JPH06150673A - 不揮発メモリのアクセス制御装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】不揮発メモリの書き換え回数を平均化させるこ
と。 【構成】不揮発メモリ１２のアドレス上にマッピング用
ＲＡＭ１４を置き、そこに不揮発メモリ１２のバンクの
マッピングを書き込む。そして、マッピングＲＡＭ＿Ｒ
／Ｗ制御回路２０及び不揮発メモリＲ／Ｗ制御回路２４
により、書き換え回数の多いバンクは、書き換え回数の
少ないバンクとマッピングをチェンジし、変更したマッ
ピングは、不揮発メモリ１２の所定バンク（ここは、マ
ッピングチェンジ禁止になっている）に保存しておく。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、ＥＥＰＲＯＭ等の不揮
発メモリのアクセスを制御するための不揮発メモリのア
クセス制御装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、例えばページプリンタ等の各種の
装置に於いて、装置の電源を遮断しても各種データを不
揮発に記憶しておくために、ＥＥＰＲＯＭ等の不揮発メ
モリが利用されるようになってきている。

【０００３】この種の不揮発メモリは、読出し／書き込
みが可能ではあるが、無限に書き換えが可能なものでは
なく、１０⁴ 〜１０⁶ 回程度の書き換え回数に限定され
ている。

【０００４】そこで、従来、図３の（Ａ）に示すよう
に、不揮発メモリの全記憶エリアを幾つか（図では４
個）に区分し、図中にハッチングして示すように、１回
書き込む毎に記憶エリアをシフトしていくことにより、
書き込み箇所を平均化させて、メモリの書き換えの限界
を延ばすことが行われている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記のよう
に、１回書き込む毎に書き込みエリアをシフトしていく
場合には、最後にどのエリアに書き込んだのかを記憶し
ておかないと、パワーオフ後のパワーオン時に、どのエ
リアから書き始めれば良いのか分からなくなり、同じエ
リアに多く書き込んでしまい偏った書き込み回数となっ
てしまう。

【０００６】また、前に書き込んだデータを残しておき
たい場合があっても、上記のように単純に１つずつシフ
トしていくと、その残しておきたいデータも消えてしま
う。例えば、図３の（Ｂ）に示すように、１回目のデー
タを残しておきたい場合であっても、５回目の書き込み
により上書きされるので、その残しておきたいデータが
消えてしまう。

【０００７】本発明は、上記の点に鑑みてなされたもの
で、不揮発メモリの書き換え回数を平均化させることが
できる不揮発メモリのアクセス制御装置を提供すること
を目的としている。

【０００８】また付随的に、本発明は、残しておきたい
データをできるだけ消さずに、不揮発メモリの書き換え
回数を平均化させることができる不揮発メモリのアクセ
ス制御装置を提供することを目的としている。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記のような目的を達成
するために、本発明の不揮発メモリのアクセス制御装置
は、読み出し／書き込み可能な不揮発メモリのアクセス
制御装置であって、当該不揮発メモリの適用される装置
の電源遮断期間中維持すべきデータを記憶する複数のバ
ンク領域からなるデータ記憶領域と、各前記バンク領域
に対する書き込み処理回数を計数した値を各バンク領域
に対応して記憶するカウントデータ記憶領域と、アクセ
ス指示されるバンク領域と実際にアクセスすべき不揮発
メモリのバンク領域との対応関係を示すバンクテーブル
を装置電源遮断期間中維持記憶するマッピングデータ記
憶領域とを有する不揮発メモリと、前記バンクテーブル
を記憶するマッピング用メモリと、アクセス指示に応じ
て、前記マッピング用メモリのバンクテーブルに基づい
て前記不揮発メモリのカウントデータ記憶領域に記憶さ
れた前記各バンクの書き込み処理回数を比較し、その比
較結果に従って前記マッピング用メモリのバンクテーブ
ルを変更して、前記不揮発メモリをアクセスするマッピ
ング変更制御手段とを備えていることを特徴としてい
る。

【００１０】

【作用】即ち、本発明の不揮発メモリのアクセス制御装
置によれば、マッピング変更制御手段によって、アクセ
ス指示に応じて、マッピング用メモリのバンクテーブル
に基づいて不揮発メモリのカウントデータ記憶領域に記
憶された各バンクの書き込み処理回数を比較し、その比
較結果に従って前記マッピング用メモリのバンクテーブ
ルを変更して、前記不揮発メモリをアクセスするように
しているので、不揮発メモリの書き換え回数を平均化さ
せることが可能となる。

【００１１】

【実施例】以下、図面を参照して本発明の一実施例を説
明する。

【００１２】図１の（Ａ）は、その構成を示す図で、参
照番号１０がＣＰＵ、１２が不揮発メモリである。ＣＰ
Ｕ１０から不揮発メモリ１２へ与えられるアドレスは、
下位アドレスは直接不揮発メモリ１２に与えられるよう
になっているが、上位アドレスはマッピング用ＲＡＭ１
４を介して与えられるようになっている。即ち、マッピ
ング用ＲＡＭ１４は、上位アドレスとして与えられるバ
ンクＮｏ．を、その記憶内容（バンクテーブル）に基づ
いたバンクＮｏ．として不揮発メモリ１２に与える。つ
まりバンクテーブルは、ＣＰＵ１０から与えられるバン
クＮｏ．に対応してアクセスすべき不揮発メモリ１２の
バンクＮｏ．のテーブルである。

【００１３】また、第１のバッファ１６は、このマッピ
ング用ＲＡＭ１４にＣＰＵ１０がバンクＮｏ．を書き込
むときのデータバッファであり、第２のバッファ１８
は、上記不揮発メモリ１２にＣＰＵ１０がデータを読み
出し／書き込み（Ｒ／Ｗ）するため双方向バッファであ
る。

【００１４】マッピングＲＡＭ＿Ｒ／Ｗ制御回路２０
は、アドレスデコーダ２２のデコード結果とＣＰＵ１９
からのＲ／Ｗ信号とに基づいて、上記マッピングＲＡＭ
１４のＲ／Ｗ信号を作る。また、メモリＲ／Ｗ制御回路
２４は、上記アドレスデコーダ２２のデコード結果とＣ
ＰＵ１９からのＲ／Ｗ信号とに基づいて、不揮発メモリ
１２のＲ／Ｗ制御を行う。

【００１５】上記不揮発メモリ１２は、図１の（Ｂ）に
示すように、その全記憶領域が複数バンクに別れてお
り、さらには一番最後の記憶領域部分に各バンク毎のラ
イト回数が登録されるようになっている。ここで、書き
込み回数のカウントは、各バンクのアクセスの最初にカ
ウントアップするものとする。各バンクのライトカウン
ト値は全１６ビットで構成されるが、カウント値は１５
ビットまでで、最上位ビットは当該バンクに何等かの登
録データがあるかどうかを示すデータフラグになってい
る。

【００１６】また、不揮発メモリ１２のライトカウント
値の一つ前の記憶領域には、マッピングＲＡＭ１４の内
容（バンクテーブル）が書き込まれている。

【００１７】次に、上記の構成における動作を、図２の
ライト時の処理フローチャートを参照して説明する。

【００１８】即ち、ライト時のシーケンスは、先ず、パ
ワーオン後の１回目のみ、バンクテーブル内容を不揮発
メモリ１２より読み出しして、マッピング用ＲＡＭ１４
に書き込む（ステップＳ１）。

【００１９】次に、あるいはパワーオン後の２回目以降
は先ず、マッピング用ＲＡＭ１４に書き込まれているバ
ンクテーブルに基づいて、使おうとしているバンクのラ
イトカウント値を不揮発メモリ１２より読み出し、カウ
ントアップする（ステップＳ２）。

【００２０】今、書き込み回数を２０００回毎にチェッ
クするものとした場合には、カウントアップ後のライト
カウント値が２０００×ｎ（ｎ＝１，２，３，…）とな
ったかどうか判定する（ステップＳ３）。ライトカウン
ト値が２０００×ｎでない場合、次に、読出したライト
カウント値の最上位ビットのデータフラグにより、その
バンクにデータがあるかどうか判断し（ステップＳ
４）、データがなければ不揮発メモリ１２へのデータの
書き込みを行う（ステップＳ５）。

【００２１】また、データがあった場合、あるいは上記
ステップＳ３でライトカウント値が２０００×ｎである
と判定された場合には、他のバンクのライトカウント値
を読出してカウントアップした後（ステップＳ６）、そ
のライトカウント値と現在使おうとしているバンクのラ
イトカウント値とを比較する（ステップＳ７）。この比
較の結果、他のバンクのライトカウント値が現在使おう
としているバンクのライトカウント値よりも大きければ
（ステップＳ８）、上記ステップＳ６に戻って、さらに
別のバンクのライトカウント値の読み出しを行う。

【００２２】こうして、他のバンクのライトカウント値
のほうが現在使おうとしているバンクのライトカウント
値よりも小さいというものが見つかったならば、さら
に、デーフラグによりそのバンクにデータがあるかどう
か確認する（ステップＳ１０）。そして、そのバンクに
もデータがあるとなれば、他のバンクを全てチェックし
終えていない限りは（ステップＳ１０）、上記ステップ
Ｓ６に戻って、さらに別のバンクのライトカウント値の
読み出しを行う。

【００２３】こうして、全てのバンクをチェックしても
使用可能なバンクが見つからない場合は、バンクテーブ
ルはそのままで、上記ステップＳ５に進み、不揮発メモ
リ１２へのデータの書き込みを行う。

【００２４】一方、上記ステップＳ９に於いて、使用可
能なバンクにデータがないと判定された場合には、バン
クを入れ換えて（ステップＳ１１）、不揮発メモリ（前
述のライトカウンタ値記憶領域の一つ前の領域）１２に
登録する（ステップＳ１２）。また、この新しく登録し
たバンクテーブルにマッピング用ＲＡＭ１４のバンクテ
ーブルを書き換える（ステップＳ１３）。その後、上記
ステップＳ５に進み、不揮発メモリ１２の上記しよう可
能なバンクにデータを書き込む。

【００２５】このようなマッピング用ＲＡＭ１４による
不揮発メモリ１２のバンク式管理により、不揮発メモリ
１２の使用効率を良くし、不揮発メモリ１２を長持ちさ
せることができる。

【００２６】また、書き換え回数だけでなく、データの
有無によってもそのバンクを使用するかどうか決定して
いるため、残しておきたいデータをできるだけ消さずに
済む。

【００２７】

【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
不揮発メモリの書き換え回数を平均化させることができ
る不揮発メモリのアクセス制御装置を提供することがで
きる。

【００２８】また、本発明によれば、書き込まれている
データの有無により、使用する記憶エリアを自動的に変
更するようにしたので、残しておきたいデータをできる
だけ消さずに、不揮発メモリの書き換え回数を平均化さ
せることができる不揮発メモリのアクセス制御装置を提
供することができる。

【００２９】つまり、不揮発メモリは書き換え回数に制
限があるため、本発明のようなアクセス制御を行えば、
不揮発メモリを効率的に長期間使用可能となる。また、
自動的に書き換え回数をチェックするため、不揮発メモ
リのアクセスは書き換え回数を気にしなくて良くなる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（Ａ）は一実施例のブロック構成図であり、
（Ｂ）は（Ａ）中の不揮発メモリの記憶構成を示す図で
ある。

【図２】一実施例の動作を説明するためのフローチャー
トである。

【図３】（Ａ）及び（Ｂ）はそれぞれ従来の不揮発メモ
リのアクセス方法を示す図である。

【符号の説明】

１０…ＣＰＵ、１２…不揮発メモリ、１４…マッピング
用ＲＡＭ、１６，１８…バッファ、２０…マッピングＲ
ＡＭ＿Ｒ／Ｗ制御回路、２２…アドレスデコーダ、２４
…不揮発メモリＲ／Ｗ制御回路。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 読み出し／書き込み可能な不揮発メモリ
   のアクセス制御装置に於いて、 当該不揮発メモリの適用される装置の電源遮断期間中維
   持すべきデータを記憶する複数のバンク領域からなるデ
   ータ記憶領域と、各前記バンク領域に対する書き込み処
   理回数を計数した値を各バンク領域に対応して記憶する
   カウントデータ記憶領域と、アクセス指示されるバンク
   領域と実際にアクセスすべき不揮発メモリのバンク領域
   との対応関係を示すバンクテーブルを装置電源遮断期間
   中維持記憶するマッピングデータ記憶領域とを有する不
   揮発メモリと、 前記バンクテーブルを記憶するマッピング用メモリと、 アクセス指示に応じて、前記マッピング用メモリのバン
   クテーブルに基づいて前記不揮発メモリのカウントデー
   タ記憶領域に記憶された前記各バンクの書き込み処理回
   数を比較し、その比較結果に従って前記マッピング用メ
   モリのバンクテーブルを変更して、前記不揮発メモリを
   アクセスするマッピング変更制御手段と、 を具備してなることを特徴とする不揮発メモリのアクセ
   ス制御装置。