(b)に示すよう(、
−1無電解銅メツギあるいは無電解ユ・ソケルメッキに
より膜厚]、 iff以下に無電解メッキ層24を析出
させる。
この後、電解メッキを選択的に析出させるため、第2図
(0)に示すように、無電解メッキ層24の十にレジス
)・インキを印刷し1、回路パターンと同じパターンの
開[]26を有する厚さ35Fのレジスト膜25を形成
する3゜ 次に、第2図(d)に示すように、電解銅メッキを施し
、無電解メッキ層24のレジスト膜25から露出l、た
表面に銅の電解メッキ層27を析出させ、導体回路28
に必要な1ザゐを得た(な、第2区(e)に示ずように
レジスト膜25)を剥離さセ゛、電解メッキ層27から
露出した無電解メッキ層24をエツチングによすて除去
17、第2図(f)に示すように、絶縁層23の上に無
電解メッキ、層24と電解メッキ層27の2層からなる
回路パターンの導体回路28を得る。
(0)に示すように、無電解メッキ層24の十にレジス
)・インキを印刷し1、回路パターンと同じパターンの
開[]26を有する厚さ35Fのレジスト膜25を形成
する3゜ 次に、第2図(d)に示すように、電解銅メッキを施し
、無電解メッキ層24のレジスト膜25から露出l、た
表面に銅の電解メッキ層27を析出させ、導体回路28
に必要な1ザゐを得た(な、第2区(e)に示ずように
レジスト膜25)を剥離さセ゛、電解メッキ層27から
露出した無電解メッキ層24をエツチングによすて除去
17、第2図(f)に示すように、絶縁層23の上に無
電解メッキ、層24と電解メッキ層27の2層からなる
回路パターンの導体回路28を得る。
上記のように、フルアディブイフ゛法にあっても、セミ
アブイブイブ法にあっても、エポキシ樹脂内にカラス繊
維バラタ−を分散させてあ6と、柁]縁層の表面が粗化
され易くなるので、絶縁層の表面に無電解メッキ層を形
成した時に、無電解メッキ層と絶縁層の間のアンカー効
果が強くなり、導体回路の剥離強度を高くすることがで
とる。また、絶縁層内にガラス繊維パウダーが、分散さ
せられていると、金属ベース配線基板の耐熱性や耐熱衝
撃性、耐アーク性等の特性も向上する。
アブイブイブ法にあっても、エポキシ樹脂内にカラス繊
維バラタ−を分散させてあ6と、柁]縁層の表面が粗化
され易くなるので、絶縁層の表面に無電解メッキ層を形
成した時に、無電解メッキ層と絶縁層の間のアンカー効
果が強くなり、導体回路の剥離強度を高くすることがで
とる。また、絶縁層内にガラス繊維パウダーが、分散さ
せられていると、金属ベース配線基板の耐熱性や耐熱衝
撃性、耐アーク性等の特性も向上する。
なお、上記実施例では、金属ベース配線基板の片面のみ
に導体回路を形成したが、金属ベース配線基板の両面に
導体回路を設けてもよいのはもちろんである。
に導体回路を形成したが、金属ベース配線基板の両面に
導体回路を設けてもよいのはもちろんである。
以下、本発明のより具体的な実施例な2つの従来例と比
較t、で説明する9、 (実施例) 厚さ]、 mmの7′ルミニウム基板をトリクロロエタ
ンで脱脂15た後、第1表のような組成を有するエポキ
シ樹脂組成物をドクターブレード法によりアルミニウム
基板の表面に塗布し、室温で乾燥させた後、さら(・こ
160°Cで5時間加熱硬化させ、絶縁1−を形成した
。
較t、で説明する9、 (実施例) 厚さ]、 mmの7′ルミニウム基板をトリクロロエタ
ンで脱脂15た後、第1表のような組成を有するエポキ
シ樹脂組成物をドクターブレード法によりアルミニウム
基板の表面に塗布し、室温で乾燥させた後、さら(・こ
160°Cで5時間加熱硬化させ、絶縁1−を形成した
。
次に、絶縁層を形成されたアルミニウム基板を45°C
に加温したクロム−硫酸溶液中(こ5分間浸漬[、て表
面粗化させた後、水洗12、ぞの後希塩酔中に浸漬した
。ついで、第2表の条件で活性化■及び活性化■の処理
をThl、た。
に加温したクロム−硫酸溶液中(こ5分間浸漬[、て表
面粗化させた後、水洗12、ぞの後希塩酔中に浸漬した
。ついで、第2表の条件で活性化■及び活性化■の処理
をThl、た。
第 2 表
第 1 表
(以]余白)
さらに、第23表のよ・うな条件下て、無電解銅メッキ
を行ない、絶縁層の上に0.2uηの庫みの銅薄膜(無
電解メッキ層)を得た。
を行ない、絶縁層の上に0.2uηの庫みの銅薄膜(無
電解メッキ層)を得た。
第 33
表
この後、銅薄膜の」、に溶剤子1]離櫂1ドジ、イ、ノ
イルムをうよネート[1、ドライフィルムの導体回路に
相当する部分に紫外線を照射11、もバタ・〜・ンを焼
ぎ付けた(な、トリクIJIコエタ゛/(こよリノイル
ムを現像[7、しジストパターシを形成し、た3、:j
り(パ、第・1表に示ずような賀彪′銅メッギ条件で銅
薄8Qのt−に電解メッキを藤[5、必要な膜厚の導体
回路も・得た後、ジクしl[1メタ)によりし・シスト
膜を’f、ll離させた。
イルムをうよネート[1、ドライフィルムの導体回路に
相当する部分に紫外線を照射11、もバタ・〜・ンを焼
ぎ付けた(な、トリクIJIコエタ゛/(こよリノイル
ムを現像[7、しジストパターシを形成し、た3、:j
り(パ、第・1表に示ずような賀彪′銅メッギ条件で銅
薄8Qのt−に電解メッキを藤[5、必要な膜厚の導体
回路も・得た後、ジクしl[1メタ)によりし・シスト
膜を’f、ll離させた。
第 4 表
(以下余白)
最後ニ、iII度20 g/Qの過硫酸アンモ:−ウム
溶液中に数分間浸漬し、電解銅メッキから露出した部分
の無電解メッキを剥離させて金属ベース配線基板な得た
。
溶液中に数分間浸漬し、電解銅メッキから露出した部分
の無電解メッキを剥離させて金属ベース配線基板な得た
。
(従来例I)
厚さ]、 mmのアルミニウム基板に第5表に示すよう
な組成からなる接着剤をトクターブI7・−ド法で塗布
l、て絶縁層を形成し、この溶剤を蒸発乾燥させた後、
180°Cで2時間加熱して硬化させた1、ついで、実
施例と同様のセミアデイティブ法により所望パターンの
導体回路を得た。
な組成からなる接着剤をトクターブI7・−ド法で塗布
l、て絶縁層を形成し、この溶剤を蒸発乾燥させた後、
180°Cで2時間加熱して硬化させた1、ついで、実
施例と同様のセミアデイティブ法により所望パターンの
導体回路を得た。
第5表
ブ[/−1・法で塗布し、溶剤を乾燥させて絶縁層を形
成した後、35mm厚の銅箔を絶縁層に重ね、5kg
f/ cm”の圧力でJ80’C22時間力fl熱圧着
させ、銅張り金属ベース配線基板を得た。この後、塩化
鉄(・こよる■エツチングに上り1IIil箔をエツチ
ングし、サブトラクtイブ法で回路パターンを得た。
成した後、35mm厚の銅箔を絶縁層に重ね、5kg
f/ cm”の圧力でJ80’C22時間力fl熱圧着
させ、銅張り金属ベース配線基板を得た。この後、塩化
鉄(・こよる■エツチングに上り1IIil箔をエツチ
ングし、サブトラクtイブ法で回路パターンを得た。
(実施例、従来例1及び従来例2の比較)上記のように
して実施例、従来例]2及び従来例2の金属ベース配線
基板を得た後、それぞれの金属ベース配線基板について
、導体回路の剥離強度、耐アーク性、および」′田耐熱
性を測定し2、比較した。結果な次の第6表に示す。
して実施例、従来例]2及び従来例2の金属ベース配線
基板を得た後、それぞれの金属ベース配線基板について
、導体回路の剥離強度、耐アーク性、および」′田耐熱
性を測定し2、比較した。結果な次の第6表に示す。
第 O表
(従来例2)
厚さ]、、 mmのアルミニウド、基板に従来例1と同
じく第5表のような組成からなる接着剤なドクターなお
、導体回路の剥離強度の測定法は、JISC64815
,7項に従った。つまり、アルミニウム基板の表面(・
こ絶縁層を介して導体の層を形成し、たrジ]、アルミ
ニウム基板の両/Jl11部において、ノ”イフ切断ま
たはエッチシフにより導体を除f二し、第5図に示すよ
・)じ、アルミニウム基オル31(長さL= 1.00
mm、幅W>25mm)の中す一部むこ幅W]、Om
mの導体32を残してサンプル33を用意し、引張試験
機によって導体32をアルミニウム基板31と直角な方
向に引き剥かした時の単位幅当たりの最低荷重Fを測定
した。また、耐アーク性は、高電圧アーク発火試験(U
1.、−7476 )に準じて行−〕た1、すなわち
、第6図に示ずよう(こ、アルミニウノ、基板41の十
に絶縁層42を形成17たサンプル43を用意、し、絶
縁層42の表面にθ(=30” )の角度で一対の電極
44.4.5を先端i巨離Sが6.35cm (0,2
51nch)となるように対向させ、画電極4.4.,
4.5間に5.2kVの開放電圧を印加し、電極44.
45間かショートするまでの時間を測定した。さらに、
半田耐熱性は、半田槽内の溶融した(この場も、260
’+T )半田液中に金属ベース配線基枦を浸漬[5、
アルミニ・クム基板と絶縁層の剥離が生じたり、!:f
h縁層のエポキシ樹nhにクラックか発生4るまでの時
朋を測定したものである6、 −F記第O表から分かるよう(・こ、実施例の十[]1
耐熱性は、同じくアラ゛イテイブ法による従来例1と同
様に、サフ)・ラクデイブ注による従来例2と1.ヒ較
して2倍も(7くは2倍以1−の耐熱時間を有[7てい
る。
じく第5表のような組成からなる接着剤なドクターなお
、導体回路の剥離強度の測定法は、JISC64815
,7項に従った。つまり、アルミニウム基板の表面(・
こ絶縁層を介して導体の層を形成し、たrジ]、アルミ
ニウム基板の両/Jl11部において、ノ”イフ切断ま
たはエッチシフにより導体を除f二し、第5図に示すよ
・)じ、アルミニウム基オル31(長さL= 1.00
mm、幅W>25mm)の中す一部むこ幅W]、Om
mの導体32を残してサンプル33を用意し、引張試験
機によって導体32をアルミニウム基板31と直角な方
向に引き剥かした時の単位幅当たりの最低荷重Fを測定
した。また、耐アーク性は、高電圧アーク発火試験(U
1.、−7476 )に準じて行−〕た1、すなわち
、第6図に示ずよう(こ、アルミニウノ、基板41の十
に絶縁層42を形成17たサンプル43を用意、し、絶
縁層42の表面にθ(=30” )の角度で一対の電極
44.4.5を先端i巨離Sが6.35cm (0,2
51nch)となるように対向させ、画電極4.4.,
4.5間に5.2kVの開放電圧を印加し、電極44.
45間かショートするまでの時間を測定した。さらに、
半田耐熱性は、半田槽内の溶融した(この場も、260
’+T )半田液中に金属ベース配線基枦を浸漬[5、
アルミニ・クム基板と絶縁層の剥離が生じたり、!:f
h縁層のエポキシ樹nhにクラックか発生4るまでの時
朋を測定したものである6、 −F記第O表から分かるよう(・こ、実施例の十[]1
耐熱性は、同じくアラ゛イテイブ法による従来例1と同
様に、サフ)・ラクデイブ注による従来例2と1.ヒ較
して2倍も(7くは2倍以1−の耐熱時間を有[7てい
る。
また、導体剥離強度は、ザブトラクチイブ法(こよる従
来例2か最も高い。L、かし、同し′クアデイティブ法
による実施例と従来例1とな比軸すると実施例では、従
来例]の5倍強の剥離強度が得られており、ガラス繊維
パウダ′−を絶縁層に混入したことに、Lす、従来例2
に近い剥離強度か得られた。さらに、実施例の金属ベー
ス配線基板の耐アーク性については、従来例]及び2の
それぞれの耐久時間の3倍強の値を示しており、ガラス
繊維パウダーな分散させたことにより、高い耐アーク性
が得られた。
来例2か最も高い。L、かし、同し′クアデイティブ法
による実施例と従来例1とな比軸すると実施例では、従
来例]の5倍強の剥離強度が得られており、ガラス繊維
パウダ′−を絶縁層に混入したことに、Lす、従来例2
に近い剥離強度か得られた。さらに、実施例の金属ベー
ス配線基板の耐アーク性については、従来例]及び2の
それぞれの耐久時間の3倍強の値を示しており、ガラス
繊維パウダーな分散させたことにより、高い耐アーク性
が得られた。
従って、絶縁層内にガラス繊維パウダーを分散させるこ
とにより、優れた特性の金層・\−ノ配線基板を得るこ
とができた。
とにより、優れた特性の金層・\−ノ配線基板を得るこ
とができた。
[[発明の効果]
本発明によれば、絶縁層に含有されているカラス繊維パ
ウダーのために、絶縁層の表面が粗化され易くなり、絶
縁層表面の粗度が犬ぎくなることにより、無電解メッキ
層の絶縁層表面への付着強度が大とくなり、この結果、
導電体層の剥離強度を大ぎくすることができる。さらに
、絶縁層に含まれているガラス繊維パウダーのために、
金属ベース配線基板の耐熱性や耐アーク性等の特性も向
上する。
ウダーのために、絶縁層の表面が粗化され易くなり、絶
縁層表面の粗度が犬ぎくなることにより、無電解メッキ
層の絶縁層表面への付着強度が大とくなり、この結果、
導電体層の剥離強度を大ぎくすることができる。さらに
、絶縁層に含まれているガラス繊維パウダーのために、
金属ベース配線基板の耐熱性や耐アーク性等の特性も向
上する。
第1図(a) (b) (c) (d)は本発明の一実
施例の製造工程を示す断面図、第2図(a) (b)
(c) (d) (e) (f)は本発明の別な実施例
の製造工程を示す断面図、第3図はガラス繊維パウダー
の添加量とMll 4強度との関係な示すグラフ、第4
図はガラス繊維パウダーの平灼ガラス繊維長と剥離強度
との関係を示すグラフ、第5図は導体回路の剥離強度計
j定方性を説明するだめの斜視図、第6図は耐アーク性
を測定するための方法を説明する止面し1である。 222・・金属−1−ス 3.23・・・絶縁層 6.24・・無電解メッキ層 27・・・電解メッキ層 7.28・・溝体回路 特許用願人 株式会社 村田製作所 代理人 弁理士 中 野 雅 房 (b) (’C) 第 図 (a) とbノ 第 図 3埼峯(重量%つ 第 図 千1勺力゛ラス紅へ」通]長(μm (d) 、27..25 (e)
施例の製造工程を示す断面図、第2図(a) (b)
(c) (d) (e) (f)は本発明の別な実施例
の製造工程を示す断面図、第3図はガラス繊維パウダー
の添加量とMll 4強度との関係な示すグラフ、第4
図はガラス繊維パウダーの平灼ガラス繊維長と剥離強度
との関係を示すグラフ、第5図は導体回路の剥離強度計
j定方性を説明するだめの斜視図、第6図は耐アーク性
を測定するための方法を説明する止面し1である。 222・・金属−1−ス 3.23・・・絶縁層 6.24・・無電解メッキ層 27・・・電解メッキ層 7.28・・溝体回路 特許用願人 株式会社 村田製作所 代理人 弁理士 中 野 雅 房 (b) (’C) 第 図 (a) とbノ 第 図 3埼峯(重量%つ 第 図 千1勺力゛ラス紅へ」通]長(μm (d) 、27..25 (e)
Claims (1)
- (1)金属ベースの表面に絶縁層を形成し、この絶縁層
の上に導電体層を形成した金属ベース配線基板の製造方
法であって、 ガラス繊維パウダーを5重量%以上40重量%以下の割
合で含有するエポキシ樹脂系材料を金属ベースの上に塗
布して絶縁層を形成した後、絶縁層の表面に粗化処理を
施し、 この絶縁層の表面に無電解メッキ層を形成し、ついで、
必要に応じて無電解メッキ層の上に電解メッキ層を形成
することにより導電体層を設けることを特徴とする金属
ベース配線基板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16533690A JPH0461195A (ja) | 1990-06-22 | 1990-06-22 | 金属ベース配線基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16533690A JPH0461195A (ja) | 1990-06-22 | 1990-06-22 | 金属ベース配線基板の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0461195A true JPH0461195A (ja) | 1992-02-27 |
Family
ID=15810401
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP16533690A Pending JPH0461195A (ja) | 1990-06-22 | 1990-06-22 | 金属ベース配線基板の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0461195A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7444817B2 (en) | 2003-06-13 | 2008-11-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical micromotor, micropump using same and microvalve using same |
US7530795B2 (en) | 2003-06-13 | 2009-05-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Fluid control mechanism |
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1990
- 1990-06-22 JP JP16533690A patent/JPH0461195A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US7444817B2 (en) | 2003-06-13 | 2008-11-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical micromotor, micropump using same and microvalve using same |
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