JPH0448085A - エッチング並びに現像方法 - Google Patents
エッチング並びに現像方法Info
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- JPH0448085A JPH0448085A JP15800190A JP15800190A JPH0448085A JP H0448085 A JPH0448085 A JP H0448085A JP 15800190 A JP15800190 A JP 15800190A JP 15800190 A JP15800190 A JP 15800190A JP H0448085 A JPH0448085 A JP H0448085A
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 128
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims abstract description 60
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 50
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- 238000013459 approach Methods 0.000 abstract description 16
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 14
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
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- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
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- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は印刷配線板等で薬液噴霧によりエツチングする
方法並びに現像する方法（現像についてはエツチングと
同様に適用できるが、以下説明を省略して主にエツチン
グについて述べる）に関するものである。
方法並びに現像する方法（現像についてはエツチングと
同様に適用できるが、以下説明を省略して主にエツチン
グについて述べる）に関するものである。
し従来の技術］
一般に印刷配線板等のエツチングでは、特開昭４９−４
４９４４号公報に見られるように、薬液を噴霧する際、
ノズル配管を揺動させて均一なエツチングを実現しよう
とし２ている。つまりノズル配管の振動により基板（生
産物）上に滞留する老化した薬液を新しい薬液と交換し
て均一なエツチングを試みている。第１１図（ａ）（ｂ
）はエツチング状態を示し、１はノズル配管、２はノズ
ル、３は薬液の溜まり、４は被エツチング物である基板
、５は搬送コンベアである。
４９４４号公報に見られるように、薬液を噴霧する際、
ノズル配管を揺動させて均一なエツチングを実現しよう
とし２ている。つまりノズル配管の振動により基板（生
産物）上に滞留する老化した薬液を新しい薬液と交換し
て均一なエツチングを試みている。第１１図（ａ）（ｂ
）はエツチング状態を示し、１はノズル配管、２はノズ
ル、３は薬液の溜まり、４は被エツチング物である基板
、５は搬送コンベアである。
［発明が解決しようとする課題］
しかし基板４の上面においては、基板４の寸法が大きく
なると、第１１図（ａ）に示すように基板４の上面に当
たった薬液は基板４の表面を伝って基板４の端部から落
下するので、中央部は老化した薬液が溜まりやすく、端
部は新しい薬液との液交換が容易である。そのため端部
のエツチングが敏速であるが、中央部のエツチングが遅
く、不均一なエツチングになる。また基板４の下面にお
いては、第１１図（ｂ）に示すように基板４に当たった
薬液は端部からだけでなく、中央部からも自然（重力）
落下するので、反対に端部に老化した薬液が溜まりやす
く、端部のエツチングが遅く、中央部のエツチングが敏
速であるため不均一なエツチングとなる。
なると、第１１図（ａ）に示すように基板４の上面に当
たった薬液は基板４の表面を伝って基板４の端部から落
下するので、中央部は老化した薬液が溜まりやすく、端
部は新しい薬液との液交換が容易である。そのため端部
のエツチングが敏速であるが、中央部のエツチングが遅
く、不均一なエツチングになる。また基板４の下面にお
いては、第１１図（ｂ）に示すように基板４に当たった
薬液は端部からだけでなく、中央部からも自然（重力）
落下するので、反対に端部に老化した薬液が溜まりやす
く、端部のエツチングが遅く、中央部のエツチングが敏
速であるため不均一なエツチングとなる。
本発明は叙述の点に鑑みてなされたものであって、本発
明の目的とするところは基板全面に亘って均一なエツチ
ングや現像ができるエツチング並びに現像方法を提供す
るにある。
明の目的とするところは基板全面に亘って均一なエツチ
ングや現像ができるエツチング並びに現像方法を提供す
るにある。
［課題を解決するための手段］
上記目的を達成するため未発明工・ンチング並びに現像
方法は、エツチング装置または現像装置の搬送コンベア
に基板を載せてノズルから薬液を噴霧しながら基板を移
動してエツチングまたは現像をする方法において、搬送
コンベアの上面側では搬送コンベアの駆動方向と直交す
る方向の端部から中央部に近付く程、ノズルのスプレー
口と基板表面との距離を短くしたり、ノズル分布密度を
高くしたり、ノズルのスプレー圧力を大きくしたり、流
量の大きいノズルを使用したりして薬液が強く或は多量
に基板に当たる条件で噴霧することを特徴とする。
方法は、エツチング装置または現像装置の搬送コンベア
に基板を載せてノズルから薬液を噴霧しながら基板を移
動してエツチングまたは現像をする方法において、搬送
コンベアの上面側では搬送コンベアの駆動方向と直交す
る方向の端部から中央部に近付く程、ノズルのスプレー
口と基板表面との距離を短くしたり、ノズル分布密度を
高くしたり、ノズルのスプレー圧力を大きくしたり、流
量の大きいノズルを使用したりして薬液が強く或は多量
に基板に当たる条件で噴霧することを特徴とする。
基板の上面側において薬液が強く或は多量に基板に当た
るようにする手段を列挙すると次の通りである。
るようにする手段を列挙すると次の通りである。
■ノズルのスプレー口と基板表面との距にを短くする。
■ノズル分布密度を高くする。
■ノズルのスプレー圧力を大きくする。
■流量の大きいノズルを使用する。
■上記■と■を組み合わせる。
■上記■と■を組み合わせる。
これら以外の組み合わせでもよい。
また本発明エツチング並びに現像方法は、エツチング装
置または現像袋！の搬送コンベアに基板を載せてノズル
から薬液を噴霧しながら基板を移動してエツチングまた
は現像をする方法において、搬送コンベアの下面側では
搬送コンベアの駆動方向と直交する方向の端部から中央
部に近付く程、ノズルのスプレー口と基板表面との距離
を長くしたり、ノズル分布密度を低くしたり、ノズルの
スプレー圧力を小さくしたり、流量の小さいノズルを使
用したりして薬液が弱く或は少量で基板に当たる条件で
噴霧することを特徴とすることも好ましい。
置または現像袋！の搬送コンベアに基板を載せてノズル
から薬液を噴霧しながら基板を移動してエツチングまた
は現像をする方法において、搬送コンベアの下面側では
搬送コンベアの駆動方向と直交する方向の端部から中央
部に近付く程、ノズルのスプレー口と基板表面との距離
を長くしたり、ノズル分布密度を低くしたり、ノズルの
スプレー圧力を小さくしたり、流量の小さいノズルを使
用したりして薬液が弱く或は少量で基板に当たる条件で
噴霧することを特徴とすることも好ましい。
基板の下面側において薬液が弱く或は少量で基板に当た
るようにする手段を列挙する次の通りである。
るようにする手段を列挙する次の通りである。
■′ノズルのスプレー口と基板表面との距離を長くする
。
。
■′ノズル分布密度を低くする。
■′ノズルのスプレー圧力を小さくする。
■′液流量小さいノズルを使用する。
■′上記■′と■′を組み合わせる。
■′上記■′と■′を組み合わせる。
［作用］
基板の上面では端部に比べて中央部に薬液３強くあるい
は多量に当てて中央部の薬液の交換を促進し、基板の上
面全面に亘って均一にエツチングや現像ができる。また
基板の下面では中央部に比べて端部の薬液の交換を促進
し、基板の下面全面に亘って均一にエツチングや現像が
できる。
は多量に当てて中央部の薬液の交換を促進し、基板の上
面全面に亘って均一にエツチングや現像ができる。また
基板の下面では中央部に比べて端部の薬液の交換を促進
し、基板の下面全面に亘って均一にエツチングや現像が
できる。
［実施例］
火見■ユ
これは基板４の上面側の条件を■とし、基板４の下面側
の条件を■′としたものである。つまり、基板４の上面
側では端部から中央部に近付く程、ノズル２のスプレー
口と基板４表面との距離を短くしてあり、基板４の下面
側では端部から中央部に近付く程、ノズル２のスプレー
口と基板４表面との距離を長くしである。第１図に示す
複数個のノズル２を有するノズル配管１は搬送コンベア
５の搬送方向（第１図矢印イ方向）を向いており。
の条件を■′としたものである。つまり、基板４の上面
側では端部から中央部に近付く程、ノズル２のスプレー
口と基板４表面との距離を短くしてあり、基板４の下面
側では端部から中央部に近付く程、ノズル２のスプレー
口と基板４表面との距離を長くしである。第１図に示す
複数個のノズル２を有するノズル配管１は搬送コンベア
５の搬送方向（第１図矢印イ方向）を向いており。
ノズル配管１を複数列（本実施例の場合符号Ａ乃至Ｆに
示す６列）並べである。
示す６列）並べである。
基板４の上面側では符号Ａ、Ｆで示すノズル配管１のノ
ズル２の長さは第２Ｑａ（ａ）に示すように短く、ノズ
ル２のスプレー口と基板４の表面との間の距離が１．＜
例えば１６０ｍｍ）と長くなっている。符号Ｂ、Ｅで示
すノズル配管ｌのノズル２の長さは第２図（ｂ）に示す
ように中間の長さになっており、ノズル２のスプレー口
と基板４表面との距離が／２（例えば１２０ｍｍ）と中
間の長さになっている。このノズル２は中間の長さのノ
ズル延長用バイブロａを介して設けである。符号Ｃ，Ｄ
に示すノズル配管１のノズル２の長さは第２図（ｅ）に
示すように長くなっており、ノズル２のスプレー口と基
板４表面との距離がＩＡ例えば８０ｍｍ＞と短くなって
いる。このノズル２は長いノズル延長バイブロｂを介し
て設けである。
ズル２の長さは第２Ｑａ（ａ）に示すように短く、ノズ
ル２のスプレー口と基板４の表面との間の距離が１．＜
例えば１６０ｍｍ）と長くなっている。符号Ｂ、Ｅで示
すノズル配管ｌのノズル２の長さは第２図（ｂ）に示す
ように中間の長さになっており、ノズル２のスプレー口
と基板４表面との距離が／２（例えば１２０ｍｍ）と中
間の長さになっている。このノズル２は中間の長さのノ
ズル延長用バイブロａを介して設けである。符号Ｃ，Ｄ
に示すノズル配管１のノズル２の長さは第２図（ｅ）に
示すように長くなっており、ノズル２のスプレー口と基
板４表面との距離がＩＡ例えば８０ｍｍ＞と短くなって
いる。このノズル２は長いノズル延長バイブロｂを介し
て設けである。
また基板４の下面側では符号Ａ、Ｆに示すノズル配管１
では第２図（ｅ）に示すようにノズル２と基板４表面と
の距離がｌ、と短く、符号Ｂ、Ｅで示すノズル配管１で
は第２ 図（ｂ＞に示すようにノズル２と基板４の表面
との距離がｌ、と中間の長さで、符号Ｃ，Ｄに示すノズ
ル配管１では第２図（ａ）に示すようにノズル２と基板
４表面との距離はｉｌと長い。
では第２図（ｅ）に示すようにノズル２と基板４表面と
の距離がｌ、と短く、符号Ｂ、Ｅで示すノズル配管１で
は第２ 図（ｂ＞に示すようにノズル２と基板４の表面
との距離がｌ、と中間の長さで、符号Ｃ，Ｄに示すノズ
ル配管１では第２図（ａ）に示すようにノズル２と基板
４表面との距離はｉｌと長い。
しかして基板４の上面側では端部から中央に近付く程、
ノズル２から噴霧する薬液が強く当たり、基板４の下面
側では中央から端部に近付（程、ノズル２から噴霧する
薬液が強く当たり、基板４の上面側でも下面側でも老化
した薬液と新しい薬液との交換が均一に行われて全面に
亘って均一にエツチングが行われる。
ノズル２から噴霧する薬液が強く当たり、基板４の下面
側では中央から端部に近付（程、ノズル２から噴霧する
薬液が強く当たり、基板４の上面側でも下面側でも老化
した薬液と新しい薬液との交換が均一に行われて全面に
亘って均一にエツチングが行われる。
東ｌ１号）
これは基板４の上面側の条件を■とし、基板４の下面側
の条件を■′とじたものである。つまり、基板４の上面
側では端部から中央部に近付く程、ノズル２の分布密度
を高くしてあり、基板４の下面側では端部から中央部に
近付く程、ノズル２の分布密度を低くしである。
の条件を■′とじたものである。つまり、基板４の上面
側では端部から中央部に近付く程、ノズル２の分布密度
を高くしてあり、基板４の下面側では端部から中央部に
近付く程、ノズル２の分布密度を低くしである。
第３図は基板４の上面側のノズル２の配置を示すもので
ある。符号Ａで示すノズル配管１と符号Ｂで示すノズル
配管１との間の間隔Ｗ、や符号Ｅで示すノズル配管１と
符号Ｆで示すノズル配管１との間隔Ｗ、は広く、符号Ｂ
で示すノズル配管ｌと符号Ｃで示すノズル配管１との間
隔Ｗ２や符号りで示すノズル配管１と符号Ｅで示すノズ
ル配管１との間隔Ｗ２は中間の広さで、符号Ｃで示すノ
ズル配管１と符号りで示すノズル配管１との間隔Ｗ３は
狭い、具体的にはＷｌは１５０ｍｍ、ｗ２は１００ｍｍ
、ｗ、は５０ｍｍである。また符号ＡＦで示すノズル配
管１のノズル２を設けるピッチが大きく、符号Ｂ、Ｅに
示すノズル配管１のノズル２を設けるピッチが中間で、
符号Ｃ，Ｄで示すノズル配管１のノズル２を設けるピッ
チが小さい。
ある。符号Ａで示すノズル配管１と符号Ｂで示すノズル
配管１との間の間隔Ｗ、や符号Ｅで示すノズル配管１と
符号Ｆで示すノズル配管１との間隔Ｗ、は広く、符号Ｂ
で示すノズル配管ｌと符号Ｃで示すノズル配管１との間
隔Ｗ２や符号りで示すノズル配管１と符号Ｅで示すノズ
ル配管１との間隔Ｗ２は中間の広さで、符号Ｃで示すノ
ズル配管１と符号りで示すノズル配管１との間隔Ｗ３は
狭い、具体的にはＷｌは１５０ｍｍ、ｗ２は１００ｍｍ
、ｗ、は５０ｍｍである。また符号ＡＦで示すノズル配
管１のノズル２を設けるピッチが大きく、符号Ｂ、Ｅに
示すノズル配管１のノズル２を設けるピッチが中間で、
符号Ｃ，Ｄで示すノズル配管１のノズル２を設けるピッ
チが小さい。
第４図は基板４の下面側のノズル２の配置を示すもので
ある。この場合符号Ａのノズル配管１と符号Ｂのノズル
配管１との間隔Ｗ、′や符号Ｅのノズル配管１と符号Ｆ
のノズル配管１との間隔Ｗ′が狭く、符号Ｂのノズル配
管１と符号Ｃのノズル配管１との間隔ｗ ２ ’や符号
りのノズル配管１と符号Ｅのノズル配管１との間隔Ｗ
２ ′が中間で、符号Ｃのノズル配管１と符号りのノズ
ル配管１との間隔Ｗ３′が広い、具体的にはＷ１′は８
０ｍｍ、ｗ２’は１２０ｍｍ、ｗ、’は１５０ｍｍであ
る。また符号Ａ、Ｆで示すノズル配管１のノズル２を設
けるピッチが小さく、符号Ｂ、Ｅに示すノズル配管１の
ノズル２を設けるピッチが中間で、符号Ｃ，Ｄで示すノ
ズル配管１のノズル２を設けるピッチが大きい。
ある。この場合符号Ａのノズル配管１と符号Ｂのノズル
配管１との間隔Ｗ、′や符号Ｅのノズル配管１と符号Ｆ
のノズル配管１との間隔Ｗ′が狭く、符号Ｂのノズル配
管１と符号Ｃのノズル配管１との間隔ｗ ２ ’や符号
りのノズル配管１と符号Ｅのノズル配管１との間隔Ｗ
２ ′が中間で、符号Ｃのノズル配管１と符号りのノズ
ル配管１との間隔Ｗ３′が広い、具体的にはＷ１′は８
０ｍｍ、ｗ２’は１２０ｍｍ、ｗ、’は１５０ｍｍであ
る。また符号Ａ、Ｆで示すノズル配管１のノズル２を設
けるピッチが小さく、符号Ｂ、Ｅに示すノズル配管１の
ノズル２を設けるピッチが中間で、符号Ｃ，Ｄで示すノ
ズル配管１のノズル２を設けるピッチが大きい。
しかして基板４の上面側では端部から中央に近付く程、
ノズル２から噴霧する薬液が集中して当たり、基板４の
下面側では中央から端部に近付く程、ノズル２から噴霧
する薬液が集中して当たり、基板４の上面側でも下面側
でも老化した薬液と新しい薬液との交換が均一に行われ
て全面に亘って均一にエツチングが行われる。
ノズル２から噴霧する薬液が集中して当たり、基板４の
下面側では中央から端部に近付く程、ノズル２から噴霧
する薬液が集中して当たり、基板４の上面側でも下面側
でも老化した薬液と新しい薬液との交換が均一に行われ
て全面に亘って均一にエツチングが行われる。
火施■ユ
これは基板４の上面側の条件を■とし、基板４の下面側
の条件を■′とじたものである。つまり、基板４の上面
側では端部から中央部に近付く程、ノズル２のスプレー
圧力を大きくしてあり、基板４の下面側では端部から中
央部に近付く程、ノズル２のスプレー圧力を小さくしで
ある。
の条件を■′とじたものである。つまり、基板４の上面
側では端部から中央部に近付く程、ノズル２のスプレー
圧力を大きくしてあり、基板４の下面側では端部から中
央部に近付く程、ノズル２のスプレー圧力を小さくしで
ある。
基板４の上面側では第５図の符号Ｃ，Ｄに示すノズル配
管１のノズル２からのスプレー圧力は高く、例えば２
Ｋ ｇ ／ ｃ ｍ ２である。符号Ｂ、Ｅに示すノズ
ル配管１のノズル２からのスプレー圧力は中間で、例え
ば１．５Ｋｇ／ｃｍ２である。符号Ａ、Ｆで示すノズル
配管１のノズル２からのスプレー圧力は低く、例えばＩ
Ｋ ｇ ／ ｃ ｍ ２である。
管１のノズル２からのスプレー圧力は高く、例えば２
Ｋ ｇ ／ ｃ ｍ ２である。符号Ｂ、Ｅに示すノズ
ル配管１のノズル２からのスプレー圧力は中間で、例え
ば１．５Ｋｇ／ｃｍ２である。符号Ａ、Ｆで示すノズル
配管１のノズル２からのスプレー圧力は低く、例えばＩ
Ｋ ｇ ／ ｃ ｍ ２である。
基板４の下面では符号Ａ、Ｆで示すノズル配管１のノズ
ル２のスプレー圧力が高く、例えば２Ｋｇ 、／ Ｃｍ
２である。符号Ｂ、Ｅで示すノズル配管１のノズル２
のスプレー圧力が中間で、例えば１゜８ Ｋ ｇ ／
ｃ ｍ ２である。符号Ｃ，Ｄに示すノズル配管１のノ
ズル２のスプレー圧力が低く、例えば１．５Ｋｇ／ｃｍ
”である。
ル２のスプレー圧力が高く、例えば２Ｋｇ 、／ Ｃｍ
２である。符号Ｂ、Ｅで示すノズル配管１のノズル２
のスプレー圧力が中間で、例えば１゜８ Ｋ ｇ ／
ｃ ｍ ２である。符号Ｃ，Ｄに示すノズル配管１のノ
ズル２のスプレー圧力が低く、例えば１．５Ｋｇ／ｃｍ
”である。
しかして基板４の上面側では端部から中央に近付く程、
ノズル２から噴霧する薬液が強く当たり、基板４の下面
側では中央から端部に近付く程、ノズル２から噴霧する
薬液が強く当たり、基板４の上面側でも下面側でも老化
した薬液と新しい薬液との交換が均一に行われて全面に
亘って均一にエツチングが行われる。
ノズル２から噴霧する薬液が強く当たり、基板４の下面
側では中央から端部に近付く程、ノズル２から噴霧する
薬液が強く当たり、基板４の上面側でも下面側でも老化
した薬液と新しい薬液との交換が均一に行われて全面に
亘って均一にエツチングが行われる。
Ｋ胤［４
これは基板４の上面側の条件を■とし、基板４の下面側
の条件を■′とじたものである。つまり、基板４の上面
側では端部から中央部に近付く程、流量の大きいノズル
２を使用しており、基板４の下面側では端部から中央部
に近付く程、流量の小さいノズル２を使用している。
の条件を■′とじたものである。つまり、基板４の上面
側では端部から中央部に近付く程、流量の大きいノズル
２を使用しており、基板４の下面側では端部から中央部
に近付く程、流量の小さいノズル２を使用している。
基板４の上面側では第６図の符号Ｃ，Ｄに示すノズル配
管１のノズル２の流量が多く、例えば８１７ｍ１ｎであ
る。符号Ｂ、Ｅに示すノズル配管１のノズル２の流量が
中間で、例えば６１／ｍｉｎである。符号Ａ、Ｆで示す
ノズル配管１のノズル２の流量は少なく、例えば４ｊ！
／ｍｉｎである。
管１のノズル２の流量が多く、例えば８１７ｍ１ｎであ
る。符号Ｂ、Ｅに示すノズル配管１のノズル２の流量が
中間で、例えば６１／ｍｉｎである。符号Ａ、Ｆで示す
ノズル配管１のノズル２の流量は少なく、例えば４ｊ！
／ｍｉｎである。
基板４の下面側では符号Ａ、Ｆに示すノズル配管１のノ
ズル２の流量は多く、例えば８Ｌ’ｍｉｎである。符号
Ｂ、Ｅで示すノズル配管１のノズル２の流量は中間で、
例えば７１７ｍ１ｎである。
ズル２の流量は多く、例えば８Ｌ’ｍｉｎである。符号
Ｂ、Ｅで示すノズル配管１のノズル２の流量は中間で、
例えば７１７ｍ１ｎである。
符号Ｃ，Ｄで示すノズル配管１のノズル２の流量は少な
く、例えば６１／ｍｉｎである。
く、例えば６１／ｍｉｎである。
しかして基板４の上面側では端部から中央に近付く程、
ノズル２から噴霧する薬液が多く当たり、基板４の下面
側では中央から端部に近付く程、ノズル２から噴霧する
薬液が多く当たり、基板４の上面側でも下面側でも老化
した薬液と新しい薬液との交換が均一に行われて全面に
亘って均一にエツチングが行われる。
ノズル２から噴霧する薬液が多く当たり、基板４の下面
側では中央から端部に近付く程、ノズル２から噴霧する
薬液が多く当たり、基板４の上面側でも下面側でも老化
した薬液と新しい薬液との交換が均一に行われて全面に
亘って均一にエツチングが行われる。
叉胤班５
これは基板４の上面側の条件を■とし、基板４の下面側
の条件を■′とじたものである。つまり、基板４の上面
側では端部から中央部に近付く程、ノズル２のスプレー
口と基板４表面との距離を短くすると共にノズル２の分
布密度を高くしており、基板４の下面側では端部から中
央部に近付く程、ノズル２のスプレー口と基板４表面と
の距離を長くすると共にノズル２の分布密度を低くして
いる。
の条件を■′とじたものである。つまり、基板４の上面
側では端部から中央部に近付く程、ノズル２のスプレー
口と基板４表面との距離を短くすると共にノズル２の分
布密度を高くしており、基板４の下面側では端部から中
央部に近付く程、ノズル２のスプレー口と基板４表面と
の距離を長くすると共にノズル２の分布密度を低くして
いる。
基板４の上面側では第７図（ａ＞に示すように端部から
中央部に近付く程、ノズル配管１の間隔がＶＶＩ、 Ｖ
Ｖ２． Ｗ３と小さくなっている。具体的にはｗｌは１
５０ｍｍ、ｗ、は１００ｍｍ、ｗ、は５０ｍｍである。
中央部に近付く程、ノズル配管１の間隔がＶＶＩ、 Ｖ
Ｖ２． Ｗ３と小さくなっている。具体的にはｗｌは１
５０ｍｍ、ｗ、は１００ｍｍ、ｗ、は５０ｍｍである。
また端部のノズル配管１から中央部のノズル配管１に向
けてノズル２を設けるピッチが小さくなっている。しか
も符号Ａ、Ｆに示すノズル配管１のノズル２のスプレー
口と基板４との間の距離は第８図（ａ）に示すように１
１と長く、符号Ｂ、Ｅに示すノズル配管１のノズル２の
スプレー口と基板４との距離は第８図（ｂ）に示すよう
に１２と中間の長さで、符号Ｃ，Ｄに示すノズル配管１
のノズル２のスプレー口と基板４との距離は第８図（ｃ
）に示すように！、と短い、具体的には１１が１５０ｍ
ｍ、１２が１００ｍｍ、１３が９０ｍｍである。
けてノズル２を設けるピッチが小さくなっている。しか
も符号Ａ、Ｆに示すノズル配管１のノズル２のスプレー
口と基板４との間の距離は第８図（ａ）に示すように１
１と長く、符号Ｂ、Ｅに示すノズル配管１のノズル２の
スプレー口と基板４との距離は第８図（ｂ）に示すよう
に１２と中間の長さで、符号Ｃ，Ｄに示すノズル配管１
のノズル２のスプレー口と基板４との距離は第８図（ｃ
）に示すように！、と短い、具体的には１１が１５０ｍ
ｍ、１２が１００ｍｍ、１３が９０ｍｍである。
基板４の下面側では第７図（ｂ）に示すように端部から
中央部に近付く程、ノズル配管１の間隔がｗ１′、ｗ２
” 、 Ｗ３’と大きくなっている。具体的にはｗ、′
は８０ ｍｍ 、 ｗｘ′は１２０ｍｍ、ｗ′は１５０
ｍｍである。また端部のノズル配管１から中央部のノズ
ル配管１に向けてノズル２を設けるピッチが大きくなっ
ている。しかも符号Ｃ１Ｄに示すノズル配管１のノズル
２のスプレー口と基板４との間の距離は第８図（ａ）に
示すようにｌと長く、符号Ｂ、Ｅに示すノズル配管１の
ノズル２のスプレー口と基板４との距離は第８図（ｂ）
に示すように１２と中間の長さで、符号Ａ、Ｆに示すノ
ズル配管１のノズル２のスプレー口と基板４との距離は
第８図（ｃ）に示すように！、と短い。
中央部に近付く程、ノズル配管１の間隔がｗ１′、ｗ２
” 、 Ｗ３’と大きくなっている。具体的にはｗ、′
は８０ ｍｍ 、 ｗｘ′は１２０ｍｍ、ｗ′は１５０
ｍｍである。また端部のノズル配管１から中央部のノズ
ル配管１に向けてノズル２を設けるピッチが大きくなっ
ている。しかも符号Ｃ１Ｄに示すノズル配管１のノズル
２のスプレー口と基板４との間の距離は第８図（ａ）に
示すようにｌと長く、符号Ｂ、Ｅに示すノズル配管１の
ノズル２のスプレー口と基板４との距離は第８図（ｂ）
に示すように１２と中間の長さで、符号Ａ、Ｆに示すノ
ズル配管１のノズル２のスプレー口と基板４との距離は
第８図（ｃ）に示すように！、と短い。
しかして基板４の上面側では端部から中央に近付く程、
ノズル２から噴霧する薬液が強く当たると共に集中して
当たり、基板４の下面側では中央から端部に近付く程、
ノズル２から噴霧する薬液が強く当たると共に集中して
当たり、基板４の上面側でも下面側でも老化した薬液と
新しい薬液との交換が均一に行われて全面に亘って均一
にエツチングが行われる。
ノズル２から噴霧する薬液が強く当たると共に集中して
当たり、基板４の下面側では中央から端部に近付く程、
ノズル２から噴霧する薬液が強く当たると共に集中して
当たり、基板４の上面側でも下面側でも老化した薬液と
新しい薬液との交換が均一に行われて全面に亘って均一
にエツチングが行われる。
Ｋ胤■玉
これは基板４の上面側の条件を■とし、基板４の下面側
の条件を■′とじたものである。つまり、基板４の上面
側では端部から中央部に近付く程、ノズル２のスプレー
口と基板４表面との距離を短くすると共にノズル２のス
プレー圧力を大きくしており、基板４の下面側では端部
から中央部に近付く程、ノズル２のスプレー口と基板４
表面との距離を長くすると共にノズル２のスプレー圧力
を小さくしている。
の条件を■′とじたものである。つまり、基板４の上面
側では端部から中央部に近付く程、ノズル２のスプレー
口と基板４表面との距離を短くすると共にノズル２のス
プレー圧力を大きくしており、基板４の下面側では端部
から中央部に近付く程、ノズル２のスプレー口と基板４
表面との距離を長くすると共にノズル２のスプレー圧力
を小さくしている。
基板４の上面側では第９図の符号Ａ、Ｆに示すノズル配
管１のノズル２のスプレー口と基板４との間の距離は第
１０図（ａ）に示すように１１と長く、符号Ｂ、Ｈに示
すノズル配管１のノズル２のスプレー口と基板４との距
離は第１０図（ｂ）に示すように１２と中間の長さで、
符号Ｃ，Ｄに示すノズル配管１のノズル２のスプレー口
と基板４との距離は第１０図（ｅ）に示すように！、と
短い、具体的にはＩ、が１５０ｍｍ、ｆ、が１２０ｍｍ
、ｆ、が９０ｍｍである。しかも符号Ａ、Ｆに示すノズ
ル配管１のノズル２からのスプレー圧力は小さく、具体
的にはＩＫｇ／ｃｍ２であり、符号Ｂ、Ｅに示すノズル
配管１のノズル２からのスプレー圧力は中間で、具体的
には１．２Ｋｇ／ｃｍ”であり、符号Ｃ１Ｄに示すノズ
ル配管１のノズル２からのスプレー圧力は高く、具体的
には１．５Ｋｇ／ｃｍ２である。
管１のノズル２のスプレー口と基板４との間の距離は第
１０図（ａ）に示すように１１と長く、符号Ｂ、Ｈに示
すノズル配管１のノズル２のスプレー口と基板４との距
離は第１０図（ｂ）に示すように１２と中間の長さで、
符号Ｃ，Ｄに示すノズル配管１のノズル２のスプレー口
と基板４との距離は第１０図（ｅ）に示すように！、と
短い、具体的にはＩ、が１５０ｍｍ、ｆ、が１２０ｍｍ
、ｆ、が９０ｍｍである。しかも符号Ａ、Ｆに示すノズ
ル配管１のノズル２からのスプレー圧力は小さく、具体
的にはＩＫｇ／ｃｍ２であり、符号Ｂ、Ｅに示すノズル
配管１のノズル２からのスプレー圧力は中間で、具体的
には１．２Ｋｇ／ｃｍ”であり、符号Ｃ１Ｄに示すノズ
ル配管１のノズル２からのスプレー圧力は高く、具体的
には１．５Ｋｇ／ｃｍ２である。
基板４の下ＷＩｌＩｌでは第９図の符号Ｃ，Ｄに示すノ
ズル配管１のノズル２のスプレー口と基板４との閏の距
離は第１０図（ａ）に示すように１１と長く、符号Ｂ、
Ｅに示すノズル配管１のノズル２のスプレー口と基板４
との距離は第１Ｏ図（ｂ）に示すように！２と中間の長
さで、符号Ａ、Ｆに示すノズル配管１のノズル２のスプ
レー口と基板４との距離は第１０図（ｅ）に示すように
！、と短い、しかも符号Ｃ，Ｄに示すノズル配管１のノ
ズル２からのスプレー圧力は小さく、具体的にはＩ Ｋ
ｇ ／ ｃ ｍ 、’であり、符号Ｂ、Ｈに示すノズ
ル配管１のノズル２からのスプレー圧力は中間で、具体
的には１゜１Ｋｇ／ｃｍ’であり、符号Ａ、Ｆに示すノ
ズル配管１のノズル２からのスプレー圧力は高く、具体
的には１．２Ｋｇ／ｃｍ２である。
ズル配管１のノズル２のスプレー口と基板４との閏の距
離は第１０図（ａ）に示すように１１と長く、符号Ｂ、
Ｅに示すノズル配管１のノズル２のスプレー口と基板４
との距離は第１Ｏ図（ｂ）に示すように！２と中間の長
さで、符号Ａ、Ｆに示すノズル配管１のノズル２のスプ
レー口と基板４との距離は第１０図（ｅ）に示すように
！、と短い、しかも符号Ｃ，Ｄに示すノズル配管１のノ
ズル２からのスプレー圧力は小さく、具体的にはＩ Ｋ
ｇ ／ ｃ ｍ 、’であり、符号Ｂ、Ｈに示すノズ
ル配管１のノズル２からのスプレー圧力は中間で、具体
的には１゜１Ｋｇ／ｃｍ’であり、符号Ａ、Ｆに示すノ
ズル配管１のノズル２からのスプレー圧力は高く、具体
的には１．２Ｋｇ／ｃｍ２である。
しかして基板４の上面側では端部から中央に近付く程、
ノズル２から噴霧する薬液が強く当なり、基板４の下面
側では中央から端部に近付く程、ノズル２から噴霧する
薬液が強く当たり、基板４の上面側でも下面側でも老化
した薬液と新しい薬液との交換が均一に行われて全面に
亘って均一にエツチングが行われる。
ノズル２から噴霧する薬液が強く当なり、基板４の下面
側では中央から端部に近付く程、ノズル２から噴霧する
薬液が強く当たり、基板４の上面側でも下面側でも老化
した薬液と新しい薬液との交換が均一に行われて全面に
亘って均一にエツチングが行われる。
［発明の効果〕
本発明は叙述の如く搬送コンベアの上面側では搬送コン
ベアの駆動方向と直交する方向の端部から中央部に近付
く程、ノズルのスプレー口と基板表面との距離を短くし
たり、ノズル分布密度を高くしたり、ノズルのスプレー
圧力を大きくしたり、流量の大きいノズルを使用したり
して薬液が強く或は多量に基板に当たる条件で噴霧する
ので、基板の上面の中央部での薬液の交換の促進がされ
、基板の上面の全面に亘って均一な薬液の交換がされて
基板上面でのエツチングや現像が均一に行われるもので
ある。
ベアの駆動方向と直交する方向の端部から中央部に近付
く程、ノズルのスプレー口と基板表面との距離を短くし
たり、ノズル分布密度を高くしたり、ノズルのスプレー
圧力を大きくしたり、流量の大きいノズルを使用したり
して薬液が強く或は多量に基板に当たる条件で噴霧する
ので、基板の上面の中央部での薬液の交換の促進がされ
、基板の上面の全面に亘って均一な薬液の交換がされて
基板上面でのエツチングや現像が均一に行われるもので
ある。
また本発明の請求項２記載の発明にあっては、搬送コン
ベアの下面側では搬送コンベアの駆動方向と直交する方
向の端部から中央部に近付く程、ノズルのスプレー口と
基板表面との距離を長くしたり、ノズル分布密度を低く
したり、ノズルのスプレー圧力を小さくしたり、流量の
小さいノズルを使用したりして薬液が弱く或は少量で基
板に当たる条件で噴霧するので、基板の下面の端部での
薬液の交換が促進され、基板の下面の全面に亘って均一
な薬液の交換がされて基板下面でのエツチングや現像が
均一に行われるものである。
ベアの下面側では搬送コンベアの駆動方向と直交する方
向の端部から中央部に近付く程、ノズルのスプレー口と
基板表面との距離を長くしたり、ノズル分布密度を低く
したり、ノズルのスプレー圧力を小さくしたり、流量の
小さいノズルを使用したりして薬液が弱く或は少量で基
板に当たる条件で噴霧するので、基板の下面の端部での
薬液の交換が促進され、基板の下面の全面に亘って均一
な薬液の交換がされて基板下面でのエツチングや現像が
均一に行われるものである。
第１図は本考案の実施例１を説明する平面図、第２ 図
（ａ） （ｂ） （ｃ）は同上のノズルのスプレー口と
基板の距離を説明する正面図、第３図は同上の実施例２
の基板上面側のノズル配置を示す平面図、第４図は同上
の実施例２の基板下面側のノズル配ｌを示す平面図、第
５図は同上の実施例３を説明する平面図、第６図は同上
の実施例４を説明する平面図、第７図（ａ）は同上の実
施例５の基板上面側のノズル配置を示す平面図、第７図
（ｂ）は同上の実施例５の基板下面側のノズル配！を示
す平面図、第８図（ａ） （ｂ） （ｅ）は同上の実施
例５のノズルのスプレー口と基板の距離を説明する正面
図、第９図は同上の実施例６を説明する平面図、第１０
図（ａ）（ｂ）（ｅ）は同上の実施例６のノズルのスプ
レー口と基板の距離を説明する正面図、第１１図（ａ）
（ｂ）は従来例の問題を説明する断面図であって、１は
ノズル配管、２はノズル、４は基板、５は搬送コンベア
である。 代理人 弁理士 石 １）長 七 第１ｍ 第３Ｉ！ｌ１ 基板 第２！ｌ１ｌ （ｂ） （Ｃ） 第４図 第５圓 第６図 第９図 第１０図 第７ｖ！Ａ （ｂ） 第８図 第１１１Ｋ （ｂ）
（ａ） （ｂ） （ｃ）は同上のノズルのスプレー口と
基板の距離を説明する正面図、第３図は同上の実施例２
の基板上面側のノズル配置を示す平面図、第４図は同上
の実施例２の基板下面側のノズル配ｌを示す平面図、第
５図は同上の実施例３を説明する平面図、第６図は同上
の実施例４を説明する平面図、第７図（ａ）は同上の実
施例５の基板上面側のノズル配置を示す平面図、第７図
（ｂ）は同上の実施例５の基板下面側のノズル配！を示
す平面図、第８図（ａ） （ｂ） （ｅ）は同上の実施
例５のノズルのスプレー口と基板の距離を説明する正面
図、第９図は同上の実施例６を説明する平面図、第１０
図（ａ）（ｂ）（ｅ）は同上の実施例６のノズルのスプ
レー口と基板の距離を説明する正面図、第１１図（ａ）
（ｂ）は従来例の問題を説明する断面図であって、１は
ノズル配管、２はノズル、４は基板、５は搬送コンベア
である。 代理人 弁理士 石 １）長 七 第１ｍ 第３Ｉ！ｌ１ 基板 第２！ｌ１ｌ （ｂ） （Ｃ） 第４図 第５圓 第６図 第９図 第１０図 第７ｖ！Ａ （ｂ） 第８図 第１１１Ｋ （ｂ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ［１］エッチング装置または現像装置の搬送コンベアに
基板を載せてノズルから薬液を噴霧しながら基板を移動
してエッチングまたは現像をする方法において、搬送コ
ンベアの上面側では搬送コンベアの駆動方向と直交する
方向の端部から中央部に近付く程、ノズルのスプレー口
と基板表面との距離を短くしたり、ノズル分布密度を高
くしたり、ノズルのスプレー圧力を大きくしたり、流量
の大きいノズルを使用したりして薬液が強く或は多量に
基板に当たる条件で噴霧することを特徴とするエッチン
グ並びに現像方法。 ［２］エッチング装置または現像装置の搬送コンベアに
基板を載せてノズルから薬液を噴霧しながら基板を移動
してエッチングまたは現像をする方法において、搬送コ
ンベアの下面側では搬送コンベアの駆動方向と直交する
方向の端部から中央部に近付く程、ノズルのスプレー口
と基板表面との距離を長くしたり、ノズル分布密度を低
くしたり、ノズルのスプレー圧力を小さくしたり、流量
の小さいノズルを使用したりして薬液が弱く或は少量で
基板に当たる条件で噴霧することを特徴とするエッチン
グ並びに現像方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2158001A JP2573396B2 (ja) | 1990-06-15 | 1990-06-15 | エッチング並びに現像方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2158001A JP2573396B2 (ja) | 1990-06-15 | 1990-06-15 | エッチング並びに現像方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0448085A true JPH0448085A (ja) | 1992-02-18 |
| JP2573396B2 JP2573396B2 (ja) | 1997-01-22 |
Family
ID=15662085
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2158001A Expired - Fee Related JP2573396B2 (ja) | 1990-06-15 | 1990-06-15 | エッチング並びに現像方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2573396B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6179954B1 (en) | 1994-02-16 | 2001-01-30 | Fujitsu Limited | Apparatus and method for etching printed circuit board |
| WO2001052610A1 (fr) * | 2000-01-11 | 2001-07-19 | Matsushita Electric Industrial Co.,Ltd | Dispositif de fabrication pour plaquette de circuit imprime et plaquette de circuit imprime ainsi obtenu |
| JP2006313219A (ja) * | 2005-05-09 | 2006-11-16 | Toppan Printing Co Ltd | 現像装置 |
| WO2011120509A1 (de) * | 2010-04-01 | 2011-10-06 | Lp Vermarktungs Gmbh & Co. Kg | Vorrichtung und verfahren zum besprühen einer oberfläche eines substrates |
| US8177993B2 (en) * | 2006-11-05 | 2012-05-15 | Globalfoundries Singapore Pte Ltd | Apparatus and methods for cleaning and drying of wafers |
| JP2016500923A (ja) * | 2012-10-30 | 2016-01-14 | エスエムシー カンパニー リミテッド | 微細回路の製造方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10154885A1 (de) * | 2001-11-05 | 2003-05-15 | Schmid Gmbh & Co Geb | Verfahren zur Behandlung von Gegenständen mittels einer Flüssigkeit |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6215238U (ja) * | 1985-07-10 | 1987-01-29 | ||
| JPH0290600A (ja) * | 1988-09-28 | 1990-03-30 | Hitachi Ltd | プリント基板表面処理装置 |
-
1990
- 1990-06-15 JP JP2158001A patent/JP2573396B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6215238U (ja) * | 1985-07-10 | 1987-01-29 | ||
| JPH0290600A (ja) * | 1988-09-28 | 1990-03-30 | Hitachi Ltd | プリント基板表面処理装置 |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US6179954B1 (en) | 1994-02-16 | 2001-01-30 | Fujitsu Limited | Apparatus and method for etching printed circuit board |
| WO2001052610A1 (fr) * | 2000-01-11 | 2001-07-19 | Matsushita Electric Industrial Co.,Ltd | Dispositif de fabrication pour plaquette de circuit imprime et plaquette de circuit imprime ainsi obtenu |
| US6918989B2 (en) | 2000-01-11 | 2005-07-19 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Apparatus for manufacturing printed wiring board and method for manufacturing printed wiring board using the same |
| CN100387104C (zh) * | 2000-01-11 | 2008-05-07 | 松下电器产业株式会社 | 印刷布线板的制造装置以及使用它的印刷布线板的制造方法 |
| JP2006313219A (ja) * | 2005-05-09 | 2006-11-16 | Toppan Printing Co Ltd | 現像装置 |
| US8177993B2 (en) * | 2006-11-05 | 2012-05-15 | Globalfoundries Singapore Pte Ltd | Apparatus and methods for cleaning and drying of wafers |
| WO2011120509A1 (de) * | 2010-04-01 | 2011-10-06 | Lp Vermarktungs Gmbh & Co. Kg | Vorrichtung und verfahren zum besprühen einer oberfläche eines substrates |
| JP2013524007A (ja) * | 2010-04-01 | 2013-06-17 | ヴォルフガング ダンバッハー | 基板の表面をスプレー処理する装置及び方法 |
| JP2016500923A (ja) * | 2012-10-30 | 2016-01-14 | エスエムシー カンパニー リミテッド | 微細回路の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2573396B2 (ja) | 1997-01-22 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |