JP2014006902A - フラッシュメモリ内に記憶されるデータのためのアドレスramを有するエミュレート電気的消去可能メモリ - Google Patents
フラッシュメモリ内に記憶されるデータのためのアドレスramを有するエミュレート電気的消去可能メモリ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014006902A JP2014006902A JP2013127611A JP2013127611A JP2014006902A JP 2014006902 A JP2014006902 A JP 2014006902A JP 2013127611 A JP2013127611 A JP 2013127611A JP 2013127611 A JP2013127611 A JP 2013127611A JP 2014006902 A JP2014006902 A JP 2014006902A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- address
- data
- location
- memory
- ram
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 39
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 16
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 5
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 5
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 230000036963 noncompetitive effect Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000012913 prioritisation Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F12/00—Accessing, addressing or allocating within memory systems or architectures
- G06F12/02—Addressing or allocation; Relocation
- G06F12/0223—User address space allocation, e.g. contiguous or non contiguous base addressing
- G06F12/023—Free address space management
- G06F12/0238—Memory management in non-volatile memory, e.g. resistive RAM or ferroelectric memory
- G06F12/0246—Memory management in non-volatile memory, e.g. resistive RAM or ferroelectric memory in block erasable memory, e.g. flash memory
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F2212/00—Indexing scheme relating to accessing, addressing or allocation within memory systems or architectures
- G06F2212/72—Details relating to flash memory management
- G06F2212/7201—Logical to physical mapping or translation of blocks or pages
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F2212/00—Indexing scheme relating to accessing, addressing or allocation within memory systems or architectures
- G06F2212/72—Details relating to flash memory management
- G06F2212/7207—Details relating to flash memory management management of metadata or control data
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Read Only Memory (AREA)
- Memory System (AREA)
Abstract
【解決手段】メモリシステム100は、メモリコントローラ104と、メモリコントローラ104に結合されたアドレスRAM106と、メモリコントローラ104に結合された不揮発性メモリ108とを備える。不揮発性メモリ108は、アドレス部とデータ部を有する。不揮発性メモリ108のアドレス部は、有効データのデータ部アドレスとデータ部アドレスをメモリコントローラ104に供給する。メモリコントローラ104は、データ部アドレスをロードしてアドレスRAM108にてデータ部アドレスを有効データのデータ部アドレスによって定義されるアドレスRAM106内のロケーションに記憶する。メモリコントローラ104は、アドレスRAM106内のデータ部アドレスおよびデータブロックのロケーションを使用して不揮発性メモリ108のデータ部内のデータブロックを位置特定する。
【選択図】図1
Description
プロセス910は、圧縮動作が実行されるべきか否か、または消去動作が実行されるべきか否かを判定することを含むことができる。プロセス910における圧縮動作が実行されることになるという判定に従って、プロセス912は、所定の圧縮アルゴリズムに従って入力データを圧縮することができ、それによって、メモリブロック内に記憶されるデータのサイズが低減される。プロセス910における消去動作が実行されることになるという判定に従って、プロセス914は消去動作を実行し、その間に、単一のブロック内の1つまたは複数のページ内に記憶されているデータが順次消去される。
システム100がコピーダウンプロセス(copy down process)に使用された場合、データ部アドレスおよび対応するルックアップアドレスがアドレスRAM106に供給される必要があり、これは、アドレスシステム112内のアクティブなセクタ内のレコードをアドレスRAM106にコピーすることのみによって達成されることができる。データレコードのロケーションはアドレスRAM106から取得することができるため、検索は必要ない。アドレスレコードは一意であり、したがって、圧縮中に容易に追加および区別されることができる。
別の態様では、システムアドレスはデータ部アドレスをさらに含み、メモリシステムは、アドレスRAMから提供されるデータ部アドレスを、上記データ部アドレスと組み合わせてデータ部110から有効データを選択する論理ゲート116をさらに備えることができる。
別の態様では、方法は、無効データを含むセクタからの有効データを、有効データのみを含む1つまたは複数のセクタ内にコピーすることによって、NVM内の有効データを圧縮すること、無効データのみを含むセクタの各々に対するステータス識別子を変更することをさらに含むことができる。
別の態様では、方法は、第2の有効データに対応するアドレスを提供すること、アドレスRAMから第2の有効データのロケーションを取得すること、NVMから第2の有効データを取得するために、アドレスRAMから取得された第2の有効データのロケーションをNVMに提供することをさらに含むことができる。
別の態様では、データ部はステータス情報を含むことができる。
また他の実施形態では、メモリシステム100は、データ部110およびアドレスシステム112を有する不揮発性メモリ108と、システムアドレスに従ってデータをデータ部に書き込むデータプロセッサ102と、不揮発性メモリおよびプロセッサに結合されてシステムアドレスおよびデータを受信するメモリコントローラ104と、メモリコントローラに結合され、且つシステムアドレスに対応するルックアップアドレスを供給するアドレスRAM106とを備える。メモリコントローラは、ルックアップアドレスをアドレスシステムに供給することができ、ルックアップアドレスによって選択されるデータ部内のロケーションにデータを書き込む。
別の態様では、データ部はセクタID情報を記憶する。
別の態様では、データプロセッサは、システムアドレスに従ってデータ部からデータを読み出すことができ、メモリコントローラは、システムアドレスに対応するアドレスRAMからデータ部アドレスを取得することができ、データ部アドレスをアドレスシステムに供給して読み出しのためにデータ部内のロケーションを識別し、データ部は、データ部アドレスに対応するロケーションからデータをプロセッサに供給することができる。
別の態様では、読み出しの間、不揮発性メモリは、システムアドレスからのデータブロック内のロケーションとRAMアドレスからのデータブロック部分との組み合わせ116である選択アドレスを受信することができる。
別途記載されない限り、「第1の」および「第2の」のような用語は、そのような用語が説明する要素間で適宜区別するように使用される。したがって、これらの用語は必ずしも、このような要素の時間的なまたは他の優先順位付けを示すようには意図されていない。
Claims (21)
- メモリシステムであって、
メモリコントローラと、
前記メモリコントローラに結合されたアドレス・ランダム・アクセス・メモリ(RAM)と、
前記メモリコントローラに結合された不揮発性メモリ(NVM)とを備え、
前記不揮発性メモリは、アドレス部とデータ部とを有し、
前記不揮発性メモリの前記アドレス部は、有効データのデータ部アドレスおよびルックアップアドレスを前記メモリコントローラに供給し、
前記メモリコントローラは、前記データ部アドレスをロードして、前記有効データのルックアップアドレスによって定義される前記アドレスRAM内のロケーションに前記データ部アドレスを記憶し、
前記メモリコントローラは、前記アドレスRAM内の前記データ部アドレス、およびデータ・ブロック・アドレスのロケーションを使用して前記不揮発性メモリのデータ部内のデータブロックを位置特定する、メモリシステム。 - 前記不揮発性メモリの前記データ部に結合されたプロセッサをさらに備え、
前記プロセッサによって供給されたシステムアドレスに応答して、前記アドレスRAMは、ルックアップアドレスによって選択された前記アドレスRAM内のロケーションからのデータ部アドレスを前記不揮発性メモリに供給する、請求項1に記載のメモリシステム。 - 前記システムアドレスは、前記アドレスRAM内のロケーションを識別する前記ルックアップアドレスを含む、請求項2に記載のメモリシステム。
- 前記システムアドレスは、データ部アドレスをさらに含み、
前記メモリシステムは、前記アドレスRAMから供給されたデータ部アドレスを、前記データブロック内の前記ロケーションと組み合わせて前記データ部から有効データを選択する論理ゲートをさらに備える、請求項2に記載のメモリシステム。 - 不揮発性メモリ(NVM)を有するメモリシステムを動作させる方法であって、
前記NVM内の第1のNVMロケーションを識別することであって、該第1のNVMロケーションは第1の有効データを有する、前記識別すること、
アドレス・ランダム・アクセス・メモリ(RAM)の第1のRAMロケーションにおいて、前記第1のNVMロケーションのアドレスをロードすること、
前記第1のRAMロケーションを選択するためのシステムアドレスを供給すること、
前記第1のRAMロケーションを選択するための前記システムアドレスに応答して、前記第1のNVMロケーションの前記アドレスを前記アドレスRAMから前記NVMに供給すること、
前記アドレスRAMからの前記第1のNVMロケーションの前記アドレスの受信に応答して、前記第1のNVMロケーションから前記第1の有効データを供給することを備える、方法。 - 前記第1のNVMロケーションを前記識別することは、
前記第1のNVMロケーションが追加の有効データを有することをさらに特徴とし、
前記システムアドレスを前記提供することは、前記システムアドレスが、前記第1のRAMロケーションを選択するための第1の部分と、前記第1の有効データおよび前記追加の有効データの中から前記第1の有効データを選択するための第2の部分とを有することをさらに特徴とする、請求項5に記載の方法。 - バースト動作の一部として、前記第1の有効データおよび前記追加の有効データを前記NVMロケーション内に書き込むことをさらに含む、請求項6に記載の方法。
- 無効データを含むセクタからの前記有効データを、前記有効データのみを含む1つまたは複数のセクタ内にコピーすることによって、前記NVM内の有効データを圧縮すること、
前記無効データのみを含む前記セクタの各々に対するステータス識別子を変更することをさらに含む、請求項7に記載の方法。 - 前記NVMに書き込まれることになる第2の有効データを、対応するシステムアドレスを用いて前記メモリコントローラに供給すること、
前記NVMのアドレスシステムを使用して、前記第2の有効データを前記NVMのデータ部内の第2のNVMロケーション内に書き込むことをさらに含む、請求項5に記載の方法。 - 前記アドレスRAMに、前記第2の有効データの前記ロケーションをロードすることをさらに含む、請求項9に記載の方法。
- 前記第2の有効データに対応する前記アドレスを供給すること、
前記アドレスRAMから前記第2の有効データの前記ロケーションを取得すること、
前記NVMから前記第2の有効データを取得するために、前記アドレスRAMから取得された前記第2の有効データの前記ロケーションを前記NVMに供給することをさらに含む、請求項10に記載の方法。 - 前記第2の有効データは、前記NVMのデータ部から取得される、請求項11に記載の方法。
- 前記データ部はステータス情報を含む、請求項12に記載の方法。
- 前記データ部はデータブロックを備え、
特定のロケーションに対するアクセスは、前記データブロックおよび前記データブロック内のロケーションの識別の組み合わせである、請求項13に記載の方法。 - 読み出しの間、前記データブロック内の前記ロケーションが、前記システムアドレスによって供給され、前記データブロックの識別情報が、前記アドレスRAMから供給される、請求項14に記載の方法。
- メモリシステムであって、
データ部およびアドレスシステムを有する不揮発性メモリと、
システムアドレスに従ってデータを前記データ部に書き込むデータプロセッサと、
前記不揮発性メモリおよび前記プロセッサに結合されて、前記システムアドレスおよび前記データを受信するメモリコントローラと、
前記メモリコントローラに結合され、且つシステムアドレスに対応するルックアップアドレスを供給するアドレス・ランダム・アクセス・メモリ(RAM)とを備え、
前記メモリコントローラは、前記ルックアップアドレスを前記アドレスシステムに供給し、前記ルックアップアドレスによって選択される前記データ部内のロケーションにデータを書き込む、メモリシステム。 - 前記データ部は、ステータス情報を記憶する、請求項16に記載のメモリシステム。
- 前記データ部は、セクタID情報を記憶する、請求項17に記載のメモリシステム。
- 前記データプロセッサは、システムアドレスに従って前記データ部からデータを読み出し、
前記メモリコントローラは、システムアドレスに対応する前記アドレスRAMからデータ部アドレスを取得し、前記データ部アドレスを前記アドレスシステムに供給して読み出しのために前記データ部内のロケーションを識別し、
前記データ部は、前記データ部アドレスに対応するロケーションからデータを前記プロセッサに供給する、請求項16に記載のメモリシステム。 - 前記データ部は、データブロックを有し、
前記アドレスは各々、データブロック部分およびデータブロック部分内のロケーションを有する、請求項19に記載のメモリシステム。 - 読み出しの間、前記不揮発性メモリは、前記システムアドレスからの前記データブロック内のロケーションと前記RAMアドレスからの前記データブロック部分との組み合わせである選択アドレスを受信する、請求項20に記載のメモリシステム。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US13/530,169 | 2012-06-22 | ||
US13/530,169 US20130346680A1 (en) | 2012-06-22 | 2012-06-22 | Emulated electrically erasable memory having an address ram for data stored in flash memory |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014006902A true JP2014006902A (ja) | 2014-01-16 |
JP2014006902A5 JP2014006902A5 (ja) | 2016-08-04 |
Family
ID=49775424
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013127611A Pending JP2014006902A (ja) | 2012-06-22 | 2013-06-18 | フラッシュメモリ内に記憶されるデータのためのアドレスramを有するエミュレート電気的消去可能メモリ |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20130346680A1 (ja) |
JP (1) | JP2014006902A (ja) |
CN (1) | CN103514953B (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9563491B2 (en) * | 2014-09-12 | 2017-02-07 | Nxp Usa, Inc. | High voltage failure recovery for emulated electrically erasable (EEE) memory system |
US9996458B1 (en) * | 2017-07-12 | 2018-06-12 | Nxp Usa, Inc. | Memory sector retirement in a non-volatile memory |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06150673A (ja) * | 1992-11-12 | 1994-05-31 | Casio Electron Mfg Co Ltd | 不揮発メモリのアクセス制御装置 |
JP2002073409A (ja) * | 2000-08-28 | 2002-03-12 | Toshiba Corp | メモリカード及び同カードに適用されるアドレス変換方法 |
US20070106835A1 (en) * | 2005-11-10 | 2007-05-10 | Realtek Semiconductor Corp. | Display controller and method of updating parameters of the same |
JP2007199828A (ja) * | 2006-01-24 | 2007-08-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 不揮発性記憶装置およびそのアドレス管理方法 |
JP2008287398A (ja) * | 2007-05-16 | 2008-11-27 | Toshiba Corp | 主記憶装置、主記憶装置の制御方法、およびこの主記憶装置を用いた情報処理装置 |
US20120159058A1 (en) * | 2010-12-17 | 2012-06-21 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Memory system and method for writing data into memory system |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7130958B2 (en) * | 2003-12-02 | 2006-10-31 | Super Talent Electronics, Inc. | Serial interface to flash-memory chip using PCI-express-like packets and packed data for partial-page writes |
JP2009003783A (ja) * | 2007-06-22 | 2009-01-08 | Toshiba Corp | 不揮発性メモリの制御装置及び制御方法及び記憶装置 |
TWI457940B (zh) * | 2009-05-15 | 2014-10-21 | Macronix Int Co Ltd | 區塊為基礎快閃記憶體之位元組存取 |
US8271719B2 (en) * | 2009-10-29 | 2012-09-18 | Freescale Semiconductor, Inc. | Non-volatile memory controller device and method therefor |
-
2012
- 2012-06-22 US US13/530,169 patent/US20130346680A1/en not_active Abandoned
-
2013
- 2013-06-18 JP JP2013127611A patent/JP2014006902A/ja active Pending
- 2013-06-21 CN CN201310247508.7A patent/CN103514953B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06150673A (ja) * | 1992-11-12 | 1994-05-31 | Casio Electron Mfg Co Ltd | 不揮発メモリのアクセス制御装置 |
JP2002073409A (ja) * | 2000-08-28 | 2002-03-12 | Toshiba Corp | メモリカード及び同カードに適用されるアドレス変換方法 |
US20070106835A1 (en) * | 2005-11-10 | 2007-05-10 | Realtek Semiconductor Corp. | Display controller and method of updating parameters of the same |
JP2007199828A (ja) * | 2006-01-24 | 2007-08-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 不揮発性記憶装置およびそのアドレス管理方法 |
JP2008287398A (ja) * | 2007-05-16 | 2008-11-27 | Toshiba Corp | 主記憶装置、主記憶装置の制御方法、およびこの主記憶装置を用いた情報処理装置 |
US20120159058A1 (en) * | 2010-12-17 | 2012-06-21 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Memory system and method for writing data into memory system |
JP2012128816A (ja) * | 2010-12-17 | 2012-07-05 | Toshiba Corp | メモリシステム |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN103514953A (zh) | 2014-01-15 |
US20130346680A1 (en) | 2013-12-26 |
CN103514953B (zh) | 2018-04-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9842030B2 (en) | Data storage device and flash memory control method | |
US10628319B2 (en) | Methods for caching and reading data to be programmed into a storage unit and apparatuses using the same | |
KR102510384B1 (ko) | 압축된 데이터 백그라운드를 캐싱하는 장치, 시스템 및 방법 | |
US8386698B2 (en) | Data accessing method for flash memory and storage system and controller using the same | |
US9396107B2 (en) | Memory system having memory controller with cache memory and NVRAM and method of operating same | |
CN104699417B (zh) | 数据储存装置以及其数据存取方法 | |
US9176865B2 (en) | Data writing method, memory controller, and memory storage device | |
US9058296B2 (en) | Data processing method, memory storage device and memory control circuit unit | |
US11630766B2 (en) | Memory system and operating method thereof | |
US9563551B2 (en) | Data storage device and data fetching method for flash memory | |
US8510502B2 (en) | Data writing method, and memory controller and memory storage apparatus using the same | |
US8954705B2 (en) | Memory space management method and memory controller and memory storage device and memory storage using the same | |
JP2011022657A (ja) | メモリシステムおよび情報処理装置 | |
US9170893B2 (en) | Method and system for selecting region of a nonvolatile memory | |
US9235534B2 (en) | Data protecting method, memory controller and memory storage apparatus | |
US9213631B2 (en) | Data processing method, and memory controller and memory storage device using the same | |
CN110389908A (zh) | 存储器系统、数据处理系统和存储器系统的操作方法 | |
US20130290609A1 (en) | Memory formatting method, memory controller, and memory storage apparatus | |
CN106649144A (zh) | 数据储存设备及其操作方法 | |
CN109521944A (zh) | 数据储存装置以及数据储存方法 | |
JP2014006902A (ja) | フラッシュメモリ内に記憶されるデータのためのアドレスramを有するエミュレート電気的消去可能メモリ | |
US8589620B2 (en) | Data writing method, memory controller, and memory storage apparatus | |
US11720276B2 (en) | Memory system and controller for managing write status | |
US9710374B2 (en) | Data writing method, memory controller and memory storage device | |
US20130290603A1 (en) | Emulated electrically erasable memory parallel record management |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160617 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160617 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170209 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170328 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170623 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170626 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20171205 |