JPH0451143A - ハロゲン化銀写真感光材料 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、支持体上に／％ロゲン化銀感光層を有する写
真感光材料に関し、更に詳しくは高コントラストが得ら
れるノ・ロゲン化銀写真感光材料に関する。

〔発明の背景〕

写真製版工程では連続調の原稿を網点画像に変換する工
程か含まれる。この工程には、超硬調の画像再現をなし
得る写真技術として伝染現像による技術か用いられてき
た。

伝染現像に用いられるリス型／−ロゲン化銀写真感光材
料は、例えば平均粒子径が０．２μｍで粒子分布が狭く
粒子の形も揃っていて、かつ塩化銀の含有率の高い（少
なくとも５０モル％以上）塩臭化銀乳剤よりなる。この
リス型ノ＼ロゲン化銀写真感光材料を亜硫酸イオン濃度
が低いアＪレカリ性／＼イドロキノン現像液で処理する
ことにより高し・コントラスト、高鮮鋭度、高解像力の
画像が得られる。

しかしながら、これらのリス型現像液は空気酸化を受け
やすいことがら保恒性か極めて悪（／１ｊこめ、連続使
用の際においても、現像品質を一定に保つことは難しい
。

上記のリス型現像液を使わずに迅速ｊこ、かつ高コント
ラストの画像を得る方法が知られてし）る。

例えは米国特許第２，４１９．９７５号、特開昭５１−
１６６２３号及び特開昭５１−２０９２１号、特開昭５
６−１０６２４４号等に見られるように、ノ１０ゲン化
銀感光材料中ｔこヒドラジン誘導体を含有せしめるもの
である。

これらの方法によれば、現像液中に亜硫酸イオン濃度を
高く保つことができ、保恒性を高めた状態で処理するこ
とかできる。

しかしながら、これらの方法では、ヒドラ・ジン誘導体
の硬調性を充分発揮させるため（こｐＨ１１以上のｐＨ
を有する現像液で処理しなければならなかつた。ｐＨ］
１以上の高いｐＨを有する現像液は、空気にふれると現
像主薬が酸化しやすいリス現像液よりは安定であるが、
現像主薬の酸化によって、しばしば超硬調な画像が得ら
れないことがある。

この欠点を補うために特開昭６３−２９７５１号及びヨ
ーロッパ特許３３３４３５号、同３４５０２５号には、
比較的低ｐＨの現像液でも硬調化する硬調化剤を含むハ
ロゲン化銀写真感光材料が開示されている。

しかし、これらのような硬調化剤を含むハロゲン化銀写
真感光材料をｐＨ１１未満の現像液で処理した場合、硬
調化が不充分であり、満足な網点性能が得られないのが
現状である。

一方、ヨーロッパ特許３６４１６６号及び特開昭６２−
２２２２４１号、同６０−１４０３４０号、同６２−２
５０４３９号、同６２−２８０７３３号等には硬調化を
促進する為の造核促進剤が記載されており、確かにこれ
らの化合物を乳剤層に添加することにより、網点性能は
良くなるが、網点中に砂状、ピン状のカブリいわゆる黒
ピンが発生して網点画像の品質を損なうという問題点を
生ずることかわかった。

従って、上記諸問題を解決した、有効な硬調化剤及び造
核促進剤を用いた感光材料が望まれて（１）る。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、ｐＨ１１未満の現像液で処理しても硬
調な写真特性を有すると共に、網点画像中ｌ二発生する
カブリを抑制して良好な網点性能を有するハロゲン化銀
写真感光材料を提供することＩこある。

〔発明の構成〕

本発明の上記目的は、下記構成の７・ロゲン化銀写真感
光材料により達成された。

即ち、少なくとも１層の７・ロゲン化銀乳剤層を有する
ハロゲン化銀写真感光材料にお（−で、下記一般式〔Ａ
〕で表されるヒドラジン化合物を少なくとも１種含有し
、かつアミン化合物、ヒドラジン化合物、四級オニウム
塩化合物から選ばれる少なくとも１種の造核促進化合物
を含有することを特徴とするハロゲン化銀写真感光材料
によって上記目的は達成された。

入 式中、Ｘはアシルアミノ、ウレイド、ヒドラジノカルボ
ニルアミノ、スルホンアミド、アミノスルホンアミド、
オキシカルボニルアミノ、−３−Ｒ１、 カルボニルアミノ、　　Ｎ−又はＲ３０−のいずれかの
基を表す。Ｒ１及びＲ２は各々、水素原子、又はアルキ
ル、アリール、複素環のいずれかの基を表し、Ｒ１とＲ
２で窒素原子と共に環を形成してもよびＲ５は各々、水
素原子又は置換可能な基であり、環を形成してもよい。

Ｒ５は水素原子、又はアリル、複素環のいずれかの基を
表す。

Ｒは水素原子又はブロック基を表す。ｚｌ及びｚ２は置
換可能な基を表し、ｎ及びｍは０〜４の整数を表す。ｎ
、ｍが２以上のとき、各Ｚｒ、Ｚ２は同一でも異なって
いてもよい。

Ａ、及びＡ２は共に水素原子であるか、又は一方が水素
原子で他方はアシル、スルホニル又はオキザリルのいず
れかの基を表す。

一般式〔Ａ〕について更に詳しく説明する。

Ｘはアシルアミノ（例えばオクタンアミド、テトラデカ
ンアミド等の基）、ウレイド（例えばヘキシルウレイド
、δ−（２，４−ジーし一アシルフェノキシ）ブチルウ
レイド等の基）、ヒドラジノカルボニルアミノ（例えば
２．２−ジブチルヒドラジ７カルポニルアミノ、２−フ
ェニル−２−メチルヒドラジノカルボニルアミノ等の基
）、スルホンアミド（例えばヘキサデカンスルホンアミ
ド、４−ブトキシベンゼンスルホンアミド、モルホリノ
スルホンアミド等の基）、アミノスルホンアミド（例え
ばＮ、Ｎ−ジブチルスルファモイルアミノ、Ｎ、Ｎ−ジ
メチルスルファモイルアミノ等の基）、オキシカルボニ
ルアミノ（例えばオクチルオキシカルボニルアミノ、ベ
ンジルオキシカルボニルアミノ等の基）　、−Ｓ〜カル
ボニルアミノ（例えばＣａ１（，７ＳＣＯＮＨ−、Ｃ５
ＨｓＳＣＯＲ，及びＲ２は各々、水素原子、アルキル（
例えばメチル、エチル、プロピル、ブチル、シクロヘキ
シル等の基）、アリール（例えばフェニル、ナフチル等
の基）、複素環（例えばピリジル、チエニル、ピペリジ
ノ、モルホリノ等の基）の６基を表すが、Ｒ，とＲ１で
窒素原子と共に環（例えばピペリジノ、ピペラジノ、モ
ルホリノ等の環）ヲＲ１及びＲ３は各々、水素原子又は
置換可能な基（例えばアルキル、アリール、複素環等の
基）であり、環（例えばシクロヘキサン、チアゾール、
オキサゾール、ベンゾチアゾール等の環を）形成しても
よい。

Ｒｓは水素原子、アリール（例えばフェニル、ナフチル
等の基）、複素環（例えばピペリジノ、モルホリノ、テ
トラヒドロピラニル、ピリジル、チエニル等の基）の６
基を表す。

Ｒとしては水素原子、及びブロック基としてのアルキル
（例えば、メチル、エチル、ベンジル、メトキシメチル
、トリフルオロメチル、フェノキシメチル、ヒドロキシ
メチル、メチルチオメチル、フェニルチオメチル等の基
）、アリール（例えばフェニル、クロルフェニル等の基
）、ａ素ｍ　（Ｎえばピリジル、チエニル、フリル等の
基）、Ｒ，及びＲ７は水素原子、アルキル（例えばメチ
ル、エチル、ベンジル等の基）、アルケニル（例えばア
リル、ブテニル等の基）、アルキニル（例えばプロパル
ギル、ブチニル等の基）、アリール（例えばフェニル、
ナフチル等の基）、複素環（例えば２，２．６．６−チ
トラメチルビベリジニル、Ｎ−エチル−Ｎ′−エチルピ
ラゾリジニル、ピリジル等の基）、ヒドロキシル、アル
コキシ（例えばメトキシ、エトキシ等の基）、アミノ（
例えばアミノ、メチルアミノ等の基）の６基を表し、Ｒ
，とＲ７で窒素原子と共に環（例えばピペリジノ、モル
ホリノ等の環）を形成してもよい。

Ｒ，は水素原子、アルキル（例えばメチル、エチル、ヒ
ドロキシエチル等の基）、アルケニル（例えばアリル、
ブテニル等の基）、アルキニル（例えばプロパルギル、
ブチニル等の基）、アリール（例えばフェニル、ナフチ
ル等の基）、複素環（例えば２，２．６．６−チトラメ
チルビペリジニル、Ｎ−メチルピペリジニル、ピリジル
等の基）の多基を表す。

ｚｌ及び２．は置換可能な基（例えばアルキル、アリー
ル、複素環、ヒドロキシル、アルコキシ、アミノ、アシ
ルアミノ、ウレイド、ヒドラジノカルボニルアミノ、ス
ルホンアミド、アミノスルホンアミド、オキシカルボニ
ルアミノ、−８−カルボ７アモイル、ハロゲン等の基）
を表す。

Ａ１及びＡ、は共に水素原子、又は一方が水素原子で他
方はアシル（例えばアセチル、トリフルオロアセチル等
の基）、スルホニル（例えばメタンスルホニル、トルエ
ンスルホニル等の基）、オキザリル（例えばエトキザリ
ル等の基）の多基を表すが、Ａ１及びＡ、は共に水素原
子であることが最も好ましい。

本発明において、Ｒが水素の時、又はヒドラジノカルボ
ニルアミド、スルホンアミド、アミノスルホンアミド、
オキシカルボニルアミノ、−８−カＲがアルキル、アリ
ール、複素環の時、Ｘはアシルアミノ、ヒドラジノカル
ボニルアミノ、スルホンアミド、アミノスルホンアミド
、オキシカルＲ，Ｏ−の多基が好ましい。

Ｒが水素原子、アルキル、アリール、複素環の時、Ｘが
表すスルホンアミド及びアミノスルホンアミドとしては
％Ａｌ及びＡ、を除いた分子中の総炭素数が２０以下と
なるようなものが好ましい。

ケニル、アルキニル、アリール、ヒドロキシル、アルコ
キシ、アミンの時、Ｘはアシルアミノ、ウレイド、ヒド
ラジノカルボニルアミノ、スルホンアミド、アミノスル
ホンアミド、オキシカルボニル基が好ましい。

Ｒ１及びＲ７が、アルキル、複素環の時、Ｘはウレイド
、ヒドラジノカルボニルアミノ、スルホンアミド、アミ
ノスルホンアミド、オキシカルポニ多基が好ましい。

Ｒが−ＣＯＯＲ＆の時、Ｘはアシルアミノ、ウレイド、
ヒドラジノカルボニルアミノ、スルホンアミド、アミノ
スルホンアミド、オキシカルボニルアミノ、しい。

本発明において好ましいＲは、水素原子、アル更に好ま
しいＲは、置換アルキル（例えばアルコキシ、アリール
オキシ、アルキルチオ、アリー−ＣＯＯＲ，の多基であ
る。

素原子、アルキル、アルケニル、飽和複素環が好ましい
。

上記一般式〔Ａ〕で表される化合物の代表的具体例を以
下に示すが、本発明はこれらに限定されるものではない
。

Ｃ２Ｈ。

旨 Ｃ２Ｈ。

次に本発明の化合物の合成法について述べる。

例えば化合物（１）は欧州特許３３０．１０９号に記載
の中間体より次の合成法に従って合成できる。

化合物（３２）は特開平２−３７号記載の中間体より次
の合成法に従って合成できる。

（Ｖ）−ｂ、　　ＣＶ）−ｃ、　　［ＶＩ）−ａ、　　
ＣＶＩ）　　　ｂ、　　（ＶＴ）−Ｃの化合物が挙げら
れる。

般式Ｃ１） その他の化合物も同様の合成法で合成することができる
。

本発明において一般式〔Ａ〕で表される化合物と併用さ
れる造核促進化合物のアミン化合物、ヒドラジン化合物
、四級オニウム塩化合物としては、下記の一般式ＣＩ）
〜〔■〕の化合物が挙げられる。

この中で好ましい化合物としては、［：Ｖ）−ａ。

Ｒ、、Ｒ２，Ｒ、は水素原子又は置換基表す。Ｒ１゜Ｒ
２，Ｒ３は互いに連結して環を形成してもよい。

ＲＩ＋Ｒ２，Ｒ３が表す置換基としては、例えばアルキ
ル基（例えばメチル、エチル、プロピル、ブチル、ヘキ
シル、シクロヘキシル等の基）、アルケニル基（例えば
アリル、ブテニル等の基）、アルキニル基（例えばプロ
パルギル、ブチニル等の基）、アリール基（例えばフェ
ニル、ナフチル等）基）、ヘテロ環基（例えばピペリジ
ニル、ピペラジニル、モルホリニル、ピリジル、フリル
、チエニル、テトラヒドロフリル、テトラヒドロチエニ
ル、スルホラニル等の基）か挙げられる。

Ｒ、、Ｒ２，Ｒ３が互いに連結して形成してもよい環と
しては、例えはピペリジン、モルホリン、ピペラジン、
キヌクリジン、ピリジン等の環か挙げられる。

Ｒｌ＋Ｒ２＋Ｒ３で表される基には更に置換基（例えば
ヒドロキシル、アルコキシ、アリールオキシ、カルボキ
シル、スルホ、アルキル、アリール等の基）が置換して
いてもよい。Ｒ、、Ｒ２，Ｒ、としては水素原子及びア
ルキル基が好ましい。

以下に代表的具体例を示す。

Ｉ−Ｉ　　　　　　　　ｌ−２ （Ｃ２Ｈｓ）２ＮＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２０ＨＣＨｓＮＨＣ
ＨｚＣＨ２０Ｈ１−３ｌ−４ （Ｃ２Ｈ６）２ＮｃＨ２ｃＨｚＯＨ（Ｃ２Ｈｓ）ｚＮｃ
ＨｚｃＨｃＨｚＯＨＨ Ｉ−９　　　　　　　　　　　　　　Ｉ−１０（１−ｃ
３Ｈ７）２ＮＨ　　　　　　　　　　Ｃ，ＨｓＮ（ＣＨ
ｚＣＨ２０Ｈ）２（Ｐｈ　　ＣＨｚ）ｚＮｃＨｚｃＨｚ
ＯＨ＝２５ （ＣａＨ＋　＋）２ＮｃＨ２ｃＨｚｏ）ＩＩ−１１ ■　−１２ （ＣａＨｓ）２ＮｃＨ２ｃＨｚＯＨ　　　　　　　（Ｃ
４Ｈｓ）ｚＮＣＨｚＣＨＣＨｚＯＨ（Ｃａ　６Ｈｓ３’
）ｘＮｃＨｘｃＨｚＯＨ一般式（ＩＩ） 以下に代表的具体例を示す。

Ｒ。

１１−Ｉ　　　　　　　　　　　　　　ｎ−２バ３ ＱはＮ又はＰ原子を表し、Ｒ，、Ｒ２，Ｒ，、Ｒ４は各
々、水素原子又は置換可能な基を表す。Ｘｅはアニオン
を表す。Ｒ，、Ｒ，、Ｒ，、Ｒ，は互いに連結して環を
形成してもよい。

Ｒ　ｌ＋　Ｒ　２＋　Ｒ　ｓ，　Ｒ　４で表される置換
可能な基としては、例えばアルキル、アルケニル、アル
キニル、アリール、ヘテロ環、アミノ等の６基が挙げら
れ、具体的には一般式ＣＩ）のＲ　ｒ，　Ｒ　２，　Ｒ
　ｓ。

で説明したものが挙げられる。

Ｒ　ｌ＋　Ｒ　２，　Ｒ　ｓ，　Ｒ　４が形成し得る環
としては、一般式〔Ｉ〕のＲ　ｒ　、　Ｒ　ｘ，　Ｒ　
ｓで形成し得る環として説明したものと同様のものが挙
げられる。

Ｘｏが表すアニオンとしては、ハロゲン化物イオン、硫
酸イオン、硝酸イオン、酢酸イオン、パラトルエンスル
ホン酸イオン等の無機及び有機のアニオンが挙げられる
。

Ｐｈ　　ＣＨ２Ｎ（ＣＨ３）２ Ｃ１４１（２１ ０１□Ｈ２ｓＯ　　Ｐｈ　　ＣＨ２Ｎ（ＣＨ３）３ＣＨ
，Ｃ００ＣＲ。

ＣＨ，−ｐｈ−ＮＨＣＯＣｓＨ，１ Ｃ）１２ＣＨ２ＣＯＯ（ＣＨ２）、０ＣＯＣＨ２ＣＨ２
ＣＨ２ＣＨ２００Ｃ（ＣＨ２）４ＣＯＯＣＨ２ＣＨ２Ｂ
ｒｅ （ｃａＨｓ）ｓｐ＠ １６Ｈ３３ ■ ■ ｌ−１９ ■ ２Ｃｆｆθ しｌ′＋３ しｈ３ 般式（Ｉ［ｒ） Ｒ＋　、　Ｒ！はアルキル基を表し、Ｒ１とＲ２は連結
して環を形成してもよい。Ｒ８はアルキル基、アリール
基、ヘテロ環基を表し、Ａはアルキレン基を表す。

Ｙは−ＣＯＮＲ，−、−０ＣＯＮＲ，−，−ＮＲ，Ｃ０
ＮＲ，−、−ＮＲ，Ｃｏｏ−９−Ｃｏｏ−、−０ＣＯ−
、−Ｃｏ−、−０ＣＯＯ−、−ＮＲ，Ｃｏ−、−３Ｏ２
ＮＲ４−ＮＲ４ＳＯ２−、−ＮＲ４ＳＯ２ＮＲ４−、−
５Ｏｚ　、　　Ｓ　、　Ｏ−、−ＮＲ４−−Ｎ−基を表
し、Ｒ６は水素原子又はアルキル基を表す。

Ｒ、、Ｒ２で表されるアルキル基としては、一般式〔工
〕で説明したＲ　、、Ｒ２，Ｒ、のアルキル基と同様の
ものが挙げられ、Ｒ１とＲ２で形成し得る環も同様のも
のが挙げられる。

Ｒ３で表されるアルキル基、アリール基、ヘテロ環基も
一般式〔１）のＲｌ、Ｒ２，Ｒ３の表すアルキル基、ア
リール基、ヘテロ環基と同様のものが挙げられる。

Ａで表されるアルキレン基としては、 例えばメ ■　− チレン、 エチレン、 ト リ メ チレン、 ア ト ラ メ チ レ ン等が挙げられ、 Ａの置換基としてはアリール基、 アルコキシ基、 ヒ ドロキシル基、 ハロゲン原子な （Ｃ２Ｈｓ）２Ｎ（ＣＨ２）ｚＮＨｃＯｃ＋　３Ｈ２□
どを挙げらることができる。

１ｌ−８ Ｒ４で表されるアルキル基は、 炭素数 〜５の （ＣＨｓ）ｚＮ（ＣＨ２）２ＣＯＮＨＣ＋４Ｈ２ｓ低級
アルキル基又はアラルキル基 （例えばベンジ ル基など） が好ましい。

以下に代表的具体例を示す。

■　−１０ ＣｓＨ＋＋（ｔ） ■ （Ｃ２Ｈｓ）ｚＮ（ＣＨ２）３ＮＨｃＯＮＨｃ＋　２Ｈ
２Ｓ■ （Ｃ４Ｈ９）、２Ｎ（ＣＨ２）２０ＣＯＮＨＣ８Ｈ＋　
７ｃｃ＜Ｈｑ＞ｚＫｃＨｘ＞５ＮＨｓｏｚｕ（ｃＨｚ　
　Ｐｂ）ｘ■　−１５ （Ｐｈ　　ＣＨｚ）２Ｎ（ＣＨ２）ｓＯｃ＋Ｈ＊■−２
２ （Ｐｈ　　ＣＨｚ）ｔＮ（ＣＨｚ）ｚＮＨ３ｏ□Ｎ（Ｃ
Ｈｓ　）　ｚ■−２５ Ｉ［１−１９ 一般式［’１Ｖ） ＴＶ−４ Ｒ１，Ｒ２は水素原子、アルキル基、アルケニル基、ア
ルキニル基、アリール基、ヘテロ環基を表し、Ｒ、、Ｒ
、、Ｅで環を形成してもよい。

Ｅは六ｃＨ２ＣＨ２０ｉ　で表される基を少なくとも一
つ含む基であるり、ｎは２以上の整数を表す。

Ｒ、、Ｒ、で表されるアルキル基、アルケニル基、アル
キニル基、アリール基、ヘテロ環基及びＲ１゜Ｒ、、Ｅ
で形成し得る環としては、一般式ＣＩ）のＲ、、Ｒ、、
Ｒ３で説明したものと同様のものが挙げられる。

以下に代表的具体例を示す。

ＩＶ−１ ＩＶ−６ ＩＶ−７ ＩＶ　−１０ （ＣａＨｓ）２Ｎ（ＣＨ２ＣＨ２０）ｓＨ（ＣＪｓ）ｚ
Ｎ（ＣＨｚＣＨｚＯ）−＋　４ＣＨ２ＣＨ２Ｎ（Ｃ２Ｈ
４）２Ｃｒ−ＣｓＨｒ）２ＮＣＣＨ２ＣＨｚＯ）ｓｃＨ
ｘｃＨｘＮ（ＣｚＨｖ　　Ｉ’）２（ｉ　　Ｃ３ｈｙ）
ｚＮ（ＣＨ２ＣＨ２０）−、Ｈ（Ｃ２Ｈ５）２Ｎ（ＣＨ
２ＣＨ２０）〜３２ＣＨ２ＣＩ（２Ｎ（Ｃ２Ｈ５）２Ｖ
−２ ＩＶ−１１ （Ｃ３Ｈ７）２Ｎ（Ｃ）Ｉ２ＣＨ２０）、Ｈ（Ｃ３Ｈ７
）：Ｎ（ＣＨ２ＣＨｚＯ）〜６ＣＨ２ＣＨ２Ｎ（Ｃ３Ｈ
７）２■−１３ ■−２４ （ＣｓＨ２）Ｊ（ＣＨｉＣＨｚＯ）−１４ＣＨ２ＣＨ２
Ｎ（Ｃ３Ｈ７）ＩＣＨｓ−ＣＨＣＨｚＮＨ（ＣＨｚＣＨ
ｚＯ）−＋４ｃＨ２ｃＨ２ＮＨｃＨ２ｃＨ−ＣＨ２■−
２５ ＣＨ２ＣＨｚＮＨ（ＣＨｚＣＨｚＯ）〜ｌ　４　ＣＨ２
ＣＨ２ＮＨＣＨ２Ｃ＝　ＣＨ■−１５ （Ｃｓ）Ｉ７）ｚＮ（ＣＨ２ＣＨｚＯ）−ｘｚｃＨｚｃ
Ｈ２Ｎ（ＣＪｙ）ｉ■−１６ （ＣａＨＪｚＮ（ＣＨｉＣＨｚＯ）−ｓｃＨｚｃＬＮ（
ＣＪＪｔ■−２８ （Ｃ４Ｈ９）ｚＮ（ＣＨｚＣＨｚＯ）２Ｈ■−１８ （Ｃ４Ｈ，）２Ｎ（ＣＨｚＣＨｓＯ）−＋　ａｃＨｚｃ
ＨｓＮ（Ｃ４Ｈｓ）ｚＮ−２９ ＩＶ−１９ （ＣｓＨｕ）２Ｎ（ＣＨｚＣＨｚＯ）ｚＨ（ＣａＪｉｓ
）２Ｎ（ＣＨｚＣＨｚＯ）Ｊ■ （Ｐｈ　　ＣＨｚ）２Ｎ（ＣＨｚＣＨ２０）２ＨＶ−２
１ ■−３２ ＣｓＨ＋　＋ＮＨ（ＣＨｚＣＨ２０）−、＋　４ｃ）Ｉ
＊ＣＨ２ＮＨＣａＨ＋　ｒ（Ｃ４Ｈ＠）２Ｎ（ＣＨ２Ｃ
Ｈ２０）２ＣＨ２ＣＨ２Ｎ（Ｃ４Ｈｓ）！■ ＣｙＨ＋　５ＮＨ（ＣＨｚＣＨ２０）＋ｌ　４ＣＨ２Ｃ
Ｈ２ＮＨＣ＋Ｈ１５（ＣａＨ＋　ｔ）２Ｎ（ＣＨ２ＣＨ
２０）２ｃＨｚｃＨｚＮ（Ｃｓ［Ｌ　７）２■−２３ ■−３４ （ＨＯＣ８２ＣＨ２）２Ｎ（ＣＨｚＣＨＪ）−＋　４Ｃ
ＪＣＨｚＮ（ＣＨｘＣＨｚＯＨ）ｚ（ＨＯＣＨｚＣＨｚ
）ｚＮ（ＣＨｚＣＨ２０）２ｃＨｚｃＨｚＮ（ＣＨ２Ｃ
ＨｚＯＨ）ｚ（ＣＨ２＝ＣＨｚＣＨＪ２Ｎ（ＣＨｓＣＨ
ｘＯ）２Ｈ■−３７ ＪＩ　３ ６Ｈ１３ −ａ−１ ＣＣＨｓ）ｘＮｃｃＨｘ’）ｓＮＨＣＯＮＨＣＣＨｘ’
ｒｓＣＨ＝ＣＨＣａＨｒ　ｙ（ＣＪａ）ｚＮ（ＣＨ２）
ｘＮＨｃｏ（ＧＨｚ）ｙｃＨ−ＣＨ＝ＣＨ２７−ａ−３ （Ｃ４Ｈｓ）ｚＮ（ＣＨｚ）ｚＯｃＯＮ）Ｉ（ＣＨＪａ
ＣＨ＝ＣＨＣａＨ＋　ｙ（ＣＪｓ）２Ｎ（ＣＨ２）ｓＮ
ＨｃＯｏ（ＣＨｚ）ｓｃＨ＝ｃＨｃａＨ＋　ｙ−ａ−５ −ａ 一般式（　Ｖ　）　−　ａ Ｒ　、、Ｒ　２，Ｒ　、はアルキル基、アルケニル基、
アルキニル基、アリール基、ヘテロ環基を示す。

但Ｌ、Ｒ　ｌ＋Ｒ　２，Ｒ　３のうち少なくとも一つは
アルケニル基又はアルキニル基を表すが、又はＲ１。

Ｒ２のうち少なくとも一つはアリール基又はヘテロ環基
を表すものとする。Ｒ　＋　、　Ｒ　ｚ　、　Ｌ　、　
Ｒ　、で環を形成してもよい。Ｌは連結基を表す。

Ｒ　ｌ，Ｒ　２＋Ｒ　３が表すアルキル基、アルケニル
基、アルキニル基、アリール基、ヘテロ環基としては、
一般式ＣＩ）のＲ　、、Ｒ　、、Ｒ　、で挙げた基と同
様のものか挙げられる。

Ｒ　、、Ｒ　２，Ｌ　、Ｒ　３で形成し得る環としては
、例えはピペリジン、モルホリン、ピロリジン等のへテ
ロ環か挙げられる。

Ｌで表される連結基としては、例えば一般式〔■〕で挙
げたーＡ−Ｙ−か挙げられる。

以下に代表的具体例を示す。

ーａー１０ （Ｃ２Ｈ５）２Ｎ（ＣＨ２）３０ＣＯＣミＣＣ４ＨＩ３
Ｖ−ａ−月 （ＣｚＨｓ）ｚＮ（ＣＨａ）ｚＮＨｃＯＯｃＪｃミＣＣ
７ＨｌＫ−ａ−１２ （Ｐｈ　　ＣＨＪｚＮ（ＣＨｚ）２０ｃＯＮ）ｌｃ８２
ｃ＝ｃＨ−ａ−１３ （Ｐｈ　　ＣＨ２）２Ｎ（ＣＨｚ）２ＮＨｃＯＮ（ＣＨ
２ＣＨ＝ＣＨ２）２−ａ−１４ （Ｐｈ　　ＣＨｚ）ｚＮ（ＣＨ２）ｓＮＨｃＯｃ＝ｃｃ
ｓｌ（＋ｓーａー１５ （Ｐｈ　　ＣＨｚ）ｚＮ（ＣＨｚ）ＪＨＣＯＯＣＨ，Ｃ
Ｈ＝ＣＨｘ■ −ａ−２５ −ａ −ａ−２７ −ａ−２１ （Ｃ）Ｉｚ＝ＣＨＣＨｚ）ｚＮ（ＣＨｚ）２ＮＨ３ｏ□
Ｎ（Ｐｈ　　ＣＨｚ）ｚ一般式〔Ｖ）　−ｂ −ａ−２２ （Ｃ４Ｈ９）ＫＮ（ＣＨ２）３ＮＨ５Ｏ□Ｎ（ＣＨｚＣ
Ｈ−ＣＨ２）ｚ■ （Ｐｈ−ＣＨ２）２Ｎ（ＣＨ２）２ＮＨ５０２Ｎ（ＣＨ
２ＣＨ＝ＣＨ２）２Ｒ、、Ｒ２，Ｒ４はアルキル基、ア
ルケニル基、ルキニル基、アリール基、ヘテロ環基を表
し、は水素原子又は置換可能な基を表す。

Ｌは連結基を表し、ｎはＯ又は１の整数を表す。

ＲＩＲ２＋Ｒｓ、Ｌ　、Ｒ４で連結して環を形成しても
よい。

Ｒ、、Ｒ、、Ｒ４で表されるアルキル基、アルケニル基
、アルキニル基、アリール基、ヘテロ環基としては、一
般式（１）のＲＩＲ２＋Ｒｓで説明したのと同様の基が
挙げられる。

Ｒ３で表される置換可能な基としては、例えばアルキル
、アルケニル、アリール、ヘテロ環等の６基であり、上
述しｔ：と同様の基が挙げられる。

Ｌは連結基を表すが、例えば−ｃｏ−、−ｃｏ。

ＣＯＮ　Ｒ５−１Ｓ　Ｏｘ　　、　　Ｓ　Ｏｚ　Ｎ　Ｒ
ａ−等の基を表す。

Ｒ６は水素原子又は置換可能な基を表す。

Ｒ＋、Ｒｚ、Ｒｚ、Ｌ　、Ｒａで形成し得る環としては
、例えばピペリジン、モルホリン等のへテロ環が挙げら
れる。

−ｂ （ＣＨｓ）ｚＮＮＨ３ＯｚＣ＋５ｌｈａ（ＣＨｓ）２Ｎ
ＮＨ５Ｏ２（Ｐｈ　　ＣＨ２）２しＲ２−Ｐｈ Ｖ−ｂ−８ ■ （ＣＨ２−ＣＨＣＨｚ）２ＮＮＨ５Ｏ２ｃ＋□Ｈ７５−
ｂ−１３ ■ −ｂ−２１ ■ −ｂ −ｂ−ｉ６ （ＣＨｚ　　Ｐｈ）ｚＮＮＨ５ＯｚＣａＨ＋７−ｂ ■ ■ ーｂー２６ ーｂー２８ −ｂ−２９ −数式 〔Ｖ）　　−ｃ Ｒ１は水素原子又は置換基を表し、Ｒ２はアルキル、ア
ルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロ環基の６基を
表す。Ｌは連結基を表す。

Ｎ、ｊは含窒素へテロ環を表す。ｎは０又は１、′−゛ の整数を表す。Ｒ１は　！９：・と共に環を形成しても
よい。

Ｒ２で表されるアルキル、アルケニル、アルキニル、ア
リール、ヘテロ環の６基としては、−数式ＣＩ）のＲｒ
　、　Ｒｘ　、　Ｒｓで説明したものと同様の基が挙げ
られる。Ｒ１で表される基のうち置換基としては、例え
ば上記Ｒ２で説明したものと同様の基が挙げられる。

して表される連結基としては、例えば−数式［ｎｌ）の
Ｙで表されるものと同様のものが挙げられる。

以下に代表的具体例を示す。

■ 成し得るヘテロ環としては、例えばキヌクリジン、ピペ
リジン、ピラゾリジン等のへテロ環が挙げられる。

■ ■ −ｃ−１２ −ｃ−７ −ｃ −ｃ−９ Ｊｓ ■ し４１１１ ＣＪＣＨ＝Ｃ１ｂ ■ し＋ｚｌ’ｌｔｓ −ｃ−２９ −ｃ−３０ Ｖ　−ｃ　−３１ −ｃ−３２ ■ ■ ■ ■ ■ 一般式 Ｒ　、、Ｒ　、はアルキル基、 アルケニル基、 アルキ ニル基、 ア リール基、 ヘテロ環基を表し、 Ｒ，は 水素原子又は置換基を表す。

Ｒ、バー（ＣＨ２−ＣＨ−Ｘ）　　又ハ（ＣＨ２−ＣＨ
−ＣＨ２−０垢−’ｒ表される基を少なくとも一つ含む
基である。Ｒは水素原子又はアルキル基を表し、Ｘは０
．　Ｓ又［ＮＨ基を表し、Ｙは水素原子又はＯＨ基を表
し、ｎは２以上の整数を表す。Ｒｌ、Ｒ２，Ｒｓ、Ｒ４
で連結して環を形成してもよい。

Ｒ、、Ｒ２で表されるアルキル基、アルケニル基、アル
キニル基、アリール基、ヘテロ環基としては、−数式Ｃ
Ｉ）のＲ、、Ｒ、、Ｒ、と同様の基で説明したものと同
じものが挙げられる。

Ｒ５で表される基のうち置換基としては、例えばアルキ
ル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテ
ロ環基、アシル基、スルホニル基、オキシカルボニル基
、カルバモイル基等が挙げられる。Ｒ１で表される置換
基のうち、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、
アリール基、ヘテロ環基としては、−数式ＣＩ）のＲ、
、Ｒ２，Ｒ、で説明したのと同様の基が挙げられる。

アシル基としては、アセチル、ベンゾイル等が挙げられ
、スルホニル基としては、メタンスルホニル、トルエン
スルホニル等が挙ケられ、オキシカルボニル基としては
、エトキシカルボニル、フェノキシカルボニル等が挙げ
られ、カルバモイル基としては、メチルカルバモイル、
フェニルカルバモイル等が挙げられる。

Ｒ、、Ｒ、、Ｒ３，Ｒ、で形成し得る環としては、ピペ
リジン、モルホリノン等の環が挙げられる。

Ｒで表される基のうちアルキル基はメチル、エチル等で
あり、メチル基が好ましい。

以下に代表的具体例を示す。

１−ａ−１ （ＣＨｓ）ｚＮＮＨ（ＣＨｚＣＨｚＯ）−Ｊ１−ａ−２ ＣＨ２−Ｐｂ （ＣＨ３）２Ｎ　　Ｎ（ＣＨ２ＣＨｚＯ）ｓＨ１−ａ−
３ （ＣＨｓ）２ＮＮＨ（ＣＨｚＣＨｉＯ）〜１４ＣＨＩＣ
Ｈ２ＮＨＮ（ＣＨ３）２１−ａ−４ （Ｃ，Ｒ７）２ＮＮＨ（ＣＨ，ＣＨ２０）〜、ＣＨ２−
Ｐｈ１−ａ−５ ＣＪｓ　　　　　　　　　　ＣＪｓ ＣＣ２Ｈｂ）２Ｎ−Ｎ（ＣＨ，ＣＨ，０）−３ｚＧＨｚ
ＧＨｚＮＮ（ＣＪｓ）ｚＶｌ−ａ−５ （Ｐｈ　　ＣＨｘ）２ＮＮＨ（ＣＨｚＣＨｚＯ）−＋ａ
ＣＨｚＣＨｚＮＨＮ（ＣＨ２Ｐｈ）ｘＶｌ−ａ−７ １−ａ−８ １−ａ−９ Ｖｌ−ａ−ＩＱ ＣＯＣＨ３Ｃ０ＣＲ。

（ｉ　　Ｃ３Ｈ７）２Ｎ　　Ｎ（ＣＨｚＣＨｚＯ）−１
４ｃＨＩＣＨ２Ｎ　ＮＣＣ５Ｈｔ　　１）ｚＶｌ−ａ−
１１ ＣＨ、ＣＨ。

（ＣＨ２−ＣＨＣＨ２）２Ｎ　Ｎ（ＣＨｘＣＨｚＯ）−
３０ＣＨＩＣＨ！Ｎ　ＮＣＣＨｘＣＨ＝ＣＨｘ’ｈＶｌ
−ａ−１２ ＳＯｚＣＨｓ　　　　　　　　　Ｓｏ、ＣＨ。

（Ｐｈ−Ｃ８り２Ｎ−Ｎ（ＣＨ，ＣＨ，Ｏ）〜５ｚｃＨ
ｚｃＨｚＮ　　Ｎ（ＣＨｘ　　Ｐｈ）ｘＶｌ−ａ−１４ ＣＨｚ　　Ｐｈ （Ｐｈ−ＣＨり！Ｎ−Ｎ（ＣＨＩＣＨ，Ｏ）〜、、ＣＨ
，−ＰｈＶｌ−ａ−１５ ＣＯＯＣｚ　Ｈｓ　　　　　　　　　Ｃ００Ｃ２Ｈ５（
Ｐｈ　　ＣＨｚ）ｚＮ　　Ｎ（ＣＨｚＣＪＯ）−ｓｅＣ
ＨｚＣＨｚＮ−Ｎ（ＣＪ　　Ｐｈ）ｚＶｌ−ａ−１６ （Ｐｈ　　Ｃ）ｌｘ）ｔＮＮＨ（ＣＨｉＣＨｚＯ）２ｃ
ＨｚｃＨｘＮＨＮ（ＣＨｘ　　Ｐｈ）＊Ｖｌ−ａ−１７ （Ｐｈ　　ＣＨｚ）ｚＮＮＨ（ＣＨｚＣＨｚＯ）〜、。

ＨＶｌ−ａ−１８ ＣＨ。

（ＣＨ３）２ＮＮＨ（ＣＨＩＣＨＯ）〜、。Ｈ１−ａ （Ｐｈ−ＣＨ２）２ＮＮＨ（ＣＨ２ＣＨ２０Ｈ）〜＋ａ
ｌ（■ （Ｐｈ　　ＣＨり２Ｎ　　Ｎ（（ＣＨｚＣＨｚＮＨ）〜
、Ｈ）２■ Ｈ （ＣＨｓ）ｚＮＮＨ（Ｃ４ＣＨｚＳ）ｉｃＨ２ｃＨｚＮ
ＨＮ（ＣＨｓ）２Ｖｌ−ａ−２１ ＣＨｓ Ｖｌ−ａ−２９ ＣＯＣＨ。

Ｃ０ＣＨ。

（Ｐｈ　　ＣＨｚ）ｔＮ　　Ｎ（ＣＨｚＣＨｚＳ）〜＠
ＣＨ２ＣＨ！Ｎ　　Ｎ（ＣＨ２Ｐｈ）ｚｏ）１ Ｖｌ−ａ−３０ Ｃ，Ｈ。

ＣＨ。

Ｖｌ−ａ−２２ （Ｐｈ−ＣＨ，）、Ｎ−Ｎ（ＣＨ，Ｃ）ＩＣＨ，Ｏ）、
−１ｏ（ＣＨ２ＣＨ２）−１、Ｈ（Ｐｈ−ＣＨ，）、Ｎ
Ｎ）ｌ（ＣＨ，Ｃ）ＩＣＥｌ、０）〜□、ＨＨ Ｈ Ｖｌ−ａ−３１ ＣＨｘ　　Ｐｈ　ＣＨ２ Ｐｈ Ｈ（ＯＣＨ２ＧＨｚ）−１４Ｎ Ｎ（ＣＨ，Ｃ）１２０）〜１４８ ■ ＣＨ。

ＣＨ。

■ Ｐｈ　　ＣＨｚ（ＯＣＨｚＣＨｚ）−＋ｏＮＮ（ＣＨ２
ＣＨ２０）−１０ｃＨ２ ｈ （ＣＨ３）ＫＮ−Ｎ（（ＣＨｚＣＨｚＯ）〜、、）Ｉ）
！ｌ−ａ ’１ｌ−ａ　−２５ ＣＯＣＨ。

Ｃ０ＣＨ。

（Ｃ２ＨＳ）２Ｎ　ＮＨ（ＣＨ２Ｃｌ（２ＮＨ）〜１゜
Ｈ（ＣＨ３）２Ｎ−Ｎ（ＣＨ２ＣＨ２０）〜３２ＣＨ２
ＣＨ２Ｎ　　Ｎ（ＣＨ３）２ＶＩ−ａ−４２ ＣＯＣＨ３ （Ｐｈ　　ＣＨｚ）ｚＮ　　Ｎ（ＣＨｚＣＨｚＯ）〜＋
４Ｃ）ｌｔｃＨ２Ｎ　　Ｎ（ＣＨ２Ｐｈ）ｚ（Ｐｈ　　
ＣＨｓ）Ｊ　　Ｎ（ＣＨ２ＣＨ２Ｏ）〜、、ＣＨ，−Ｐ
ｈＶｌ−ａ−３６ （Ｐｈ　　ＣＨ２）２Ｎ　　Ｎ（ＣＨｚＣＨｚＣＨ２０
）〜８ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｎ　　Ｎ（ＣＨ２Ｐｈ）２ 一般式 ％式％ アルキル基、 アルケニル Ｈ 基、 アルキニル基、 ア リール基、 ヘテロ環基を表し、 Ｖｌ−ａ−４０ Ｒ１，Ｒ２，Ｔで環を形成しても よい。

（０４Ｈ５）ｚＮＮＨ（ＣＨｚＣＨｚＣＨｘＯ）−ｔ　
ｏｃＨｘｃＨ２ＣＨ２ＮＨＮ（Ｃ４Ｈ＃　）２Ｔは −（ＣＨ，−ＣＨ−Ｘ）Ｈ 又は（ＣＨ２−ＣＨ−ＣＨ２−０垢−で表□ （ＣＪｓ）ｔＮ−Ｎ（ＣＨ，Ｃ）ｌ、ＣＨ２０）〜ａｃ
ＨｚｃＨｚｃ）ＩＪ　　Ｎ（ＣＪｓ）ｚされる基を少な
く とも一つ含む基である。

Ｒは水素原子又はアルキル基を表し、 ＸはＯ２ 又は ＮＨ基を表し、 Ｙは水素原子又は ＯＨ基を表 Ｉ−ｂ−４ し、 は２以上の整数を表す。

但し、 Ｒが水素原 子の時、 ＸはＳ又は ＮＨ基を表すものとする。

Ｒ、、Ｒ、で表される基のうち、 アルキル基、 ア １−ｂ−５ ルケニル基、 アルキニル基、 ア リール基、 ペテロ 環基と しては、 一般式 のＲｌ＋Ｒ２，Ｒｓで説 明したものと同様の基が挙げられる。

ＯＨ３ ＣＨ。

Ｒ１，Ｒ２，Ｔで形成し得る環としては、ピペリジ ＣｓＨ＋　、ＮＨ（ＣＩ（ＩＣＨＯ）〜１゜ＣＨｚＣＨ
ＮＨＣｓＨ＋　１ン、モルホリン、キヌクリジン、ピラ
ゾリジン等ｔ−ｂ ＣＨ。

ＣＨ。

のヘテロ環が挙げられる。

（ＣＨｌ−ＣＨＣＨり２Ｎ（ＣＨ２ＣＨＯ）−６ＣＨ，
ＣＨＮ（ＣＨ２ＣＨ−ＣＨり！Ｒで表されるアルキル基
としてはメチル、エチ ル等であり、 メチル基が好ま しい。

以下に代表的具体例を示す。

■ ＣＨ。

ＯＨ３ （Ｃ３Ｈ７）２Ｎ（ＣＨ３ＣＨＯ）〜６Ｈ（ＣｓＨ＋　
、）ｚＮ（ＣＨ２ＣＨＯ）Ｊ■−ｂ Ｖｌ−ｂ−１０ ＯＨ３ ＣＨ。

ＣＨ。

（Ｃ４８９）２Ｎ（ＣＨ２ＣＨＯ）３Ｈ（Ｐｈ　　ＣＨ
２）ｚＮ（ＣＨｚＣＨＯ）ｔｃＨｚｃＨＮ（ＣＨｓ　　
Ｐｈ）ｚ■−ｂ ＯＨ３ ＣＨｌ （Ｃ２Ｈ６）２Ｎ（ＣＨ２ＣＨＯ）−１４ＣＨ２ＣＨＮ
（０２Ｈ５）２■−ｂ ■ ■ Ｖｌ−ｂ−１８ Ｖｌ−ｂ−１９ （Ｃ２１（６ンｚＮ（ＣＨ２ＣＨＣＨｚＱ）−ａ）ｆＶ
ｌ−ｂ−１４ ＯＨ Ｖｌ−ｂ−２３ （ＣＪ＋　ｔ）２Ｎ（ＣＨｚＣＨＣＨｚＯ）〜１４ＨＨ ■−ｂ ２工 （ＣＨｚ　＝ＣＨＣＨｚ）ｚＮ（ＣＨｚＣＨＣＨ２０）
−＋　ｏＨＨ ■−ｂ （Ｐｈ　　ＣＨｆ）２Ｎ（ＣＨｚＣＨＣＨｚＯ）−ｓＨ
Ｈ Ｖｌ−ｂ−２３ ｃ、Ｈ，ＩＮ）Ｉ（ＣＨ，ＣＨＣＨ，Ｏ）〜ＩＪＨ Ｖｌ−ｂ−２４ ＣＭ。

Ｖｌ−ｂ−２５ ｔ−ｂ ■−ｂ ■ ＣＨ。

（Ｃ，ＨＩ）２Ｎ（ＣＨ２ＣＨＯ）−、（ＣＨ２ＣＨＣ
Ｈ２０１１０ＨＨ ｖｒ−ｂ−３１ ＣＨ８ （ＣＬ−ＣＨＣＨり２Ｎ（ＣＨ，ＣＨＣＨ２０）〜、。

（ＣＨ，Ｃ）１０）〜１゜ＨＨ ■−ｂ−３２ ＣＨ。

ＣＪ１７ＮＨ（ＣＨ２ＣＨＯ）−＋４（ＣＨ２ＣＨＣＨ
２０）〜２０ＨＨ Ｖｌ−ｂ−３３ Ｖｌ−ｂ−４０ Ｖｌ−ｂ （ＣａＨｓ）ｚＮ（ＣＨｚＣＨ２ＮＨ）〜１４Ｈ■−ｂ （ＣＨｚ　＝ＣＨＣＨ２）ｚＮ（ＣＪＣＨ２ＮＨ）−ｚ
ｏＨ■−ｂ Ｃ，Ｌ　７Ｎ）ｌ（ＣＨ，ＣＨ！ＮＨ）〜ＩＩＨ■−ｂ −ｂ ｖ＋−ｂ ｂ−４８ （ＣａＨ２）ｚＮ（ＣＨ２ＣＨ２Ｓ）−ｓｃＨｚｃＨｚ
Ｎ（ＣａＨ２）ｔ（ＣＨ２Ｃｌ　＝　ＣＨＣＨｚ）２Ｎ
（ＣＨ２Ｃ）１２Ｓ）−，６Ｃ）ｉ、ｃＨ２Ｎ（ＣＨｆ
ｆｉＣＩ（−ＣＨＣＩ（、）２■ Ｖｌ−ｂ−５６ Ｃｔ　Ｈｓ　　　　　　　　　Ｃ、Ｈ＊ＣＨ２−ＣＨＣ
ＨｚＮ（ＣＨｒＣＨｘＳ）−１ｏＣＨｈＣＨ２ＮＣ）Ｉ
、ＣＨ−Ｃ）ｌｚ■−ｂ ＣｓＨ＋　５ＮＨ（ＣＨｘＣＨｚＳ）−ｒｘｃＨｘｃＴ
ｏＮＨｃ＊Ｈ，ｓｖ’＋＝ｂ Ｖｌ−ｂ−５７ ＩＪ−ｂ Ｖｌ−、ｂ−５８ （ＣＪｓ）ｚＮ（ＣＨｚＣＨｚＣＨｚＯ）−ａＨ■−ｂ （ＣＨ２−ＣＨＣＨｘ’ｈＮＣＣＨｘＣＨｘＣＨｘＯ）
−＋　ｏＨＶｌ−ｂ−５Ｑ ０２Ｈ。

■ ＣＨ−＝ＣＣＨ２Ｎ（ＣＨ２ＣＨＩＣＨ２０）−１４Ｈ
■−ｂ ＣＨミＣＣＨ，ＮＨＣＣＨ２ＣＨ，５）−２０ＣＨ２Ｃ
Ｈ２ＮＨＣＨ，Ｃ＝ＣＢｓＨｙ ＣＨｚ−ＣＨＣＨａＮ（ＣＨｚＣＨｚＣＨｚＯ）−＋５
（ＣＨ２ＣＨ２Ｈ２０）−＋ｏＨＨ ■−ｂ ＣｓＨ＋　＋ＮＨ（Ｃ）ｌｚｃＨｚｃＨ２０）−１２Ｈ
ｖｒ−ｂ−６３ 一般式（ＶＴ：ｌ　−ｃ Ｖｌ−ｂ−６５ Ｖｌ−ｂ−６６ ■−ｂ ■−ｂ ＣＣｘＨａ＞ｚＮ（ＣＨ２ＣＨｘＣＨｚＯ）−ｘ−ＣＨ
ｘＣＨｚＣＨｚＮＣＣｚＨａ’）ｘＲｌ、Ｒｚは水素原
子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリー
ル基、ヘテロ環基を表し、Ｒ１，Ｒ１，Ｇで環を形成し
てもよい。

Ｇは−（ＣＨｚＣＨｘＯ）ｉ’ｉ−で表される基を少な
くとも一つ含み、かつ疎水性置換基定数π値が−０，５
〜−１，０の置換基を少なくとも二つ含むか、又はに値
が−１，０より小の置換基を少なくとも一つ含むものと
する。ｎは２以上の整数を表す。

Ｒｒ、Ｒｘで表される基１のうち、アルキル、アルケニ
ル、アルキニル、アリール、ヘテロ環の６基としては、
−数式（１）のＲｌ＋Ｒ２＋Ｒ３で説明したのと同様の
基が挙げられる。

ＲＩ＋Ｒ！＋Ｇで形成し得る環としては、例えばピペリ
ジン、キヌクリジン、モルホリン等の環が挙げられる。

疎水性置換基定数Ｋについては、薬物の構造活性化相関
（南江堂）、７９〜１０３頁（昭和５４年）に記載され
ている。

Ｋ値が ０．５〜 １．０の置換基としては、例えば −１．０より小の置換基としては、例えば−ＣＯＮＨ２
゜−ＣＯＮＨＯＨ，−ＣＯＮＨＣＨｓ、　　ＮＨｚ、　
−ＮＨＣＯＮＪ、　　ＮＨＣ５ＮＨ！。

−ＮＨ５Ｏ２ＣＨ３，−Ｎ’ＣＣＨ３）３．−０’、　
−０ＣＯＮＨ２，−５０３８−Ｓ０２ＮＨ，、−３ＯＣ
Ｒ，、−３ｏ、ＣＨ３，−Ｃｏｏｅ等（７）基カ挙ケら
れる。

以下に代表的具体例を示す。

１−ｃ−１ （ｉ　　Ｃ３Ｈｙ）ｚＮ（ＣＨ２ＣＨ２０）ｓｃＨ２ｃ
ＯＮＨｚＶｌ　−ｃ　−２ （１−Ｃ３Ｈｙ）２Ｎ（ＣＨ２ＣＨ２Ｏ）ｘｃＨｚｃＯ
ＯＮａＩ−ｃ−３ （Ｃ２Ｈｓ）２Ｎ（ＣＨ２ＣＨ２０）ｓｃＯＮＨ２１−
ｃ−４ （ＨＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２）　２Ｎ（ＣＨｚＣＨｚＯ）
　３Ｈ１−ｃ−５ （ＣＨ２＝ＣＨＣＨ２）２Ｎ（ＣＨ２ＣＨ２０）〜６Ｃ
Ｈ２ＣＯＮＨ２■ Ｖｌ−ｃ−１５ ＶＩ−ｃ−１６ Ｖｌ−ｃ−１７ ＶＴ−ｃ−１８ Ｖｌ−ｃ−１９ （ＨＯＣＨＩＣＨり１Ｎ（ＣＨ２ＣＨ２Ｏ）−１＋ＣＨ
ｚＣＨｚＮ（ＣＨｚＣＨｚＯＨ）ｚ１−ｃ Ｃ）１２＝ｃＨｃＨｔＮＨ（ＣＨ２ＣＨ２０）〜、ＣＩ
（２ＣＯＯＫ１−ｃ−７ （ＣＨ２ＣＨＪｚＮ（ＣＨ２ＣＨ２）〜、ＣＨ２Ｃ０Ｎ
Ｈ。

１−ｃ−８ Ｃ，Ｈ７ ＣＨ２−ＣＨＣＨｚＮＣＣＨ２ＣＨｚＯ）〜＊ＣＨｚＣ
ＩＪＮＨＣＨｓＶｌ　−ｃ　−９ Ｖｌ−ｃ−１３ ｍ２３ ｍ２４ Ｖｌ−ｃ−２６ Ｖｌ−ｃ−３２ Ｖｌ−ｃ−２８ Ｖｌ−ｃ−３４ Ｖｌ−ｃ−３５ Ｖｌ−ｃ−３６ Ｖｌ−ｃ−３７ 本発明を適用した高コントラストな画像を得ることがで
きるハロゲン化銀写真感光材料中には、上記−数式［’
Ａ）で表されるヒドラジン化合物が少なくとも１種及び
ＣＩ］〜［ＶＩ）で表される造核促進化合物の少なくと
も１種が含有されるが、該写真感光材料に含まれる一般
式〔Ａ）及び（１）〜（Ｖｌ）の化合物の量は、写真感
光材料中に含有されるハロゲン化銀１モル当たり５　Ｘ
　１０−’モル−５Ｘ　１０−’モルであることが好ま
しい。

特に５　Ｘ　ｔｏ−’モル〜Ｉ　Ｘ　１０−”モルの範
囲とすることが好ましい。

本発明のハロゲン化銀写真感光材料は、少なくとも一層
のハロゲン化銀乳剤層を有する。すなわちハロゲン化銀
乳剤層は、支持体の片面に少なくとも一層設けられてい
ることもあるし、支持体の両面に少なくとも一層設けら
れていることもある。

そして、このハロゲン化銀乳剤は支持体上に直接塗設さ
れるか、あるいは他の層例えばハロゲン化銀乳剤を含ま
ない親水性コロイド層を介して塗設されることができ、
さらにハロゲン化銀乳剤層の上には、保護層としての親
水性コロイド層を塗設してもよい。又、ハロゲン化銀乳
剤層は、異なる感度、例えば高感度及び低感度の各ハロ
ゲン化銀乳剤層に分けて塗設してもよい。この場合、各
ハロゲン化銀乳剤層の間に、中間層を設けてもよい。

すなわち必要に応じて親水性コロイドから成る中間層を
設けてもよい。又、ハロゲン化銀乳剤層と保護層との間
に、中間層、保護層、アンチハレーション層、バッキン
グ層などの非感光性親水性コロイド層を設けてもよい。

一般式［Ａ）及びｉ）〜［ＶＩ）で表される化合物は本
発明のハロゲン化銀写真感光材料中のハロゲン化銀乳剤
層または該ハロゲン化銀乳剤層に隣接する親水性コロイ
ド層に含有させる。

次に本発明のハロゲン化銀写真感光材料に用いるハロゲ
ン化銀について説明する。ハロゲン化銀としては、４モ
ル％以下の沃化銀、好ましくは３モル％以下の沃化銀を
含む塩沃臭化銀、もしくは沃臭化銀である。このハロゲ
ン化銀の粒子の平均径は０．０５〜０．５μｍの範囲の
ものが好ましく用いられるが、なかでも０．１０〜０．
４０μｍのものが好適である。

本発明で用いるハロゲン化銀粒子の粒径分布は任意であ
るが、以下定義する単分散度の値が１〜２０％のものが
好ましく、更に好ましくは５〜１５％の範囲となるよう
に調整する。

ここで単分散度は、粒径の標準偏差を平均粒径で割った
値（変動係数）を１００倍した数値（％）として定義さ
れるものである。なおハロゲン化銀粒子の粒径は、便宜
上、立方晶粒子の場合は校長で表し、その他の粒子（８
面体、１４面体等）は、投影面積の平方根で算出する。

本発明を実施する場合、例えばハロゲン化銀の粒子とし
て、その構造が少なくとも２層の多層積層構造を有する
タイプのものを用いることができ、例えはコア部に沃臭
化銀、シェル部が臭化銀である沃臭化銀粒子から成るも
のを用いることができる。このとき、沃素を任意の層に
５モル％以内で含有させることができる。

本発明のハロゲン化銀乳剤に用いられるハロゲン化銀粒
子は、粒子を形成する過程及び／又は成長させる過程で
、カドミウム塩、亜鉛塩、鉛塩、タリウム塩、イリジウ
ム塩（錯塩を含む）、ロジウム塩（錯塩を含む）及び鉄
塩（錯塩を含む）から選ばれる少なくとも１種を用いて
金属イオンを添加し、粒子内部に及び／又は粒子表面に
これらの金属元素を含有させることができ、又、適当な
還元的雰囲気におくことにより、粒子内部及び／又は粒
子表面に還元増感核を付与できる。

更に又、ハロゲン化銀は種々の化学増感剤によって増感
することができる。その増感剤として、例えば、活性ゼ
ラチン、硫黄増感剤（チオ硫酸ソーダ、アリルチオカル
バミド、チオ尿素、アリルイソチアシネート等）、セレ
ン増感剤（Ｎ、Ｎ−ジメチルセレノ尿素、セレノ尿素等
）、還元増感剤（トリエチレンテトラミン、塩化銀１ス
ズ等）、例えばカリウムクロ四オーライト、カリウムオ
ーリヂオシアネート、カリウムクロロオーレート、２−
オーロスルホベンゾチアゾールメチルクロライド、アン
モニウムクロロパラデート、カリウムクロロプラチ不一
ト、ナトリウムクロロバラダイト等で代表される各種貴
金属増感剤等をそれぞれ単独で、あるいは２種以上併用
して用いることができる。

なお金増感剤を使用する場合は助剤的にロダンアンモン
を使用することもできる。

本発明に用いるハロゲン化銀粒子は、内部の感度より表
面感度の高い粒子、謂ゆるネガ画像を与えるハロゲン化
銀粒子に好ましく適用することができるので上記化学増
感剤で処理することにより性能を高めることができる。

又、本発明に用いられるハロゲン化銀乳剤は、メルカプ
ト類（１−フェニル−５−メルカプトテトラゾール、２
−メルカプトベンツチアゾール）、ベンゾトリアゾール
類（５−ブロムベンゾトリアゾール５−メチルベンゾト
リアゾール）、ベンツイミダゾール類（６−ニトロペン
ツイミダゾール）などを用いて安定化又はカブリ抑制を
行うことができる。

感光性ハロゲン化銀乳剤層又はその隣接層には、感度上
昇、コントラスト上昇または現像促進の目的でリサーチ
・ディスクロージャー（Ｒｅ５ｅａｒｃｈＤｉｓｃｌｏ
ｕｓｕｒｅ）　１７４６３号のＸＸＩ項Ｂ−Ｄ項に記載
されている化合物を添加することができる。

又、下記の一般式〔Ｐ）で表される化合物を添加するこ
とが好ましい。

一般式ＣＰ） Ｒ，−０イＣＨ２ＣＨ，□□□Ｈ 〔式中Ｒ，は水素原子、あるいは無置換又は置換基をも
つ芳香族環を表し、ｎは１０〜２００までの整数を表す
。〕 まず、−数式（Ｐ）で表される化合物より好ましい具体
例をあげる。分子量は１５００以上のものが好ましいが
、これらに限定されるものではない。

Ｐ　　Ｉ　　　　　ＨＯ（ＣＨｘＣＨｚＯ）ｎＨｎ−１
゜Ｐ　　２　　　　　ＨＯ（ＣＨｚ　ＣＨ２０）ｎ　Ｈ
ｎ　＝　３０Ｐ　　３　　　　　ＨＯ（ＣＨ２ＣＨｚＯ
）ｎＨｎ＝５０Ｐ　　４　　　　　ＨＯ（ＣＨ２ＣＨ２
０）　ｎ　Ｈｎ　＝　７０Ｐ　−５ＨＯ（ＣＨ，ＣＨ２
０）ｎＨｎ＝１５０Ｐ　−６ＨＯ（ＣＨｘＣＨｚＯ）ｎ
Ｈｎ＝２００Ｐ Ｈ これらの化合物は、市販されており容易に入手すること
ができる。これらの化合物はハロゲン化銀１モルに対し
０．０１〜４．０モル添加するのが好ましく、０．０２
〜２モルがより好ましい。又、ｎの値が異なる２種以上
の化合物を含んでも構わない。

本発明に用いられるハロゲン化銀乳剤には、増感色素、
可塑剤、帯電防止剤、界面活性剤、硬膜剤などを加える
こともできる。

本発明に係る一般式〔Ａ〕及び［Ｉ）〜〔ＶＩ）の化合
物を親水性コロイド層に添加する場合、該親水性コロイ
ド層のバインダーとしてはゼラチンが好適であるが、ゼ
ラチン以外の親水性コロイドも用いることができる。こ
れらの親水性バインダーは支持体の両面にそれぞれｌＯ
ｇ／ｍ”以下で塗設することが好ましい。

本発明の実施に際して用い得る支持体としては、例えば
バライタ紙、ポリエチレン被覆紙、ポリプロピレン合成
紙、ガラス板、セルロースアセテート、セルロースナイ
トレート、例えばポリエチレンテレフタレートなどのポ
リエステルフィルムを挙げることができる。これらの支
持体は、それぞれハロゲン化銀写真感光材料の使用目的
に応じて適宜選択される。

本発明のハロゲン化銀写真感光材料を現像処理するには
、例えば以下の現像主薬が用いられる。

ＨＯ−（ＣＨ＝　ＣＨ）ｎ　−ＯＨ型現像主薬の代表的
なものとしては、ハイドロキノンがあり、その他にカテ
コール、ピロガロールなどがある。

又、ＨＯ（ＣＨ−ＣＨ）ｎ　　ＮＨ２型現像現像剤ては
、オルト及びパラのアミノフェノール又はアミノピラゾ
ロンが代表的なもので、Ｎ−メチル−ｐ−アミノフェノ
ール、Ｎ−β−ヒドロキシエチル−ｐ−アミノフェノー
ル、ｐ−ヒドロキシフェニルアミノ酢酸、２−アミノナ
フトール等がある。

ヘテロ環型現像剤としては、１−７二二ルー３−ピラゾ
リドン、１−フェニル−４，４−ジメチル−３−ピラゾ
リドン、ｌ−フェニル−４−メチル−４−ヒドロキシメ
チル−３−ピラゾリドン、１−フェニル−４−メチル−
４−ヒドロキシメチル−３−ピラゾリドンのような３−
ピラゾリドン類等を挙げることができる。

その他、Ｔ、Ｈ，ジェームス著ザ・セオリイ・オブ・ザ
・ホトグラフィック・プロセス第４版（Ｔｈｅ　Ｔｈｅ
ｏｒｙ　ｏｆ　ｔｈｅ　Ｐｈｏｔｏｇｒａｐｈｉｃ　Ｐ
ｒｏｃｅｓｓ。

Ｆｏｕｒｔｈ　Ｅｄｉｔｉｏｎ）第２９１〜３３４頁及
びジャーナル・オブ・ザ・アメリカン・ケミカル・ソサ
エティ（Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　ｔｈｅ　Ａｍｅｒｉｃ
ａｎ　Ｃｈｅｍｉｃａｌ　５ｏｃｉｅｔｙ）７３巻、３
，１００頁（１９５１）に記載されている如き現像剤が
本発明に有効に使用し得るものである。これらの現像剤
は単独で使用しても２種以上組み合わせてもよいが、２
種以上を組み合わせて用いる方が好ましい。

又、本発明の感光材料の現像に使用する現像液には保恒
剤として、例えば亜硫酸ソーダ、亜硫酸カリ等の亜硫酸
塩を用いても、本発明の効果が損なわれることはない。

又、保恒剤としてヒドロキシルアミン、ヒドラジド化合
物を用いてもよい。

その他一般白黒現像液で用いられるような苛性アルカリ
、炭酸アルカリ又はアミンなどによるｐＨの調整とバッ
ファー機能をもたせることができる。

本発明に用いられる現像液はｐＨ１１未満のものが使用
できるのが特徴である。又現像液にはブロムカリなど無
機現像抑制剤及び５−メチルベンゾトリアゾール、５−
メチルベンツイミダゾール、５−ニトロインタソール、
アデニン、グアニン、ｌ−フ二二ルー５−メルカプトテ
トラゾールなどの有機現像抑制剤、エチレンジアミン四
酢酸等の金属イオン捕捉剤、メタノール、エタノール、
ベンジルアルコール、ポリアルキレンオキシド等の現像
促進剤、アルキルアリールスルホン酸す］・リウム、天
然のサポニン、糖類または前記化合物のアルキルエステ
ル物等の界面活性剤、グルタルアルデヒド、ホルマリン
、グリオキザール等の硬膜剤、硫酸ナトリウム等のイオ
ン強度調整剤等の添加を行うことは任意である。

本発明において使用される現像液には、有機溶媒として
ジェタノールアミンやトリエタノールアミン等のアルカ
ノールアミン類やジエチレングリコール、トリエチレン
グリコール等のグリコール類、又、ジエチルアミノ−１
，２−プロパンジオール、ブチルアミツブロバノール等
のアルキルアミノアルコール類を含有させてもよい。

〔実施例〕

以下に本発明の具体的実施例を述べるが、本発明の実施
の態様はこれらに限定されない。

実施例１ （ハロゲン化銀乳剤Ａの調製） 同時混合法を用いて沃臭化銀乳剤（銀１モル当たり沃化
銀２モル％）を調製した。この混合時にに２１ｒＣＱ、
を銀１モル当たり８ＸＩＯ’−７モル添加した。

得られた乳剤は、平均粒径０．２０μｍの立方体単分散
粒子（変動係数９．５％）からなる乳剤であった。

この乳剤に銀１モル当たり６．５１１＋１２の１％沃化
カリウム水溶液を添加した後、変成ゼラチン（特願平１
−１８０７８７号の例示化合物Ｇ−８）を加え、特願平
１−１８９０７８７号の実施例１と同様の方法で水洗、
脱塩した。脱塩後の４０℃でのｐＡｇは８．０であった
。

更に再分散時に抗菌剤として下記化合物〔Ａ〕、〔Ｂ〕
、〔Ｃ〕の混合物を添加した。

〔Ａ〕　　　　　ＣＢ）　　　　　（Ｃ）キング層をゼ
ラチン量が２．４ｇ／ｍ”になるように塗設し、更にそ
の上に下記処方（４）のバツキ／・ング保護層をゼラチ
ン量が１．０ｇ／ｍ２になるように塗設して試料１〜３
０を得た。

処方（１）（ハロゲン化銀乳剤層組成）ゼラチン　　　
　　　　　　　　　　２．０ｇ／ｍ２ハロゲン化銀乳剤
Ａ（銀量）　　　　　３．２ｇ／ｍ２増感色素： （ハロゲン化銀写真感光材料の作製） 両面に厚さ０．１μｍの下塗層（特開昭５９−１９９４
１号の実施例１参照）を施した厚さ１００μｍのポリエ
チレンテレフタートフィルムの一方の下塗層上に、下記
処方（１）のハロゲン化銀乳剤層をゼラチン量が２．０
ｇ／ｍ”、銀量が３．２ｇ／ｍ”になるように塗設し、
更にその上に下記処方（２）の乳剤保護層をゼラチン量
が１．ｏｇ／ｍ”になるように塗設し、又、反対安定剤
：４−メチル−６−ヒドロキシ−１，３，３ａ、７−チ
トラザインデン カプリ防止剤：アデニン ３０ｍｇ／ｍ” １０　　ｍｇ／ｍ２ 界面活性剤。

Ｓ ８・Ｏｍｇ／ｗ＋” ＣＨ，Ｃ００（ＣＨ２）、Ｃ）Ｉ。

Ｎａ０３Ｓ−ＣＨα）Ｏ（ＣＨｚ）ｚｃＨ（ＣＨｓ）ｚ
本発明に係るヒドラジン誘導体 本発明に係る造核促進化合物 ラテックスポリマー： ３０ｍｇ／ｍ２ １００ｍｇ／ｍ２ １ｇ／ｍ” マット剤：平均粒径３，５μｍのシリカ硬膜剤：　ホル
マリン 界面活性剤：Ｓ−３ 処方（３）（バッキング層組成） ３Ｂ／■１ ３０ｍｇ／ｍ’ 】ＯＩＩＩｇ／１１２ ｍ　　：　　ｎ　　＝５０：　　５０ ポリ工チレングリコール分子量４０００　０．１ｇ／ｍ
”硬膜剤：Ｈ−１ 処方（２）（乳剤保護層組成） ゼラチン ０．９ｇ／ｍ’ 界面活性剤・Ｓ Ｃ２Ｈ５ Ｃ２Ｈ。

０３Ｎａ ゼラチン 界面活性剤：Ｓ−１ ：サポニン ２．４ｇ／ｍ” ６．０ｍｇ／ｆｆｌ” ０．１ｇ／ｍ” 処方（４）（バッキング保護層組成） ゼラチン　　　　　　　　　　　　　　Ｉｇ／ｍ”マッ
ト剤：平均粒径３．０〜５．０μｍのポリメチルメタク
リート　　１５ｍｇ／ｍ２界面活性剤：　Ｓ　−２１０
ｍｇ／ｍ”硬膜剤：グリオキザール　　　　　　　２５
ｍｇ／ｍ’ｔｔ　　：ＨＩ　　　　　　　　　　　　３
５ｍｇ／ａ＋’得られた試料について、下記の方法によ
る罰点品質試験を行った。

（網点品質試験方法） ステップウェッジに網点面積５０％の返し網スクリーン
（１５０線／インチ）を一部付して、これに試料を密着
させてキセノン光源で５秒間露光を与え、この試料を下
記現像液、下記定着液を投入した迅速処理用自動現像機
にて下記の条件で現像処理を行い、試料の網点品質を１
００倍のルーペで観察し、網点品質の高いものを「５」
ランクとし、以下「４」、「３」、「２」、ｒｌＪと、
そのランクを順次下げて５段階評価した。尚、ランクｒ
ｌＪ及び 「２」は実用上好ましくないレベルである。

又、網点中のカブリも同様に評価し、網点中に全く黒ピ
ンの発生していないものを最高ランク「５」とし、網点
中に発生する黒ビンの発生度に応じてランク「４」、「
３」、「２」、「１」とそのランクを順次下げて評価し
た。尚、ランク「１」及び「２」では黒ビンも大きく実
用上好ましくないレベルである。

現像液処方　　　　　　　　　　　　　　　現像液ｌ　
現像液２エチレンジアミン四酢酸ナトリウム塩　　　　
　１ｇ　　　　１ｇ亜硫酸ナトリウム　　　　　　　　
　　　　　６０ｇ　　　　６０ｇ燐酸三ナトリウム（１
２水塩）７５ｇ 硼酸　　　　　　　　　　　　　　　　　　−４０ｇハ
イドロキノン　　　　　　　　　　　　　　　２２．５
ｇ　　　３５ｇ水酸化ナトリウム　　　　　　　　　　
　　　　８ｇ　　　　８ｇ臭化ナトリウム　　　　　　
　　　　　　　　　３ｇ　　　　３ｇ５−メチルベンゾ
トリアゾール　　　　　　　　０．２５ｇ　　Ｏ−２ｇ
Ｊ−７エニルー５−メルカプトテトラゾール　　　０．
０８ｇ　　０．０８ｇメトール　　　　　　　　　　　
　　　　　０．２５ｇ１−フェニル−４−メチル−４−
ヒドロキシメチル　　　−０，２ｇ３−ビラゾリドン フェネチルピコリニウムプロマイＦ　　　　　　−２，
５ｇ水を加えて　　　　　　　　　　　　　　　　ｌＩ
２１１２水酸化ナトリウムにてｐｉを調整　　　　　　
　ｐＨ＝１０．８　　ｐＨ＝１０．８定着液処方 （組成Ａ） チオ硫酸アンモニウム（７２，５ｖ／ｖ％水溶液）　　
２４０ｍＱ亜硫酸ナトリウム　　　　　　　　　　　　
　　１７ｇ酢酸ナトリウム・３水塩　　　　　　　　　
　６．５ｇ硼酸　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　６ｇクエン酸ナトリウム・２水塩　　　　　　　　
　２ｇ（組成り） 純水（イオン交換水）　　　　　　　　　　　　　］、
７７ｍ＋２硫酸５０％ｗ／ｗの水溶液）　　　　　　　
　　　　４．７ｇ硫酸アルミニウム　　　　　　　　　
　　　　２６　、５ｇ（ＡＩ２ｆｆｉ０３換算含量が８
．１ｗ／ｗ％の水溶液）定着液の使用時に水５００ｍ１
２中に上記組成人、組成りの順に溶かし、ＩＱに仕上げ
て用いた。この定着液のｐＨは酢酸で４．８に調整した
。

（現像処理条件） （工　程）　　（温　度）　　（時　間）現　　像　　
　　　４０　℃　　　　　　１５　　秒定　　着　　　
　　３５　°Ｃ１５抄 本　　洗　　　　　３０　°Ｃ１０秒 乾　　燥　　　　　５０　°０　　　　　　１０　　　
秒尚、処方（１）におけるハロゲン化銀乳剤層に添加し
た本発明のヒドラジン誘導体の比較化合物としては、以
下の（ａ）及び（ｂ）の化合物を添加し　ｔこ　。

化合物（ａ） （ａ） 裏　−１ 表−１から明らかなように本発明に係る試料は、比較に
対して、網点品質と黒ピンが良いことがわかる。

〔発明の効果〕

本発明により、ｐＨ１１未満の低ｐＨの現像液で処理し
ても、硬調でカブリが少なく網点性能の良好なハロゲン
化銀写真感光材料を提供することができた。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）少なくとも１層のハロゲン化銀乳剤層を有するハ
   ロゲン化銀写真感光材料において、下記一般式〔Ａ〕で
   表されるヒドラジン化合物を少なくとも１種含有し、か
   つアミン化合物、ヒドラジン化合物、四級オニウム塩化
   合物から選ばれる少なくとも１種の造核促進化合物を含
   有することを特徴とするハロゲン化銀写真感光材料。 一般式〔Ａ〕 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、Ｘはアシルアミノ、ウレイド、ヒドラジノカル
   ボニルアミノ、スルホンアミド、アミノスルホンアミド
   、オキシカルボニルアミノ、−Ｓ−カルボニルアミノ、
   ▲数式、化学式、表等があります▼又はＲ＿３Ｏ−のい
   ずれかの基を表す。 Ｒ＿１及びＲ＿２は各々、水素原子、又はアルキル、ア
   リール、複素環のいずれかの基を表し、Ｒ＿１とＲ＿２
   で窒素原子と共に環を形成してもよく、又、▲数式、化
   学式、表等があります▼の基を形成してもよい。 Ｒ＿４及びＲ＿５は各々、水素原子又は置換可能な基で
   あり、環を形成してもよい。Ｒ＿３は水素原子、又はア
   リール、複素環のいずれかの基を表す。 Ｒは水素原子又はブロック基を表す。 Ｚ＿１及びＺ＿２は置換可能な基を表し、ｎ及びｍは０
   〜４の整数を表す。ｎ、ｍが２以上のとき、各Ｚ＿１、
   Ｚ＿２は同一でも異なっていてもよい。 Ａ＿１及びＡ＿２は共に水素原子であるか、又は一方が
   水素原子で他方はアシル、スルホニル又はオキザリルの
   いずれかの基を表す。〕
2. （２）上記一般式〔Ａ〕のＲが水素原子、又はアルキル
   、アリール、複素環、▲数式、化学式、表等があります
   ▼、−ＣＯＯＲ＿８のいずれかの基である（Ｒ＿６及び
   Ｒ＿７は各々、水素原子、又はアルキル、アルケニル、
   アルキニル、アリール、複素環、ヒドロキシル、アルコ
   キシ、アミノのいずれかの基を表し、Ｒ＿６とＲ＿７で
   窒素原子と共に環を形成してもよく、Ｒ＿８は水素原子
   、又はアルキル、アルケニル、アルキニル、アリール、
   複素環のいずれかの基を表す）ことを特徴とする請求項
   １に記載のハロゲン化銀写真感光材料。