JPH0442926A - 表面に絶縁層を有する化合物半導体結晶の製造方法 - Google Patents
表面に絶縁層を有する化合物半導体結晶の製造方法Info
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- JPH0442926A JPH0442926A JP14911090A JP14911090A JPH0442926A JP H0442926 A JPH0442926 A JP H0442926A JP 14911090 A JP14911090 A JP 14911090A JP 14911090 A JP14911090 A JP 14911090A JP H0442926 A JPH0442926 A JP H0442926A
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Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野〕
本発明は表面に絶縁層を有する化合物半導体結晶、特に
ＭＩＳ ＦＥＴを構成するのに適した、表面に絶縁層
を有するＩ−Ｖ族化合物半導体結晶に関する。
ＭＩＳ ＦＥＴを構成するのに適した、表面に絶縁層
を有するＩ−Ｖ族化合物半導体結晶に関する。
化合物半導体、例えばＧａＡｓは、発光素子等の電子デ
バイスに有用である。化合物半導体を用いた電界効果ト
ランジスタ（ＦＥＴ）の主流となっているのは、シリコ
ン半導体の場合のようなＭＩＳ ＦＥＴではなく、シ
５ットキー接合を利用したＭＥＳ ＦＥＴである。
バイスに有用である。化合物半導体を用いた電界効果ト
ランジスタ（ＦＥＴ）の主流となっているのは、シリコ
ン半導体の場合のようなＭＩＳ ＦＥＴではなく、シ
５ットキー接合を利用したＭＥＳ ＦＥＴである。
後述するようにＭＥＳ ＦＥＴはゲート耐圧が小さい
欠点があるため、Ｍｉｓ ＦＥＴを構成できるように
するため、化合物半導体の界面準位密度を従来の１０１
３ｃ ｍ−２程度からＳｉの場合のＩＱＩｏｃｍ−”に
近い水準に低下させる試みがなされている。近年化合物
半導体の主流となっているＧａＡｓについて、硫化ナト
リウムＮａｚ Ｓや硫化アンモニウム（ＮＨ４）Ｚ Ｓ
）ｌ （Ｘは１〜３）の水溶液で処理して、イオウを
表面に吸着させることにより、界面準位密度を１０”ｃ
ｍ−２から１０”ｃｍ−”以下に低下させ得ることが知
られている（応用物理 第５８巻 第９号（１９８９年
）ｐ。
欠点があるため、Ｍｉｓ ＦＥＴを構成できるように
するため、化合物半導体の界面準位密度を従来の１０１
３ｃ ｍ−２程度からＳｉの場合のＩＱＩｏｃｍ−”に
近い水準に低下させる試みがなされている。近年化合物
半導体の主流となっているＧａＡｓについて、硫化ナト
リウムＮａｚ Ｓや硫化アンモニウム（ＮＨ４）Ｚ Ｓ
）ｌ （Ｘは１〜３）の水溶液で処理して、イオウを
表面に吸着させることにより、界面準位密度を１０”ｃ
ｍ−２から１０”ｃｍ−”以下に低下させ得ることが知
られている（応用物理 第５８巻 第９号（１９８９年
）ｐ。
１３４２〜１３４４、ばか）。
従来、化合物半導体を用いた電界効果トランジスタの主
流となっているのは、上述の如く、ＭＥＳ ＦＥＴで
あるが、ＭＥＳ ＦＥＴはゲート耐圧が低い欠点があ
るため、信号電圧振幅を大きくできず、論理回路として
用いるときに論理振幅のマージンを大きく取ることがで
きない。その結果、ＭＥＳ ＦＥＴを用いた論理回路
は構成が複雑となり、素子特性に対する裕度のないもの
になる。
流となっているのは、上述の如く、ＭＥＳ ＦＥＴで
あるが、ＭＥＳ ＦＥＴはゲート耐圧が低い欠点があ
るため、信号電圧振幅を大きくできず、論理回路として
用いるときに論理振幅のマージンを大きく取ることがで
きない。その結果、ＭＥＳ ＦＥＴを用いた論理回路
は構成が複雑となり、素子特性に対する裕度のないもの
になる。
この点が、シリコン半導体を用いたＭＥＳ ＦＥＴで
構成されたＬＳＩに比し、化合物半導体を用いたＭＥＳ
ＦＥＴで構成されたＬＳＩが劣る大きな理由となっ
ている。
構成されたＬＳＩに比し、化合物半導体を用いたＭＥＳ
ＦＥＴで構成されたＬＳＩが劣る大きな理由となっ
ている。
シリコン半導体の場合、界面準位密度が１０′。
ｃｍ−２程度であるため、良好なＭＩＳ構造が形成でき
るのに対し、従来の化合物半導体結晶の界面準位密度は
１０１３ｃｍ４程度あり、シリコン半導体に比して３桁
も大きいため、良好なＭＩＳ構造を形成できない。ＭＩ
Ｓ ＦＥＴを構成できるためには、化合物半導体の界
面準位密度を大幅に低下させる必要がある。上記のよう
な、硫化ナトリウムや硫化アンモニウム水溶液で表面処
理してＧａＡｓ半導体の界面準位密度を低下させる従来
の方法は、湿式プロセスであることから均一性、再現性
が乏しく、大量処理に適しない。特に下記の点が問題と
なる。
るのに対し、従来の化合物半導体結晶の界面準位密度は
１０１３ｃｍ４程度あり、シリコン半導体に比して３桁
も大きいため、良好なＭＩＳ構造を形成できない。ＭＩ
Ｓ ＦＥＴを構成できるためには、化合物半導体の界
面準位密度を大幅に低下させる必要がある。上記のよう
な、硫化ナトリウムや硫化アンモニウム水溶液で表面処
理してＧａＡｓ半導体の界面準位密度を低下させる従来
の方法は、湿式プロセスであることから均一性、再現性
が乏しく、大量処理に適しない。特に下記の点が問題と
なる。
（１）Ｇ ａ Ａ ｓ結晶表面の自然酸化膜の除去やイ
オウ吸着量の制ｍｉ精度よ（行うことができない。
オウ吸着量の制ｍｉ精度よ（行うことができない。
（２）処理液中の不純物によりＧａＡｓ半犀体半面体表
面される可能性が大きい。
面される可能性が大きい。
（３）エツチングむら等が生じやすく、結晶表面の平坦
性が悪くなる。これはＬＳＩ製造上致命的である。
性が悪くなる。これはＬＳＩ製造上致命的である。
また硫化ナトリウム処理で形成される表面吸着層は不安
定である。
定である。
それ故、本発明の目的は、均一性、再現性の良い、Ｍｉ
ｓ ＦＥＴを構成するのに適した、表面に絶縁層を有
する化合物半導体結晶を実現することである。
ｓ ＦＥＴを構成するのに適した、表面に絶縁層を有
する化合物半導体結晶を実現することである。
本発明の他の目的は、表面に所望の厚さの安定な絶縁層
を有する化合物半導体結晶を実現することである。
を有する化合物半導体結晶を実現することである。
本発明では、均一性、再現性が良く、ＭＩＳＦＥＴを構
成するのに適した、表面に所望の厚さの安定な絶縁層を
有する化合物半導体結晶を実現するため、水素およびＶ
Ｉｂ族水素化物から成る気相と接触させることにより、
■−Ｖ族化合物半導体結晶の表面にｍ−ＶＩｂ族化合物
の絶縁層を形成させる（Ｖｌｂ族水素化物とは■ｂｂ元
素の水素化物、■−ｖ族化合物とは■族元素とＶ族元素
の化合物、ｍ−ＶＩｂ族化合物とは■族元素と■ｂｂ元
素の化合物を意味する）、結晶は混晶であってもよく、
また既に半導体素子として構成されたものであってもよ
い。結晶に接触させる気相（以下、雰囲気と言う）には
、ｖｔｂ族水素化物および水素とともに、さらにＶ族水
素化物（Ｖ族元素の水素化物）を含むことが、より好ま
しい。
成するのに適した、表面に所望の厚さの安定な絶縁層を
有する化合物半導体結晶を実現するため、水素およびＶ
Ｉｂ族水素化物から成る気相と接触させることにより、
■−Ｖ族化合物半導体結晶の表面にｍ−ＶＩｂ族化合物
の絶縁層を形成させる（Ｖｌｂ族水素化物とは■ｂｂ元
素の水素化物、■−ｖ族化合物とは■族元素とＶ族元素
の化合物、ｍ−ＶＩｂ族化合物とは■族元素と■ｂｂ元
素の化合物を意味する）、結晶は混晶であってもよく、
また既に半導体素子として構成されたものであってもよ
い。結晶に接触させる気相（以下、雰囲気と言う）には
、ｖｔｂ族水素化物および水素とともに、さらにＶ族水
素化物（Ｖ族元素の水素化物）を含むことが、より好ま
しい。
■−Ｖ族化合物半導体は例えばＣ＋ａＡｓ。
ＩｎＰ、Ａｊ２ＸＣｒａ＜＋−ｘ＋ Ａｓ （１≧Ｘ〉
０）である。■ｂ族氷水素化物例えばＨ２Ｓ。
０）である。■ｂ族氷水素化物例えばＨ２Ｓ。
Ｈ２Ｓｅである。
形成されるｍ−ｖｔｂ族化合物はＩＩ［−Ｖ族化合物半
導体中の■族元素および用いた■ｂ族氷水素化物より異
なるが、例えばＧａｚ Ｓ３ 、 Ｉ ｎｚ ｓ３
。
導体中の■族元素および用いた■ｂ族氷水素化物より異
なるが、例えばＧａｚ Ｓ３ 、 Ｉ ｎｚ ｓ３
。
Ｇａｚ Ｓｅｚ 、Ｉ ｎｚ Ｓｅ３ 。
ＣＡＩ−ｘ Ｇａ （＋−１１１）、Ｓ３ ＋（Ａ
ｊ２ｘ Ｇ ａ （１−Ｘｌ ）２Ｓｅｘである。
ｊ２ｘ Ｇ ａ （１−Ｘｌ ）２Ｓｅｘである。
後に作用の項で説明するように、■−Ｖ族化合物はまず
雰囲気中の水素と反応して■族元素とＶ族水素化物を生
成１．（後述の式（１）参照）、次いで■族元素が■ｂ
族氷水素化物反応１−１■−ＶＩｂ族化合物を生成する
（後述の式（２）参照）ので、■−Ｖ族化合物半導体結
晶表面での■■ｂ族化合物の生成量すなわち絶縁層の厚
さは、雰囲気中の水素と■ｂ族氷水素化物分圧により制
御することができ、所望の界面準位の低下が得られる。
雰囲気中の水素と反応して■族元素とＶ族水素化物を生
成１．（後述の式（１）参照）、次いで■族元素が■ｂ
族氷水素化物反応１−１■−ＶＩｂ族化合物を生成する
（後述の式（２）参照）ので、■−Ｖ族化合物半導体結
晶表面での■■ｂ族化合物の生成量すなわち絶縁層の厚
さは、雰囲気中の水素と■ｂ族氷水素化物分圧により制
御することができ、所望の界面準位の低下が得られる。
雰囲気中に含まれることが好ましいＶ族水素化物は、■
−■族化合物半導体中のＶ族元素と同じ元素の水素化物
で、例えば化合物半導体がＧａＡｓならＡｓＨ＝、化合
物半導体がＩｎＰならＰＨ，である。雰囲気中にＶ族水
素化物を含む場合には、ｎｘ−ＶＩｂ族化合物の生成量
すなわち絶縁層の厚さは、雰囲気中の水素、■ｂ族氷水
素化物およびＶ族水素化物の各分圧により制御すること
ができる。所望の界面準位の低下を得るには、■−■ｂ
族化合物の適Ｉを生成させる必要があるから、雰囲気中
の水素、■ｂ族氷水素化物およびＶ族水素化物の分圧を
、予備試験に基づいて、所定の分圧とすることが好まし
い。
−■族化合物半導体中のＶ族元素と同じ元素の水素化物
で、例えば化合物半導体がＧａＡｓならＡｓＨ＝、化合
物半導体がＩｎＰならＰＨ，である。雰囲気中にＶ族水
素化物を含む場合には、ｎｘ−ＶＩｂ族化合物の生成量
すなわち絶縁層の厚さは、雰囲気中の水素、■ｂ族氷水
素化物およびＶ族水素化物の各分圧により制御すること
ができる。所望の界面準位の低下を得るには、■−■ｂ
族化合物の適Ｉを生成させる必要があるから、雰囲気中
の水素、■ｂ族氷水素化物およびＶ族水素化物の分圧を
、予備試験に基づいて、所定の分圧とすることが好まし
い。
勿論、結晶表面の温度は反応速度を支配する重要な因子
であり、形成されるｍ−ＶＩｂ族化合物の厚さは温度に
も依存する。結晶の温度は、通常２００°Ｃないし１ｏ
ｏｏ″Ｃの範囲から選ばれる。
であり、形成されるｍ−ＶＩｂ族化合物の厚さは温度に
も依存する。結晶の温度は、通常２００°Ｃないし１ｏ
ｏｏ″Ｃの範囲から選ばれる。
■−Ｖ族化合物半導体結晶を水素およびＶＩｂ族水素化
物から成る気相と接触させることにより、結晶表面で■
−Ｖ族化合物が水素により還元され、生成したＶ族水素
化物が表面から離脱するとともに、結晶表面の自然酸化
膜が除去され、結晶表面に残る■族元素が■ｂ族氷水素
化物反応して１ＩＩ−ＶＩｂ族化合物層を形成する。こ
のｍ−ＶＩｂ族化合物層は湿式処理でなく気相処理で形
成されるため、不純物の混入が少なく、欠陥が少ないの
で、高抵抗の絶縁膜となる。ｍ−ＶＩｂ族化合物層は安
定で、保護膜とし２ても作用する。界面準位を形成する
結晶表面の自然酸化膜がｍ−ＶＩｂ族化合物層の形成前
にｉｎ ５ｉｔｕ で除去されるので、■−Ｖ族化合
物結晶と表面に形成されたｍ−ＶＩｂ族化合物層との界
面における界面準位密度は２ Ｘ １０”ｃｍ−”より
小となる。以上の過程が気相処理で行われるため、大量
生産が可能である。
物から成る気相と接触させることにより、結晶表面で■
−Ｖ族化合物が水素により還元され、生成したＶ族水素
化物が表面から離脱するとともに、結晶表面の自然酸化
膜が除去され、結晶表面に残る■族元素が■ｂ族氷水素
化物反応して１ＩＩ−ＶＩｂ族化合物層を形成する。こ
のｍ−ＶＩｂ族化合物層は湿式処理でなく気相処理で形
成されるため、不純物の混入が少なく、欠陥が少ないの
で、高抵抗の絶縁膜となる。ｍ−ＶＩｂ族化合物層は安
定で、保護膜とし２ても作用する。界面準位を形成する
結晶表面の自然酸化膜がｍ−ＶＩｂ族化合物層の形成前
にｉｎ ５ｉｔｕ で除去されるので、■−Ｖ族化合
物結晶と表面に形成されたｍ−ＶＩｂ族化合物層との界
面における界面準位密度は２ Ｘ １０”ｃｍ−”より
小となる。以上の過程が気相処理で行われるため、大量
生産が可能である。
■−Ｖ族化合物がＧａＡｓ、■ｂ族氷水素化物Ｈ２Ｓで
ある場合を例にとり、ｍ−ＶＩｂ族化合物の生成過程を
反応式で説明する６ＧａＡｓ表面では、ＧａＡｓが水素
により還元され、下記式（１）の反応が生じる。
ある場合を例にとり、ｍ−ＶＩｂ族化合物の生成過程を
反応式で説明する６ＧａＡｓ表面では、ＧａＡｓが水素
により還元され、下記式（１）の反応が生じる。
２ＧａＡｓ＋３Ｈｚ
＝ ２０ ａ ＋ ２ Ａ ｓ Ｈ！ （１）式（
１）の反応で生じたＧａは、雰囲気中のＨ２Ｓと下記式
（２）のように反応する。
１）の反応で生じたＧａは、雰囲気中のＨ２Ｓと下記式
（２）のように反応する。
２Ｇａ＋３ＨｚＳ
＝Ｇａｚ ｓ、＋３Ｈ，（２）
ＧａＡｓ表面には式（２）の反応で生じたＧａ、Ｓ、の
層が形成される。
層が形成される。
式（１）の反応で８２分圧が増加すれば反応の平衡は右
辺に寄り、ＡｓＨ，分圧を増加すれば平衡は左辺に寄る
（それ故、前述のように、この反応はＨ２とＡｓＨ，の
分圧により制御することができる）。弐（２）の反応も
、Ｈ２ｓ分圧を増加すれば反応の平衡は右辺に寄り、８
２分圧を増加すれば平衡は左辺に寄る（それ故、前述の
ように、この反応はＨ２ＳとＨ２の分圧により制御する
ことができる）。
辺に寄り、ＡｓＨ，分圧を増加すれば平衡は左辺に寄る
（それ故、前述のように、この反応はＨ２とＡｓＨ，の
分圧により制御することができる）。弐（２）の反応も
、Ｈ２ｓ分圧を増加すれば反応の平衡は右辺に寄り、８
２分圧を増加すれば平衡は左辺に寄る（それ故、前述の
ように、この反応はＨ２ＳとＨ２の分圧により制御する
ことができる）。
本発明でｍ −Ｖ族化合物半導体表面にｍ−ＶＩｂ族化
合物層を形成させる反応は、Ｓｉの熱酸化のプロセスと
類似した気相還元と気相酸化を利用しており、ＳｉＯ□
膜と同様な、清浄、安定、かつ界面準位の少ない絶縁膜
を形成することができるのである。
合物層を形成させる反応は、Ｓｉの熱酸化のプロセスと
類似した気相還元と気相酸化を利用しており、ＳｉＯ□
膜と同様な、清浄、安定、かつ界面準位の少ない絶縁膜
を形成することができるのである。
以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明する。
〔実施例１〕
本例は、結晶表面にＨ，、、Ａｓ Ｈ，、Ｈ２Ｓの混合
ガス中での加熱によりＧａ２Ｓ、絶縁層が形成されたＧ
ａＡｓ半導体結晶である。
ガス中での加熱によりＧａ２Ｓ、絶縁層が形成されたＧ
ａＡｓ半導体結晶である。
二〇〇ａＡｓ半導体結晶は下記のようにして製造した。
ＧａＡｓ単結晶基板を高純度石英（不純物の少ないＳＯ
Ｓステンレス鋼でもよい）製の反応炉中に置き、高真空
ポンプで炉内を排気して、炉内の酸素、水分を除き、パ
ラジウム膜を用いた精製器で精製された高純度水素を炉
内に流して、充分パージする。
Ｓステンレス鋼でもよい）製の反応炉中に置き、高真空
ポンプで炉内を排気して、炉内の酸素、水分を除き、パ
ラジウム膜を用いた精製器で精製された高純度水素を炉
内に流して、充分パージする。
Ｈ，、Ｈ２Ｓ、ＡＳ Ｈ：ｌの混合ガスを炉内に流しな
がら、ＧａＡｓ結晶を加熱する。混合ガス中のＨ！分圧
（ＰＨ，） 、Ｈ２Ｓ分圧（ＰＨ２Ｓ）、ＡｓＨｓ分圧
（ＰＡ３Ｈ３）をそれぞれ所定の分圧にし、温度Ｔ、に
保って時間１．の間装置し、室温まで冷却する。
がら、ＧａＡｓ結晶を加熱する。混合ガス中のＨ！分圧
（ＰＨ，） 、Ｈ２Ｓ分圧（ＰＨ２Ｓ）、ＡｓＨｓ分圧
（ＰＡ３Ｈ３）をそれぞれ所定の分圧にし、温度Ｔ、に
保って時間１．の間装置し、室温まで冷却する。
温度Ｔｇ、時間１．を一定にし、各分圧ＰＨＩ、Ｐ Ｈ
ｉｓ 、Ｐ ＡｓＨ，、を変化させてＧａ、Ｓ、絶縁膜
を形成させたＧａＡｓ半導体結晶の表面の特性を第１表
に、各分圧ＰＲ，、ＰＲ２Ｓ 、 ＰＡｓＨ，、時間も
。
ｉｓ 、Ｐ ＡｓＨ，、を変化させてＧａ、Ｓ、絶縁膜
を形成させたＧａＡｓ半導体結晶の表面の特性を第１表
に、各分圧ＰＲ，、ＰＲ２Ｓ 、 ＰＡｓＨ，、時間も
。
を一定にし、温度Ｔ、を変化させてＧａ、、Ｓ、絶縁層
を形成させたＧａＡｓ半導体結晶の表面の特性を第２表
に示す。第１表および第２表において、Ｎｓｓはアルミ
ニウム電極を蒸着し、ＣＶ法により測定した界面準位密
度（ｃ ｍ−２）、ＩＰＬはフォトルミネッセンスの相
対強度である。第１表には、比較のためＰＨｚＳ （
Ｈｚ Ｓ分圧）を０にした場合も併せて示した。得られ
た結晶の表面状態は、ＰＡｓＨ，をＯにした場合（第１
表右端の欄）に若干不良であったが、それ以外は全て良
好であった。
を形成させたＧａＡｓ半導体結晶の表面の特性を第２表
に示す。第１表および第２表において、Ｎｓｓはアルミ
ニウム電極を蒸着し、ＣＶ法により測定した界面準位密
度（ｃ ｍ−２）、ＩＰＬはフォトルミネッセンスの相
対強度である。第１表には、比較のためＰＨｚＳ （
Ｈｚ Ｓ分圧）を０にした場合も併せて示した。得られ
た結晶の表面状態は、ＰＡｓＨ，をＯにした場合（第１
表右端の欄）に若干不良であったが、それ以外は全て良
好であった。
第１表および第２表から明らかなように、Ｈｚ、Ｈｚ
Ｓ 、 Ａ ｓ Ｈ：＋の各分圧を選ぶことによりＧａ
Ａｓ半導体結晶の界面準位密度を２ Ｘ１０日より低く
することができ、Ｈ２Ｓ分圧を０にした場合、すなわち
表面にＧａ、Ｓ、を生成させない場合の、約１０００倍
のフォトルミネッセンス強度が得られる。
Ｓ 、 Ａ ｓ Ｈ：＋の各分圧を選ぶことによりＧａ
Ａｓ半導体結晶の界面準位密度を２ Ｘ１０日より低く
することができ、Ｈ２Ｓ分圧を０にした場合、すなわち
表面にＧａ、Ｓ、を生成させない場合の、約１０００倍
のフォトルミネッセンス強度が得られる。
第１表
〔実施例２〕
本例は、結晶表面にＨｚ、Ｈ２Ｓｅ、ＡｓＨ。
の混合ガス中での加熱によりＧａｚＳｅ３絶縁膜を形成
させたＧａＡｓ半導体結晶である。
させたＧａＡｓ半導体結晶である。
ＧａＡｓ半導体結晶は、Ｈ２Ｓの代わりにＨ２Ｓｅを用
いた以外は実施例１と同様にして製造された。炉内温度
は６００″Ｃおよび７００°Ｃとした。
いた以外は実施例１と同様にして製造された。炉内温度
は６００″Ｃおよび７００°Ｃとした。
本例のＧａＡｓ半導体結晶は実施例１と同様な表面特性
を示した。
を示した。
本発明による■−Ｖ族化合物半導体結晶は２×１０”ｃ
＋ｆｆ１２より小さい界面準位密度を有するので、ＭＩ
Ｓ ＦＥＴを構成するのに適している。
＋ｆｆ１２より小さい界面準位密度を有するので、ＭＩ
Ｓ ＦＥＴを構成するのに適している。
また表面の絶縁層の厚さの制御が容易なので、所望の特
性をもつＭＩＳ ＦＥＴを容易に構成できる。そして
表面の絶縁層は安定である。さらに結晶上の部位による
均一性、製造ロット内およびロット間の再現性が良く、
大量生産に適する。
性をもつＭＩＳ ＦＥＴを容易に構成できる。そして
表面の絶縁層は安定である。さらに結晶上の部位による
均一性、製造ロット内およびロット間の再現性が良く、
大量生産に適する。
Claims (5)
- （１）III−Ｖ族化合物から成り、表面に絶縁層を有す
る化合物半導体結晶であって、 前記絶縁層が結晶を水素およびVIｂ族水素化物から成る
気相と接触させることにより形成されたIII−VIｂ族化
合物の層であることを特徴とする、表面に絶縁層を有す
る化合物半導体結晶。 - （２）前記III−Ｖ族化合物がＧａＡｓであり、前記VI
ｂ族水素化物がＨ＿２Ｓであり、前記III−VIｂ族化合
物がＧａ＿２Ｓ＿３である、請求項第１項記載の表面に
絶縁層を有する化合物半導体結晶。 - （３）前記III−Ｖ族化合物がＧａＡｓであり、前記VI
ｂ族水素化物がＨ＿２Ｓｅであり、前記III−VIｂ族化
合物がＧａ＿２Ｓｅ＿３である、請求項第１項記載の表
面に絶縁層を有する化合物半導体結晶。 - （４）前記気相がＶ族水素化物を含む、請求項第１項記
載の表面に絶縁層を有する化合物半導体結晶。 - （５）III−Ｖ族化合物から成り、表面に絶縁層を有す
る化合物半導体結晶であって、 前記絶縁層が結晶を、各々所定の分圧の水素、VIｂ族水
素化物およびＶ族水素化物から成る気相と接触させるこ
とにより形成されたIII−VIｂ族化合物の層であること
を特徴とする、表面に絶縁層を有する化合物半導体結晶
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14911090A JP2830386B2 (ja) | 1990-06-06 | 1990-06-06 | 表面に絶縁層を有する化合物半導体結晶の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14911090A JP2830386B2 (ja) | 1990-06-06 | 1990-06-06 | 表面に絶縁層を有する化合物半導体結晶の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0442926A true JPH0442926A (ja) | 1992-02-13 |
| JP2830386B2 JP2830386B2 (ja) | 1998-12-02 |
Family
ID=15467925
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14911090A Expired - Fee Related JP2830386B2 (ja) | 1990-06-06 | 1990-06-06 | 表面に絶縁層を有する化合物半導体結晶の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2830386B2 (ja) |
-
1990
- 1990-06-06 JP JP14911090A patent/JP2830386B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2830386B2 (ja) | 1998-12-02 |
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