JPH0447370B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0447370B2 JPH0447370B2 JP10834982A JP10834982A JPH0447370B2 JP H0447370 B2 JPH0447370 B2 JP H0447370B2 JP 10834982 A JP10834982 A JP 10834982A JP 10834982 A JP10834982 A JP 10834982A JP H0447370 B2 JPH0447370 B2 JP H0447370B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resistor
- head
- resistance value
- manufacturing
- magnetic head
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 10
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 9
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 4
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/29—Structure or manufacture of unitary devices formed of plural heads for more than one track
- G11B5/295—Manufacture
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
発明の対象
本発明は磁気ヘツド製造方法に関し、特に基板
上に複数個の薄膜磁気ヘツドを形成した多トラツ
ク磁気ヘツドの電磁変換ギヤツプ（以下、単に
「ギヤツプ」という。）のギヤツプ深さを高精度に
加工することを可能とする磁気ヘツド製造方法に
関する。
上に複数個の薄膜磁気ヘツドを形成した多トラツ
ク磁気ヘツドの電磁変換ギヤツプ（以下、単に
「ギヤツプ」という。）のギヤツプ深さを高精度に
加工することを可能とする磁気ヘツド製造方法に
関する。
従来技術
薄膜磁気ヘツド（以下、単に「ヘツド」とい
う。）素子は第１図にその断面図を示す如く、セ
ラミツク等から成る基板１上にNi−Feの如き下
部磁性層２、ギヤツプ層３、導体層４、絶縁層
５、上部磁性層６および保護膜７を順次形成し、
所定のギヤツプ深さＧとなるように研磨加工して
製造される。このギヤツプ深さの加工はミクロン
単位の精度が要求されるものである。
う。）素子は第１図にその断面図を示す如く、セ
ラミツク等から成る基板１上にNi−Feの如き下
部磁性層２、ギヤツプ層３、導体層４、絶縁層
５、上部磁性層６および保護膜７を順次形成し、
所定のギヤツプ深さＧとなるように研磨加工して
製造される。このギヤツプ深さの加工はミクロン
単位の精度が要求されるものである。
上記研磨加工方法としては、従来から種々の方
法が提案されている。例えば、特公昭53−17404
号公報には、ヘツド自身の構造体から抵抗値を測
定しながら、所定の抵抗値になるまで加工する方
法が開示されている。この方法においては、ヘツ
ド構造体自身の抵抗値を測定するため、抵抗体が
複雑な形状をしている場合、抵抗の計算が複雑に
なり、また、薄膜の厚さが各ヘツドごとに既知で
ある必要があり、製造プロセス上、管理上問題と
なる。更に、多トラツクヘツドの如く、複数個の
ヘツドを同時に加工する場合には、このまま適用
することができないという問題もある。
法が提案されている。例えば、特公昭53−17404
号公報には、ヘツド自身の構造体から抵抗値を測
定しながら、所定の抵抗値になるまで加工する方
法が開示されている。この方法においては、ヘツ
ド構造体自身の抵抗値を測定するため、抵抗体が
複雑な形状をしている場合、抵抗の計算が複雑に
なり、また、薄膜の厚さが各ヘツドごとに既知で
ある必要があり、製造プロセス上、管理上問題と
なる。更に、多トラツクヘツドの如く、複数個の
ヘツドを同時に加工する場合には、このまま適用
することができないという問題もある。
また、特開昭54−22815号公報には、複数個の
ヘツドを同時に加工する、いわゆる多数個取りに
関して、各々のヘツドのギヤツプ位置の傾きを調
整するために、加工研磨の進展に従つて溶断され
る電極を複数個設けて、該電極の導通の有無の情
報から前記傾きを補正する方法が開示されてい
る。しかしながら、この方法では前記電極がヘツ
ドの数だけ必要となり実装密度上問題があるばか
りでなく、導通の有無の情報がデイジタル量であ
るため、高精度の傾き補正は困難であるという問
題を有するものであつた。
ヘツドを同時に加工する、いわゆる多数個取りに
関して、各々のヘツドのギヤツプ位置の傾きを調
整するために、加工研磨の進展に従つて溶断され
る電極を複数個設けて、該電極の導通の有無の情
報から前記傾きを補正する方法が開示されてい
る。しかしながら、この方法では前記電極がヘツ
ドの数だけ必要となり実装密度上問題があるばか
りでなく、導通の有無の情報がデイジタル量であ
るため、高精度の傾き補正は困難であるという問
題を有するものであつた。
発明の目的
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、そ
の目的とするところは、従来のヘツド製造方法に
おける上述の如き問題を解消し、多トラツクヘツ
ドのギヤツプ深さを高精度に加工することを可能
とするヘツド製造方法を提供することにある。
の目的とするところは、従来のヘツド製造方法に
おける上述の如き問題を解消し、多トラツクヘツ
ドのギヤツプ深さを高精度に加工することを可能
とするヘツド製造方法を提供することにある。
発明の総括的説明
本発明の上記目的は、基板上に複数個の薄膜磁
気ヘツドを形成した多トラツク磁気ヘツドの製造
方法において、前記複数個の薄膜磁気ヘツドのそ
れぞれの電磁変換ギヤツプと平行に位置決めされ
た抵抗体を複数個設けて、前記各抵抗体の加工途
中の抵抗値を測定し、それぞれの抵抗体の初期抵
抗値と前記測定値との比が等しくなる如く加工の
傾きを補正することを特徴とする磁気ヘツド製造
方法によつて達成される。
気ヘツドを形成した多トラツク磁気ヘツドの製造
方法において、前記複数個の薄膜磁気ヘツドのそ
れぞれの電磁変換ギヤツプと平行に位置決めされ
た抵抗体を複数個設けて、前記各抵抗体の加工途
中の抵抗値を測定し、それぞれの抵抗体の初期抵
抗値と前記測定値との比が等しくなる如く加工の
傾きを補正することを特徴とする磁気ヘツド製造
方法によつて達成される。
以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細に
説明する。
説明する。
発明の実施例
第２図は本発明の一実施例を示す多トラツクヘ
ツド研磨加工におけるヘツド素子１２と抵抗体１
１との位置関係を示す図である。本実施例におい
ては、２個の抵抗体１１が、複数個のヘツド素子
１２の各々のギヤツプ零位置を結ぶ直線Ａと平行
な直線Ｂ上に、幅W0を以て配置されている。
ツド研磨加工におけるヘツド素子１２と抵抗体１
１との位置関係を示す図である。本実施例におい
ては、２個の抵抗体１１が、複数個のヘツド素子
１２の各々のギヤツプ零位置を結ぶ直線Ａと平行
な直線Ｂ上に、幅W0を以て配置されている。
第３図は、第２図のヘツド素子１２のＰ−Ｐ断
面を示す。最終的にこのギヤツプ深さＧがそれぞ
れのヘツド素子１２において等しくなるように加
工する必要がある。第２図の直線Ａは、第３図の
ギヤツプ零位置１３の部分を結んだ直線であるこ
とは前述の通りである。また、１４は上部磁性
層、１５は下部磁性層を示している。
面を示す。最終的にこのギヤツプ深さＧがそれぞ
れのヘツド素子１２において等しくなるように加
工する必要がある。第２図の直線Ａは、第３図の
ギヤツプ零位置１３の部分を結んだ直線であるこ
とは前述の通りである。また、１４は上部磁性
層、１５は下部磁性層を示している。
第４図は、抵抗体１１が加工される途中の図
で、抵抗体幅がそれぞれW1、W2（W1≠W2）と
なつた状態を示す。すなわち、多トラツクヘツド
の各ヘツド素子のギヤツプ零位置を結ぶ直線（第
２図Ａ）に対して、研磨加工の進行が第４図の直
線Ｃで示される如く、傾いた状態になつた状況を
示している。
で、抵抗体幅がそれぞれW1、W2（W1≠W2）と
なつた状態を示す。すなわち、多トラツクヘツド
の各ヘツド素子のギヤツプ零位置を結ぶ直線（第
２図Ａ）に対して、研磨加工の進行が第４図の直
線Ｃで示される如く、傾いた状態になつた状況を
示している。
傾きが発生した状態のままで研磨加工を続ける
と、各ヘツド素子のギヤツプ深さが異なつて来る
ので、早い機会に傾きを修正することが望まし
い。
と、各ヘツド素子のギヤツプ深さが異なつて来る
ので、早い機会に傾きを修正することが望まし
い。
第４図に示す場合、加工の傾きはW1とW2の差
である△Ｗであり、この部分の傾きを補正する必
要がある。ここで、各抵抗体の初期抵抗をR1、
R2とし、第４図のときの抵抗をr1、r2とすると、
抵抗体幅W1、W2は、 W1＝W0（R1／r1）また、W2＝W0（R2／r2） となり、従つて傾き量△Ｗは △Ｗ＝W0（R1／r1−R2／r2） となる。W0は既知の値であるため、初期抵抗と
加工途中の抵抗値との比を算出することにより、
傾き補正量を決定することができる。
である△Ｗであり、この部分の傾きを補正する必
要がある。ここで、各抵抗体の初期抵抗をR1、
R2とし、第４図のときの抵抗をr1、r2とすると、
抵抗体幅W1、W2は、 W1＝W0（R1／r1）また、W2＝W0（R2／r2） となり、従つて傾き量△Ｗは △Ｗ＝W0（R1／r1−R2／r2） となる。W0は既知の値であるため、初期抵抗と
加工途中の抵抗値との比を算出することにより、
傾き補正量を決定することができる。
このようにして、抵抗値の比が等しくなるよう
に加工することにより、多数個のヘツド素子を、
同時に等しいギヤツプ深さＧで加工することが可
能となり、高精度なギヤツプ深さのすべてのヘツ
ド素子で達成できることになる。
に加工することにより、多数個のヘツド素子を、
同時に等しいギヤツプ深さＧで加工することが可
能となり、高精度なギヤツプ深さのすべてのヘツ
ド素子で達成できることになる。
なお、前記傾き補正量は抵抗値換算で求められ
るため、インプロセスにて測定し、能率的に加工
することが可能である。
るため、インプロセスにて測定し、能率的に加工
することが可能である。
発明の効果
以上述べた如く、本発明によれば、基板上に複
数個の薄膜磁気ヘツドを形成した多トラツク磁気
ヘツドの製造方法において、前記複数個の薄膜磁
気ヘツドのそれぞれの電磁変換ギヤツプと平行に
位置決めされた抵抗体を複数個設けて、前記各抵
抗体の加工途中の抵抗値を測定し、それぞれの抵
抗体の初期抵抗値と前記測定値との比が等しくな
る如く加工の傾きを補正するようにしたので、加
工中の傾きを高精度に求めることが可能となり、
多トラツクヘツドを高精度に加工することができ
るという顕著な効果を奏するものである。
数個の薄膜磁気ヘツドを形成した多トラツク磁気
ヘツドの製造方法において、前記複数個の薄膜磁
気ヘツドのそれぞれの電磁変換ギヤツプと平行に
位置決めされた抵抗体を複数個設けて、前記各抵
抗体の加工途中の抵抗値を測定し、それぞれの抵
抗体の初期抵抗値と前記測定値との比が等しくな
る如く加工の傾きを補正するようにしたので、加
工中の傾きを高精度に求めることが可能となり、
多トラツクヘツドを高精度に加工することができ
るという顕著な効果を奏するものである。
第１図はヘツド素子の断面図、第２図は本発明
の一実施例を示すヘツド素子と抵抗体との位置関
係を示す図、第３図は第２図のＰ−Ｐ断面図、第
４図は加工途中において傾きの発生した状態を示
す図である。 １１：抵抗体、１２：ヘツド素子、１３：ギヤ
ツプ位置、１４：上部磁性層、１５：下部磁性
層。
の一実施例を示すヘツド素子と抵抗体との位置関
係を示す図、第３図は第２図のＰ−Ｐ断面図、第
４図は加工途中において傾きの発生した状態を示
す図である。 １１：抵抗体、１２：ヘツド素子、１３：ギヤ
ツプ位置、１４：上部磁性層、１５：下部磁性
層。
Claims (1)
- １ 基板上に複数個の薄膜磁気ヘツドと、抵抗体
を有する複数組の取出し電極を形成した多トラツ
ク磁気ヘツドを、抵抗体の抵抗値に基づいて所定
のギヤツプ深さを得るために研磨する磁気ヘツド
製造方法において、前記取出し電極がそれぞれ一
つの抵抗体を有し、該抵抗体は、前記薄膜磁気ヘ
ツドのギヤツプ零位置を結ぶ直線と平行な同一直
線に端部を接する様に形成し、前記抵抗体それぞ
れの加工途中の抵抗値を測定し、前記抵抗値と前
記抵抗体のそれぞれの初期抵抗値との比が等しく
なるように研磨の傾きを補正することを特徴とす
る磁気ヘツド製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10834982A JPS592219A (ja) | 1982-06-25 | 1982-06-25 | 磁気ヘツド製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10834982A JPS592219A (ja) | 1982-06-25 | 1982-06-25 | 磁気ヘツド製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS592219A JPS592219A (ja) | 1984-01-07 |
| JPH0447370B2 true JPH0447370B2 (ja) | 1992-08-03 |
Family
ID=14482447
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10834982A Granted JPS592219A (ja) | 1982-06-25 | 1982-06-25 | 磁気ヘツド製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS592219A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61117717A (ja) * | 1984-11-13 | 1986-06-05 | Sharp Corp | 磁気ヘツドの製造方法 |
-
1982
- 1982-06-25 JP JP10834982A patent/JPS592219A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS592219A (ja) | 1984-01-07 |
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