JPH0449400U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0449400U JPH0449400U JP8864390U JP8864390U JPH0449400U JP H0449400 U JPH0449400 U JP H0449400U JP 8864390 U JP8864390 U JP 8864390U JP 8864390 U JP8864390 U JP 8864390U JP H0449400 U JPH0449400 U JP H0449400U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- volatile memory
- count data
- data
- section
- storage area
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000013500 data storage Methods 0.000 claims 4
- 230000004044 response Effects 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
Landscapes
- Accessory Devices And Overall Control Thereof (AREA)
Description
第1図は本考案の不揮発性メモリを用いたカウ
ンタ装置の一実施例のブロツク構成図、第2図は
EEPROMの記憶内容のアサイン(割当指定)
を示す図、第3図はRAMの割付を示す図、第4
図はCPU内のシフトバツフアを示す図、第5図
は実施例のカウンタ装置が適用されたページプリ
ンタの動作フローチヤート、第6図はカウンタの
初期設定処理の概略的なフローチヤート、第7図
a乃至dはそれぞれ初期設定処理の更に詳細な一
連のフローチヤート、第8図はEEPROMリー
ド1ワード(EEPRD1W)サブルーチンのフ
ローチヤート、第9図はエラーフラグカウント(
ERRFGCNT)サブルーチンのフローチヤー
ト、第10図はエラーフラグチエツク(ERRF
GCHK)サブルーチンのフローチヤート、第1
1図はトータルカウンタテーブルリード(TCN
TBLRD)サブルーチンのフローチヤート、第
12図はネクストポイント(NXTPOINT)
サブルーチンのフローチヤート、第13図はEE
PROMの更新処理の概略的なフローチヤート、
第14図a及びbはそれぞれEEPROMの更新
処理の更に詳細なフローチヤート、第15図はE
EPROMライトイネーブル(EEPWEN)サ
ブルーチンのフローチヤート、第16図はEEP
ROMライト1ワード(EEPWR1W)サブル
ーチンのフローチヤート、第17図はEEPRO
Mライトデイスイネーブル(EEPWRDS)サ
ブルーチンのフローチヤート、第18図はベリフ
アイ(VERIFY)サブルーチンのフローチヤ
ートである。 1……CPU、2……ROM、3……RAM、
4……EEPROM(不揮発性メモリ)、5……
データバス、6……アドレスデコーダ、7……ア
ドレスバス、8,9……出力ラツチ、10,11
……入力バツフア、12……表示器、13……負
荷、14……センサ、15……入力部。
ンタ装置の一実施例のブロツク構成図、第2図は
EEPROMの記憶内容のアサイン(割当指定)
を示す図、第3図はRAMの割付を示す図、第4
図はCPU内のシフトバツフアを示す図、第5図
は実施例のカウンタ装置が適用されたページプリ
ンタの動作フローチヤート、第6図はカウンタの
初期設定処理の概略的なフローチヤート、第7図
a乃至dはそれぞれ初期設定処理の更に詳細な一
連のフローチヤート、第8図はEEPROMリー
ド1ワード(EEPRD1W)サブルーチンのフ
ローチヤート、第9図はエラーフラグカウント(
ERRFGCNT)サブルーチンのフローチヤー
ト、第10図はエラーフラグチエツク(ERRF
GCHK)サブルーチンのフローチヤート、第1
1図はトータルカウンタテーブルリード(TCN
TBLRD)サブルーチンのフローチヤート、第
12図はネクストポイント(NXTPOINT)
サブルーチンのフローチヤート、第13図はEE
PROMの更新処理の概略的なフローチヤート、
第14図a及びbはそれぞれEEPROMの更新
処理の更に詳細なフローチヤート、第15図はE
EPROMライトイネーブル(EEPWEN)サ
ブルーチンのフローチヤート、第16図はEEP
ROMライト1ワード(EEPWR1W)サブル
ーチンのフローチヤート、第17図はEEPRO
Mライトデイスイネーブル(EEPWRDS)サ
ブルーチンのフローチヤート、第18図はベリフ
アイ(VERIFY)サブルーチンのフローチヤ
ートである。 1……CPU、2……ROM、3……RAM、
4……EEPROM(不揮発性メモリ)、5……
データバス、6……アドレスデコーダ、7……ア
ドレスバス、8,9……出力ラツチ、10,11
……入力バツフア、12……表示器、13……負
荷、14……センサ、15……入力部。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 カウントデータの更新命令を発生する計数手段
と、 更新されるカウントデータが一時記憶される揮
発性メモリと、 前記計数手段が前記更新命令を発生する毎に、
前記揮発性メモリ内に一時記憶されたカウントデ
ータを更新する更新手段と、 所定量のデータ記憶領域が複数区分形成された
不揮発性メモリと、 前記不揮発性メモリを前記区分単位でアドレス
指定して、データの読み書き領域を制御するアク
セス手段と、 前記更新手段による前記揮発性メモリ内のカウ
ントデータの更新に応じて、前記揮発性メモリ内
のカウントデータを、前記不揮発性メモリの前記
アクセス手段の指定する区分のデータ記憶領域に
書き込む書き込み手段と、 前記書き込み手段により前記不揮発性メモリに
書き込まれたカウントデータを読み出し、書き込
んだ際のカウントデータとの一致判別を行なう判
別手段と、 前記判別手段により不一致判別されるカウント
データが読出された前記区分に、記憶能力不良を
示す識別データを書き込むことにより、その区分
のデータ記憶領域の使用を禁止する禁止手段とを
具備し、 前記アクセス手段は、前記識別データの書き込
まれた区分をスキツプしてアドレス指定すること
を特徴とする不揮発性メモリを用いたカウンタ装
置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8864390U JPH0449400U (ja) | 1990-08-24 | 1990-08-24 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8864390U JPH0449400U (ja) | 1990-08-24 | 1990-08-24 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0449400U true JPH0449400U (ja) | 1992-04-27 |
Family
ID=31822021
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8864390U Pending JPH0449400U (ja) | 1990-08-24 | 1990-08-24 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0449400U (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000067596A (ja) * | 1998-06-11 | 2000-03-03 | Gatefield Corp | Nvmセルベ―スfpgaのテスト時間を減少させる方法 |
WO2004071778A1 (ja) * | 2003-02-17 | 2004-08-26 | Riso Kagaku Corporation | 画像形成方法および装置並びに消耗品 |
JP4724722B2 (ja) * | 1995-11-29 | 2011-07-13 | テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド | 集積回路半導体ランダムアクセス・メモリ装置 |
JP2016097580A (ja) * | 2014-11-21 | 2016-05-30 | コニカミノルタ株式会社 | 画像形成装置およびプログラム |
-
1990
- 1990-08-24 JP JP8864390U patent/JPH0449400U/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4724722B2 (ja) * | 1995-11-29 | 2011-07-13 | テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド | 集積回路半導体ランダムアクセス・メモリ装置 |
JP2000067596A (ja) * | 1998-06-11 | 2000-03-03 | Gatefield Corp | Nvmセルベ―スfpgaのテスト時間を減少させる方法 |
WO2004071778A1 (ja) * | 2003-02-17 | 2004-08-26 | Riso Kagaku Corporation | 画像形成方法および装置並びに消耗品 |
CN100382978C (zh) * | 2003-02-17 | 2008-04-23 | 理想科学工业株式会社 | 图像形成系统 |
JP2016097580A (ja) * | 2014-11-21 | 2016-05-30 | コニカミノルタ株式会社 | 画像形成装置およびプログラム |
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