JPH04505075A - 電子デバイスを包むためのパッケージ、該パッケージを組立てる方法、並びに該パッケージの組立てのためのキット - Google Patents
電子デバイスを包むためのパッケージ、該パッケージを組立てる方法、並びに該パッケージの組立てのためのキットInfo
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
アルミ合金半導体パックーゾ
本発明は、一般的には半導体パツケージに関し、更に詳しくは、耐食性が改善さ
nた軽量非ハーメチックバック−7に関する。
電子産業に於いて、シリコンベースの半導体デバイスのような集積回路の急速な
発展と広範な使用の結果、電子デバイスを収容するためのパラケーンの設計に増
殖を生じている。こnらのパラケーンは、−・−メチツクか非ハーメチックに広
く分類することができる。
ハーメチックパッケージは、一般的にセラミック又は金属部品から作らn1且つ
通常ガラスでシールさnる。ハーメチックバラケージの一例は、セラミツクデュ
アルインラインパツクーク、CERD工Pである。
非ハーメチツクパッケーゾは、一般的にセラミック、金属又はプラスチック部品
から作らn1且つ通常エポキシでシールさnる。非ハーメチツクパツケークは又
、この電子デバイスの周にプラスチック本体をモールドすることによっても作ら
nる。
金属の非−ニーメチツクパツケークには、金属ベースとカバ一部品があシ、ウィ
ンドフレームはあつ九シなかったシする。リードフレームは、このペース部品と
カバ一部品の間かペース部品とウィンド7レームの間に配置さ扛る。こnらのパ
ングー7部品は、エポキシのようなポリマー接着剤で互いに接着さnる。
エポキシでシールした非ハーメチックパッケ−7は、ハスコーに発行さnた米国
特許第4.105.861号及びデッドに発行さnた米1%許第4.594.7
70号に開示さnている。銅又は銅合金が、その高い熱伝導性の丸めに米l特許
第4,594,770号では好まnている。
金属に対するこのエポキシの接着強度を最大にすることが望ましい。金属と接着
剤の結合を改善する一つの方法は、この金属サプス) V −トに対してより強
い結合をなす第2の材料でこの金濡部品全被橿することである。この第2の材料
は、クラッド、メッキ、スパッタリング、蒸着、その他この技術分野で矧らnて
いる技法によって付着させることができる。この結合は、酸化又はパンシペーシ
ョンのような付着後の処理によって更に強化することができる。樹脂接着を改善
する几めに銅ペースのリードフレームを被覆することが、スズキ外に発行さnた
米l特許第4,707.724号に開示さ几ている。
モールドしたプラスチックパック−7は、動作中多量の熱を発生する大電力回路
に対しては熱伝導度が不十分である。銅のペース及びカバ一部品は、航空宇宙の
ような用途には付加する重量が大きすぎるかもし社ない。
アルミペースの金属パンク−7は、銅ベースの金属パッケージに比べてかなシの
利点を有するだろう。組立てたパンク−7の重量は、比較しうる銅バッケ−7の
そnよシ約60%まで少い。この重量は、多数の電子デバイスを使い且つ重量に
よる不利益ががなシある航空宇宙、軍事及び大気圏外空間の用途では重要である
。
こnまで、アルミ及びアルミ合金は、その腐食傾向のために、電子パンク−7に
対しては満足ではなかった。この組立てたパック−7は、米軍規格M工L−8T
D−883に規定する塩水腐食試験に不合格である。
この塩水腐食試験は、重量で3チの堰化ナトリウムを含む水溶液全使用する。こ
の溶液を35℃に保持Lバンク−7を24時間浸漬する。取シ出すと、アルミベ
ースの合金から作つ之パッヶーゾは無数の小さな腐食ビントラ示す。比較するに
、称呼成分でFe o、s%、Mgo、o 55%、P 0.18%残リすrs
ノ銅合金197を使って作ったパックー7は、同じ24時間塩水腐食試験の後
に何も腐食ビントラ示さない。
本発明の目的は、アルミ又はアルミベースの合金部品から電子パッケージを製造
することである。
本発明の利点は、アルミ又はアルミベースの合金部品が改良さnた耐食性を有す
ることである。
本発明の特命は、この改良さnた耐食性が接着前にこのアルミ又はアルミベース
の合金部品の少くとも一部を陽極酸化することによって与えらnることである。
本発明の利点は、アルミ又はアルミベースの合金のパッケージ部品が比較しうる
銅又は銅合金部品より約60%まで少い重量しかないことである。
本発明の利点は、このアルミ又はアルミベースの合金部品が比較しうる銅又は銅
合金ペースの部品よシ費用がかからないことである。
本発明の利点は、この電子デバイスが、高い熱伝導度を維持しながら、このパッ
ケージ部品から電気的に絶縁さnてもよいことである。
本発明によnば、前記の目的、特命及び利点が電子デバイスを包装するパンケー
ンによって得らnる。このパッケージは、アルミ又はアルミ合金のペース及びカ
バ一部品を含む。リードフレームは、このペース及びカバ一部品の間に配置さn
1両者に接着するようにさnている。陽極酸化層は、少くともこのペース及びカ
バ一部品の大気に暴さnた部分1kSう。このパッケージは樹脂でシールさnて
もよい。改良さnfF−シールは、このペース及びカバ一部品のシール頒域を陽
極酸化することによって得らfる。
従って、アルミ又はアルミペース合金の部品全軽量非へ−メチツクパッケーゾを
請求する。改善さnた耐食性は、このパングー7部品の表面の少くとも一部に付
けらnた陽衡酸化面によって得らnる。
接着を強化するために、この合金のシール面に、アルミ酸化物のような耐火性酸
化物を形成することが矧らnている。例えば、プンとに発行さnた米国特許第4
.542.259号は、ガラスのシール性を強化するために鋼合金C!DA 6
3800上に耐火性酸化物被膜を形成すること全開示している。銅合金6380
0は、約2チ乃至約12%のアルミを含む銅ベースの合金である。
陽極酸化したアルミ表面は、耐火性アルミ酸化物表面とは成分的に異なる。耐火
性酸化物は、無水又は水無しである。陽極酸化した表面は、水和アルミ酸化物を
含む。この水の濃度は、こん跡からアルミ酸化物(pJ 2o、・H2C)とほ
ぼ等しいモル濃度まで変わる。この陽極酸化は、通常耐火性酸化物層を作るため
に使わnるような高温酸化ではなくて、電気化学的方法によって付けらnる。
メッキ、スパッタリング、又は蒸着のような化学的付着技法とは違って、陽極酸
化は化学的変換法である。
化学的変換法は、ペース金属の化合物から成る表面被!fxt−形成する。
本発明の本質的特徴のLシ良き理解は、以下の明細taび添付の図面から得らn
るであろう。
第1図は、本発明によって製造さnた電子パック−7を示す。
第2図は、本発明によって裏道さnた、ウインドフV−ム型電子パッグーゾを示
す。
第1図は、電子デバイス12t−収容するようにさnた電子パッケージ10を示
す。この電子デバイス12は、典型的にはシリコンベースの半導体デバイスのよ
うな集積回路である。このバラケーク10は、ベース部品14とカバ一部品16
を含む。くぼみ18は、このベース部品14に任意に作らnでいる。第2くぼみ
20は、このカバ一部品16に任意に作らnている。
こnらのぐぼみは、電子デバイス12t−囲むtめの空胴22を作る役割?する
。こnらの(はみは、通常フライス削り又は化学エツチングによって作らnる。
その代りに、こnらの空胴を作るために金属変形法を使ってもよい。
このベース部品14及びカバ一部品16は、アルミ又はアルミ合金から作らnる
のが好ましい。ASM (米国金属学会)が3×xxシリーズとして呼称するア
ルミ合金が好ましい。こnらの合金は、約1.51量係までのマンガンを他の合
金元素と共に含む。こしらの合金は、熱伝導性が良(,1xxxシリーズと呼称
さCる合金(アルミが99.00%超)より約20%高い強度を有する。最も好
ましいアルミ合金は、称呼成分が制約0.12重量%、マンガン約1.2重量%
及び残りアルミであるアルミ合金3006である。
リード7V−ム24は、このベース部品14とカバ一部品16の間に配置さfて
いる。このリードフレーム24は、内リード端26と外リード端28t″含む。
内リード端26は、例えばポンディグワイヤ30によって電子デバイス12と電
気的に相互接続するようにされている。外リード端28は、プリント基板のよう
な外部装置と接続するようにさnている。
この電子デバイス12は、ダイ接着剤31によってこのベース部品14に接着さ
【ている。このダイ接着剤31は、電子デバイス12の要求に依って導電性でも
電気絶縁性でもよい。アルミ又はアルミ合金のベース部品14の熱膨張係数は約
230×10−7/’D乃至約274×10−ン℃で11.電子デバイスの熱膨
張係数は約49 ×10−77”Cであるので、柔軟なダイ接着システムを使用
するのが好ましい。柔軟なダイ接着システムは、ダイ接着、パングー7のシール
及びデバイスの動作中に発生する熱膨張係数の不整合によって生ずる応力を吸収
するだろう。銀入りポリイミドダイ接着7ステムは、比較的低い熱膨張係数のバ
ッファを備えるのでこのパンケージに特に適している。
リードフレーム241にベース部品14及びカバ一部品16にシールするのは接
着層32である。こnらの接着層は、この技術分野で矧らnているどの接着剤で
もよく、普通はポリマー接着剤又はシールガラスである。
本発明は、ガラスでシールしたバンクー7及びポリマーでシールし次パッケーゾ
の両方に適用可能であるが、そnは特にポリマーでシールしたバッグ−7によシ
強く引かnlそnで以下その関係で説明する。
この接着剤層32は、適当な熱硬化性又は熱可塑性樹脂のどjLl含んでもよい
。エポキシのような樹脂接着剤、例えばカリフォルニア州が一デナ市のアゾレス
ティック研究所製のアゾンスティック550には、接着材料の適例の一つである
。このシーラントは、約145℃乃至約155℃の範囲の温度で接着さnる。
接着時間は、約1時間乃至約2時間の範囲にある。
このベース部品14及びカバ一部品16の少くとも一部の陽極酸化層がすぐnた
結果を生ずることが分かつている。厚さ約2.5ミクロン(100マイクロイン
チ)以下と定義する薄い陽極酸化層も厚い陽極酸化層も両方とも、24時間塩水
腐食試験を受けたとき腐食を全く示さないアルミベースの電子バツケーゾt−作
ル。
この陽極酸化層の好ましい厚さは、約0.25ミクロン(10マイクロインチノ
乃至50ミクロン(2000マイクロインチ)である。最も好ましい厚さは、約
1.25ミクロン(50マイクロイ/テ〕乃至約5ミクロン(200マイクロイ
ンチノの範囲にある。
この陽極酸化層は、この技術分野で矧らnでいるどの技法で付けてもよい。例え
ば、温度約20℃で約20容量幅の硫1!t−含む水溶液は、陽極に荷電したア
ルミ又はアルミ合金サプストンートの表面上に満足な陽極酸化層を付ける。この
陽極酸化層は、ベース14及びカバー16部品にくぼみ18.20t−作る前又
は後のどちらかで付ける。このくぼみの表面36は、陽極酸化さnていても裸の
ままでもよい。
多孔度全滅するためにシーリング法七使うのが好ましい。典型的な陽極酸化シー
リング法は、水又は蒸気シーリングである。この方法は、陽極酸化した表面を約
30分乃至約60分間加圧蒸気に暴すことを伴う。この陽極酸化した表面は水和
して結晶ベーマイト(AJ20s”HzO) t−形成する。このベーマイトへ
の変換は、その結果として体積増加を生じ、この陽極酸化した表面の孔を効果的
に閉じる。他の満足なシーリング溶液には、酢酸ニッケル、蓚醸鉄、ニクロム酸
塩及びモリブデン酸塩がある。
わずかではあるが熱伝導度の利益が、陽極酸化層を付けない裸の金属で得らnる
。この裸金属は導電性である。例えばバイポーラデバイスを収容するような、あ
る種の電子的用途に対しては、導電性サブストレートは望ましくない。こnらの
デバイスは、このパングー7から電気的に絶縁されているのが好ましく且つ銀入
りエポキシのような熱的及び電気的に伝導性のダイ接着剤全裸金属に使用すると
短絡を生ずる。本発明はこの問題を、この伝導性ダイ接着剤とベース金属の間に
陽極酸化の誘電体層全配置しこのデバイスをパングー7から電気的に絶縁するこ
とによって解決する。
アルミ合金3003の熱伝導度は鋼合金197のそnの約50%にすぎないが、
θ、。値はほぼ等しくθJA値は約10チ乃至約15%高い範囲にあるだけであ
る。
この理由は、θ、。及びθ工えへの最大の寄与因子がダイ接着剤材料であること
であると信じらnている。アルミサブストレートの熱抵抗はθ値に対しては小さ
な寄与因子である。
上に議論したように、セラミックスはプラスチックパッケージに対する金属パッ
ケージの利点は、熱的性能である。この熱的性能は、典型的にはθ、fc及びθ
、Aとして記鎌さnる。θJCは接合点とケースとの間の温度差の尺度である。
この接合点温度はダイ接着剤31で測定さ几、ケース温度はバンク−7ペース1
4に沿った点で測定さnる。同様に、θ工えはこの接合点と周囲環境との間の温
度差の尺度である。第1表は、銅合金197又はアルミ合金3005の部品上も
つ48ビンのデュアルインラインでエポキシによってシールさnたバラケージの
測定値を示す。
第1表
鋼合金197 2−3 18.5−22 5−6アルミ合金3003 2−3
17 −19 8鋼は、アルミの約3倍の密度を有する。従来の銅金属バラケー
ジより約60係少い重量のパングー7が、本発明によnii熱的性能の最小限の
損失だけで得ることができる。
本発明は、デュアルインラインバンク−7に限定すnない。リード端がこのデバ
イス外周の全ての4辺からこの電子デバイスに接近するQUADパック−7も陽
極酸化表面を有するアルミベースの部品を使って組立ててよい。
第2図に示すようなウィンドフレームバンク−7も本発明によって作らnる。ウ
ィンドフレームバンク−750は、ウィンドフレーム52がリードフレーム24
とカバ一部品16′との間に配設さnていることを除いて上述のバラケージと類
似である。ウィンドフレームバンク−7は、光)手がデバイスメーカに出荷する
ためにパングー7を製造するときのように、電子デバイス12をダイ接着するこ
とになっていてワイヤはこのバラケージの組立とは別の時に接合さnる場合に望
ましい。
このウィンドフレーム52i、シーラン)3211着可能な、何かいくらか剛い
材料を含む。このウィンドフレームは、カバ一部品16′又はリードフレーム2
4の熱膨張係数に近い係数をもつのが好ましい。好ましいウィンドフレーム材料
は、銅、アルミ及びこ1らの金属の合金である。パッケージの重量を最少にする
ために、アルミ又はアルミ合金が最も好ましい。強度全改善するためには、アル
ミ合金5003のようなマンガン含有アルミ合金が
このウィンドフレームバンクークに於いては、リードフレーム24がウィンドフ
レーム52とベース部品14との間に配置さnている。耐食性を改善するたべ陽
極酸化層34をベース部品14とウィンドフレーム部品52に付けられている。
このリードフレーム24は、ウィンドフレーム52の第1側に及びベース部品1
4に、がラス又はポリマー接着剤のような適当な接着剤によって接着さ几る。こ
のリードフレーム24の接着に続いて、電子デバイス12が、例えばダイ接着剤
31によって、接着さn1ボ/デイングワイヤ30によってこのリードフレーム
24の内側リード26に電気的に接続さルる。次にカバ一部品16がこのウィン
ド7ンーム52の第2側にシーラント56で接着さnlこの電子デバイス121
に包装する。
このシーラント56は、比較的低い温度でこのウィンド7ノーム52及びカバ一
部品16に接着するとこの技術分野で却らnているどnかの材料に選ばnる。
所望の接着温度は、このシーラント32又は電子デバイス12を劣化しないより
に十分に低い。この7−テントは、約150℃以下の温度で接着するのが好まし
い。このシーラントは、適合する熱硬化性又は熱可星性接着剤のとnでもよい。
好ましいシーラントは、エポキシのアブレスティック550である。
耐食性の改善のためにこのカバ一部品16t−陽極酸化層で被1するのが好まし
い。この陽極酸化層は、ベース部品14、カバ一部品16及びウィンドフレーム
52の全部又は一部の上に付けてもよい。このベース部品及びカバ一部品の全て
の表面を完全に被覆することは望ましくないか又は必要でないかもしnない。
被覆さnる表面の範囲は変わる。最少限、大気に暴さnる全ての表WJは腐食を
防ぐtめ被覆すべきである。
シール領域、即ちシーラント32及び54と接触する表面に、接着強度改善のた
めに被覆してもよい。残シの表面領域は、所望の電気的、熱的及び吸湿的性質に
依って被覆するのは任意である。
内部表面36及び54は、陽極酸化しないのが好ましいかもしnない。電子デバ
イス12を直接アルミ又はアルミ合金の表面36に接着することによってよシ良
い熱伝導性が得らnる。もし、1この接着すべき表面36が陽極酸化さnていな
いなら、この電子デバイスは、例えば接地のためのように、このベース部品と電
気的に接続さnるかもしnない。もし、この表面36が陽極酸化さnていると、
この電子デバイスはこのバンク−7から電気的に絶縁さnるかもしnない。
ゲッタ合金のような湿分捕捉Σをこのカバ一部品の内面54に作って残留湿分を
捕捉し、副産物としてシール反応をさせてもよい。
陽極酸化のない表面は攬々の方法によって用意することができる。陽極酸化がな
いことを望む表面部分は、この陽極酸化溶液に浸す前に化学レクス)11り又は
メッキ履のテープを貼ってもよい。この全表百を陽極酸化し、所望の区域を機械
的作業によって陽極なしにしてもよい。例えば、フライス削り工程は、ベースく
ぼみ181に作るのに有用である。
この陽極酸化のパラメータに変えることによって、荒nた陽極酸化層を作ること
ができる。粗面仕上げは接着部品、特にポリマーシーラントの機械的固着力を増
加する。本発明が特性の改讐さnた電子パッケージを提供することは明白である
。このパックー7は、銅ベースのパンク−7より軽量で、プラスチックベースの
パッケージより熱伝導性がよい。アルミ表面の少くとも一部の陽極酸化は耐食性
を増し、接着強度を更に増す。
陽極酸化アルミ合金ベースのパッケージに対する接着層の強度を評価する次め加
圧ポット試験を使用した。
このパッケージはエポキシでシールさn1次に121℃、984 #m/a”
(14psi )で相対湿度100%に当て几。an試験の結果、200時間後
接着剤の破損はなかった。
陽極酸化及びシール溶液の化学成分及び作業パラメータを調!することによって
、異なった色の表面を得ることができる。こnは、黒又は会社上げがしばしば望
inる家電向用途には都合がよい。
本発明によルば、耐食性の改善さnたアルミ又はアルミ合金を含む電子パッケー
ジに特に遍し九多数の実施例が用意さCていることは明らかである。本発明をそ
の実施例との関連で説明したが、当業者には上記の説EAt−考慮すnば多(の
代案、改良及び変形が明白であることは明らかである。従って、そのような代案
、改良及び変形の全てを添付の請求の範囲の精神及び広い範囲内に含めるつもり
である。
国際調査報告
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1.電子デバイス(12)を包むためのパッケージ(10)てあつて、 アルミ又はアルミ合金のベース部品(14)、アルミ又はアルミ合金のカバー部 品(16)、該ベース部品(14)及び該カバー部品(16)が形成する空胴( 22)、 該ペース部品(14)及び該カバー部品(16)の間に配置され且つそれらに接 着するようにされたリードフレーム24、並びに 該ベース部品(14)及び該カバー部品(16)の少くとも大気に露出された部 分を被覆する陽極酸化層(34)、を組合せて含むことを特徴とするパッケージ 。 2.陽極酸化層(34)の厚さが約0.25ミクロン(10マイクロインチ)乃 至約50ミクロン(1000マイクロインチ)の範囲内にあることを特徴とする 、請求の範囲第1項記載のパッケージ(10)。 3.陽極酸化層(34)の厚さが約1.25ミクロン(50マイクロインチ)乃 至約5ミクロン(200マイクロインチ)の範囲内にあることを特徴とする、請 求の範囲第2項記載のパツケージ(10)。 4.該ベース部品(14)及び該カバー部品(16)のツール領域が陽極酸化層 (34)によつて被覆されていることを特徴とする、請求の範囲第2項記載のパ ッケージ(10)。 5.該リードフレーム(24)がシールガラス(32)又にポリマー接着剤(3 2)によつて該ベース部品(14)に及び該カバー部品(16)に接着可能であ ることを特徴とする、請求の範囲第4項記載のパッケージ(10)。 6.陽極酸化層(34)の表面が接着強度を改善するため荒されることを特徴と する、請求の範囲第5項記載のパツケージ(10)。 7.該リードフレーム(34)が樹脂接着剤(32)によつて該ベース部品(1 4)に及び該カバー部品(16)に接着可能であることを特徴とする、請求の範 囲第6項記載のパツクージ(10)。 8.このベース部品(14)の及びこのカバー部品(16)のほぼ全表面が陽極 酸化層(34)によつて被覆されていることを特徴とする、請求の範囲第2項記 載のパッケージ(10)。 9.該電子デバイス(12)に接着されるべきベース部品(14)の表面(36 )が陽極酸化層(34)のないことを特徴とする、請求の範囲第8項記載のパツ ケージ(10)。 10.該カバー部品(16)の表面の、該空胴(22)内に閉じ込められた部分 が陽極酸化層(34)のないことを特徴とする、請求の範囲第8項記載のパック ージ(10)。 11.該ベース部品(14)及び該カバー部品(16)が約1.5重量%までの マンガンを含むアルミベースの合金を含むことを特徴とする、請求の範囲第2項 記載のパツケージ(10)。 12.該ベース部品(14)及び該カバー部品(16)が約0.12重量%の銅 及び約1.2重量%のマンガンを含むアルミベースの合金を含むことを特徴とす る、請求の範囲第11項記載のパツケージ(10)。 13.該電子デバイス(12)が該ベース部品(14)に接着され及び該リード フレーム(24)に電気的に接続され、並びに該リードフレーム(24)が該ベ ース部品(14)に及び該カバー部品(16)に接着されていることを特徴とす る、請求の範囲第6項記載のバツクージ(10)。 14.電子デバイス(12)を包むためのパッケージ(50)であつて、 アルミ又はアルミ合金のベース部品(14)、第1面及び第2面を有するウイン ドフレーム部品(52)、 該ベース部品(14)及び該ウインドフレーム部品(52)の第1面の間に配置 され且つそれらに接着するようにされたリードフレーム(24)、該ウインドフ レーム部品(52)の第2面に接着するようにされたカバー部品(16)、並び に該ベース部品(14)及び該カバー部品(16)の少くとも大気に露出された 部分を被覆する陽極酸化層(34)、を組合せて含むことを特徴とするパツケー ジ。 15.該ウインドフレーム部品がアルミ又はアルミベース合金を含むことを特徴 とする、請求の範囲第14項記載のパッケージ(50)。 16.該ウインドフレーム部品(52)が少くともその大気に露出された面の上 に陽極酸化層(34)を含むことを特徴とする、請求の範囲第15項記載のパッ ケージ(50)。 17.陽極酸化層(34)の厚さが約00.25ミクロン(10マイクロインチ )乃至約50ミクロン(2000マイクロインチ)の範囲内にあることを特徴と する、請求の範囲第16項記載のパッケージ(50)。 18.陽極酸化層(34)の厚さが約1.25ミクロン(50マイクロインチ) 乃至約5ミクロン(200マイクロインチ)の範囲内にあることを特徴とする、 請求の範囲第17項記載のパッケージ(50)。 19.該リードフレーム(24)がシールガラス(32)又はポリマー接着剤( 32)によつて該ベース部品(14)に及び該ウインドフレーム部品(52)の 該第1面に接着可能であることを特徴とする、請求の範囲第17項記載のパツケ ージ(50)。 20.該ベース部品(14)及び該ウインドフレーム部品(52)の該第1面の シール領域が陽極酸化層(34)によつて被覆されていることを特徴とする、請 求の範囲第19項記載のパツケージ(50)。 21.陽極酸化層(34)の表面が接着強度を改善するため荒されていることを 特徴とする、請求の範囲第20項記載のパツクージ(50)。 22.該リードフレーム(24)が樹脂接着剤(34)によつて該ベース部品( 14)に及び該ウインドフレーム部品(52)に接着されていることを特徴とす る、請求の範囲第21項記載のパツケージ(50)。 23.該リードフレーム(24)が該ベース部品(14)及び該ウインドフレー ム部品(52)の該第1側の間に配置され且つそれらに接着されていることを特 徴とする、請求の範囲第22項記載のパッケージ(50)。 24.このベース部品(14)の及びこのカバー部品(16′)のほぼ全表面が 陽極酸化層(34)によつて被覆されていることを特徴とする、請求の範囲第1 7項記載のパツケージ(50)。 25.該電子デバイス(12)に接着されるべき該ベース部品(14)の表面( 36)が陽極酸化層(34)のないことを特徴とする、請求の範囲第24項記載 のパツケージ(50)。 26.該空胴内に閉じ込められた該カバー部品(16)の表面(54)が陽極酸 化層(34)のないことを特徴とする、請求の範囲第24項記載のパッケージ( 50)。 27.該ベース部品(14)、ウインドフレーム部品(52)及びカバー部品( 16′)が約1.5%までのマンガンを含むアルミベースの合金を含むことを特 徴とする、請求の範囲第17項記載のパツケージ(50)。 28.該ベース部品(14)、ウインドフレーム部品(52)及びカバー部品( 16′)が約0.12重量%の鋼及び約1.2重量%のマンガンを含むアルミベ ースの合金を含むことを特徴とする、請求の範囲第27項記載のパッケージ(5 0)。 29.該ウインドフレーム(52)の該第2面が熱硬化性接着剤及び熱可塑在接 着剤から成るグループから選ばれた接着剤(56)によつて該カバー部品(16 )の該第2面に接着するようにされたことを特徴とする、請求の範囲第23項記 載のパツクージ(50)。 30.該電子デバイス(12)が該ベース部品(14)に接着され及び該リード フレーム(24)に電気的に接続され、並びに該カバー部品(16′)が該ウイ ンドフレーム部品(52)の該第2面に接着されていることを特徴とする、請求 の範囲第29項記載のパッケージ(50)。 31.電子デバイス(12)を包むためのパッケージ(10,50)を組立てる ための方法であつて、アルミ又はアルミベースの合金を含むベース部品(14) 及びカのバー部品(16)を用意する工程、該ベース部品(14)及び該カバー 部品の表面の少くとも大気に露出された部分を陽極酸化する工程、リードフレー ム(24)を該ベース部品(14)及び該カバー部品(16)の間に配置する工 程、並びに該リードフレーム(24)を、該ベース部品(14)に並びに該電子 デバイス(12)を該ベース部品(14)に及び該リートフレーム(24)に結 合した後に該カバー部品(16)に接着する工程、を含むことを特徴とする方法 。 32.該陽極酸化層(34)をン−ルする工程を含むことを特徴とする、請求の 範囲第31項記載の方法。 33.陽極酸化の前に該ベース部品(14)又は該カバー部品(16)のどらら か又は両方の一部をマスクすることを特徴とする、請求の範囲第32項記載の方 法。 34.このベース部品(14)及びこのカバー部品(16)の全表面を陽極酸化 し且つその後該陽極酸化層(34)の一部を除去する ことを特徴とする、請求の範囲第32項記載の方法。 35.このベース部品(14)及びこのカバー部品(16)のツール領域を陽極 酸化することを特徴とする、請求の範囲第32項記載の方法。 36この陽極酸化層(34)の表面粗さを増す工程を含むことを特徴とする、請 求の範囲第35項記載の方法。 37.該接着工程が該リードフレーム(24)と該ベース部品(14)及び該リ ードフレーム(24)と該カバー部品(16)の間に樹脂接着剤(32)を配置 する工程及び約1時間乃至約2時間の範囲の時間、約145℃乃至約155℃の 温度に加熱する工程を含むことを特徴とする、請求の範囲第36項記載の方法。 38、ウインドフレーム部品(52)を該リードフレーム部品(24)と該カバ ー部品(16)の間に配置し且つ該ウインドフレーム(52)を該リードフレー ム(24)に及び該カバー部品(16)に接着することを特徴とする、請求の範 囲第36項記載の方法。 39.該ウインドフレーム部品(52)を該リードフレーム(24)に接着して から該カバー部品(16′)を該ウインドフレーム(52)に接着することを特 徴とする、請求の範囲第38項記載の方法。 40.該ウインドフレーム(52)をアルミ又はアルミ合金であるように選ぶこ とを特徴とする、請求の範囲第38項記載の方法。 41.該ウインドフレーム(52)、該ベース部品(14)及び該カバー部品( 16′)を約1.5重量%までのマンガンを含むアルミベースの合金であるより に選ぶことを特徴とする、請求の範囲第40項記載の方法。 42.該ウインドフレーム(52)、該ベース部品(14)及び該カバー部品( 16′)を約0.12重量%の銅及び約1.2重量%のマンガンを含むアルミベ ースの合金であるように選ぶことを特徴とする、請求の範囲第41項記載の方法 。
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FR2642257B1 (fr) * | 1989-01-20 | 1996-05-24 | Dassault Electronique | Procede de scellement verre-aluminium, notamment pour traversee electrique de boitier de circuit hybride, objet composite et composition de verre correspondants |
US5367125A (en) * | 1989-01-20 | 1994-11-22 | Dassault Electronique | Aluminum based article having an insert with vitreous material hermetically sealed thereto |
US5250363A (en) * | 1989-10-13 | 1993-10-05 | Olin Corporation | Chromium-zinc anti-tarnish coating for copper foil having a dark color |
US5073521A (en) * | 1989-11-15 | 1991-12-17 | Olin Corporation | Method for housing a tape-bonded electronic device and the package employed |
US5098864A (en) * | 1989-11-29 | 1992-03-24 | Olin Corporation | Process for manufacturing a metal pin grid array package |
US5043534A (en) * | 1990-07-02 | 1991-08-27 | Olin Corporation | Metal electronic package having improved resistance to electromagnetic interference |
US5066368A (en) * | 1990-08-17 | 1991-11-19 | Olin Corporation | Process for producing black integrally colored anodized aluminum components |
US5122858A (en) * | 1990-09-10 | 1992-06-16 | Olin Corporation | Lead frame having polymer coated surface portions |
US5148265A (en) | 1990-09-24 | 1992-09-15 | Ist Associates, Inc. | Semiconductor chip assemblies with fan-in leads |
US5261157A (en) * | 1991-01-22 | 1993-11-16 | Olin Corporation | Assembly of electronic packages by vacuum lamination |
US5132773A (en) * | 1991-02-06 | 1992-07-21 | Olin Corporation | Carrier ring having first and second ring means with bonded surfaces |
JPH05198575A (ja) * | 1991-05-01 | 1993-08-06 | Kobe Steel Ltd | 耐食性AlまたはAl合金材 |
US5144709A (en) * | 1991-05-03 | 1992-09-08 | Olin Corporation | Formation of shapes in a metal workpiece |
US5272800A (en) * | 1991-07-01 | 1993-12-28 | Olin Corporation | Method and apparatus for forming and positioning a preform on a workpiece |
US5343073A (en) * | 1992-01-17 | 1994-08-30 | Olin Corporation | Lead frames having a chromium and zinc alloy coating |
US5300158A (en) * | 1992-05-26 | 1994-04-05 | Olin Corporation | Protective coating having adhesion improving characteristics |
US5239131A (en) * | 1992-07-13 | 1993-08-24 | Olin Corporation | Electronic package having controlled epoxy flow |
US5367196A (en) * | 1992-09-17 | 1994-11-22 | Olin Corporation | Molded plastic semiconductor package including an aluminum alloy heat spreader |
TW238419B (ja) | 1992-08-21 | 1995-01-11 | Olin Corp | |
US5608267A (en) * | 1992-09-17 | 1997-03-04 | Olin Corporation | Molded plastic semiconductor package including heat spreader |
US5317107A (en) * | 1992-09-24 | 1994-05-31 | Motorola, Inc. | Shielded stripline configuration semiconductor device and method for making the same |
US5324888A (en) * | 1992-10-13 | 1994-06-28 | Olin Corporation | Metal electronic package with reduced seal width |
US5477008A (en) * | 1993-03-19 | 1995-12-19 | Olin Corporation | Polymer plug for electronic packages |
US6262477B1 (en) | 1993-03-19 | 2001-07-17 | Advanced Interconnect Technologies | Ball grid array electronic package |
US5650592A (en) * | 1993-04-05 | 1997-07-22 | Olin Corporation | Graphite composites for electronic packaging |
WO1995008188A1 (en) * | 1993-09-13 | 1995-03-23 | Olin Corporation | Flip chip in metal electronic packages |
US5540378A (en) * | 1993-09-27 | 1996-07-30 | Olin Corporation | Method for the assembly of an electronic package |
AU7873894A (en) * | 1993-10-12 | 1995-05-04 | Olin Corporation | Edge connectable metal package |
US5360942A (en) * | 1993-11-16 | 1994-11-01 | Olin Corporation | Multi-chip electronic package module utilizing an adhesive sheet |
US5455386A (en) * | 1994-01-14 | 1995-10-03 | Olin Corporation | Chamfered electronic package component |
US5644102A (en) * | 1994-03-01 | 1997-07-01 | Lsi Logic Corporation | Integrated circuit packages with distinctive coloration |
US5578869A (en) * | 1994-03-29 | 1996-11-26 | Olin Corporation | Components for housing an integrated circuit device |
AU2231795A (en) * | 1994-04-14 | 1995-11-10 | Olin Corporation | Electronic package having improved wire bonding capability |
AU2371795A (en) * | 1994-05-17 | 1995-12-05 | Olin Corporation | Electronic packages with improved electrical performance |
US5436407A (en) * | 1994-06-13 | 1995-07-25 | Integrated Packaging Assembly Corporation | Metal semiconductor package with an external plastic seal |
US5455387A (en) * | 1994-07-18 | 1995-10-03 | Olin Corporation | Semiconductor package with chip redistribution interposer |
US5629835A (en) * | 1994-07-19 | 1997-05-13 | Olin Corporation | Metal ball grid array package with improved thermal conductivity |
US5573845A (en) * | 1994-12-09 | 1996-11-12 | Olin Corporation | Superficial coating layer having acicular structures for electrical conductors |
US5545850A (en) * | 1995-01-13 | 1996-08-13 | Olin Corporation | Guard ring for integrated circuit package |
KR0122423Y1 (ko) * | 1995-03-23 | 1998-10-01 | 김광호 | 전자동 세탁기 |
TW309654B (ja) * | 1995-03-29 | 1997-07-01 | Olin Corp | |
US5534356A (en) * | 1995-04-26 | 1996-07-09 | Olin Corporation | Anodized aluminum substrate having increased breakdown voltage |
US5650663A (en) * | 1995-07-03 | 1997-07-22 | Olin Corporation | Electronic package with improved thermal properties |
AU6450096A (en) * | 1995-07-14 | 1997-02-18 | Olin Corporation | Metal ball grid electronic package |
KR19990071466A (ko) * | 1995-11-20 | 1999-09-27 | 휴버트 마이어 | 금속 전자 패키지용 접지 링 |
US5764484A (en) * | 1996-11-15 | 1998-06-09 | Olin Corporation | Ground ring for a metal electronic package |
EP0862789A4 (en) * | 1995-11-22 | 1999-07-07 | Olin Corp | SEMICONDUCTOR HOUSING WITH A GROUNDING OR POWER SUPPLY RING |
US5817544A (en) * | 1996-01-16 | 1998-10-06 | Olin Corporation | Enhanced wire-bondable leadframe |
US5805427A (en) * | 1996-02-14 | 1998-09-08 | Olin Corporation | Ball grid array electronic package standoff design |
US5801074A (en) * | 1996-02-20 | 1998-09-01 | Kim; Jong Tae | Method of making an air tight cavity in an assembly package |
US5892278A (en) * | 1996-05-24 | 1999-04-06 | Dai Nippon Printingco., Ltd. | Aluminum and aluminum alloy radiator for semiconductor device and process for producing the same |
US5943558A (en) * | 1996-09-23 | 1999-08-24 | Communications Technology, Inc. | Method of making an assembly package having an air tight cavity and a product made by the method |
US5952083A (en) * | 1997-10-21 | 1999-09-14 | Advanced Technology Interconnect, Inc. | Aluminum alloys for electronic components |
KR100265563B1 (ko) * | 1998-06-29 | 2000-09-15 | 김영환 | 볼 그리드 어레이 패키지 및 그의 제조 방법 |
DE10039646A1 (de) * | 1999-08-18 | 2001-03-08 | Murata Manufacturing Co | Leitende Abdeckung, Elektronisches Bauelement und Verfahren zur Bildung einer isolierenden Schicht der leitenden Abdeckung |
KR100723454B1 (ko) * | 2004-08-21 | 2007-05-30 | 페어차일드코리아반도체 주식회사 | 높은 열 방출 능력을 구비한 전력용 모듈 패키지 및 그제조방법 |
JP2003007880A (ja) * | 2001-06-20 | 2003-01-10 | Sony Corp | 中空パッケージ及びその製造方法 |
US20030112710A1 (en) * | 2001-12-18 | 2003-06-19 | Eidson John C. | Reducing thermal drift in electronic components |
JP2007019107A (ja) * | 2005-07-05 | 2007-01-25 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
KR100656300B1 (ko) | 2005-12-29 | 2006-12-11 | (주)웨이브닉스이에스피 | 3차원 알루미늄 패키지 모듈, 그의 제조방법 및 3차원알루미늄 패키지 모듈에 적용되는 수동소자 제작방법 |
WO2009073670A1 (en) | 2007-12-04 | 2009-06-11 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Bendable circuit structure for led mounting and interconnection |
DE102008004642A1 (de) * | 2008-01-16 | 2009-07-23 | Robert Bosch Gmbh | Kondensationsfalle für feuchtigkeitsempfindliche Geräte |
CN101578018B (zh) * | 2008-05-09 | 2012-07-25 | 富准精密工业(深圳)有限公司 | 金属与塑料的结合件及其制造方法 |
KR101716919B1 (ko) * | 2009-07-30 | 2017-03-15 | 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 | 발광 장치 및 그 제조 방법 |
KR101064084B1 (ko) | 2010-03-25 | 2011-09-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 패키지 및 그 제조방법 |
KR101095202B1 (ko) * | 2010-06-15 | 2011-12-16 | 삼성전기주식회사 | 하이브리드형 방열기판 및 그 제조방법 |
US10636735B2 (en) * | 2011-10-14 | 2020-04-28 | Cyntec Co., Ltd. | Package structure and the method to fabricate thereof |
FR2984679B1 (fr) * | 2011-12-15 | 2015-03-06 | Valeo Sys Controle Moteur Sas | Liaison thermiquement conductrice et electriquement isolante entre au moins un composant electronique et un radiateur en tout ou partie metallique |
US9545024B2 (en) | 2012-05-29 | 2017-01-10 | Apple Inc. | Diamond cutting tools |
JP6436343B2 (ja) * | 2014-11-18 | 2018-12-12 | 富士電機株式会社 | 赤外線ガス分析計用センサ部および赤外線ガス分析計用検出器 |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3871018A (en) * | 1971-03-26 | 1975-03-11 | Ferranti Ltd | Construction of packages for semiconductor devices |
US3943623A (en) * | 1974-08-23 | 1976-03-16 | Nitto Electric Industrial Co., Ltd. | Hollow cavity package electronic unit |
US4105861A (en) * | 1975-09-29 | 1978-08-08 | Semi-Alloys, Inc. | Hermetically sealed container for semiconductor and other electronic devices |
US4410927A (en) * | 1982-01-21 | 1983-10-18 | Olin Corporation | Casing for an electrical component having improved strength and heat transfer characteristics |
US4461924A (en) * | 1982-01-21 | 1984-07-24 | Olin Corporation | Semiconductor casing |
US4480262A (en) * | 1982-07-15 | 1984-10-30 | Olin Corporation | Semiconductor casing |
US4594770A (en) * | 1982-07-15 | 1986-06-17 | Olin Corporation | Method of making semiconductor casing |
CA1201211A (en) * | 1982-08-05 | 1986-02-25 | Olin Corporation | Hermetically sealed semiconductor casing |
US4656499A (en) * | 1982-08-05 | 1987-04-07 | Olin Corporation | Hermetically sealed semiconductor casing |
US4521469A (en) * | 1982-11-22 | 1985-06-04 | Olin Corporation | Casing for electronic components |
US4582556A (en) * | 1982-11-22 | 1986-04-15 | Olin Corporation | Adhesion primers for encapsulating epoxies |
US4525422A (en) * | 1982-11-22 | 1985-06-25 | Olin Corporation | Adhesion primers for encapsulating epoxies |
US4524238A (en) * | 1982-12-29 | 1985-06-18 | Olin Corporation | Semiconductor packages |
US4498121A (en) * | 1983-01-13 | 1985-02-05 | Olin Corporation | Copper alloys for suppressing growth of Cu-Al intermetallic compounds |
US4572924A (en) * | 1983-05-18 | 1986-02-25 | Spectrum Ceramics, Inc. | Electronic enclosures having metal parts |
JPH0612796B2 (ja) * | 1984-06-04 | 1994-02-16 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置 |
US4542259A (en) * | 1984-09-19 | 1985-09-17 | Olin Corporation | High density packages |
JPS61281541A (ja) * | 1985-06-06 | 1986-12-11 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体装置用パツケ−ジ |
JPH02501967A (ja) * | 1987-01-12 | 1990-06-28 | オリン コーポレーション | 半導体パッケージの成形可能な高強度リードフレームの製造方法 |
US4769345A (en) * | 1987-03-12 | 1988-09-06 | Olin Corporation | Process for producing a hermetically sealed package for an electrical component containing a low amount of oxygen and water vapor |
JPH0724290B2 (ja) * | 1987-03-23 | 1995-03-15 | 住友金属工業株式会社 | 集積回路容器の製造方法 |
-
1988
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