JPH044663B2

JPH044663B2 -

Info

Publication number: JPH044663B2
Application number: JP50283181A
Authority: JP
Priority date: 1980-09-22
Filing date: 1981-08-10
Publication date: 1992-01-29
Anticipated expiration: 2001-08-10
Also published as: US4363844A; EP0060846A4; CA1183605A; EP0060846A1; AU546578B2; IT1171544B; JPS57501453A; AU7534381A; WO1982001098A1; IT8149335A0; IT8149335A1

Description

請求の範囲１ (a) ベース、 (b) 保護層、及び (c) ２から400μｍの厚さと電子的に復号化でき
るコード化情報として円形又はらせん状形態の
溝を有する導電性又は電磁放射線反射性層とか
らなり、同層(c)は前記ベース(a)の少なくともそのいずれ
か一面に設けられて居り、かつ同層(c)上には保護
層(b)が形成されている電子的に復号化できるコー
ド化情報を担持する情報担体において、前記層(c)が下記式で表される繰り返し単位より
なるポリマーより構成されることを特徴とする前
記情報担体。〔式中Ｒは単結合又はカテナリー酸素１個を含ん
でもよいC₁−C₆アルキレン基であり、R¹は水素
又は

【式】又は

【式】（ただし、R³はフエニル又はカルボキシで置換されていてもよい
C₂−C₅のアルケニル又はアルキルで、R⁴は炭素
数８以下の脂肪族又は芳香族ヒドロカルビルであ
る）で、 R²は水素又はメチルであり、Ｗは５員又は６員の複素環を完成するのに必要
な二価の基であり、Ｑはカテナリー酸素原子を含んでもよい、C₃
−C₄₀のヒドロカルビルジ−又はトリ−カルボ
ン酸の二価又は三価の残基であつて、該残基はカ
ルボン酸から活性水素を除去することによつて形
成されたものであり、カルボン酸の少なくとも10
モル％はα−メチレン基を有するものとし、ａは０又は１であり、かつＺは

【式】である〕２前記溝が前記層(c)の不連続領域に形成された
ものである特許請求の範囲第１項の情報担体。３前記情報担体がデイスク形態である特許請求
の範囲第１項又は第２項の情報担体。４ベース(a)が少なくともその表面に層(c)が設け
られている基板よりなり、かつその基板は架橋さ
れたポリマーである特許請求の範囲第３項の情報
担体。５層(c)が上記溝の周囲に破断又はくびれ部分の
ある垂直部分を有するものである特許請求の範囲
第３項の情報担体。６前記ベース(a)、前記保護層(b)及び前記層(c)よ
りなる情報担体二つよりなり、かつ各前記層(c)の
溝がそれぞれ反対側に延びるように配置されてい
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
情報担体。７保護層(b)が１〜100nｍの絶縁用有機ポリマ
ー層である特許請求の範囲第１項の情報担体。８ベースの少なくとも片面に２から400μｍの
厚さと、電子的に復号化できるコード化情報とし
て円形又はらせん状形態の溝を有する導電性又は
電磁放射線反射性層を形成させ、次いで同層上に
溝を形成することにより電子的に復号化できるコ
ード化された情報をエンボスすることからなる情
報担体の製造法において、同層を下記式ただし式中、Ｒは単結合又はカテナリー酸素１
個を含んでもよいC₁−C₆のアルキレン基であり、
R¹は水素又は

【式】又は

【式】（ただし、R³はフエニル又はカルボキシで置換されていてもよい
C₂−C₅のアルケニル又はアルキルで、R⁴は炭素
数８以下の脂肪族又は芳香族ヒドロカルビルであ
る）で、 R²は水素又はメチルであり、Ｗは５員又は６員の複素環を完成するのに必要
な二価の基であり、Ｑはカテナリー酸素原子を含んでもよいC₃−
C₄₀のヒドロカルビルジ−又はトリ−カルボン
酸の二価又は三価の残基であつて、該残基はカル
ボン酸から活性水素を除去することによつて形成
されたものであり、カルボン酸の少なくとも10モ
ル％はα−メチレン基を有するものとし、ａは０又は１であり、かつＺは

【式】であるで表される繰り返し単位よりなるポリマーを用い
て形成することを特徴とする情報担体の製造法。９ベースが少なくとも一つの熱可塑性の表面と
して、熱可塑性でかつ放射線硬化性のポリマー樹
脂を含む基板からなり、かつ同ポリマー樹脂をエ
ンボス処理中、又はエンボス処理に用いた型枠か
ら製品を取り出す前の時点で照射することによつ
て硬化させる、特許請求の範囲第８項の製造法。１０ポリマー樹脂の層が30℃〜180℃で現れる
最大損失弾性率を示す、特許請求の範囲第９項の
製造法。１１保護層が前記導電性又は電磁放射線反射性
層の上に形成される特許請求の範囲第８項の製造
法。技術分野本発明は情報担体、より詳しくは光線解読性又
はスタイラス解読性の情報を担持する情報担体デ
イスクに関する。これらのデイスクは、電気的信
号に変換される（すなわち、電子的に復号化され
る）コード化された情報を担持する点において、
録音、視聴覚記録又はコンピユーター情報検索シ
ステムのような種々の用途に有効に利用できる。
これらの情報担体及びその同担体用部材を製造す
る方法も本明細書は開示する。背景技術コード化されたデータを円形又はらせん状パタ
ーンに分布させた円板形態による情報検索は、古
くから種種の形で可能であつた。例えば、初期の
音楽再生装置の形態にあつては、孔又は突起のあ
る円板が用いられ、それらの孔又は突起が一連の
弦又は振動部位をかきならすことで音楽を演奏し
た。初期における映画の上映は、円周部に連続的
な像を保持する円板の回転によつて操作された。
約100年間も使われている音楽演奏を再生するた
めの最も普通の形態は、蓄音機のレコードであつ
て、垂直及び水平方向に変化をつけたらせん状の
溝を利用して音に変えうる信号を発生させるもの
であつた。レーザー光線が工業に導入されたことに伴い、
新しい情報記録システムが開発された。このシス
テムは、入射又は透過する光線パターンを妨害、
反射又は屈折する凹部又は凸部の円形又はらせん
状のパターンを有するデイスクで構成されてい
る。視聴覚情報の蓄積にしばしば利用され、一般
にビデオデイスクと称されるこれらの情報記憶デ
イスクは当技術分野において周知である。例えば
米国特許第3658954号、第3795534号、第3798134
号、第3855426号、第3901994号、第4124672号、
第4126716号及び第4130620号にはビデオ円板の
種々の構造、組成及び製造法が開示されている。また、米国特許第4126726号には、像担体面を
形成するのに光硬化性ラツカーを使用すること、
及び反射性の金属フイルムを用いる情報担持面を
覆う保護カバーが得られることを開示している。
しかし、放射線硬化層の種類や性状についてはな
んら開示されていない。すべての例において、情
報をエレメントに適用した後で反射性金属被覆が
エレメントに施されている。発明の開示伝導性又は反射性の金属層内に変調
（modulation）を包含する円形又はらせん状パタ
ーンの溝を有するデイスクで構成されうる情報記
憶装置を、エンポス処理する前の被覆の表面上に
反射性又は伝導性の被覆を有するポリマー性組成
物である基板、又は基板の少なくとも片面に前記
のポリマー性組成物を担持する基板からなるエレ
メント素材から製造できることが本発明に従つて
発見された。反射性又は容量性（capacitive）の
ビデオデイスクは、以下に説明するような素材か
らエンボス法によつて製造することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図はビデオデイスク素材の側面図である。第２図は、情報搬送凸部及び凹部をその上に有
するエンボス処理されたビデオデイスク素材の側
面図である。第３図は、２枚のエンボス処理したビデオデイ
スク素材を接合して、２種の異なる検索パターン
の情報を担持する１枚のデイスクとしたものの側
面図である。エンボス処理した面が向かい合うよ
うに互に接合されている。第４図は、２枚のエンボス処理したビデオデイ
スク素材を背中合わせに接合させることによつ
て、２種の異なる検索パターンの情報を担持する
１枚のデイスクとなしたものの側面図である。第５図は、放射線反射又は伝導性金属フイルム
がエンボス処理の過程で破断されているエンボス
処理済ビデオデイスクの顕微鏡拡大側面図であ
る。第６図は、伝導性又は放射線反射金属フイルム
がエンボス処理の過程で伸長又はくびれをおこし
たエンボス処理済ビデオデイスクの顕微鏡拡大側
面図である。図面の詳細な説明第１図は、エンボス処理可能なビデオデイスク
素材２の側面図であり、該素材はベース４、放射
線反射性もしくは伝導性の金属層又は伝導性の非
金属層６、及び任意の有機又は無機（例えばシリ
カ）のポリマー性保護被覆層８からなる。ベース
４は構造上単一体であつてもよいし、又は複合
層、例えば少なくとも金属もしくは非金属層に隣
接する表面上に、さらに重合性もしくは熱軟化性
被覆層を有するフイルム層であつてもよい。ベー
ス４は透明でも不透明でもよく、素材に構造性能
を与えうるものであれば任意の材料で構成するこ
とができる。もし、ベース４自体にエンボス処理
を施して情報担体表面構造とするのであれば、ベ
ースの組成はエンボス処理できるものでなくては
ならず、熱可塑性又は熱軟化性の物質にすること
が好ましい。もし、ベース４が少なくともその片
面上にエンボス処理可能な層を担持するのであれ
ば、かかる層を担持するベース４は、デイスクの
読取り方法に応じて金属、セラミツク、繊維、熱
可塑物、熱硬化物又は充填剤含有のポリマー物質
で製作することができる。ベースを通り抜ける光
線の反射によつて読取りを行うとすれば、選択さ
れる物質には透明性が要求されよう。第２図は、ベース１１を有するエンボス処理さ
れたビデオデイスク１０の断面図であり、該ベー
スはエンボス処理工程によつて表面構造を与えら
れた被覆１４を担持する基板１２からなつてい
る。エンボス処理を施す前に被覆１４の上にあつ
た金属層１６も凹部、例えば１８で構成される表
面構造を担持している。第３図は両面ビデオデイスク２０の断面図であ
り、該デイスクは２枚の別々に製造された片面ビ
デオデイスク２１及び２１′を接着剤層２８で向
かい合せに接合させたものである。片面ビデオデ
イスク２１は、基体２２と、表面構造を担持する
被覆２４とで構成されるベース２３を有する素材
から製造されたものであることが図に示されてい
る。また、該被覆２４の上の金属層２６も表面構
造を示している。片面ビデオデイスク２１′は、
単一成分のベース３２からなり、その上に表面構
造がエンボスされていることが図示されている。
ベース３２の上の金属層３０も表面構造を示して
いる。接着剤２８によつて金属層２６及び３０が
接合している。これらの金属層は、接着剤２８と
金属層２６及び３０との間にポリマー性の被覆又
は層を有することができるが、これは必ずしも必
須ではない。この図に示されているように、接着
剤２８が２枚の片面デイスクの間を接合するのに
空気キヤビテイ３６の中まで浸透させる必要はな
いが、これより厚い接着剤層を用いれば空気キヤ
ビテイの中まで浸透する。パターンの読取りに用
いられる放射線はベース層２１及び２１′を貫通
して金属層２６及び３０で反射されるが、表面構
造内の切り込み３４に挟まれた領域には通り抜け
ないので、２枚のデイスクの間に空気があつても
さしつかえない。２枚の片面デイスクは同じよう
に作つてもよいし、違う方法で作つてもよい。従
つて、図では単に一つの可能な構造を示す例とし
て２成分系のベース２１と１成分系のベース２
１′とを示している。両方のベースは同一又は異
なるタイプの構造とすることができるが、両者と
もデイスクからの情報検索に用いられる放射線を
通すものであるべきことはいうまでもない。第４図は、情報を含むベース４７と金属層４８
とを片面に、また金属層４４を有するエンボス処
理された被覆層４６を他の面に含む両面ビデオデ
イスク４０の断面図である。この構成では、エン
ボス処理された表面構造５２及び５４は外側に面
している。金属層に対する損傷及び情報担体面構
造のパターンへの異物進入を防ぐため、透明保護
層５０及び４２で情報担体面構造５２及び５４が
被覆されている。別個にエンボス処理された２枚
のデイスクを背中合わせにして接着剤で接合する
か、もしくは溶融してもよいし、又はデイスク素
材が反対側の表面上に二つの金属被覆を有し、外
側に面した表面構造に相当する構造を形成するこ
ともできる。第５図は、エンボス処理されたビデオデイスク
の顕微鏡拡大断面図である。ベース６２は破断さ
れている金属層６４を有し、エンボス処理によつ
て凹部６７が形成され、ベース中に金属片６８が
変位（displace）されている。金属層６４を欠い
た凹部６７の露出側壁部７０を見おろす形で金属
層６４の縁端にある破断部６６が示されている。第６図は、エンボス処理されたビデオデイスク
の顕微鏡的断面図である。ベース８２は８６で伸
ばされ、かつ、くびれしている金属層８４を担持
している。このくびれ８６は、凹部８７の形成に
よつて生じたものであり、金属片８８がベース８
２の中へ変位しても、もとの金属層８４から分離
しなかつたものであり、ネツキングは凹部の側壁
９０に接している。

【発明の詳細な説明】

本発明には、コード化された情報担体製造に用
いるための多重層製品、電子的に復号化可能なコ
ード化された情報担体、及びコード化された情報
担体の製法といつた少なくとも三つの局面があ
る。ある種の概念及びパラメーターを理解しておい
た方が本発明の本質を理解するのに役立つと思わ
れる。例えば、コード化された情報という用語
は、目に見える像、文字及び任意の種類の視覚で
読取れる記号と異なり、機械を仲介させることに
よつてのみ読取ることのできる情報を意味する。
深さに変化を与え、それによつて伝導率及び反射
率を変化させる層の表面変性は、コード化された
情報を得るための常法であり、磁気粒子の再配列
もコード化された情報担持手段の別のタイプに属
する。この情報は、機械的な仲介なしでは人間の
読者によつて理解又は翻訳され得ないので、コー
ドされたものであると定義される。丁度蓄音機の
レコードが、溝に含まれている変調を復号化する
のに蓄音機を使用しなくてはならないのと同じよ
うに、本発明の物品におけるコード化された情報
を人間視聴者にとつて利用しやすい形態に変換す
るためには、本明細書で電子的復号化
（electronic decoding）として定義される機械的
な仲介が必要とされる。電子的復号化又は電子的
に復号化されるという用語は、コード化された情
報が反射光線、容量性電圧読取り（capacitive
voltage readout）等によつて機械的に読取られ、
印刷、音、テレビの画面等のように人間によつて
直接知覚されうる情報に翻訳可能な電気的信号に
変換されうることを意味する。コード化された情
報担体品を電子的に復号化するのにいつそう望ま
しい様式は、容量性の読取り及び光線反射読取り
（特にレーザーからの）システムである。これら
は例えばビデオデイスクについて現在有効に利用
されている。これらのビデオデイスクは電気信号
を出し、その電気信号をテレビのスクリーンに投
影及び顕示されうる別の信号に直接変換すること
ができる。すべての物質はある程度伝導性であるため、コ
ード化された情報担持層に関しての伝導率又は伝
導性という用語は、10000オーム／スケア未満、
好ましくは5000オーム／スケア未満、そして最も
好ましくは2000オーム／スケア未満の伝導率を有
する層として定義される。大抵の物質は測定しうる多少の程度の反射性を
有しているので、反射率についても同じような考
察をしなくてはならない。本発明を実施するに当
つては、50nｍの範囲内における入射電磁放射線
の少なくとも50％が反射されれば、層又は物品が
反射性であると定義される。層が、このような入
射放射線の少なくとも70％又は75％を反射するの
が好ましく、最も好ましくは50nｍ範囲内の入射
電磁放射線の少なくとも85％を反射すべきであろ
う。反射率の測定に用いられる放射線は、電磁ス
ペクトルの可視領域内のものであるのが好ましい
が、紫外線、赤外線及び無線電波もある種のコー
ド化された情報の読取りに有効に利用できる。伝導性又は反射性の層にコード化された情報を
エンボス処理することは、該層の一部を複数個垂
直に変位させて行う。これは連続的なパターンを
層内にエンボス処理して実施できるし、又は連続
領域のパターンをエンボスし、非変位領域によつ
て変位領域が互に連結され、非変位領域はおおむ
ね平らであり、かつ、もとの非エンボス層の平面
におおむね相当し、そして非エンボス領域がだい
たいもとの非エンボス層の厚さを有するようにし
て実施することもできる。伝導性又は反射性の層
はエンボス処理しうるものでなくてはならない。
本発明は可能な限り少量の材料を該層に用いる傾
向を一般に有しているので、きわめて多種の物質
に対してエンボス可能化処理を行うことができ
る。アルミニウム、チタン、蒸着カーボン、伝導
性樹脂又は微粒充填剤含有樹脂のうちの１種とい
つた層が基板上に薄層として被覆されている場
合、該薄層はエンボス処理を含む大抵の高分子操
作（macromolecular oper−ations）のために、
被覆の下方に存在する表面の物理的性状（特に弾
力性及び整合性に関し）にならう傾向を有する。
0.2〜75nｍの厚さを有する金属層の場合特にそう
である。200℃以下の温度において、150Kg／cm²以
下の圧力で金属層の両面にエンボス処理スタンパ
ーの再録（replication）がエンボス処理に起因
して形成されるならば、金属層はエンボス可能で
あると定義される。伝導性又は反射性の層として
用いられる充填剤含有ポリマー物質の裏面におけ
る再録可能性は必須要件ではない。エンボス可能
な反射性又は伝導性の層として金属層を用いる時
には、エンボス可能という用語の定義の範疇に
は、両面再録可能性〔ただし、同じ鮮明度
（resolution）でないことはもちろんである〕と
いう制限が包含される。本発明を実施するうえにおいて有用なデイスク
素材には、エンボス可能なモノリシツク層
（monolithic layer）のベースからなるか、又は
少なくとも片面にエンボス可能なポリマー性物質
と、反射性もしくは電磁放射線反射金属層もしく
は非金属層とを該ベース上に有する基板からな
る。エンボス可能なポリマー性物質は、任意の妥
当な寸法の被覆又は層として基板上に存在しうる
が、厚さが２〜400ミクロンであるのが望ましい。
この組成物は、30℃ないし180℃の温度で現れる
最大損失弾性率（G″_nax）を有するのが望ましい。
それにより、50℃ないし200℃（各温度はG″_naxよ
りも20℃高い）の温度で組成物を容易にエンボス
処理することができ、しかも室温で柔軟すぎるこ
とも避けられる。G″_naxが40℃と100℃との間で現
れるのが望ましい。エネルギー節減のため、
G″よりも少なくとも20℃高い温度、好ましくは
G″よりも25℃ないし100℃高い温度で一般にエン
ボス処理を行う。G″（損失弾性率）は適用された
ひずみ（strain）の違相要素（out−of−phase
component）である。この値は、下記の関係に
おいて弾性として貯えられることのないエネルギ
ーを表わす：Ｗ＝（γ₀）²G″ 式中、Ｗはあらかじめ定められた周波数（ラジ
アン／秒）における所与のひずみの下でのサイク
ル当りの仕事量であり、γ₀は初期のひずみであ
り、そしてG″は損失弾性率である。ポリマー層は熱可塑性又は加熱軟化性であつ
て、しかも放射線硬化性の層であつてよく、その
外側表面上に好ましくは厚さ0.2〜200nｍ、より
好ましくは厚さ75nｍ以下の金属からなる反射性
又は伝導性の被覆を有する。被覆の厚さは容量性
のデイスクでは0.2〜10.0nｍ、反射性デイスクで
は0.2〜60nｍであるのが好ましい。被覆が0.5〜
5nｍであるのが最も好ましい。ベースは任意の
妥当な厚さであつてよいが、一般には10×10^-2〜
２mmである。熱可塑性又は放射線硬化性の層の厚
さは５又は10.0μｍ以上でなくてはならず、25μｍ
以上であるのが好ましい。このことは、層が基板
上の被覆であるときには最も重要である。反射性
の金属層は、実質的に任意の反射性金属、例えば
クロム、アルミニウム、銀、金、ニツケル、鉄、
チタン、ロジウム、タンタル、錫、インジウム、
それらの合金等であつてよい。伝導性の金属性
は、上記のすべての金属及び本質的にあらゆる金
属を包含する任意の伝導性の金属製であつてよ
い。また伝導性の層は、カーボン、伝導性のポリ
マー及び伝導性の微粒充填剤含有ポリマーであつ
てもよい。本発明の実施に有用なビデオデイスクには少な
くとも二つの異なる形式がある。一つは容量性の
読取り方式、他はレーザー読取り方式のものであ
る。レーザー読取り方式では、情報担持層上に反
射性の表面が必要であり、そして容量性の読取り
方式では情報担持層上の伝導性表面と、伝導性表
面上の絶縁層とが必要である。当業界で公知のよ
うに、容量性のシステムはスタイラスが無くては
情報を読むことができず、スタイラスと情報担持
金属層との間に絶縁層がなくてはならない。絶縁
材料は、任意の絶縁性の物質でよいが有機ポリマ
ー物質であるのが望ましい。容量性のシステムに
あつては、層自体、又は被覆に多少の潤滑性のあ
ることが特に望ましい。容量性の方式では、ポリ
マー物質が透明でなくてもよいことはもちろんで
ある。容量性デイスクの絶縁表面は、溝を堀つて
スタイラスの軌道としてもよいし、又は平坦にし
て別の軌道手段を設けてもよい。絶縁層はエンボ
ス処理を行う前でも、行つた後でも施すことがで
きる。この層は１〜100nｍの厚さにすることが
でき、ポリマー物質及びSiO₂のごとき絶縁材酸
化物を包含する任意の絶縁材料を用いうる。絶縁
層は１〜50nｍであるのが好ましい。スピン被
覆、スパツター法、化学的蒸着法、プラズマ重合
法、噴霧法等を包含する任意の常法によつて施す
ことができる。絶縁層は完全に平坦でなくてもよ
い。例えばエンボス処理の終つた後で施された場
合、表面構造を覆う層の高さに有限の変化を見い
だすことができるが、この適当なばらつきはデイ
スクの情報提供性に悪影響を与えることはない。
実際問題として、いろいろの点で保護層でもある
被覆層（covering layer）は、層の表面やコード
化された情報担持層及び垂直変位領域に対して均
一の厚さではない。均一性が容易に得られる唯一
の方法は、保護材料のきわめて薄い層を施すか、
又はすでに保護層を施した後の素材に対してエン
ボス処理を行うかのいずれかである。すなわち、
変位領域の保護層の厚さは、非変位領域における
その厚さとは異なる。層の表面内に存在しうる平
坦性からのいつさいの変動（存在の必要はない
が）は、伝導又は反射性の層の高さ又は深さの変
動を正確に反映するものではないが、薄い保護及
び（又は）絶縁層を用いた場合には、これらの変
動は相互に若干の関係をもつであろう。ビデオデイスク素材の少なくとも片面に有効に
用いられる放射線硬化可能なポリマー物質には、
任意の付加重合しうる群（例えば、アクリロイ
ル、メタクリロイル、アリル、アクリルアミド等
のようなエチレン状不飽和物質、グリシジル、エ
ポキシ、シクロアルキル又はエポキシアルキルヒ
ダントインのようなエポキシ）を含む放射線で硬
化しうる熱可塑性のポリマー層がある。この種の
硬化しうる熱可塑性物質は、例えば1980年５月12
日付出願にかかる米国特許出願第148776号及び
1980年１月２日付出願にかかる米国特許出願第
109192号に開示されている。また、それ以外にも
この種の組成物は当業界において公知である。上
記の二つの特許出願明細書に記載の熱可塑性物質
が本発明の実施に好ましい原料である。前記の米国出願第148776号の硬化性ポリマーは
一般式：〔式中、Ｒは単結合又は炭素数１〜６であつて場
合によつてカテナリー酸素１個を含むアルキレン
基であり、R¹は水素であるが

【式】又は

【式】（ただし、R³は好ましくはアルケニルであるが炭素数２〜５のアルキルであつても
よく、フエニルもしくはカルボキシで置換されて
いてもよく、R⁴は炭素数８以下の脂肪族又は芳
香族ヒドロカルビルであつて、好ましくはアルキ
ル基の炭素数が２〜４のアクリロイルオキシアル
キルもしくはメタクリロイルオキシアルキルであ
る）であつてもよく、 R²は水素又はメチルであり、Ｗは５員又は６員の複素環を完成するのに必要
な二価の基であつて、Ｗが

【式】であるのが好ましいが、

【式】

【式】又は

【式】（ただし、R⁵、R⁶、R⁷及びR⁸は独立して水素又
は炭素数１〜４の低級アルキルである）であつて
もよく、Ｑはヒドロカルビルジ−またはトリ−カルボ
ン酸の二価又は三価の残基であつて、該残基はカ
ルボン酸から活性水素を除去することによつて形
成されたものであり、最高40、好ましくは４〜12
個の炭素原子と、場合によつてはカテナリー酸素
原子とを含み、カルボン酸の少なくとも10モル％
はα−メチレン基を有するものとし、ａは０又は１であるが、20モル％以下のカルボ
ン酸の場合には１であつてよく、そして、Ｚは

【式】である〕で表わされるくり返し単位を有する。これらの硬化性化合物は、次の方程式：（式中、Ｒ、R²、Ｑ、ａ、Ｚ及びＷは前記と同
義であり、そしてｂはポリエステルの数平均分子
量を約3000ないし約30000とするのに充分な約５
ないし60の値を有する数である）に従い、１モル
当量のビス−（エポキシ）複素環式化合物と、約
0.8〜1.2モル当量のポリカルボン酸（１種又はそ
れ以上のジカルボン酸を用いることができる）と
を、触媒である塩基、好ましくは三級アミンの存
在下で反応させることによつて一般に製造するこ
とができる。触媒的に有効量の重合用塩基触媒を利用するこ
の触媒反応は、溶剤の存在下又は不在下に実施す
ることができる。一般的には、化学的な滴定分析
でわかるエポキシ基の消滅が認められるまで、エ
ポキシド、ポリカルボン酸、触媒、熱重合の抑制
剤、及びもし用いるならば溶剤を50〜120℃、好
ましくは約80〜100℃に加熱する。通常２〜40時
間の加熱で反応は完結する。式の化合物に存在するヒドロキシル基（すな
わち、R¹が水素の場合）は、アシル化剤による
処理、好ましくは重合可能なエチレン状不飽和基
を含むハロゲン化アシル、無水アシル又はイゾシ
アネートによる処理を行つてアシル化することが
できる。付加ポリマーに関する技術分野で公知のとお
り、ビス−（エポキシ）複素環式化合物対ジカル
ボン酸の比率を調節することにより、ポリエステ
ルに含まれる末端基を制御することができる。従
つて、ジカルボン酸に対して過剰（約１〜10％）
のビス−エポキシドを用いれば、カルボキシル基
を末端基とするポリエステルが得られる。本質的
に当量のビス−エポキシドとジカルボン酸とを用
いれば、末端にカルボキシル基とエポキシ基との
両者を平均に有するポリエステルが得られる。ポ
リエステルの末端基がエポキシ基の場合には、当
業界で公知のようにアクリル酸又はメタクリル酸
と反応させることによつて、これらの末端基は容
易にアクリロイル、メタクリロイル又はそれらの
混合基に変換される。本発明の実施に好適なビス−エポキシ複素環式
化合物は式：（式中、Ｒ、R²及びＷは式について定義した
と同じである）を有する。好適なビス−（エポキ
シ）複素環式化合物の例に包含されるものは次の
とおりである：１，３−ジグリシジルヒダントイン１，３−ジグリシジル−５−アミルヒダントイ
ン１，３−ジグリシジル−５−オクチルヒダント
イン１，３−ジグリシジル−５−メチルヒダントイ
ン１，３−ジグリシジル−５，５−ジメチルヒダ
ントイン１，３−ジグリシジル−５−エチル−５−メチ
ルヒダントイン１，３−ジグリシジル−５−エチル−５−ヘキ
シルヒダントイン１，３−ジ（グリシジルオキシエチル）−５，
５−ジメチルヒダントイン１，３−ジ（３−グリシジルオキシプロピル）
−５，５−ジメチルヒダントイン１，３−ジエポキシエチル−５，５−ジメチル
ヒダントイン１，３−ジグリシジルウラシル１，３−ジグリシジル−６−メチルウラシル１，３−ジグリシジル−５，５−ジメチル−
５，６−ジヒドロウラシル１，３−ジ（α−メチルグリシジル）−５，５
−ジメチル−５，６−ジヒドロウラシル１，３−ジグリシジルイソシアヌレート１，３−ジエポキシエチルイソシアヌレート他の好適なビス−（エポキシ）複素環式化合物
は米国特許第3808226号及び第4137139号に列挙さ
れており、それらは本明細書の一部として参照す
べきである。好ましいビス−（エポキシ）複素環式化合物は、１，３−ジグリシジル−５，５−ジメチルヒダ
ントイン、１，３−ジグリシジル−５−エチル−５−メチ
ルヒダントイン、１，３−ジグリシジル−５−ヘキシル−5α−
メチルヒダントイン及び１，３−ジ（３−グリシジルオキシプロピル）
−５，５−ジメチルヒダントインのような１，３−ジグリシジルヒダントインであ
る。本発明を実施するのに好適なポリカルボン酸
は、式：（式中、Ｑ、ａ及びＺは式について定義したと
同じである）を有する。ポリカルボン酸は飽和で
も不飽和でもよく、脂肪族、シクロ脂肪族、芳香
族又は複素環式化合物であつてよく、場合によつ
ては非妨害基、例えばアルキル、不飽和アルキ
ル、複素環式基、スルホネート、エステル、エー
テル、ハロ炭化水素、アミド及びカルバメートで
置換されていてもよい。好適なジカルボン酸の例
には、修酸、こはく酸、グルタール酸、アジピン
酸、スベリン酸、セバシン酸、ウンデカンジカ
ルボン酸、ヘキサデカン、ジカルボン酸、１，
２，３−プロパントリカルボン酸、トリカ
ルバリル酸、二量体とした脂肪酸（例えばオレイ
ン酸、リノール酸等のように16〜20個の炭素原子
を含むオレフイン状不飽和のモノカルボン酸を重
合させて得られるもの。リノール酸を二量体とし
た酸は米国特許第3753463号に記載されている。）
が含まれる。他の有用なジカルボン酸は、ジグリ
コール酸、ジ乳酸、３，3′（エチレンジオキ
シ）ジプロピオン酸、フタル酸、イソフタル酸、
テレフタル酸、５−スルホナートイソフタル酸、
トリメリツト酸、トリメシン酸、ジフエン酸、フ
エニレンジ酢酸、ベンジルこはく酸、１，４−
ナフタレンジカルボン酸、５−クロロ−１，３
−ベンゼンジカルボン酸、テトラクロロフタ
ル酸、１，２−シクロヘキサンジカルボン酸、
２，４−ピリジンジカルボン酸、２，５−テト
ラヒドロフランジカルボン酸、マレイン酸、
ブテン−２ジオ酸、１，５−ペンテン−２ジ
オ酸、イタコン酸、α−メチレングルタール
酸、α−メチレンアジピン酸、α−メチルイ
タコン酸及びα，α−ジメチルイタコン酸であ
る。 100モル％ないし50モル％以上のα−メチレン
ジカルボン酸と、０ないし約50モル％のα−メ
チレン基非含有ジカルボン酸とを含む本発明のポ
リエステルは、酸素が不在であつても化学線放射
によつて重合されやすい。α−メチレン基を有す
るジカルボン酸の含有量を約50モル％以下に低下
させると、ポリエステルの重合速度は遅くなり、
α−メチレン含有ジカルボン酸が約10〜20モル％
以下の量になると、化学線放射による硬化の進行
速度はきわめて遅くなる。本発明のポリエステルは、式に示される複素
環式ジエポキシドとポリカルボン酸との反応によ
つて形成される二級ヒドロキシル基を含む。これ
らのヒドロキシル基は、アシル化基との反応によ
つて官能化され、それによつてポリエステルを所
望の性状、例えば特定溶剤に対する易溶性、改良
された引張り強度及び難燃性を有するものに適宜
変えることができる。この方法で式のR¹を

【式】又は

【式】で置換する。R¹ が誘導される源泉となるアシル化剤の例には、酸
クロリド、例えばアセチルクロリド、プロピオ
ニルクロリドバレリルクロリド、ドデカノ
イルクロリド、アクリロイルクロリド、メタ
クリロイルクロリド、α−クロロアクリロイ
ルクロリド、クロトノイルクロリド、ベンゾ
イルクロリド、フエニルアセチルクロリ
ド、シンナモイルクロリド及び２，４−ジクロ
ロフエニルアセチルクロリド、対応するカル
ボン酸及び酸無水物、他の無水物、例えば無水マ
レイン酸、無水こはく酸、無水メチレンこはく
酸、無水フタル酸及び無水３−クロロフタル酸
のようなジカルボン酸無水物、ならびにメチル
イソシアネート、エチルイソシアネート、ｎ−
ブチルイソシアネート、フエニルイソシアネ
ート、４−ｔ−ブチルイソシアネート、アクリ
ロイルオキシエチルイソシアネート、メタクリ
ロイルオキシエチルイソシアネート、４−メタ
クリロイルオキシブチルイソシアネート、４−
アクリロイルフエニルイソシアネート及び４−
ビニルフエニルイソシアネートのような有機
イソシアネートが包含される。好ましいアシル化
剤は、メタクリロイルオキシイソシアネートの
ようにアルキル基の炭素数が２〜４であるアクリ
ロイルオキシアルキルイソシアネートである。
他の好ましいアシル化剤は無水マレイン酸及び無
水こはく酸である。アクリロイルオキシアルキル
イソシアネートがアシル化反応に好ましいの
は、ポリエステルの二級ヒドロキシル基と反応さ
せやすいこと、及びポリエステルのエチレン状不
飽和を増加させる効率的な手法が提供されること
による。ジカルボン酸の無水物は好ましいアシル
化剤である。これらの化合物を用いてポリエステ
ルの二級ヒドロキシル基をアシル化する場合に
は、カルボキシル基が導入されることによつて水
性溶剤に対するポリエステルの溶解度が高められ
る。ポリエステルの二級ヒドロキシル基とエチレン
状不飽和のアシル化剤との反応により、骨格α−
メチレン基含有量の低いポリエステルのエチレン
状不飽和を増加させることができる。これによつ
て、所与の量のエネルギーにさらした際のポリエ
ステルの硬化速度が高められることはいうまでも
ない。過剰のジエポキシ複素環式化合物を用いてポリ
エステルを製造した場合には、末端基としてエポ
キシ基が含まれる。これらの基は求核性の化合物
と反応することによつてエポキシド環を開裂して
末端エステル基を形成する。これらの求核性化合
物がアクリル酸やメタクリル酸のようなエチレン
状不飽和のものであれば、ポリエステルはこれら
の基で末端終結されるようになる。 1980年１月25日付で出願された米国特許出願第
109119号（ポリマー及びその製法に関する記載の
全文は、本明細書の一部として参照すべきものと
する）に開示されるポリマーは、次式で表わすこ
とができる：上記の式中、Ｍは１種又はそれ以上のモノマー（例えば、任
意の遊離基重合可能なエチレン状不飽和モノマ
ー）であり、 R¹は水素又はメチルであり、 R²は単結合、−R³−及び

【式】（ただし、R³は炭素数１〜12、好ましくは１〜６の
アルキレンであり、そしてＷは−Ｏ−、−Ｓ−又
は−NH−である）から選ばれ、R⁴及びR⁷は単
結合及びメチレン又は炭素数１〜12の置換メチレ
ンから独立に選ばれ、R⁵及びR⁶は炭素数１〜12
のアルキルもしくはシクロアルキル、炭素数６〜
12のアリールもしくはアラルキルから独立に選ば
れるか、またはR⁵及びR⁶がそれらと結合してい
る炭素原子と共に５員もしくは６員のカルボ環式
核を形成するか、又はR⁴及びR⁷のうちの少なく
とも１基がメチレンであればＨであつてもよいも
のとし、ｎは１、２又は３であり、Ｘは−Ｏ−、−NH−又は−Ｓ−であり、Ａは、 (a)

【式】〔ただし、R⁸は炭素数１〜12のアルキレン基、炭素数６〜10のアリー
レン基、又はオキシアルキレン基（−OR）−_p（式
中のＲは炭素数２〜４の低級アルキレン基であ
り、そしてｐは１〜４である）であり、R⁹及
びR¹⁰は独立に水素、及び炭素数１〜12のアル
キル基又は環炭素６〜10個を含み、場合によつ
ては置換基を有するフエニル又はナフチル分と
してアリールが定義されるアリール基である〕
又は (b) −R⁸−WY（ただし、R⁸はＡについて定義し
たと同じであり、ＷはR²について定義したと
同じであり、そしてＹはアクリロイル、メタク
リロイル、シンナモイル、マレオイル、フマロ
イル、イタコノイル及びクロトノイルからなる
群から選ばれるエチレン状に不飽和の基、好ま
しくはアクリロイル又はメタクリロイルであ
る）から選ばれる重合可能なエチレン状不飽和基であ
り、ａ及びｂは、アズラクトン含有共重合体中の
単位Ｍが約０ないし90重量％、好ましくは０ない
し75重量％のポリマーとなすのに充分な独立した
整数であつて、ｂは少なくとも１である。反射性金属被覆を有する基板の少なく片面上の
ポリマー性物質もそれ以上硬化することのない熱
可塑性物質であつてよい。このタイプの熱可塑性
物質は当業界で周知であり、これにはビニル樹
脂、ポリエステル、ポリアミド、ポリオレフイ
ン、ポリカルボネート、ポリアクリレート、ポリ
ビニルアセテート、スチレン／アクリロニトリル
コポリマー等が含まれる。これらのポリマー
は、前記と同じ最大損失弾性率温度範囲を有する
のが望ましい。本発明の熱可塑性組成物は反射性又は容量性の
情報担持デイスクに用いられ、大形寸法の強化用
物質の混入によるなどしてエンボス処理が阻害さ
れない限り、ポリマーが読取りシステムと明白な
相互作用を起こさないような添加剤を自由に加え
ることができる。例えば、色素、顔料、増感剤、
被覆助剤、可塑剤、界面活性剤、珪藻土のような
強化充填剤、金属酸化物、ガラス球、タルク、シ
リカ及びその他の物質を容易に含ませうる。すで
に述べたとおり、本発明に用いる硬化可能な熱可
塑性組成物は、30゜〜180℃の温度において最大損
失弾性率を有する。エンボス基板の凹部に材料を
流しこみ、また情報担持層の形成操作中に不適当
な量の応力が蓄積するのを防ぐには、これらの性
状は本発明を実施するうえでの必須条件である。
これらの性状により、情報担持層を低温で扱うこ
とができ、しかも高品質で欠陥のない情報担体デ
イスクを製造することが可能となる。硬化性のポリマーが放射線によつてはそれ自体
容易に硬化し得ないときには、重合可能な開始剤
又は光開始剤を組成物に含ませるべきである。遊
離基系用の開始剤には、ペルオキシ、アゾ及びレ
ドツクス系のような物質が包含されている。これ
らはすべて重合の技術分野において周知であり、
文献にもしばしば記載されている。遊離基触媒の
中には、アシロインとその誘導体、例えばベンゾ
イン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾイ
ンエチルエーテル、ベンゾイン、イソプロピ
ルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテ
ル及びα−メチルベンゾインがある。他の有用
な系には、ベンジル及びジアセチルのようなジケ
トン、ジフエニルモノスルフイド、ジフエニル
ジスルフイド、デシルフエニルスルフイド及
びテトラメチルチウラムモノスルフイドのよう
な有機スルフイド、Ｓ−ベンゾイル−Ｎ，Ｎ−ジ
メチルジチオカルバメートのようなＳ−アシル
ジチオカルバメート、アセトフエノン、α，
α，α−トリブロモアセトフエノン、α，α
−ジエトキシアセトフエノン、ベンゾフエ
ノン及びアミノベンゾフエノンのようなフエ
ノン、ｐ−トルエンスルホニルクロリド、１
−ナフタレンスルホニルクロリド、１，３−
ベンゼンジスルホニルクロリド、２，４−ジ
ニトロベンゼンブロミド、ジスルホニルク
ロリド及びｐ−アセトアミドベンゼンスル
ホニルクロリドのようなハロゲン化スルホニル
がある。通常この種の遊離基光開始剤は、全重合
性組成物の重量に対して約0.01〜５％の量で用い
られる。５重量％をこえる開始剤を用いても、そ
れに相当する効果の向上を期待できない。従つ
て、そのように多量用いることは経済的見地から
妥当でない。重合可能組成物に約0.25〜２重量％
の光開始剤を用いるのが望ましい。熱可塑性の放射線硬化ポリマー上の重合可能基
がエポキシ基である場合、芳香族ジアゾニウム、
ヨードニウム及びスルホニウムカチオンのハロ
ゲン化物錯塩のごとき光開始剤が好ましい。これ
らの塩は、当業界において知られ、例えば米国特
許第4058401号、第4069054号及び第4161478号に
開示されている。また本発明の重合性物質には、適量の非重合性
のポリマー性の添加剤及び重合性のモノマー性物
質を含ませることもできる。これらを用いること
により、硬化前の組成物の粘度及び硬化後の生成
物の架橋結合度を容易に制御することができる。
本発明に用いる遊離基ポリマーで飽和するのに好
適なエチレン状不飽和モノマーには、メチルメ
タクリレートエチルアクリレート、２−エチ
ルヘキシルアクリレート、クロロヘキシル
アクリレート、スチレン、２−クロロスチレ
ン、２，４−ジクロロスチレン、アクリル酸、ア
クリルアミド、アクリロニトリル、ｔ−ブチ
ルアクリレート、メチルアクリレート、ブチ
ルアクリレート、２−（Ｎ−ブチルカルバミ
ル）エチルメタクリレート及び２−（Ｎ−エチ
ルカルバミル）エチルメタクリレートが包含
される。本発明の組成物に添加しうる他の希釈用
モノマーには、１，４−ブチレンジメチルア
クリレート又はアクリレート、エチレンジメタ
クリレート、ヘキサンジオールジアクリレート
又はメタクリレートグリセリルジアクリレー
ト又はメタクリレート、グリセリルトリアクリ
レート又はトリメチルアクリレート、ペンタエ
リトリトール、トリアクリレート又はトリメタク
リレート、ペンタエリトリトールテトラアク
リレート又はテトラメタクリレート、ジアリル
フタレート、ジペンタエリトリトールペンタ
アクリレート、ネオペンチルグリコールトリ
アクリレート、１，３，５−トリ（メタクリロイ
ルオキシエチル）−ｓ−トリアジン及びポリアク
リロイル−ヒダントインが含まれ、それらは米国
特許第3808226号、第3852302号及び米国特許第
4249011号に記載されている。エポキシ官能性による熱可塑性ポリマーとの共
重合反応には、エポキシ基と共重合可能であるこ
とが知られている任意のコモノマーを系に加える
ことができるが、それらの基の官能性を有してい
るものであることが望ましい。手作業の塗装、ナイフエツジ被覆、グラビア被
覆、ローラー塗り等の種々の方法で基板に塗装さ
れる本発明の組成物は、放射線で硬化しうる熱可
塑性ポリマー、増感剤（もし使用すれば）、光開
始剤、及び溶剤を含む他の所望の補助剤を単に混
合すること（もし、組成物が可視光線に過敏であ
れば「安全」条件下において）によつて製造され
る。被覆された組成物は、次に伝導性又は反射性
の金属フイルムにより（例えば、蒸着法又はスパ
ツター被覆法で）被覆される。次にこの物をスタ
ンパーでエンボス処理して、デイスクの表面上に
情報担持パターンを再録する。情報担体表面に対
する再録が終つた後、当業界で公知の方法によ
り、金属の保護及び（又は）絶縁層をその上に被
覆することができる。この再録処理はデイスクの
片面又は両面に行うことができる。エレメントに対する情報のコード化処理は、金
属又は非金属の伝導性被覆層の変形化又は裂開に
よつて行われる。素材における本質的になめらか
ら平坦金属層を円形又はらせん状パターンの凹部
を含む層に変換する。その際凹部を取囲むほぼ垂
直な壁体は、もとの層と凹部の平らな中心領域と
の間に薄い連結部分を構成するようにネツキング
した金属フイルムで覆われる。また、凹部におい
て金属がエンボス処理でもとの層の金属から分離
された場合には、壁体には金属がなくてもよい。
これらの二つの物理的特徴は、金属被覆層がエン
ボスされたことを示す独特の現象である。凹部の
寸法も臨界的要素である。表面金属層から凹部の
底までの凹部の深さは、0.03〜10μｍ、一般には
0.03〜5.0μｍ、そして好ましくは0.03〜2.0μｍで
ある。若干の読取りシステムでは、0.05〜0.8μｍ
又は0.07〜0.5μｍの範囲内の深さを有する凹部を
用いることができる。本発明の方法にデイスク素材を用い、素材を加
工して情報担体デイスクに加工する。この方法
は、本発明の円板１枚をとり、熱可塑性層の
G″_nax（最大損失弾性率）よりも通常15゜ないし150
℃高い温度及び例えば５〜100Kg／cm²の圧力にお
いてエンボス処理することによつて実施される。
もし、第４図のようにエンボス面が外側に向いて
いる時はネガのスタンパーを用い、又第３図のよ
うにエンボス面が内側に向いている時はポジのス
タンパーを用いることによつてエンボス処理を行
う。これにより、放射線硬化性の層からなる熱可
塑性ベース内にらせん状の配列（array）又は溝
が形成される。この配列は放射線硬化性の層の表
面の平均水準からの深さ又は高さが0.03〜10.0μ
ｍ変動する凹部を含む。金属で被覆された放射線
硬化性の層を用いる場合には、スタンパーから解
放した後、又はする前に組成物を照射することに
より、それを硬化し、かつ、所望の形態を保持さ
せる。プラテンを用いるか、又はエンボスローラーを
用いてプレス処理することができる。もし、さら
に硬化しうるポリマー性樹脂を用いるならば、ス
タンパーが透明であればスタンパーを通して、又
スタンパーが不透明であればベースを通して照射
を実施する。通常エンボス処理をG″よりも少な
くとも15℃高く、最大損失弾性率よりも15〜100
℃高い温度で行うのが望ましい。更に望ましく
は、最大損失弾性率よりも20〜70℃高い温度で行
うことである。エンボス処理を行う間の圧力は５
〜75Kg／cm²であるのが望ましく、10〜50Kg／cm²で
あるのがいちだんと望ましい。本発明の情報記憶デイスクは、周知の技法によ
つてデイスクに情報を導入する前に、反射性又は
伝導性の層を施される。反射性の層を施すのに好
適な物質は、記憶デイスク上に化学的蒸着、無電
解めつき、電解蒸着めつき又はスパツター処理
（ただし、放射線硬化性ポリマーに対してはスパ
ツター法は好ましくない）した際に、500nｍ又
はそれ以上の波長域において約10％以上、しばし
ば50％以上、好ましくは85％以上の反射率を有す
る層が得られるような元素である。発生期又は金
属酸化物の被覆が反射性であり、空気による有意
の変化（すなわち、揮発性となり、又は湿気に弱
くなる）がない限り、発生期のままで保持される
か、又は酸化物を形成する元素（例えばカルシウ
ム及びマグネシウム）を用いることができる。い
かなる形態における酸化も腐食も受けにくい金属
又は合金を用いることが望ましいのはいうまでも
ない。反射性又は伝導性の層の厚さは、デイスク
基板上に被覆される個々の熱可塑性物質及び用い
る個々の反射性物質に応じて約0.2〜75nｍ、好ま
しくは0.2〜60nｍである。反射性の層に用いるの
に適する元素又は酸化物はカーボン、マグネシウ
ム及び酸化マグネシウム、アルミニウム、珪素、
カルシウム及び酸化カルシウム、チタン、バナジ
ウム、クロム、コバルト、ニツケル、銅、ゲルマ
ニウム、モリブデン、ロジウム、銀、インジウ
ム、錫、タングステン、イリジウム、白金、鉄、
金及びそれらの合金である。好ましい金属はアル
ミニウム、クロム、鉄、錫、インジウム、銀、金
及びそれらの合金である。当業界で公知のごと
く、金属、有機ポリマー及び添加剤の組合せは、
一般に層と層との間の化学的な相互作用及び有害
な結合を避けるように選ばれることはもちろんで
ある。伝導性の層は、粒子、例えばカーボン又は
金属を有機ポリマーのようなバインダー中に分散
させ、次いでこれらの物質の薄いフイルムをベー
ス上に被覆することによつて形成することができ
る。かかるシステムにおいて良好な伝導率を得る
ためには、高度の微粒子結合が一般に必要とされ
る。エンボス処理を終つた後で金属層を追加の熱可
塑性又は熱硬化性の樹脂で被覆することにより、
金属層を保護することができる。また、被覆が充
分に薄く、やはりエンボス処理できるものである
ならば、エンボス処理を施す前に金属層にその被
覆を施すこともできる。例えば、金属層の上にか
ぶせた0.5〜50nｍのポリマー性のエンボス処理し
うるフイルムは、被覆したままエンボス処理を行
うのにきわめて好適である。またこのフイルム
は、基板上のポリマー層に関して記述したような
熱又は放射線で硬化しうる物質であつてもよい。
もし、基板と金属層との間に放射線硬化性の層を
用いるならば、金属層は硬化用放射線（例えば、
紫外線又はｅ−ビーム放射線）の一部を透過さ
せ、かつ、読取放射線（例えば、レーザー光線）
の一部を反射させるような寸法のものとすること
ができる。これは当業者であれば達成できる。こ
のことは、両面素材を用いるか、又は基板が不透
明であるときに主として重要である。製造例米国特許出願第148776号の例６のポリマーを次
のように調製し、後述の実施例のいくつかに用い
ることにした。機械的撹拌装置、還流凝縮器及びCaSO₄乾燥管
を備えた250mlの三つ口丸底フラスコ内において、
110.4ｇのDGDMH：１，３−ジグリシジリル−
５，５−ジメチルヒダントインの略称（0.8モル
エポキシド当量）、52.0ｇのイタコン酸（0.8モル
酸当量）、0.05ｇの４−メトキシフエノール、
0.76ｇのトリエチルアミン及び40mlのｐ−ジオキ
サンを溶解した。反応フラスコ温度を100℃に
19.25時間保つた。この時点で化学的滴定分析を
行つたところ、99％のエポキシド基とカルボン酸
基とが消費されたことがわかつた。減圧下に溶剤
を除去して硬質のガラス状のポリエステルを得
た。このものはテトラヒドロフラン、ｐ−ジオキ
サン、シクロヘキサノン及びアルコール／水溶液
に可溶性であつた。均圧滴下漏斗、還流凝縮器、機械的撹拌装置及
びCaSO₄乾燥管を備えた250mlの三つ口丸底フラ
スコ内で前記のコポリマー19.28ｇを40mlのシク
ロヘキサノンに溶解した。反応フラスコを55℃に
加熱し、２−（メタクリロイルオキシ）エチル
イソシアネート7.78ｇ（0.5モル当量のイソシア
ネート）を10分間かけて滴状添加した。55℃で３
時間反応混合物を撹拌してから室温に冷却し、得
られたポリマーをジエチルエーテルから沈殿させ
た。例１ 1980年５月12日付出願の米国特許出願第148776
号の例６に記載のポリマー24.5重量部、遊離基光
開始剤0.5重量部、シクロヘキサノン39重量部及
び36重量部の２−メトキシエタノールを含む溶液
を5μｍの過器で過した。得られた溶液を1.75
×10^-4ｍのポリ塩化ビニリデンで下塗り処理した
ポリエチレンテレフタレートフイルムに針
金巻きのバーを使つて被覆した。被覆の終つたシ
ートを60℃において16時間風乾した。これらのシートの１枚に2.7nｍのクロムを蒸着
した。被覆は3.5 10^-6mmHgのバツクグラウンド
圧力における熱蒸発によつて実施した。得られた金属化したエンボス処理可能なシート
に対し、金属スタンパーを用いてビデオ情報のエ
ンボス処理を行つた。圧力37Kg／cm²の水圧プレス
を用いた。77℃にプレスのプラテンを加熱した。エンボス処理がすんだ後、シートはスタンパー
から容易にはがれた。80ワツト／cmで操作される
中圧水銀蒸気灯の下を５cm／秒で５回通すことに
より、シートの硬化処理を行つた。露光はシート
の非被覆面を通して行つた。次いでシートをさら
に５回同じ速度で水銀灯の下に通した。今回は、
シートの金属被覆面を通して露光させた。得られた伝導性ビデオデイスクの金属層の上に
薄い絶縁性の透明ポリマー被覆を施した。この絶
縁層を施すにはプラズマ重合法を用いた。この操
作は、ダイオード型の無線周波数（13.56ｍHz）
スパツター沈積装置を用いて行つたが、この装置
は直径40cmのカソードが８cmの間隔で設けられて
おり、このカソードを利用して厚さ35.5nｍのメ
チルメタクリレートの誘電スペーサー層をプラズ
マ沈積させる。0.985蒸気フラクシヨン（vapor
fraction）のメチルメタクリレートと、0.015蒸気
フラクシヨンのアクリル酸とからなる原料モノマ
ー混合物を約４×10^-4ｇ／secのマス流速で導入
し、一方アルゴンのマス流速は約３×10^-5ｇ／秒
とした。約55ワツト（Ｗ）のプラズマ重合電力を
用いたが、これは約4.5KW／m³の出力密度
（power density）及び約450W／m²の出力フラツ
クス（power flux）に相当した。得られたデイ
スクは、スタンパー上の情報を正確に再録したこ
とを示した。例２ポリエチレングリコールと、テレフタル酸
（80％）及びイソフタル酸（重量で20％）の化学
量論量の混合物とのコポリマーからなる約2.5×
10^-5ｍのエンボス処理しうる層に約7.5×10^-5ｍ
のポリエチレンテレフタレートを接着させてな
る1.0×10^-4ｍの基体に対して30nｍの銀を蒸着さ
せた。このビデオデイスク素材のエンボス処理
を、120℃及び45Kg／cm²で10分間ポジのスタンパ
ーを用いてプレス内で行つてから35℃に冷却し、
原盤からはずした。スタンパーの情報はデイスク
上に正確に再録され、このデイスクを反射性のレ
ーザー読取りビデオデイスクプレイヤー上に用い
ることができた。例３１×10^-3ｍのポリ塩化ビニル基板に41nｍの銀
を蒸着した。この被覆処理は5.0×10^-6mmHgのバ
ツクグラウンド圧力の下で熱蒸発法で行つた。金属スタンパーを用い、上記の金属化ポリ塩化
ビニル（以下PVCという）に対してビデオ情報
をエンボス処理した。圧力15.5Kg／cm²の水圧プレ
スを用いた。プレスプラテンを160℃に加熱し
た。冷却してスタンパーからはがした後、走査電
子顕微鏡写真で調べて、情報が金属化PVCデイ
スクに再録されていることがわかつた。このよう
なデイスクを次に反射性のレーザー読取りビデオ
デイスクプレイヤーに用いることができた。例４１×10^-3ｍのPVC基板に28nｍの錫を蒸気被覆
した。この被覆処理は、4.0×10^-6mmHgのバツク
グラウンド圧力下における熱蒸発法で行つた。得られた金属化PVCにビデオ情報を金属スタ
ンパーでエンボスした。圧力15.5Kg／cm²の水圧プ
レスを用いた。プレスプラテンを160℃に加熱
した。冷却させてスタンパーから取はずした後、
走査電子顕微鏡写真により、情報が金属化PVC
デイスクに再録されていることがわかつた。この
ようなデイスクは、次に反射性のレーザー読取り
デイスクプレイヤーに用いることができた。例５本例においては、例１に記載したと同じ基板及
びポリマー被覆を用いた。これらのシートの１枚に4.5nｍのクロムを蒸着
被覆した。この金属を例１に述べたようなブラズ
マ重合法で40nｍの絶縁層で被覆した。金属スタンパーを用い、上記構造体にビデオ情
報をエンボスした。圧力333Kg／cm²の水圧プレス
を用いた。プレスプラテンを75℃に加熱した。エンボス完了後、スタンパーと接触させたまま
80ワツト／cmの中圧水銀蒸気灯を用いてシートを
硬化させた。得られた伝導性のビデオデイスクをスタンパー
から外した後の走査電子顕微鏡写真は、デイスク
の表面に情報が正確に再録されたことを示してい
た。例６ 1.0×10^-3ｍのPVC基体に4.0nｍのクロムを蒸
着被覆した。この被覆処理は8.0×10^-6mmHgのバ
ツクグラウンド圧力下における熱蒸発法で実施
した。得られた金属化PVCに金属スタンパーでビデ
オ情報をエンボスした。圧力15.5Kg／cm²の水圧プ
レスを用いた。プレスプラテンを160℃に加熱
した。冷却及びスタンパーからの取外しを行つてか
ら、例１に記載したように40.0nｍの絶縁層を金
属に施した。伝導性のビデオデイスクは容量性のビデオデイ
スクプレイヤー上で操作するのに適していた。例７ 2.5×10^-4ｍのPVC基板に対し、4.7nｍのクロ
ムを蒸気被覆した。例１に記載したように、
40.0nｍの絶縁層を前記の金属層の上に被覆した。この構造体に金属スタンパーでビデオ情報をエ
ンボスした。圧力222Kg／cm²の水圧プレスを用い
た。プレスプラテンを100℃に加熱し、そして
50℃に冷却してスタンパーをプレスから取出し
た。スタンパーからはがした後の走査電子顕微鏡写
真は、この伝導性のビデオデイスクの表面中に情
報が正確に再録されていたことを示した。このよ
うなデイスクは、容量性のビデオデイスクプレイ
ヤーで操作するのに適していた。例８ポリ塩化ビニリデンで下塗り処理したポリエチ
レンテレフタフタレートの厚さ1.75×10^-4ｍ
のシートに、1980年５月12日付の出願にかかる米
国特許出願第148776号の例６に記載のポリマーを
1.0×10^-5ｍの厚さに被覆した。例１に記載した
被覆及び乾燥の手法を用いた。熱蒸発法を用い、
このシートの被覆面に5.0nｍのクロムを蒸着被覆
した。金属ビデオデイスクスタンパーを用い、前記の
予備金属化したシートに熱エンボス処理を施し
た。37Kg／cm²で操作される水圧プレスを用いた。
プレスプラテンを65℃に加熱した。エンボス処理
がすんでから、80ワツトの中圧水銀蒸気灯からの
UV放射にさらして放射線硬化性のポリマーを硬
化させた。このビデオデイスクの走査電子顕微鏡検査によ
り、ビデオデイスクスタンパーの再録が良好に行
われたことがわかつた。このデイスク表面の直流
抵抗は4300オーム／スケアであることが認められ
た。例９例１に記載した方法を用い、1980年５月12日付
の出願にかかる米国特許出願第148776号の例６に
記載のポリマー1.0×10^-5ｍの被覆を、ポリ塩化
ビニリデンで下塗り処理したポリエチレンテレ
フタレートの厚さ1.75×10^-4ｍのシートに施し
た。このシートの被覆面に対し、熱蒸発法を用い
て6.0nｍのアルミニウムを蒸着被覆した。金属ビデオデイスクスタンパーを用いて、この
予備金属化したシートの熱エンボス処理を行つ
た。15Kg／cm²で操作される水圧プレスを用いた。
プレスプラテンを60℃に加熱した。エンボス処
理をすませた後、UV照射にさらして放射線硬化
性のポリマーを硬化させた。得られたビデオデイスクを走査電子顕微鏡で検
査したところ、金属スタンパーの再生がミクロン
以下の精密度で忠実に行われていることがわかつ
た。再録板（replica）の表面の反射率は633nｍ
で測定して17％であつた。