JPH0447966Y2 - - Google Patents
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- JPH0447966Y2 JPH0447966Y2 JP1986164210U JP16421086U JPH0447966Y2 JP H0447966 Y2 JPH0447966 Y2 JP H0447966Y2 JP 1986164210 U JP1986164210 U JP 1986164210U JP 16421086 U JP16421086 U JP 16421086U JP H0447966 Y2 JPH0447966 Y2 JP H0447966Y2
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- protrusion
- resin
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 28
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 16
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 16
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 18
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 description 1
- ZJPGOXWRFNKIQL-JYJNAYRXSA-N Phe-Pro-Pro Chemical compound C([C@H](N)C(=O)N1[C@@H](CCC1)C(=O)N1[C@@H](CCC1)C(O)=O)C1=CC=CC=C1 ZJPGOXWRFNKIQL-JYJNAYRXSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/48091—Arched
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
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- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本考案は、PLCC及びプラスチツクフラツトパ
ツケージ（FPP）等の樹脂封止半導体装置のリ
ードフレームの構造に関する。
ツケージ（FPP）等の樹脂封止半導体装置のリ
ードフレームの構造に関する。
（従来の技術）
従来、このような分野の技術としては、例え
ば、(1)特開昭53−124068号、(2)沖研究開発
128vol.52，No.4P73〜78に記載されるものがあつ
た。
ば、(1)特開昭53−124068号、(2)沖研究開発
128vol.52，No.4P73〜78に記載されるものがあつ
た。
以下、その構成を図に基づいて説明する。
第３図は上記文献(1)に示される従来の樹脂封止
半導体装置のリードフレームの平面図である。
半導体装置のリードフレームの平面図である。
図中、１はアイランド、２は突起、３乃至９は
リード端子、１０はペレツトである。
リード端子、１０はペレツトである。
この図に示されるように、ペレツト１０が載置
されるアイランド１の周辺に放射状に突出する複
数の突起２が設けられており、アイランドの寸法
以上の大きさを持つペレツト１０を搭載した際、
ワイヤボンデイング時の機械力によるペレツト１
０のクラツクを防止できるように構成されてい
る。
されるアイランド１の周辺に放射状に突出する複
数の突起２が設けられており、アイランドの寸法
以上の大きさを持つペレツト１０を搭載した際、
ワイヤボンデイング時の機械力によるペレツト１
０のクラツクを防止できるように構成されてい
る。
一方、第４図は上記文献(2)に示される従来の樹
脂封止半導体装置の斜視図である。
脂封止半導体装置の斜視図である。
図中、１１はアイランド、１２はリード端子、
１３は半導体素子、１４はAuワイヤ、１５はモ
ールド部、１６はクラツクである。
１３は半導体素子、１４はAuワイヤ、１５はモ
ールド部、１６はクラツクである。
この図に示されるように、樹脂モールドフラツ
トパツケージの中に水分が浸入し、半田付け時の
温度により、その水分が水蒸気化し、アイランド
１１の裏面に水蒸気の等分布荷重が負荷され、こ
れによりアイランド１１裏面下のモールド部が膨
れ、アイランド周辺中央部に曲げ応力集中が発生
しクラツク１６に至る。
トパツケージの中に水分が浸入し、半田付け時の
温度により、その水分が水蒸気化し、アイランド
１１の裏面に水蒸気の等分布荷重が負荷され、こ
れによりアイランド１１裏面下のモールド部が膨
れ、アイランド周辺中央部に曲げ応力集中が発生
しクラツク１６に至る。
（考案が解決しようとする問題点）
しかしながら、上記文献(1)に示されたリードフ
レームの突起は放射状に設けられ、ペレツトをフ
レームに固着後、ワイヤボンデイングする作業時
にボンデイングの機械力のためにペレツトに発生
するクラツクを防止するためには有効であるが、
パツケージの半田リフロー時の耐熱性及びワイヤ
によるアイランドとのエツジシヨートなどに対す
る対策は十分なものとは言えなかつた。
レームの突起は放射状に設けられ、ペレツトをフ
レームに固着後、ワイヤボンデイングする作業時
にボンデイングの機械力のためにペレツトに発生
するクラツクを防止するためには有効であるが、
パツケージの半田リフロー時の耐熱性及びワイヤ
によるアイランドとのエツジシヨートなどに対す
る対策は十分なものとは言えなかつた。
本考案は、上記問題点を除去し、パツケージの
リフロー時の耐熱性を向上させ得る信頼性の高い
樹脂封止半導体装置のリードフレームを提供する
ことを目的とする。
リフロー時の耐熱性を向上させ得る信頼性の高い
樹脂封止半導体装置のリードフレームを提供する
ことを目的とする。
（問題点を解決するための手段）
本考案は、上記問題点を解決するために、半導
体素子が固着され、その周囲が樹脂モールド封止
されるリードフレームのアイランドの隅部に該ア
イランドを支持するリードを形成し、該アイラン
ドの各辺の中央部にアイランド裏面と同一平面上
に延びる突起を設けると共に、該突起の基部にＲ
を形成するようにしたものである。
体素子が固着され、その周囲が樹脂モールド封止
されるリードフレームのアイランドの隅部に該ア
イランドを支持するリードを形成し、該アイラン
ドの各辺の中央部にアイランド裏面と同一平面上
に延びる突起を設けると共に、該突起の基部にＲ
を形成するようにしたものである。
（作用）
本考案によれば、上記のように構成したので、
最大曲げ応力が発生するアイランド周辺中央部に
設けられ、基部にＲが形成される突起によつて、
リードフレームのアイランド周辺での樹脂モール
ド部の引裂応力を低減することができる。
最大曲げ応力が発生するアイランド周辺中央部に
設けられ、基部にＲが形成される突起によつて、
リードフレームのアイランド周辺での樹脂モール
ド部の引裂応力を低減することができる。
（実施例）
以下、本考案の実施例について図面を参照しな
がら詳細に説明する。
がら詳細に説明する。
第１図は本考案の実施例を示す樹脂封止半導体
装置の下面図、第２図は本考案の樹脂封止半導体
装置の概略斜視図である。
装置の下面図、第２図は本考案の樹脂封止半導体
装置の概略斜視図である。
図中、２１はアイランド、２２はリード端子、
２３は半導体素子、２４はAuワイヤ、２５はモ
ールド部、２７はベント孔、２８は突起、２８ａ
はＲ部、２８ｂは傾斜部である。
２３は半導体素子、２４はAuワイヤ、２５はモ
ールド部、２７はベント孔、２８は突起、２８ａ
はＲ部、２８ｂは傾斜部である。
これらの図に示されるように、半導体素子２３
が固着されその周囲が樹脂モールドされるリード
フレームのアイランド２１を支持するリード端子
２２は、そのアイランド２１の隅部に形成され、
突起２８は、そのアイランド２１の各辺の中央部
にアイランド裏面と同一平面上に延びており、そ
の突起２８は基部にＲ部２８が形成されている。
が固着されその周囲が樹脂モールドされるリード
フレームのアイランド２１を支持するリード端子
２２は、そのアイランド２１の隅部に形成され、
突起２８は、そのアイランド２１の各辺の中央部
にアイランド裏面と同一平面上に延びており、そ
の突起２８は基部にＲ部２８が形成されている。
一般に、第５図に示されるように、アイランド
下のモールド部３０を周辺固定の長方形モデルと
して等分布荷重を受けた場合、長方形周辺には曲
げ応力Ｆが発生し、各辺の中央部で最大となる。
この曲げ応力が切り欠き部における樹脂の限界曲
げ強度を越える場合、クラツクが発生する。アイ
ランド各辺中央部にアイランド裏面と同一平面上
の突起を設けて、樹脂の切り欠き部をなくすこと
により応力集中を緩和することができる。
下のモールド部３０を周辺固定の長方形モデルと
して等分布荷重を受けた場合、長方形周辺には曲
げ応力Ｆが発生し、各辺の中央部で最大となる。
この曲げ応力が切り欠き部における樹脂の限界曲
げ強度を越える場合、クラツクが発生する。アイ
ランド各辺中央部にアイランド裏面と同一平面上
の突起を設けて、樹脂の切り欠き部をなくすこと
により応力集中を緩和することができる。
また、前記文献(2)により説明したように、パツ
ケージ裏面及び界面から水分が浸入することにな
る。いま、半田リフロー時に、パツケージ全体が
加熱されると、浸入水は水蒸気化し、この水蒸気
圧により、アイランド裏面に等分布荷重が負荷さ
れ、これによつてアイランド周辺中央部に最大曲
げ応力が発生する。この時、リードフレーム界面
とモールド部は完全にひきはがされており、アイ
ランド周辺中央部に曲げにより引裂応力が発生す
る。
ケージ裏面及び界面から水分が浸入することにな
る。いま、半田リフロー時に、パツケージ全体が
加熱されると、浸入水は水蒸気化し、この水蒸気
圧により、アイランド裏面に等分布荷重が負荷さ
れ、これによつてアイランド周辺中央部に最大曲
げ応力が発生する。この時、リードフレーム界面
とモールド部は完全にひきはがされており、アイ
ランド周辺中央部に曲げにより引裂応力が発生す
る。
この点について第６図及び第７図を参照しなが
ら説明する。
ら説明する。
一般に、アイランドの周辺では２次元的にみる
ならば各辺のアイランド周辺の長さをｌとする
と、l3に比例したタワミεが発生している。
ならば各辺のアイランド周辺の長さをｌとする
と、l3に比例したタワミεが発生している。
第６図ａに示されるように、アイランド３１の
周辺に突起がない場合は、第６図ｂに示されるよ
うに、Ａ−A′を固定支持端とする曲げが生じ、
モールド部３２はタワミ、膨れることになる。こ
れに対して、第７図ａに示されるように、アイラ
ンド４１の周辺の中央に突起４２が形成される場
合には、第７図ｂに示されるように、Ａ−Ｂ間、
B′−A′間を支持間距離とする曲げになる。即ち、
この場合には、支点が略1/2になつたことになり、
第６図において最大曲げ応力が発生する部分での
タワミはＯ、Ａ−Ｂ間、B′−A′間のタワミ量は
各々（１／２）3になる。
周辺に突起がない場合は、第６図ｂに示されるよ
うに、Ａ−A′を固定支持端とする曲げが生じ、
モールド部３２はタワミ、膨れることになる。こ
れに対して、第７図ａに示されるように、アイラ
ンド４１の周辺の中央に突起４２が形成される場
合には、第７図ｂに示されるように、Ａ−Ｂ間、
B′−A′間を支持間距離とする曲げになる。即ち、
この場合には、支点が略1/2になつたことになり、
第６図において最大曲げ応力が発生する部分での
タワミはＯ、Ａ−Ｂ間、B′−A′間のタワミ量は
各々（１／２）3になる。
従つて、アイランド周辺でのモールド部の引裂
さかれ易さは（１／２）3に減じたことになる。
さかれ易さは（１／２）3に減じたことになる。
更に、Ｂ部及びB′部にＲを形成すれば、Ａ−
Ｂ間、B′−A′間における応力集中は著しく減少
される。
Ｂ間、B′−A′間における応力集中は著しく減少
される。
これに対し、突起がアイランドの周辺の中央に
ない場合には、その部分に発生する引裂応力を顕
著に低減することはできない。即ち、突起はアイ
ランド周辺中央部に形成することがクラツクを防
止するために必要である。
ない場合には、その部分に発生する引裂応力を顕
著に低減することはできない。即ち、突起はアイ
ランド周辺中央部に形成することがクラツクを防
止するために必要である。
しかし、突起をアイランドの周辺の中央部の他
に複数設けることはそれなりに引裂き応力は小さ
くなるが、反面、次のような問題がある。
に複数設けることはそれなりに引裂き応力は小さ
くなるが、反面、次のような問題がある。
(1) 半導体素子とリード端子を接合する金属細線
が突起に接触し、電気的特性不良の原因となる
恐れがある。
が突起に接触し、電気的特性不良の原因となる
恐れがある。
(2) Ａ−Ｂ間、B′−A′間の隙間が殆どなくなる
ため、半導体素子側の水蒸気がベント側に到達
せず、逆に、半導体素子側モールド部にクラツ
クが入り、ベントの効果は減少し、耐クラツク
性向上に問題を生じる。
ため、半導体素子側の水蒸気がベント側に到達
せず、逆に、半導体素子側モールド部にクラツ
クが入り、ベントの効果は減少し、耐クラツク
性向上に問題を生じる。
また、突起の幅が広い場合、突起がアイランド
中央部にあつても引裂き応力は突起先端に達し易
くなり、耐クラツク向上に寄与しない。
中央部にあつても引裂き応力は突起先端に達し易
くなり、耐クラツク向上に寄与しない。
更に、突起の長さに関しては、突起の長さが短
い場合には、引裂き応力は突起の先端に達し効果
がなくなる。逆に、長すぎると金属細線が接触し
易くなる。従つて、基本的には金属細線が接触し
ない最大長さに設定するが、長くすることにより
蒸気圧Ｐによつて発生するリードフレームと樹脂
の空間が大きくなるため、蒸気圧Ｐを小さくする
ことができ、樹脂に負荷される曲げ応力を低減す
ることができる。
い場合には、引裂き応力は突起の先端に達し効果
がなくなる。逆に、長すぎると金属細線が接触し
易くなる。従つて、基本的には金属細線が接触し
ない最大長さに設定するが、長くすることにより
蒸気圧Ｐによつて発生するリードフレームと樹脂
の空間が大きくなるため、蒸気圧Ｐを小さくする
ことができ、樹脂に負荷される曲げ応力を低減す
ることができる。
PV＝P′（Ｖ＋α）
∴P′＝PV／（Ｖ＋α）
ここで、
Ｖ：突起がない場合の間隙体積
α：突起の間隙体積
突起の幅の理論計算による最適寸法値を以下に
示す。
示す。
基本的な考え方としては、第７図のＡ−Ｂ端で
発生する曲げ応力が加熱温度における樹脂の限界
曲げ強度を越える部分に突起を設けるようにすれ
ばよい。
発生する曲げ応力が加熱温度における樹脂の限界
曲げ強度を越える部分に突起を設けるようにすれ
ばよい。
OA，OA′部分の曲げ応力分布は次式で表され
る。
る。
σ＝６／h2・Ｄ〔8k（y2−a2）2・a2〕 …(1)
Ｄ＝Eh3／〔12（１−Ｖ）〕
ここで、Ｅ；ヤング率、ｈ；樹脂厚、
Ｖ；ポアソン比、
ｋ＝0.0213〔ｐ／（a4Ｄ）〕
ｐ；等分布荷重、ａ；OA，OA′間の距離
（但し、アイランドが正方形の場合のｋ値）
発生する曲げ応力はＡ，A′点でＯ、Ａ−A′間中
央点Ｏで最大となる。具体例として260℃半田リ
フロー時の突起の幅を求めてみる。アイランドの
寸法は10mm×10mm、パツケージのアイランド下部
モールド厚ｈ＝0.9mmとする。また、パツケージ
内で発生する蒸気圧を0.0497Kg／mm2とする。Ａ−
A′間の中央点Ｏで発生する最大曲げ応力は、1.57
Kg／mm2となる。260℃における樹脂の限界曲げ強
度を1.5Kg／mm2とすれば、中央部ではこの限界強
度を越えており、クラツクが発生する。1.5Kgの
曲げ応力が発生する位置は、上記の(1)式でσ＝
1.5としてｙを求めればよい。即ち、Ｏ点から片
方向0.78mmの位置から突起を設けておけばクラツ
クは発生しない。
央点Ｏで最大となる。具体例として260℃半田リ
フロー時の突起の幅を求めてみる。アイランドの
寸法は10mm×10mm、パツケージのアイランド下部
モールド厚ｈ＝0.9mmとする。また、パツケージ
内で発生する蒸気圧を0.0497Kg／mm2とする。Ａ−
A′間の中央点Ｏで発生する最大曲げ応力は、1.57
Kg／mm2となる。260℃における樹脂の限界曲げ強
度を1.5Kg／mm2とすれば、中央部ではこの限界強
度を越えており、クラツクが発生する。1.5Kgの
曲げ応力が発生する位置は、上記の(1)式でσ＝
1.5としてｙを求めればよい。即ち、Ｏ点から片
方向0.78mmの位置から突起を設けておけばクラツ
クは発生しない。
以上の設計思想に基づいて実験した結果が第８
図に示されている。
図に示されている。
この場合、供試サンプルはパツケージ外形寸法
が20×15×2.7（ｔ）mmの100PIN QFPに10×10mm
サイズの半導体素子が搭載されたもので、パツケ
ージ裏面にはベント孔が設けられ、125℃10時間
予備乾燥を行つた後、85℃85％RH雰囲気中で72
時間吸湿処理を行い、しかる後、パツケージ表面
温度260℃の赤外線リフロー炉中で加熱処理を行
つた。また、アイランド裏面のNiメツキはベン
ト孔からの脱気効率を向上させるためのものであ
る。
が20×15×2.7（ｔ）mmの100PIN QFPに10×10mm
サイズの半導体素子が搭載されたもので、パツケ
ージ裏面にはベント孔が設けられ、125℃10時間
予備乾燥を行つた後、85℃85％RH雰囲気中で72
時間吸湿処理を行い、しかる後、パツケージ表面
温度260℃の赤外線リフロー炉中で加熱処理を行
つた。また、アイランド裏面のNiメツキはベン
ト孔からの脱気効率を向上させるためのものであ
る。
この図から明らかなように、本考案に係る突起
を形成する場合には、クラツクの発生を防止する
ことができる。
を形成する場合には、クラツクの発生を防止する
ことができる。
このように、本考案によれば、樹脂封止形半導
体装置のリードフレームにおいて、次の条件を満
足する突起を設けたものである。
体装置のリードフレームにおいて、次の条件を満
足する突起を設けたものである。
(1) 突起の少なくとも一面はアイランド裏面（半
導体素子マウント面と反対側）と同一面上にあ
る。
導体素子マウント面と反対側）と同一面上にあ
る。
(2) 突起はアイランド各周辺の中央部に１箇所づ
つ配設する。
つ配設する。
(3) 突起の寸法は、アイランド寸法、アイランド
下の樹脂厚及び加熱時の樹脂限界曲げ強度によ
つて決定する。
下の樹脂厚及び加熱時の樹脂限界曲げ強度によ
つて決定する。
(4) 突起とアイランドとが連設されるアイランド
の基部にはＲが形成される。
の基部にはＲが形成される。
更に、第１０図に示すように、アイランド６１
の突起６８は基部より先端に行くにしたがつて次
第に薄くなるように傾斜部６８ｂが形成されてい
る。なお、傾斜に代えて段差を設けるようにして
もよい。従つて、アイランドが傾いたり浮き上が
つて、第９図に示されるように、Auワイヤ５４
と突起５８とのエツジシヨートが起きる恐れがあ
るような場合でも、これを防止することができ
る。
の突起６８は基部より先端に行くにしたがつて次
第に薄くなるように傾斜部６８ｂが形成されてい
る。なお、傾斜に代えて段差を設けるようにして
もよい。従つて、アイランドが傾いたり浮き上が
つて、第９図に示されるように、Auワイヤ５４
と突起５８とのエツジシヨートが起きる恐れがあ
るような場合でも、これを防止することができ
る。
なお、第１０図において、６２はリード端子、
６３は半導体素子、６４はAuワイヤ、６５はモ
ールド部である。
６３は半導体素子、６４はAuワイヤ、６５はモ
ールド部である。
また、第９図において、５１はアイランド、５
２はリード端子、５３は半導体素子、５４はAu
ワイヤ、５５はモールド部である。
２はリード端子、５３は半導体素子、５４はAu
ワイヤ、５５はモールド部である。
なお、本考案は上記実施例に限定されるもので
はなく、本考案の趣旨に基づいて種々の変形が可
能であり、これらを本考案の範囲から排除するも
のではない。
はなく、本考案の趣旨に基づいて種々の変形が可
能であり、これらを本考案の範囲から排除するも
のではない。
（考案の効果）
以上、詳細に説明したように、本考案によれ
ば、半導体素子が固着され、その周囲が樹脂モー
ルド封止されるリードフレームのアイランドの各
辺の中央部にアイランド裏面と同一面上に延びる
突起を設けると共に、該突起の基部にＲを形成す
るようにしたので、パツケージのリフロー時の耐
熱性を向上させることができ、信頼性の高い樹脂
封止半導体装置を得ることができる。
ば、半導体素子が固着され、その周囲が樹脂モー
ルド封止されるリードフレームのアイランドの各
辺の中央部にアイランド裏面と同一面上に延びる
突起を設けると共に、該突起の基部にＲを形成す
るようにしたので、パツケージのリフロー時の耐
熱性を向上させることができ、信頼性の高い樹脂
封止半導体装置を得ることができる。
また、突起はその先端方向に向かつて厚さが薄
くなるように形成することにより、Auワイヤと
突起とのエツジシヨートを低減することができ
る。
くなるように形成することにより、Auワイヤと
突起とのエツジシヨートを低減することができ
る。
第１図は本考案の実施例を示す樹脂封止半導体
装置の下面図、第２図は本考案の樹脂封止半導体
装置の概略斜視図、第３図は従来の樹脂半導体装
置のリードフレームの平面図、第４図は従来の樹
脂封止半導体装置の斜視図、第５図はアイランド
各辺下部樹脂モールド部に発生する応力分布図、
第６図は従来装置の応力分布の説明図、第７図は
本考案の装置の応力分布の説明図、第８図は実施
例に基づく効果の説明図、第９図は更なる問題点
を説明する半導体装置の部分断面図、第１０図は
本考案の他の実施例を示す樹脂封止半導体装置の
部分断面図である。 ２１，３１，４１，５１，６１……アイラン
ド、２２，５２，６２……リード端子、２３，５
３，６３……半導体素子、２４，５４，６４……
Auワイヤ、２５，３０，３２，５５，６５……
モールド部、２７……ベント孔、２８，４２，５
８，６８……突起、２８ａ……Ｒ部、２８ｂ，６
８ｂ……傾斜部。
装置の下面図、第２図は本考案の樹脂封止半導体
装置の概略斜視図、第３図は従来の樹脂半導体装
置のリードフレームの平面図、第４図は従来の樹
脂封止半導体装置の斜視図、第５図はアイランド
各辺下部樹脂モールド部に発生する応力分布図、
第６図は従来装置の応力分布の説明図、第７図は
本考案の装置の応力分布の説明図、第８図は実施
例に基づく効果の説明図、第９図は更なる問題点
を説明する半導体装置の部分断面図、第１０図は
本考案の他の実施例を示す樹脂封止半導体装置の
部分断面図である。 ２１，３１，４１，５１，６１……アイラン
ド、２２，５２，６２……リード端子、２３，５
３，６３……半導体素子、２４，５４，６４……
Auワイヤ、２５，３０，３２，５５，６５……
モールド部、２７……ベント孔、２８，４２，５
８，６８……突起、２８ａ……Ｒ部、２８ｂ，６
８ｂ……傾斜部。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 半導体素子が固着され、その周囲が樹脂モー
ルド封止されるリードフレームのアイランドの
隅部に該アイランドを支持するリードを形成
し、該アイランドの各辺の中央部にアイランド
裏面と同一平面上に延びる突起を設けると共
に、該突起の基部にＲを形成するようにしたこ
とを特徴とする樹脂封止半導体装置のリードフ
レーム。 (2) 前記突起はその先端方向に向かつて厚さが薄
くなるように形成してなる実用新案登録請求の
範囲第１項記載の樹脂封止半導体装置のリード
フレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986164210U JPH0447966Y2 (ja) | 1986-10-28 | 1986-10-28 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986164210U JPH0447966Y2 (ja) | 1986-10-28 | 1986-10-28 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6370161U JPS6370161U (ja) | 1988-05-11 |
| JPH0447966Y2 true JPH0447966Y2 (ja) | 1992-11-12 |
Family
ID=31093119
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1986164210U Expired JPH0447966Y2 (ja) | 1986-10-28 | 1986-10-28 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0447966Y2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5173654B2 (ja) * | 2007-08-06 | 2013-04-03 | セイコーインスツル株式会社 | 半導体装置 |
| WO2019116457A1 (ja) * | 2017-12-13 | 2019-06-20 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置及び電力変換装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53124068A (en) * | 1976-12-27 | 1978-10-30 | Hitachi Ltd | Lead frame |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4967552U (ja) * | 1972-09-28 | 1974-06-12 |
-
1986
- 1986-10-28 JP JP1986164210U patent/JPH0447966Y2/ja not_active Expired
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53124068A (en) * | 1976-12-27 | 1978-10-30 | Hitachi Ltd | Lead frame |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6370161U (ja) | 1988-05-11 |
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