JPH0444948Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0444948Y2 JPH0444948Y2 JP1988171572U JP17157288U JPH0444948Y2 JP H0444948 Y2 JPH0444948 Y2 JP H0444948Y2 JP 1988171572 U JP1988171572 U JP 1988171572U JP 17157288 U JP17157288 U JP 17157288U JP H0444948 Y2 JPH0444948 Y2 JP H0444948Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- processing chamber
- valve body
- valve
- opening
- gate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 18
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 11
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 6
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 5
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Details Of Valves (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
[考案の目的]
(産業上の利用分野)
本考案はゲート式真空バルブに関し、特にドラ
イエツチングやスパツタリング装置において処理
室とロード空間に設けられた隔壁のウエハ通過用
開口部を開閉する弁体自体に改良を施したもので
ある。
イエツチングやスパツタリング装置において処理
室とロード空間に設けられた隔壁のウエハ通過用
開口部を開閉する弁体自体に改良を施したもので
ある。
(従来の技術)
周知の如く、ドライエツチング装置やスパツタ
リング装置において、半導体ウエハをエツチング
等する処理室は一度大気を導入すると、処理室内
壁等に大気が吸着されてプロセス条件が変わるた
め、隣接するロード室との間にゲート弁を設け、
出来るだけ大気に戻すことなく使用するのが常で
ある。しかし、プロセスを重ねる度に生成物がゲ
ートバルブのシール部分に付着すると、シール効
果が低下する。こうした場合は、止むを得ず処理
室を大気に戻し、その部分を洗浄しなくてはなら
ない。しかるに、一度大気に戻すと、その前の状
態までに回復させるに10時間以上の真空排気とダ
ミーによるプロセスを行わなければならず、その
間それらの装置は生産に寄与できない。従つて、
生産効率が低くなるという問題点を有する。
リング装置において、半導体ウエハをエツチング
等する処理室は一度大気を導入すると、処理室内
壁等に大気が吸着されてプロセス条件が変わるた
め、隣接するロード室との間にゲート弁を設け、
出来るだけ大気に戻すことなく使用するのが常で
ある。しかし、プロセスを重ねる度に生成物がゲ
ートバルブのシール部分に付着すると、シール効
果が低下する。こうした場合は、止むを得ず処理
室を大気に戻し、その部分を洗浄しなくてはなら
ない。しかるに、一度大気に戻すと、その前の状
態までに回復させるに10時間以上の真空排気とダ
ミーによるプロセスを行わなければならず、その
間それらの装置は生産に寄与できない。従つて、
生産効率が低くなるという問題点を有する。
(考案が解決しようとする課題)
本考案は上記事情に鑑みてなされたもので、プ
ロセスを重ねる度にゲートバルブのシール部分に
生ずる生成物を処理室を大気に戻すことなく除去
でき、もつて生産効率を向上し得るゲート式真空
バルブを提供することを目的とする。
ロセスを重ねる度にゲートバルブのシール部分に
生ずる生成物を処理室を大気に戻すことなく除去
でき、もつて生産効率を向上し得るゲート式真空
バルブを提供することを目的とする。
[考案の構成]
(課題を解決するための手段)
本考案は、半導体ウエハに対しエツチングある
いはスパツタリングを行う処理室、及びウエハ通
過用開口部を有する隔壁を介して前記処理室と隣
接するロード空間に設けられて前記処理室とロー
ド空間の開閉を行うゲート式真空バルブにおい
て、前記隔壁の開口部の開閉を行う弁体と、この
弁体内に設けられたヒータと、このヒータからの
熱を前記処理室の内壁に伝達する伝達機構と、前
記処理室と弁体とを気密に封止する真空シール
と、前記弁体にリンク機構を介して連結された駆
動機構とを具備することを特徴とするゲート式真
空バルブである。
いはスパツタリングを行う処理室、及びウエハ通
過用開口部を有する隔壁を介して前記処理室と隣
接するロード空間に設けられて前記処理室とロー
ド空間の開閉を行うゲート式真空バルブにおい
て、前記隔壁の開口部の開閉を行う弁体と、この
弁体内に設けられたヒータと、このヒータからの
熱を前記処理室の内壁に伝達する伝達機構と、前
記処理室と弁体とを気密に封止する真空シール
と、前記弁体にリンク機構を介して連結された駆
動機構とを具備することを特徴とするゲート式真
空バルブである。
(作用)
本考案においては、弁体で処理室とロード室間
に設けた隔壁の開口部を弁体で閉じる時、弁体内
に配設したヒータからの熱源がリード線を通じて
固定端子を経て処理室の内壁に伝達されるように
なつているため、処理室内でウエハのエツチング
又はスパツリングを行う際に、生成物が内壁に付
着するのを回避することができる。従つて、従来
のようにエツチング生成物の付着に起因するシー
ル効果が低下することない為、長時間の真空排気
を行う必要がなく、作業効率を著しく改善するこ
とができる。
に設けた隔壁の開口部を弁体で閉じる時、弁体内
に配設したヒータからの熱源がリード線を通じて
固定端子を経て処理室の内壁に伝達されるように
なつているため、処理室内でウエハのエツチング
又はスパツリングを行う際に、生成物が内壁に付
着するのを回避することができる。従つて、従来
のようにエツチング生成物の付着に起因するシー
ル効果が低下することない為、長時間の真空排気
を行う必要がなく、作業効率を著しく改善するこ
とができる。
(実施例)
以下、本考案の一実施例を図を参照して説明す
る。
る。
第1図は、本考案に係るゲート式真空バルブを
適用したドライエツチング装置の説明図である。
図中の1は処理室であり、高周波電極2上に配置
された半導体ウエハ3を上部のガス導入管4より
プロセスガスを導入しながらドライエツチングを
行う。前記処理室1の両隣には、ロード室5,6
が夫々設けられている。また、前記処理室1とロ
ード室5,6間には、ウエハ通過用の開口部7a
を有した隔壁7が設けられ、前記開口部7aの近
くに本願考案のゲート式真空バルブ8が設けられ
ている。
適用したドライエツチング装置の説明図である。
図中の1は処理室であり、高周波電極2上に配置
された半導体ウエハ3を上部のガス導入管4より
プロセスガスを導入しながらドライエツチングを
行う。前記処理室1の両隣には、ロード室5,6
が夫々設けられている。また、前記処理室1とロ
ード室5,6間には、ウエハ通過用の開口部7a
を有した隔壁7が設けられ、前記開口部7aの近
くに本願考案のゲート式真空バルブ8が設けられ
ている。
かかるバルブ8の詳細は第2図,第3図,第4
図及び第5図に示す通りである。ここで、第2図
はバルブ8の弁体で隔壁7の開口部7aを閉じた
場合、第3図はバルブ8の弁体で隔壁7の開口部
7aを開いた場合を夫々示す。また、第4図は主
として弁体内部を更に詳細に示したものである。
更に、第5図は第4図の平面図である。図から明
らかなように、バルブ8は、主に隔壁7の開口部
7aを開閉する弁体9と、この弁体9内に設けら
れたシート状ヒータ10と、このヒータ10から
の熱を処理室1の内壁に伝える伝達機構11と、
隔壁7の開口部7aを閉じる時前記弁体9を隔壁
7の開口部7aに気密に配置させるOリング12
と、前記弁体9をリンク機構13を介して連結さ
れた開閉用シリンダ14とから構成される。
図及び第5図に示す通りである。ここで、第2図
はバルブ8の弁体で隔壁7の開口部7aを閉じた
場合、第3図はバルブ8の弁体で隔壁7の開口部
7aを開いた場合を夫々示す。また、第4図は主
として弁体内部を更に詳細に示したものである。
更に、第5図は第4図の平面図である。図から明
らかなように、バルブ8は、主に隔壁7の開口部
7aを開閉する弁体9と、この弁体9内に設けら
れたシート状ヒータ10と、このヒータ10から
の熱を処理室1の内壁に伝える伝達機構11と、
隔壁7の開口部7aを閉じる時前記弁体9を隔壁
7の開口部7aに気密に配置させるOリング12
と、前記弁体9をリンク機構13を介して連結さ
れた開閉用シリンダ14とから構成される。
前記伝達機構11は、第4図に示す如く、主と
してヒータ10に直接接続するリード線15と、
このリード線15に接続する固定端子16,17
等から構成され、18は絶縁チユーブ、19は弁
体9の外壁に設けられて固定端子16を固定する
絶縁体、20は処理室9の外壁に設けられて固定
端子17を固定する絶縁体、21はバネである。
また、前記絶縁体20と絶縁体19、処理室1の
内壁、固定端子17との接点には、夫々Oリング
22が設けられている。ここで、前記固定端子1
6は弁体9で隔壁7の開口部7aを閉じる時にの
み、バネ21の付勢力により他方の固定端子17
の端面と接触して通電されるようになつており、
前記絶縁体19,20等で印加電圧によるアーク
放電を防止するようになつている。
してヒータ10に直接接続するリード線15と、
このリード線15に接続する固定端子16,17
等から構成され、18は絶縁チユーブ、19は弁
体9の外壁に設けられて固定端子16を固定する
絶縁体、20は処理室9の外壁に設けられて固定
端子17を固定する絶縁体、21はバネである。
また、前記絶縁体20と絶縁体19、処理室1の
内壁、固定端子17との接点には、夫々Oリング
22が設けられている。ここで、前記固定端子1
6は弁体9で隔壁7の開口部7aを閉じる時にの
み、バネ21の付勢力により他方の固定端子17
の端面と接触して通電されるようになつており、
前記絶縁体19,20等で印加電圧によるアーク
放電を防止するようになつている。
前記リンク機構13は、前記弁体9とリンク2
2を介して連結する支えプレート23と、この支
えプレート23の長手方向に沿つて設けられた上
下動可能な2ケのガイド車輪24と、前記隔壁7
に固定されて前記ガイド車輪24をガイドするレ
ール25とから構成されている。なお、図中の2
6はリンクピンである。
2を介して連結する支えプレート23と、この支
えプレート23の長手方向に沿つて設けられた上
下動可能な2ケのガイド車輪24と、前記隔壁7
に固定されて前記ガイド車輪24をガイドするレ
ール25とから構成されている。なお、図中の2
6はリンクピンである。
しかして、本考案に係るゲート真空式バルブ
は、処理室1とロード室5,6間の隔壁7の開口
部7aを開閉する弁体9と、この弁体9内に設け
られたシート状ヒータ10と、このヒータ10か
らの熱源を処理室1の内壁に伝える伝達機構11
と、隔壁7の開口部7aを閉じる時前記弁体9を
隔壁7の開口部7aに気密に配置させるOリング
12と、前記弁体9をリンク機構13を介して連
結された開閉用シリンダ14等から構成され、弁
体9で隔壁7の開口部7aを閉じるとき、前記ヒ
ータ10からの熱源がリード線15を通じて固定
端子16,17を経て処理室1の内壁に伝達され
るようになつているため、処理室1内でウエハ3
のエツチングを行う際、エツチング生成物が内壁
に付着するのを回避することができる。従つて、
従来のようにエツチング生成物の付着に起因して
処理室を大気にさらすことがないため、シール効
果が低下することなく、作業能率を著しく改善す
ることができる。
は、処理室1とロード室5,6間の隔壁7の開口
部7aを開閉する弁体9と、この弁体9内に設け
られたシート状ヒータ10と、このヒータ10か
らの熱源を処理室1の内壁に伝える伝達機構11
と、隔壁7の開口部7aを閉じる時前記弁体9を
隔壁7の開口部7aに気密に配置させるOリング
12と、前記弁体9をリンク機構13を介して連
結された開閉用シリンダ14等から構成され、弁
体9で隔壁7の開口部7aを閉じるとき、前記ヒ
ータ10からの熱源がリード線15を通じて固定
端子16,17を経て処理室1の内壁に伝達され
るようになつているため、処理室1内でウエハ3
のエツチングを行う際、エツチング生成物が内壁
に付着するのを回避することができる。従つて、
従来のようにエツチング生成物の付着に起因して
処理室を大気にさらすことがないため、シール効
果が低下することなく、作業能率を著しく改善す
ることができる。
なお、上記実施例では、ドライエツチング装置
に適用した場合について述べたが、これに限ら
ず、スパツタリング装置に適用した場合について
も上記実施例と同様な効果を期待できる。
に適用した場合について述べたが、これに限ら
ず、スパツタリング装置に適用した場合について
も上記実施例と同様な効果を期待できる。
[考案の効果]
以上詳述した如く本考案によれば、プロセスを
重ねる度にゲートバルブのシール部分に生ずる生
成物を処理室を大気に戻すことなく、処理しなが
ら生成物の付着を除去でき、もつて生産効率を著
しく向上し得るゲート式真空バルブを提供でき
る。
重ねる度にゲートバルブのシール部分に生ずる生
成物を処理室を大気に戻すことなく、処理しなが
ら生成物の付着を除去でき、もつて生産効率を著
しく向上し得るゲート式真空バルブを提供でき
る。
第1図は本考案に係るゲート式真空バルブを取
付けたドライエツチング装置の説明図、第2図は
第1図において前記バルブが閉じたときの状態を
説明するための部分拡大図、第3図は第1図にお
いて前記バルブが開いたときの状態を説明するた
めの部分拡大図、第4図は第1図においてロード
室から処理室を見たときの部分拡大図、第5図は
第4図の平面図である。 1……処理室、3……半導体ウエハ、5,6…
…ロード室、7……隔壁、7a……開口部、8…
…ゲート式真空バルブ、9……弁体、10……シ
ート状ヒータ、11……伝達機構、12……Oリ
ング、13……リンク機構、14……開閉用シリ
ンダ、23……支えプレート、24……ガイド車
輪、25……レール。
付けたドライエツチング装置の説明図、第2図は
第1図において前記バルブが閉じたときの状態を
説明するための部分拡大図、第3図は第1図にお
いて前記バルブが開いたときの状態を説明するた
めの部分拡大図、第4図は第1図においてロード
室から処理室を見たときの部分拡大図、第5図は
第4図の平面図である。 1……処理室、3……半導体ウエハ、5,6…
…ロード室、7……隔壁、7a……開口部、8…
…ゲート式真空バルブ、9……弁体、10……シ
ート状ヒータ、11……伝達機構、12……Oリ
ング、13……リンク機構、14……開閉用シリ
ンダ、23……支えプレート、24……ガイド車
輪、25……レール。
Claims (1)
- 半導体ウエハに対しエツチングあるいはスパツ
タリングを行う処理室、及びウエハ通過用開口部
を有する隔壁を介して前記処理室と隣接するロー
ド空間に設けられて前記処理室とロード空間の開
閉を行うゲート式真空バルブにおいて、前記隔壁
の開口部の開閉を行う弁体と、この弁体内に設け
られたヒータと、このヒータからの熱を前記処理
室の内壁に伝達する伝達機構と、前記処理室と弁
体とを気密に封止する真空シールと、前記弁体に
リンク機構を介して連結された駆動機構とを具備
することを特徴とするゲート式真空バルブ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1988171572U JPH0444948Y2 (ja) | 1988-12-28 | 1988-12-28 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1988171572U JPH0444948Y2 (ja) | 1988-12-28 | 1988-12-28 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0291277U JPH0291277U (ja) | 1990-07-19 |
JPH0444948Y2 true JPH0444948Y2 (ja) | 1992-10-22 |
Family
ID=31463522
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1988171572U Expired JPH0444948Y2 (ja) | 1988-12-28 | 1988-12-28 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0444948Y2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10184988A (ja) * | 1996-12-25 | 1998-07-14 | Benkan Corp | 弁体加熱装置 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57100732A (en) * | 1980-12-16 | 1982-06-23 | Nec Corp | Dry etching device |
JPS6323653A (ja) * | 1986-04-30 | 1988-01-30 | エスクラップ―メディテック ゲーエムベーハー | レ−ザ外科手術装置 |
-
1988
- 1988-12-28 JP JP1988171572U patent/JPH0444948Y2/ja not_active Expired
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57100732A (en) * | 1980-12-16 | 1982-06-23 | Nec Corp | Dry etching device |
JPS6323653A (ja) * | 1986-04-30 | 1988-01-30 | エスクラップ―メディテック ゲーエムベーハー | レ−ザ外科手術装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10184988A (ja) * | 1996-12-25 | 1998-07-14 | Benkan Corp | 弁体加熱装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0291277U (ja) | 1990-07-19 |
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