JP5444321B2 - 電力変換器のための増幅器システム - Google Patents
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Description
(1.技術分野)
本発明は、電力変換器に関し、より具体的には、寄生スイッチングデバイスのアクティビティを減らす電力変換器における増幅器システムに関する。
電力エレクトロニクスおよび関連回路を発展させた集積回路は、電力管理における複雑な問題のためのコスト効率的な解決を可能にする。無数のアクティブなデバイスおよびそれらの相互接続を有することは、最小限の材料および信頼性のない接続を有する非常に効率的なシステムのパッケージングに役に立つ1つのモノリシック半導体構成要素を作る。
増幅器システムは、増幅器システムに含まれる半導体の基板に現れる少なくとも1つの寄生スイッチングデバイスのバイアスを逆転させることによって寄生スイッチングデバイスのアクティビティを最小限にする。増幅器システムは、電力スイッチ、例えば、電力MOSFETのような、半導体の基板における集積回路に形成されたスイッチングデバイスを含む。スイッチングデバイスは、半導体の出力ノード上に増幅出力信号を生成するために、ハーフブリッジの構成において協働的に切り替え可能である第1のスイッチングデバイスおよび第2のスイッチングデバイスを含み得る。半導体はまた、電源電圧を受け取るための電源入力ノードと、基板と連結される基板ノードとを含み得る。
(項目1)
電力変換器のための増幅器システムであって、該増幅器システムは、
基板に形成された集積回路を有する半導体と、
第1のスイッチングデバイスと第2のスイッチングデバイスとを含む複数のスイッチングデバイスであって、該第1のスイッチングデバイスと該第2のスイッチングデバイスとは、該集積回路内に含まれ、該第1のスイッチングデバイスおよび該第2のスイッチングデバイスは、第1の電源入力および第2の電源入力を用いて増幅信号を生成するために、パルス幅変調信号を用いて協働的に切り替え可能である、複数のスイッチングデバイスと、
並列に連結されたコンデンサおよび抵抗器であって、該コンデンサおよび抵抗器は、該第1の電源入力または該第2の電源入力のうちの1つと、該基板との間に連結される、増幅器システム。
(項目2)
上記増幅信号と上記基板との間に連結されるダイオードをさらに含む、上記項目のいずれかに記載の増幅器システム。
(項目3)
上記ダイオードは、上記半導体の外部にあるショットキーダイオードである、上記項目のいずれかに記載の増幅器システム。
(項目4)
上記第1のスイッチングデバイスおよび上記第2のスイッチングデバイスの各々は、該第1のスイッチングデバイスおよび該第2のスイッチングデバイスの各々のドレインとソースとの間に連結される本体ダイオードを含み、該本体ダイオードは、該第1のスイッチングデバイスおよび該第2のスイッチングデバイスのそれぞれのスイッチングの間に、フリーホイーリング電流によって順バイアスをかけられるように動作可能であり、上記抵抗器およびコンデンサは、該第2のスイッチングデバイスの該本体ダイオードと並列である分流器回路として動作可能である、上記項目のいずれかに記載の増幅器システム。
(項目5)
上記抵抗器および上記コンデンサは、上記半導体の外部にあるデバイスである、上記項目のいずれかに記載の増幅器システム。
(項目6)
上記抵抗器および上記コンデンサは、上記基板に形成されたデバイスである、上記項目のいずれかに記載の増幅器システム。
(項目7)
電力変換器のための増幅器システムであって、増幅器システムは、
基板に形成された集積回路であって、該基板は、基板入力を有する、集積回路と、
該集積回路に含まれる複数のスイッチングデバイスであって、該スイッチングデバイスは、増幅信号を生成するために、パルス幅変調信号を用いて協働的に切り替え可能である第1のスイッチングデバイスおよび第2のスイッチングデバイスを含む、複数のスイッチングデバイスと、
該第1のスイッチングデバイスに連結された第1の電源入力、および、該第2のスイッチングデバイスに連結された第2の電源入力と、
該第2の電源入力と該基板入力との間に連結された抵抗器と、
該第2の電源入力と該基板入力との間に連結されたコンデンサであって、該コンデンサはまた、該抵抗器と並列に連結される、増幅器システム。
(項目8)
上記第1のスイッチングデバイスおよび上記第2のスイッチングデバイスの各々は、上記基板に形成された電力MOSFETである、上記項目のいずれかに記載の増幅器システム。
(項目9)
上記第2の電源入力は、上記第2のスイッチングデバイスの最大の負の供給電位において電源電圧を受け取るように構成され、該第2のスイッチングデバイスは、NMOS FETを含む、上記項目のいずれかに記載の増幅器システム。
(項目10)
上記第2の電源入力は、上記第2のスイッチングデバイスの最大の正の供給電位において電源電圧を受け取るように構成され、該第2のスイッチングデバイスは、PMOS FETを含む、上記項目のいずれかに記載の増幅器システム。
(項目11)
上記増幅器システムは、上記増幅信号と上記基板との間に連結されるダイオードをさらに含み、該ダイオードは、該増幅信号から該基板への電流の少なくとも一部分を選択的に分流するように、上記コンデンサおよび上記抵抗器と動作可能である、上記項目のいずれかに記載の増幅器システム。
(項目12)
上記ダイオードは、少なくとも、上記第1の電源入力と上記第2の電源入力との間に期待された電圧差の障壁電圧定格を用いて構成され、順電圧は、上記第2のスイッチングデバイスに含まれる本体ダイオードの順電圧より低い、上記項目のいずれかに記載の増幅器システム。
(項目13)
上記ダイオードは、第1のダイオードであり、上記増幅信号は、負荷に供給可能な第1の増幅信号であり、上記複数のスイッチングデバイスは、該負荷に供給可能な第2の増幅信号を生成するために、上記パルス幅変調信号を用いて協働的に切り替え可能な第3のスイッチングデバイスおよび第4のスイッチングデバイスをさらに含み、上記増幅器システムは、上記第2の増幅信号と上記基板との間に連結される第2のダイオードをさらに含む、上記項目のいずれかに記載の増幅器システム。
(項目14)
上記抵抗器および上記コンデンサは、充放電回路を形成し、該充放電回路は、上記基板の電位を調整するために、上記第1のダイオードおよび上記第2のダイオードの各々と独立的に動作可能である、上記項目のいずれかに記載の増幅器システム。
(項目15)
上記ダイオード、上記抵抗器、および上記コンデンサは、上記半導体に対して外部にあり、上記第2のスイッチングデバイス含まれる本体ダイオードと並列である分流器回路として動作可能である、上記項目のいずれかに記載の増幅器システム。
(項目16)
上記コンデンサは、寄生スイッチングデバイスの充電イベントに応じて上記基板の電位を調整するために、電圧記憶貯蔵器として動作可能である、上記項目のいずれかに記載の増幅器システム。
(項目17)
電力変換器のための増幅器システムであって、増幅器システムは、
抵抗器と、
充電/放電回路を形成するために、該抵抗器と並列に連結されるコンデンサと、
を含み、
該抵抗器および該コンデンサは、半導体の基板と、該半導体の該基板に形成された第1のスイッチングデバイスとの間に連結され、
該第1のスイッチングデバイスはまた、該半導体の該基板に形成された第2のスイッチングデバイスと連結され、その結果、該充電/放電回路、該第1のスイッチングデバイス、該第2のスイッチングデバイスおよび該基板は、直列に連結され、
該第1のスイッチングデバイスおよび該第2のスイッチングデバイスは、パルス幅の変調コントロール信号に応じて増幅出力信号を生成するように動作可能である、増幅器システム。
(項目18)
上記半導体は、基板ノードである第1の外部ピンと、電源ノードである第2の外部ピンとを含み、上記充電/放電回路は、該基板ノードと該半導体に対して外部にある該電源ノードとの間に連結される、上記項目のいずれかに記載の増幅器システム。
(項目19)
上記電源ノードは、電源から電圧を受け取るように構成され、該電圧は、該半導体によって受け取られる最大の負の電圧であり、上記第1のスイッチングデバイスおよび上記第2のスイッチングデバイスは、Nチャンネル電力MOSFETである、上記項目のいずれかに記載の増幅器システム。
(項目20)
上記増幅器システムは、上記基板ノードと、出力ノードである上記半導体の第3の外部ピンとの間に接続されるダイオードをさらに含み、上記第1のスイッチングデバイスおよび上記第2のスイッチングデバイスは、該出力ノード上に増幅出力信号を生成するように動作可能である、上記項目のいずれかに記載の増幅器システム。
(項目21)
上記コンデンサは、上記基板に現れる任意の寄生スイッチングデバイスのバイアスを逆転させるように該基板の電位を調整するために、選択的にバイアスを下げる電圧に充電されるように構成される、上記項目のいずれかに記載の増幅器システム。
(項目22)
上記コンデンサは、上記第1のスイッチングデバイスおよび上記第2のスイッチングデバイスが、該第1のスイッチングデバイスおよび該第2のスイッチングデバイスが実質的に伝導していないスイッチングサイクルのフリーホイーリング部分内に進入することに応じて選択的に充電されるように構成される、上記項目のいずれかに記載の増幅器システム。
(項目23)
電力変換器の増幅器システムを動作させる方法であって、該方法は、
出力ノード上の増幅出力信号を生成するために、半導体の基板に形成された第1のスイッチングデバイスおよび第2のスイッチングデバイスを協働的に動作させることと、
該第1のスイッチングデバイスおよび該第2のスイッチングデバイスのうちの1つをオフにすることと、
該第1のスイッチングデバイスまたは該第2のスイッチングデバイスのうちの少なくとも1つが伝導していないスイッチングサイクルのフリーホイーリング部分に進入することと、
該スイッチングサイクルの間に生成されたフリーホイーリング電流を有する該半導体の基板ノードと電源ノードとの間に連結されるコンデンサを充電することと、
該コンデンサに格納されたバイアスを下げる電圧に従って該基板の電位を調整することと
を含む、方法。
(項目24)
上記方法は、上記コンデンサを充電するために、上記フリーホイーリング電流に従って、上記半導体の上記出力ノードと基板ノードとの間に連結されるダイオードに順バイアスをかけることをさらに含む、上記項目のいずれかに記載の方法。
(項目25)
上記基板の上記電位を調整することは、上記第2のスイッチングデバイスの最大の負の供給電位以下に該基板の該電位を低くすることを含む、上記項目のいずれかに記載の方法。
(項目26)
上記基板の上記電位を調整することは、上記基板に現れる任意の寄生スイッチングデバイスのバイアスを逆転させることを含む、上記項目のいずれかに記載の方法。
(項目27)
上記コンデンサを充電させることは、上記出力ノード上に存在する電流の少なくとも一部分を上記基板に選択的に分流するように該コンデンサおよび抵抗器を動作させることを含む、上記項目のいずれかに記載の方法。
電力変換器のための増幅器システムは、少なくとも、半導体の基板における集積回路に形成された第1のスイッチングデバイスおよび第2のスイッチングデバイスを含む。第1のスイッチングデバイスおよび第2のスイッチングデバイスは、ハーフブリッジの構成で形成され得、半導体の出力ノード上に増幅出力信号を生成するために、協働的に切り替え可能であり得る。抵抗器およびコンデンサは、半導体に含まれる、電源入力ノードと基板ノードとの間に並列に連結され得る。コンデンサは、集積回路に現れる寄生スイッチングデバイスのバイアスを逆転させるために、第1スイッチングデバイスおよび第2のスイッチングデバイスのスイッチングサイクルの間に、選択的にバイアスを下げる電圧に充電され得る。
図1は、相補形金属酸化膜半導体(CMOS)電力ICなどの半導体102に組み込まれた集積回路(IC)100のための実施例のアーキテクチャである。実施例の電力ICは、低濃度ドープされたP型基板上に、より高濃度ドープされたN井戸を用いて作られて、同じ基板上に作られた、PチャネルMOSFETなどのスイッチングデバイスを閉じ込める。他の実施例において、スイッチングデバイスは、PNPバイポーラ接合トランジスタ(BJP)、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)、サイリスタ、または、集積回路に含められ、かつ導体状態と不導体状態との間を移行することが可能な任意の他の形態のパワートランジスタ、機構または素子などの他の素子であり得る。以下の考察において用語「MOSFET」が用いられるが、スイッチングデバイスがMOSFETスイッチングデバイスに限定されないことは理解されるべきである。N井戸は、IC100内に含まれるどの回路よりも正に(positively)バイアスをかけられるように電源などによってバイアスをかけられ得る。他の実施例において、半導体は、低濃度ドープされたn型基板にP井戸を含み得る。図1において、NMOS素子は、基板に直接作られ得るかまたは電源によって正の電源電圧(Vdd)が供給される深N埋込層(NBL)によって形成されるNタブ内に作られ得るかのいずれかである。電源から供給される負の電源電圧(Vss)は、基板のP井戸に印加され得る。
ドレインと基板との間の静電容量は寄生BJTにかなりのターンオン電流を提供し、電流はMOSFET設計によって少なくとも部分的に含められ得、MOSFET設計はMOSFETのソースリード線に効果的に電流を送る。しかしながらこのターンオン電流は、寄生BJTを使用可能にするように働く唯一の電流ではない。
Claims (27)
- 電力変換器のための増幅器システムであって、該増幅器システムは、
基板に形成された集積回路を有する半導体と、
第1のスイッチングデバイスと第2のスイッチングデバイスとを含む複数のスイッチングデバイスであって、該第1のスイッチングデバイスと該第2のスイッチングデバイスとは、該集積回路内に含まれ、該第1のスイッチングデバイスおよび該第2のスイッチングデバイスは、第1の電源入力および第2の電源入力を用いて増幅信号を生成するために、パルス幅変調信号を用いて協働的に切り替え可能である、複数のスイッチングデバイスと、
並列に連結されたコンデンサおよび抵抗器であって、該コンデンサおよび抵抗器は、該第1の電源入力または該第2の電源入力のうちの1つと、該基板との間に連結される、コンデンサおよび抵抗器と、
を含む、増幅器システム。 - 前記増幅信号と前記基板との間に連結されるダイオードをさらに含む、請求項1に記載の増幅器システム。
- 前記ダイオードは、前記半導体の外部にあるショットキーダイオードである、請求項2に記載の増幅器システム。
- 前記第1のスイッチングデバイスおよび前記第2のスイッチングデバイスの各々は、該第1のスイッチングデバイスおよび該第2のスイッチングデバイスの各々のドレインとソースとの間に連結される本体ダイオードを含み、該本体ダイオードは、該第1のスイッチングデバイスおよび該第2のスイッチングデバイスのそれぞれのスイッチングの間に、フリーホイーリング電流によって順バイアスをかけられるように動作可能であり、前記抵抗器およびコンデンサは、該第2のスイッチングデバイスの該本体ダイオードと並列である分流器回路として動作可能である、請求項1に記載の増幅器システム。
- 前記抵抗器および前記コンデンサは、前記半導体の外部にあるデバイスである、請求項1に記載の増幅器システム。
- 前記抵抗器および前記コンデンサは、前記基板に形成されたデバイスである、請求項1に記載の増幅器システム。
- 電力変換器のための増幅器システムであって、該増幅器システムは、
基板に形成された集積回路であって、該基板は、基板入力を有する、集積回路と、
該集積回路に含まれる複数のスイッチングデバイスであって、該スイッチングデバイスは、増幅信号を生成するために、パルス幅変調信号を用いて協働的に切り替え可能である第1のスイッチングデバイスおよび第2のスイッチングデバイスを含む、複数のスイッチングデバイスと、
該第1のスイッチングデバイスに連結された第1の電源入力、および、該第2のスイッチングデバイスに連結された第2の電源入力と、
該第2の電源入力と該基板入力との間に連結された抵抗器と、
該第2の電源入力と該基板入力との間に連結されたコンデンサであって、該コンデンサはまた、該抵抗器と並列に連結される、コンデンサと、
を含む、増幅器システム。 - 前記第1のスイッチングデバイスおよび前記第2のスイッチングデバイスの各々は、前記基板に形成された電力MOSFETである、請求項7に記載の増幅器システム。
- 前記第2の電源入力は、前記第2のスイッチングデバイスの最大の負の供給電位において電源電圧を受け取るように構成され、該第2のスイッチングデバイスは、NMOS FETを含む、請求項7に記載の増幅器システム。
- 前記第2の電源入力は、前記第2のスイッチングデバイスの最大の正の供給電位において電源電圧を受け取るように構成され、該第2のスイッチングデバイスは、PMOS FETを含む、請求項7に記載の増幅器システム。
- 前記増幅器システムは、前記増幅信号と前記基板との間に連結されるダイオードをさらに含み、該ダイオードは、該増幅信号から該基板への電流の少なくとも一部分を選択的に分流するように、前記コンデンサおよび前記抵抗器と動作可能である、請求項7に記載の増幅器システム。
- 前記ダイオードは、少なくとも、前記第1の電源入力と前記第2の電源入力との間に期待された電圧差の逆ブロッキング電圧定格を用いて構成され、順電圧は、前記第2のスイッチングデバイスに含まれる本体ダイオードの順電圧より低い、請求項11に記載の増幅器システム。
- 前記ダイオードは、第1のダイオードであり、前記増幅信号は、負荷に供給可能な第1の増幅信号であり、前記複数のスイッチングデバイスは、該負荷に供給可能な第2の増幅信号を生成するために、前記パルス幅変調信号を用いて協働的に切り替え可能な第3のスイッチングデバイスおよび第4のスイッチングデバイスをさらに含み、前記増幅器システムは、前記第2の増幅信号と前記基板との間に連結される第2のダイオードをさらに含む、請求項11に記載の増幅器システム。
- 前記抵抗器および前記コンデンサは、充放電回路を形成し、該充放電回路は、前記基板の電位を調整するために、前記第1のダイオードおよび前記第2のダイオードの各々と独立的に動作可能である、請求項13に記載の増幅器システム。
- 前記ダイオード、前記抵抗器、および前記コンデンサは、前記半導体に対して外部にあり、前記第2のスイッチングデバイスに含まれる本体ダイオードと並列である分流器回路として動作可能である、請求項11に記載の増幅器システム。
- 前記コンデンサは、寄生スイッチングデバイスの充電イベントに応じて前記基板の電位を調整するために、電圧記憶貯蔵器として動作可能である、請求項7に記載の増幅器システム。
- 電力変換器のための増幅器システムであって、該増幅器システムは、
抵抗器と、
充電/放電回路を形成するために、該抵抗器と並列に連結されるコンデンサと、
を含み、
該抵抗器および該コンデンサは、半導体の基板と、該半導体の該基板に形成された第1のスイッチングデバイスとの間に連結され、
該第1のスイッチングデバイスはまた、該半導体の該基板に形成された第2のスイッチングデバイスと連結され、その結果、該充電/放電回路、該第1のスイッチングデバイス、該第2のスイッチングデバイスおよび該基板は、直列に連結され、
該第1のスイッチングデバイスおよび該第2のスイッチングデバイスは、パルス幅の変調コントロール信号に応じて増幅出力信号を生成するように動作可能である、増幅器システム。 - 前記半導体は、基板ノードである第1の外部ピンと、電源ノードである第2の外部ピンとを含み、前記充電/放電回路は、該基板ノードと該半導体に対して外部にある該電源ノードとの間に連結される、請求項17に記載の増幅器システム。
- 前記電源ノードは、電源から電圧を受け取るように構成され、該電圧は、該半導体によって受け取られる最大の負の電圧であり、前記第1のスイッチングデバイスおよび前記第2のスイッチングデバイスは、Nチャンネル電力MOSFETである、請求項18に記載の増幅器システム。
- 前記増幅器システムは、前記基板ノードと、出力ノードである前記半導体の第3の外部ピンとの間に接続されるダイオードをさらに含み、前記第1のスイッチングデバイスおよび前記第2のスイッチングデバイスは、該出力ノード上に増幅出力信号を生成するように動作可能である、請求項18に記載の増幅器システム。
- 前記コンデンサは、前記基板に現れる任意の寄生スイッチングデバイスのバイアスを逆転させるように該基板の電位を調整するために、選択的にバイアスを下げる電圧に充電されるように構成される、請求項17に記載の増幅器システム。
- 前記コンデンサは、前記第1のスイッチングデバイスおよび前記第2のスイッチングデバイスが、該第1のスイッチングデバイスおよび該第2のスイッチングデバイスが実質的に伝導していないスイッチングサイクルのフリーホイーリング部分内に進入することに応じて選択的に充電されるように構成される、請求項17に記載の増幅器システム。
- 電力変換器の増幅器システムを動作させる方法であって、該方法は、
出力ノード上の増幅出力信号を生成するために、半導体の基板に形成された第1のスイッチングデバイスおよび第2のスイッチングデバイスを協働的に動作させることと、
該第1のスイッチングデバイスおよび該第2のスイッチングデバイスのうちの1つをオフにすることと、
該第1のスイッチングデバイスまたは該第2のスイッチングデバイスのうちの少なくとも1つが伝導していないスイッチングサイクルのフリーホイーリング部分に進入することと、
該スイッチングサイクルの間に生成されたフリーホイーリング電流で該半導体の基板ノードと電源ノードとの間に連結されるコンデンサを充電することと、
該コンデンサに格納されたバイアスを下げる電圧に従って該基板の電位を調整することと
を含む、方法。 - 前記方法は、前記コンデンサを充電するために、前記フリーホイーリング電流に従って、前記半導体の前記出力ノードと基板ノードとの間に連結されるダイオードに順バイアスをかけることをさらに含む、請求項23に記載の方法。
- 前記基板の前記電位を調整することは、前記第2のスイッチングデバイスの最大の負の供給電位以下に該基板の該電位を低くすることを含む、請求項23に記載の方法。
- 前記基板の前記電位を調整することは、前記基板に現れる任意の寄生スイッチングデバイスのバイアスを逆転させることを含む、請求項23に記載の方法。
- 前記コンデンサを充電させることは、前記出力ノード上に存在する電流の少なくとも一部分を前記基板に選択的に分流するように該コンデンサおよび抵抗器を動作させることを含む、請求項23に記載の方法。
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