JPH04500292A - 電子的モノリシック集積化装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 電子的モノリシック集積化装置 従来技術 本発明はメインクレームの上位概念による電子的モノリシック集積化装置に関す る。

ドイツ考許出頴Ｐ３８０２８２２及びＰ３８２７０５２明細書にて記載されてい るように車両線路において強力送信機の高周波フィールド領域にて著しい振幅の 電圧か誘起される。そのような線路が電子装置に達する場合、それら電子装置は 障害（ノイズ）を受け得る。

路がモノリシック集積化回路の１つの接続ポイントないしバンプ（上記接続ポイ ントないしバンプは直接トランジスタのコレクタと接続されており、それのエミ ッタは実際上アース又は動作電位におかれる）に這する場合、当該機能はトラン ジスタのベースにおける制御条件に億存する。高周改又訛電圧がコレクタとエミ ッタとの間に瞬時的に加わる直流電圧を越えると、逆方向に作動されるトランジ スタのエミッタとコレクタ領域の閣の区間及びベースは電流の保給を受ける。生 成される荷電キャリアの、交流電圧の周期に比して犬の寿命のため、トランジス タは逆動作モードから通常モードへの復帰の際にも導通状態１・て保狩さｎる（ 当該荷電キャリアがベース外に流れ二し得ない限り）。つま９トランゾスタは高 周波交流電圧の作用下で遮断状態から作動状態へ移行し得る。その際そのトラン ジスタは連写正規のベース電流による制御の際におけるよρ高オーム状態に保持 舌れる。

発明の利点 これに対して本発明の電子装置により、そルのメインクレームの特徴的構成要件 を以て奏される利点とするところは当該トランジスタの遮断状態が維持されるこ とである。さらにほかの利点はサブクレーム２〜１２及び明細書記載から明らか である。

図面 本発明を第１図〜第８図を用いて説明する。第１ａ図、第１ｂ図はＮＰＮ−、Ｐ ＮＰ−トランジスタの回路を示す。第２図には当該トランジスタが遮断状態に保 持さｎている限りにおいて（そのような遮断状態に保持されているとの条件のも ので、重畳された高周波交流電圧の作用下での、整流された電流ないし方向性制 御された電流のコレクタ電圧の時間経過を示す。第３図はベースとエミッタとの 間の十分低オームの抵抗ないし可制御トランジスタを以てのトランジスタの接続 構成■、第４図は阻止（遍１１？）状態におかれるべきトランジスタに対する適 当な制御回路図、第５図は第４図の回路に対して改良さｎた回路の構成図、第６ 因は第５図の構成をでらに簡単化して示す回路図、第７図及び第８図はンヨット そ一ダイオードを有する正規の（通常の）コンクターベース区間のクランピング 回路信成図である。

発明Ｏ銃男紀戦 第１ａ図では０１１２アース側端子、０２は電池電圧の正極に対する端子、２は 通常のよりにＰ−サブストレート上して形成され７２　ＮＰＮ　−１−ランゾス タ、２１は例えば直接的にアース０１と接続されたエミッタ、２２は′ｆ：Ｊ″ Ｌのベース、２３はそれのコレクタであり、Ｃのコレクタは一方では接続ポイン ト（バンプ）０３１Ｃ接続さｎておジ他方ではアノード３２としてのサブストレ ートと共に容土ダイオード３を形成する。従って当該カソード３１は２のコレク タ２３に相応する。第１ｂ図１ではｐＮＰ−トランジスタ２′に対する装置構成 を示しである。

第２図にはアースに対する；レクタ電位Ｕ３□の時間特注を示しである。接続ポ イント（バンプ）　０１．０３に接続され７ｔ−路が、強力送１ば機のフィール ド内に入りて釆ると、；レクタ２３とエミッタ２１との間に瞬時シて加０７１厘 流電位Ｕ２３をはるかに越える振幅が誘起され得る。このような状態、場合は時 点ＬＡにて起るものとする。有利にはサブストレート−ダイオード３１・こて整 流−電流（方向性制＃電流）が形成され、その場合そのＷＬ流によっては直流を 位Ｕユ、が値Ｕ□、に高められる（当該トランジスタが、ベースｉて７Ｘ、Ｔ′ Ｌルｕ　分−整流を流に基づき高周波（（より作製投入汝醜ぜＩＬなｈ限り）。

ベース空間における荷電キャリヤの高い寿命（ｃ、。

寿命は交流電圧の周期期間よシイづオーダも犬で必ジ得る）により、通電、トラ ンジスタは本例においては正の半波中でも導通状態におかれる（上記荷電キャリ ヤが第３図に示すように、ベース２２とエミッタ２１との間に接続さｎた低抵抗 の（低オーム値の）抵抗４を介して流れ出し傅ない限り）。低オーム抵抗４はト ランジスタ２０ペース２２に対する高ｈ＠御電流を生じさせる。従って上記低オ ーム抵抗は有利には可制御抵抗、例えばトランジスタ５によジ置換され得る。

そルにより生じる、第４−の制御回路では例えば、トランジスタ２に対するベー ス電流を供給する電流波６が設けられている。２に電流の流れない状態を生じさ せよりとする場合、トランジスタ５はそれのベース５２を介して作動接続される べ琶である。５２にて流れるベース′ｉｔ流は次のような高１に選定すればよい 、即ち、トランジスタ５が電流源６のｔ流を導き出し得るのみならず、なお２の ベースに流れる整流−電流の成分を導き出し得るような大きさに選定するとよい 。

通常動作中上記成分は不要であるので、このような成分を、高８阪交流電圧自体 により発生すると有利である。

第５図は１つの実施例を示す。付加的補助電流はトランジスタ５５によＱ、そｎ Ｏベース−エミッタータイオードにて整流された又ｆｆＬ電圧（この交流電圧は コンデンサ５６を介して入力供給される）から生ぜしめらｔｚる。５４ｃＤベー スに作用する整流−電流は抵抗５５′に用いて定められる。トランジスタ５がそ れのベース人力ｌｌｌｌ５２を介して比較的大の高周波電圧生起の際にも連断、 作動可能であるようにするため、トランジスタ５４のコレクタ電流が、アンド結 合素子５３を介して５のベースに供給される。而して、高周波−電圧が作用し得 るのは仄のような際のみ即ち、５２が正のとき、換言すればトランジスタ５が電 流導通状態でトランジスタ２が速断状態のときのみである。

第５囚の回路は第６図に示すように著しく簡単化さＩＬ得る。サブストレートダ イオード３中を流れる強力な整流−電流によっては当該サブストレート中に少数 キャリヤ電流が注入される。Ｏのキャリヤ（電）流の一部はトランジスタ５４Ｖ Ｃ対するベース電流として用いられ得る。トランジスタ５４がトランジスタ２に 隣接して配置さｎた場合、電子から成る少数キャリヤ（ｔ）流の一部が、正電圧 の加わるフード−リングされた、５４０ベースに流れる。当該系ないしシステム は自己制御作用をする。コンデンサ５６と抵抗５５はＷｉ減され得る。

高速のバイポーラロジック回路についてはコレクタの飽和領域を、切換トランジ スタのコレクタからベースまでの闇のショットキーダイオードによって口避する ことが公もである。それによってトランジスタが著しく高速にスイッチングする ようにするのである。上記手段はその場合にも有用でｂる。第７図に示すように ショットキーダイオード８０カソードがコレクタ２３と接続さｎアノードがベー ス２２と接続される場合、アース電位０１以下へのコレクタ２３の電位の低下の 原生じる整流−電流は大部分がショットキルダイ第８図は相応のＰＮＰ　トラン ジスタの回路構成を示す。

ＦＩＧ、　ｌａ　ＦＩＧ、１ｂ 閃恣謹査報告 国際調査報告

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. １．少なくとも１つのトランジスタ（２，２′）を有する電子的モノリシック集 積化装置であつて、上記トランジスタのコレクタには外部から線路が導かれてお り、ここにおいて上記線路上に強力送信機の周囲にて生じるような外部高周波電 磁界によつっ高周波交流電圧が誘起されるものであり、上記の誘起される高周波 交流電圧の振幅は類似のオーダを有するものであり例えばコレクタとエミッタと の間で瞬時に作用する直流電圧より大のオーダを有するものであり、それにより 、通常遮断状態におかれているｐｎ接合部が、誘起された高周波交流電圧により 負又は正の半被の領域にて導通方向に極性づけられており、ここにおいて上記ｐ ｎ接合部は当談コレクタ領域と、これに隣接する少なくとも１つの逆ドーピング 領域、例えばベースおよび／又はサブストレート領域とによつて形成されるもの であり、上記の誘起された高周波交流電圧による、当該ｐｎ接合部の導通方向へ の極性付けによつてはベース電流として作用する整流されたないし方向性制御さ れた電流が生成され該電流によつては先に遮断状態におかれたトランジスタ（２ ，２′）が作動投入接続状態におかれるように構成されているものにおいて、高 周波電流ないし電圧による上記トランジスタの不所望の作動、投入接続を阻止す る手段を具備する（第１図）ことを特徴とする電子的モノリシック集積化装置。
2. ２．少なくとも１つのトランジスタを有し、また誘起された高周波交流電圧の領 域におけるトランジスタ（２）の作動接続が、遮断状態に保持さるべきトランジ スタのベースとエミッタとの間の十分低オームの抵抗（４）によつて阻止される よりに構成されている（第３図）請求項１記載の装置。
3. ３．少なくとも１つのトランジスタを有し、また阻止（遮断）状態に保持さるべ きトランジスタ（２）のベースとエミッタとの間に接続された低オームの抵抗は 可調整抵抗、例えばトランジスタ（５）として構成されている（第３図）請求項 １記載の装置。
4. ４．可調整の低オームの抵抗として胆止（遮断）状態に保持さるべきトランジス タ（２）のベースとエミッタとの間に挿入接続されたトランジスタ（５）は上記 の遮断状態に保持さるべきトランジスタの通常の遮断時間中はたんに低オームの 接続状態におかれている請求項３記載の装置。
5. ５．上記の再調整低オーム抵抗としてのトランジスタ（５）のベース電流は高周 波交流電圧の振幅に依存しているように構成されている請求項４記載の装置。
6. ６．上記の可調整低オーム抵抗としてのトランジスタ（５）のベース電流は高周 波交流電圧の振幅により増幅されている請求項５記載の装置。
7. ７．上記の再調整低オーム抵抗としてのトランジスタ（５）のベース電流は高周 波交流電圧の振幅により増幅されており、ここにおいてアンド論理結合回路（５ ３）を介して通常の制御符号（５２）により当該増幅度はそれの作動接続時間中 のみ作用状態におかれる（題５図）請求項６記載の装置。
8. ８．少なくとも１つのトランジスタを有し、また、可調整低抵抗としてベースと エミッタとの間に挿入されたトランジスタ（５４）のベース電流の増幅のため高 周波交流電圧から（信号量）が、サブストレートダイオード（３）内を流れる整 流電流ないしそれに伴なう少数キャリヤ電流によつて生成される請求項３から７ までのいずれか１項記載の装置。
9. ９．サブストレートダイオード（３）にて高周波交流電圧により当該サブストレ ート中に注入される少数キャリヤ電流の少なくとも１つの部分電流がトランジス タ（５４）のベース電流として用いられ、該トランジスタのコレクタが、アンド 結合回路（５３）を介して、トランジスタ（５）のベース（５２）と接続されて いる（第６図）請求項８記載の装置。
10. １０．少なくとも１つのトランジスタを有する電子的モノリシック集積化装置に おいて、ショットキーダイオード（８）を有し、該シヨットキーダイオードは遮 断状態に保持さるべきトランジスタ（２，２′）のコレクタとベースとの間に挿 入接続されている（第７図、第８図）請求項１からまでのいずれか１項記載の装 置。
11. １１．少なくとも１つのトランジスタを有し、またショットキーダイオード（８ ）を有し、該ショットキーダイオードのカソードが遮断状態に保持さるべきＮＰ Ｎトラノジスタのコレクタに接続され、それのアノードが、上記ＮＰＮトランジ スタ（２）のベースに接続されている（第７図）請求項１０記載の装置。
12. １２．少なくとも１つのトランジスタを有し、また、シヨットキーダイオード（ ８）を有し該ショツトキーダイオードのアノードが遮断状態に保持さるべきＰＮ Ｐトランジスタ（２′）のコレクタに接続され、それのカソードがベースに接続 されている（第８図）請求項１０記載の装置。