JPH0453174A - 熱電変換素子材料の製造方法 - Google Patents
熱電変換素子材料の製造方法Info
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Landscapes
- Powder Metallurgy (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は熱を電気に直接変換する熱電変換素子材料の製
造方法に係り、特に、高いエネルギー変換効率を有する
化合物熱電変換素子材料の製造方法に関する。
造方法に係り、特に、高いエネルギー変換効率を有する
化合物熱電変換素子材料の製造方法に関する。
従来、熱電変換素子材料を製造する場合、該素子材料と
なる複数の原料を一緒に溶解し、急冷凝固することでア
モルファス物質を作成し、100μm以下の微粒子に粉
砕し、冷間ブレスにより加圧成型し、熱処理を行うこと
で熱電変換素子材料を製造している。
なる複数の原料を一緒に溶解し、急冷凝固することでア
モルファス物質を作成し、100μm以下の微粒子に粉
砕し、冷間ブレスにより加圧成型し、熱処理を行うこと
で熱電変換素子材料を製造している。
熱電変換素子の性能を表す指数は、
α2σ
2= αは熱起電力、σは電気伝に
導率、Kは熱伝導率であり、電気伝導率σ及び熱起電力
αを高めるか、熱伝導率Kを下げることが熱電性能を高
める方法である。
αを高めるか、熱伝導率Kを下げることが熱電性能を高
める方法である。
第2図は、従来の急冷凝固法による原子構造の模式図を
示す。第2図において、1は原子、2は結合の手が切れ
たダングリングボンドである。
示す。第2図において、1は原子、2は結合の手が切れ
たダングリングボンドである。
従来法の急冷凝固法では、原子構造にひずみがあるアモ
ルファス構造をもつ熱電変換物質が得られると同時に、
ところどころに、第2図の2のように結合の手が切れた
部分を生じる。結合の手が切れた部分は、ダングリング
ボンドと呼ばれている。このダングリングボンドが多く
発生すると電気伝導率σが低下し、熱電変換性能指数Z
は低下する。
ルファス構造をもつ熱電変換物質が得られると同時に、
ところどころに、第2図の2のように結合の手が切れた
部分を生じる。結合の手が切れた部分は、ダングリング
ボンドと呼ばれている。このダングリングボンドが多く
発生すると電気伝導率σが低下し、熱電変換性能指数Z
は低下する。
原子構造にひずみのあるアモルファス熱電変換物質は、
格子ひずみにより熱伝導率が減少し、一般に熱伝性能は
向上し、エネルギー変換効率が高くなる。
格子ひずみにより熱伝導率が減少し、一般に熱伝性能は
向上し、エネルギー変換効率が高くなる。
本発明は上記技術水準に鑑み、ダングリングボンドを減
少させ、熱電変換性能が増大した熱電変換素子材料の製
造方法を提供しようとするものである。
少させ、熱電変換性能が増大した熱電変換素子材料の製
造方法を提供しようとするものである。
本発明は熱電変換素子材料の原料である複数の金属材料
を溶解した後、急冷凝固し、更に該急冷凝固物を粉砕し
た後、減圧雰囲気中で該粉末に、反応性ガスと不活性ガ
スとの混合ガスを放電させることによって発生するプラ
ズマを照射し、該プラズマ照射粉末を加圧成形した後、
該加圧成形物の結晶化温度以下で熱処理することを特徴
とする熱電変換素子材料の製造方法である。
を溶解した後、急冷凝固し、更に該急冷凝固物を粉砕し
た後、減圧雰囲気中で該粉末に、反応性ガスと不活性ガ
スとの混合ガスを放電させることによって発生するプラ
ズマを照射し、該プラズマ照射粉末を加圧成形した後、
該加圧成形物の結晶化温度以下で熱処理することを特徴
とする熱電変換素子材料の製造方法である。
すなわち、本発明はBiaTe+ 、 FeSi2.
PbTe 。
PbTe 。
5iGeのような熱電変換素子材料の複数の原料を一緒
に溶解した後、急冷凝固させて薄片にし、ボールミル等
適宜の粉砕装置を用いて100μm以下に粉砕し、炭化
水素系ガス、水素ガス、酸素ガス等の反応性ガスのいず
れかと不活性ガスのと混合ガスを減圧雰囲気(760T
orr以下)中で放電させることにより生成したプラズ
マを」二記薄片に照射することで原子構造中のダングリ
ングボンドにプラズマ原子を結合させる。その場合、粉
砕した急冷凝固物質に対してプラズマが有効に照射でき
るように、粉砕した急冷凝固物質を攪拌すること及びさ
らに反応効率を向上させるために粉砕した急冷凝固物質
を結晶化温度以下で加熱し、プラズマ照射するのが特に
好ましい。
に溶解した後、急冷凝固させて薄片にし、ボールミル等
適宜の粉砕装置を用いて100μm以下に粉砕し、炭化
水素系ガス、水素ガス、酸素ガス等の反応性ガスのいず
れかと不活性ガスのと混合ガスを減圧雰囲気(760T
orr以下)中で放電させることにより生成したプラズ
マを」二記薄片に照射することで原子構造中のダングリ
ングボンドにプラズマ原子を結合させる。その場合、粉
砕した急冷凝固物質に対してプラズマが有効に照射でき
るように、粉砕した急冷凝固物質を攪拌すること及びさ
らに反応効率を向上させるために粉砕した急冷凝固物質
を結晶化温度以下で加熱し、プラズマ照射するのが特に
好ましい。
プラズマ照射後場合によってはこの粉砕物質に成型のた
めのバインダーを加え、加圧成型する。これを結晶化温
度以下で数時間熱処理を行い焼結を行う。
めのバインダーを加え、加圧成型する。これを結晶化温
度以下で数時間熱処理を行い焼結を行う。
本発明によるプラズマ処理によって、従来の急冷凝固法
により生成される物質より原子構造中の結合の手が切れ
た部分が減少し、電気伝導率σが向上するので性能指数
Zは向上し、高いエネルギー変換効率を有する化合物熱
電変換素子材料を製造することができる。
により生成される物質より原子構造中の結合の手が切れ
た部分が減少し、電気伝導率σが向上するので性能指数
Zは向上し、高いエネルギー変換効率を有する化合物熱
電変換素子材料を製造することができる。
本発明において、反応性ガスに不活性ガスを混合する理
由は、反応性ガス100%ではプラズマによる反応生成
物が過剰に生成してしまい、熱電変換素子材料の性能を
低下させてしまうので、反応を起こさない不活性ガスに
よって反応性ガスを希釈するのである。
由は、反応性ガス100%ではプラズマによる反応生成
物が過剰に生成してしまい、熱電変換素子材料の性能を
低下させてしまうので、反応を起こさない不活性ガスに
よって反応性ガスを希釈するのである。
本発明でいう不活性ガスとはHe、Ne、Ar。
にr、Xe、Rnガスなとをい−1これら以外のガス例
えばCH4、0−、H2、N2等は全て反応性ガスであ
る。
えばCH4、0−、H2、N2等は全て反応性ガスであ
る。
以下、本発明の一実施例を第1図によって説明する。第
1図において、1は真空容器、2は該容器1内の圧力を
減圧するための真空ポンプ、3はプラズマ発生電源、4
はプラズマ流、5はランプヒータ、6は攪拌機、7は原
料台、8は原料、9はガス供給管、10はモータである
。
1図において、1は真空容器、2は該容器1内の圧力を
減圧するための真空ポンプ、3はプラズマ発生電源、4
はプラズマ流、5はランプヒータ、6は攪拌機、7は原
料台、8は原料、9はガス供給管、10はモータである
。
FeSi2熱電変換素子材料を例におって説明すると、
先ずPeと81を化学量論的に1:2になるように溶解
を行い、この溶融液を急冷してアモルファス状のFe5
lzを得る。このアモルファス状FeSi、をボールミ
ルにより粒径が100μm以下になるまで粉砕する。次
にこの粉砕されたアモルファス状p6312粉末は上記
第1図の真空容器1内の原料台7の上に原料8としてお
かれ、原料8はランプヒータ5で表面を加熱されながら
撹拌棒6によって攪拌される。
先ずPeと81を化学量論的に1:2になるように溶解
を行い、この溶融液を急冷してアモルファス状のFe5
lzを得る。このアモルファス状FeSi、をボールミ
ルにより粒径が100μm以下になるまで粉砕する。次
にこの粉砕されたアモルファス状p6312粉末は上記
第1図の真空容器1内の原料台7の上に原料8としてお
かれ、原料8はランプヒータ5で表面を加熱されながら
撹拌棒6によって攪拌される。
次に、真空ポンプ2により真空容器1内を10−6To
rr以下に減圧後、ガス供給管9より反応性ガス(CL
、 02 、 H2,N2) 20%、不活性ガス(
Ar)80%の混合ガスを導入し、真空容器1内を10
−’Torr以上(こ\では20 Torr)にする。
rr以下に減圧後、ガス供給管9より反応性ガス(CL
、 02 、 H2,N2) 20%、不活性ガス(
Ar)80%の混合ガスを導入し、真空容器1内を10
−’Torr以上(こ\では20 Torr)にする。
そこでプラズマ発生電源3により放電させプラズマ流4
を発生させる。予め粉砕されたアモルファス状FeS+
z粉末は攪拌機6により攪拌され、このプラズマ流4に
よって3時間以上照射される。この間ランプヒータ5に
よって該粉末の表面は結晶化温度以下の500℃まで加
熱される。
を発生させる。予め粉砕されたアモルファス状FeS+
z粉末は攪拌機6により攪拌され、このプラズマ流4に
よって3時間以上照射される。この間ランプヒータ5に
よって該粉末の表面は結晶化温度以下の500℃まで加
熱される。
このような処理により、第2図に示した原子構造中のダ
ングリングボンドにCH,、0,、H,。
ングリングボンドにCH,、0,、H,。
N2などのプラズマ原子が結合し、電気伝導率σが大き
くなり、熱電変換指数Zが向上する。
くなり、熱電変換指数Zが向上する。
プラズマ照射後のFeSi、粉末には、必要に応じて1
重量%のポリビニルアルコールをバインダとして加え、
1.5トン/cdで加圧成型する。
重量%のポリビニルアルコールをバインダとして加え、
1.5トン/cdで加圧成型する。
成型体は真空炉で400℃、3時間加熱してポリビニル
アルコールを除いた後、結晶化温度以下で焼成する。こ
のようにすることによってFe5I2熱電変換素子材料
を得る。
アルコールを除いた後、結晶化温度以下で焼成する。こ
のようにすることによってFe5I2熱電変換素子材料
を得る。
プラズマ処理を行った場合の300Kにおける電気伝導
度を表1に示す。(反応性ガスとして、CH4、02、
H2、N2(Dイずれが10%と不活性ガスとしてAr
20%の混合ガスを用いた場合) 表 1 このように本発明によりアモルファス中のダングリング
ボンドの数は減少し、電気伝導度はプラズマ無処理のも
のに比べ明らかに増加し、熱電変換性能は増大し、エネ
ルギー変換効率の高い化合物変換物質を製造することが
可能になる。
度を表1に示す。(反応性ガスとして、CH4、02、
H2、N2(Dイずれが10%と不活性ガスとしてAr
20%の混合ガスを用いた場合) 表 1 このように本発明によりアモルファス中のダングリング
ボンドの数は減少し、電気伝導度はプラズマ無処理のも
のに比べ明らかに増加し、熱電変換性能は増大し、エネ
ルギー変換効率の高い化合物変換物質を製造することが
可能になる。
本発明によりエネルギー変換効率の高い熱電変換素子材
料が製造できる。
料が製造できる。
第1図は本発明の一実施例を実施するに適した装置の概
略図、第2図は急流凝固法による原子構造の模式図であ
る。
略図、第2図は急流凝固法による原子構造の模式図であ
る。
Claims (1)
- 熱電変換素子材料の原料である複数の金属材料を溶解
した後、急冷凝固し、更に該急冷凝固物を粉砕した後、
減圧雰囲気中で該粉末に、反応性ガスと不活性ガスとの
混合ガスを放電させることによって発生するプラズマを
照射し、該プラズマ照射粉末を加圧成形した後、該加圧
成形物の結晶化温度以下で熱処理することを特徴とする
熱電変換素子材料の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2157457A JP2721737B2 (ja) | 1990-06-18 | 1990-06-18 | 熱電変換素子材料の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2157457A JP2721737B2 (ja) | 1990-06-18 | 1990-06-18 | 熱電変換素子材料の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0453174A true JPH0453174A (ja) | 1992-02-20 |
JP2721737B2 JP2721737B2 (ja) | 1998-03-04 |
Family
ID=15650082
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2157457A Expired - Fee Related JP2721737B2 (ja) | 1990-06-18 | 1990-06-18 | 熱電変換素子材料の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2721737B2 (ja) |
-
1990
- 1990-06-18 JP JP2157457A patent/JP2721737B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2721737B2 (ja) | 1998-03-04 |
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