JPH0439629A - マトリクス型表示装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、バス配線の断線を修正する機能を有するマト
リクス型表示装置に関する。

（従来の技術） ＣＲＴに代わる画像表示装置として、液晶、ＥＬ発光体
、プラズマ発光体等を用いたマトリクス型表示装置が注
目されている。中でも液晶表示装置は携帯用テレビ、ワ
ードプロセッサ、パーソナルコンピュータ等に広く用い
られている。これらに用いられる表示装置には、より精
細で大型のものが望まれている。

マトリクス型表示装置を用いて精細な画像を表示するた
めには、マトリクスを構成する絵素の大きさを非常に小
さくし、しかも非常に多くの絵素を用いる必要がある。

絵素数が増大すると、それに伴って走査線及び信号線と
して機能するバス配線の数も多（なる。バス配線の数が
多くなるに従い、断線による不良が生じ易くなる。その
うえ、表示装置の大型化に伴ってバス配線の長さは長く
なり、断線の無いバス配線を作製することは益々困難と
なっている。

（発明が解決しようとする課題） バス配線の断線を修正する機能を備えたマトリクス型表
示装置が開発されている。断線修正機能を備えた表示装
置に用いられる表示電極基板の−例を第３Ａ図に示す。

この表示電極基板は、透明基板上に形成された一方向に
並行する多数のゲートバス配線２と、ゲートバス配線２
に直交して設けられた多数のソースバス配線１とを有す
る。ソースバス配線１は２組のソースバス配線１ａ及び
１ｂからなり、ソースバス配線１ａ及び１ｂはそれぞれ
異なったドライバＩＣに接続されている。

ゲートバス配線２及びソースバス配線１は、絶縁膜を介
して非導通状態で交差している。

ゲートバス配線２及びソースバス配線１に囲まれた矩形
の各領域には、絵素電極、スイッチング素子としてのＴ
　Ｆ　Ｔ　（Ｔｈｉｎ　Ｆｉｌｍ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏ
ｒ）がそれぞれ設けられているが、第３Ａ図では簡単の
ため記載を省略しである。絵素電極と対向電極との間に
液晶が封入され、マトリクス型液晶表示装置が構成され
る。

ソースバス配線ｌの両端部には、それぞれ予備配線３ａ
及び３ｂが絶縁膜を介して交差している。

予備配線３ａ及び３ｂには引出し線４ａ及び４ｂが電気
的に接続されている。第３Ｂ図に第３Ａ図の基板に接続
されるドライバフィルムの平面図ヲ示す。ドライバフィ
ルム７上にはドライバＩＣ８が設けられ、ドライバＩＣ
８からはソースバス配線１ａに接続されるソースバス接
続線９が設けられている。ソースバス接続線９に並行し
て、フィルム上の引出し線４ａが設けられている。フィ
ルム上の引出し線４ａの一方の端部１０ａは、アクティ
ブマトリクス基板上の引出し線４ａに接続されている。

フィルム上の引出し線４ａの他方の端部１０ｂは回路基
板（図示せず）上に導かれた接続用配線に接続されてい
る。

第３Ａ図の基板上のもう一組のソースバス配線Ｉｔ）及
び予備配置３ｆｉは、第３Ｂ図に示すものと同様の他の
ドライバフィルムに接続され、予備配線３ｂが接続され
たフィルム上の引出し線４ｂは、更に上記の回路基板上
に導かれた接続用配線に接続されている。上記の回路基
板上では予備配線３ａに接続されている接続用配線と、
予備配線３ｂに接続されている接続用配線とが、後に互
いに接続できるように配されている。

この基板のソースバス配線１に断線が生じた場合の修正
方法を以下に示す。第３Ａ図に示すようにソースバス配
線１ｂに断線部５が生じている場合には、不良ソースバ
ス配線１ｂと予備配線３ａとが、交差部５ａに於て電気
的に接続される。同様に、不良ソースバス配線１ｂと予
備配！１３１）とが、交差部５ｂに於て電気的に接続さ
れる。更に前述の回路基板上に於て、予備配線３ａ及び
３ｂに接続された２つの接続用配線が互いに電気的に接
続される。このように３ｉＩ所で電気的接続を行うこと
により、不良ソースバス配線１ｂの断線部５の両端の部
分が、回路基板上の接続用配線を介して電気的に接続さ
れる。

このようにして修正を行えば、修正後の不良ソースバス
配線の負荷容量及び電気抵抗を殆ど増大させることなく
断線部分を修正することができる。

従って、修正によってドライバＩＣ８の負荷が増大する
こともなく、不良ソースバス配線ｌｂ上の信号遅延も生
じない。

ところが、マトリクス型表示装置の大型化が進と、予備
配線の抵抗も無視できない問題となってくる。予備配線
の低抵抗化を図るため、２層構造の予備配線を用いるこ
とが考えられる。第２Ａ図に２層構造の予備配線を形成
した表示電極基板を、透明基板１６側から見た平面図を
示す。第２Ｂ図に第２Ａ図のＱ−Ｑｌに沿った断面図を
示す。透明基板１６上の全面にベースコート膜１７が形
成され、ベースコート膜１７上に予備配線３ａが形成さ
れている。予備配線３ａは下層金属層１３ａ及び上層金
属層２３ａを有している。下層金属層１３ａには、ＡＩ
、Ａｕ、Ａｇ、Ｍｏ等の低抵抗金属が用いられる。上層
金属層２３ａには、この表示電極基板の作製プロセスに
於いて使用されるエッチャント等に対する耐性の大きい
金属、例えば、Ｔａ、Ｔｌ、Ｎ１等が用いられる。下層
金属層１３ａを上層金属層２３ａで覆うことにより、表
示電極基板の作製プロセスに於て下層金属層１３ａがエ
ッチャント等によって損傷を受けるのを防止することが
できる。上層金属層２３ａ上にはこの表示電極基板上の
全面に亘って、絶縁膜１８及び１９が形成されている。

従って、予備配線３ａとソースバス配線ｌとは、絶縁膜
１８及び１９を挟んで交差している。ソースバス配線ｌ
が形成された表示電極基板上の全面には、保護膜及び配
向膜が形成されているが、第２Ｂ図では記載を省略しで
ある。

このような２層構造の予備配線３ａを有する表示電極基
板に於て、第２Ｂ図に矢印２０で示す予備配線３ａとソ
ースバス配線１と交差部に上述のようにレーザ光照射を
行うと、予備配線３ａとソースバス配線１が溶融される
と共に、絶縁膜１８及び１９の絶縁破壊が起こり、予備
配線３ａとソースバス配線１とが電気的に接続される。

ところが、予備配線３ａを２層構造とすると予備配線３
ａの層厚が大きくなり、レーザ光照射によって予備配線
３ａを容易に溶融させることができず、従って、予備配
線３ａとソースバス配線１とを接続できないという問題
が生じる。下層金属層１３ａの反射率が大きい場合にも
、上記の接続を行えない。レーザ光照射による接続がで
きないと、表示装置の歩留り向上が図れないという問題
が生じる。

本発明はこのような問題点を解決するものであり、本発
明の目的は、バス配線の断線を確実に修正し得るマトリ
クス型表示装置を提供することである。

（課題を解決するための手段） 本発明のマトリクス型表示装置は、それぞれ−方向に列
をなして縦横に配線された走査線及び信号線と、該走査
線及び該信号線に囲まれたそれぞれの領域にマトリクス
状に配された絵素電極と、該走査線及び該信号線の列の
少な（とも一方の列の少な（とも一部の線の両端部のそ
れぞれに於て該一部の線と絶縁膜を介して交差する予備
配線と、を備え、該予備配線が、該一部の線との交差部
では単層構造を有し、該交差部以外の部分では２層構造
を有しており、そのことによって上記目的が達成される
。

（作用） 本発明のマトリクス型表示装置の予備配線は、走査線及
び信号線の列の少なくとも一方の列の少なくとも一部の
線の両端部に於いて、該一部の線と絶縁膜を介して交差
している。予備配線は該−部の線との交差部では単層構
造を有しているので、レーザ光照射によって容易に溶融
させることができる。従って、予備配線と断線している
該一部の線とを容易に接続することができる。また、予
備配線は該一部の線との交差部以外の部分では２層構造
を有しているので、予備配線の抵抗の低減が図られてい
る。

（実施例） 本発明の実施例について以下に説明する。本実施例のマ
トリクス型表示装置に用いられる表示電極基板の平面模
式図は、第３Ａ図に示すものと同様である。透明基板１
６上に一方向に列をなすゲートバス配線２が設けられ、
ゲートバス配線２に直交してソースバス配線ｌが列をな
して設けられている。ゲートバス配＠２及びソースバス
配線１は、それぞれ走査線及び信号線として機能してい
る。ソースバス配線１は２組のソースバス配線１ａ及び
Ｉｂからなり、ソースバス配線１ａ及び１ｂは第３Ｂ図
に示すようなそれぞれ異なったドライバＩＣに接続され
ている。ゲートバス配線２及びソースバス配線ｌは、絶
縁膜を介して非導通状態で交差している。

ゲートバス配線２及びソースバス配線ｌに囲まれた矩形
の各領域には、絵素電極、スイッチング素子としてＴＰ
Ｔがそれぞれ設けられているが、第３Ａ図では簡単のた
め記載を省略しである。絵素電極と対向電極との間に液
晶が封入され、マトリクス型液晶表示装置が構成される
。

ソースバス配線１の両端部には、それぞれ予備配線３ａ
及び３ｂが、後述する２層の絶縁膜を介して交差してい
る。予備配線３ａ及び３ｂのそれぞれの引出し線４ａ及
び４ｂは、前述の第３Ｂ図に示すものと同様のドライバ
フィルムを介して、それぞれ基板外部の接続用配線に接
続されている。

即ち、ソースバス配線ｌの一方の端部と交差する予備配
線３ａの引已し線４ａは、この表示電極基板の外部の例
えば回路基板上に導かれた接続用配線に接続されている
。ソースバス配線１の他方の端部と交差する予備配線３
ｂの引出し線４ｂも、前述の第３Ｂ図に示すものと同様
のドライノ〈フィルムを介して、回路基板上に導かれた
接続用配線に接続されている。回路基板上では引出し線
４ａに接続された接続用配線と、引出し線４ｂに接続さ
れた接続用配線とが互いに接続可能に配されている。

第１Ａ図に、本実施例の表示電極基板の予備配線３ａと
ソースバス配線１との交差部を、透明基板側から見た平
面図を示す。第１Ｂ図に第１Ａ図のＰ−Ｐ線に沿った断
面図を示す。透明基板１６上の全面に、Ｔａ２０６、Ａ
ｌ２Ｏ３、Ｓｉ３Ｎ、等からなるベースコート膜１７が
３０００〜９０００人の厚さに形成されている。ベース
コート膜１７は必ずしも設ける必要はない。ベースコー
ト膜１７上には予備配線３ａが形成されている。予備配
線３ａは、ソースフイス配線１ａ又は１ｂとの交差部で
は、上層金属層２３ａからなる単層構造を有している。

ソースバス配線１ａ又は１ｂとの交差部以外の部分では
、予備配線３ａは下層金属層１３ａ及び上層金属層２３
ａからなる２層構造を有している。下層金属層１３ａに
は、厚さ５００〜２０００人のＡｈ　Ａｕｂ　Ａｇ、Ｍ
ｏ等の低抵抗金属が用いられる。上層金属層２３ａには
、厚さ１０００〜５０００人のＴ　ａ　ｓ　Ｔ　ｉ　、
、Ｎ　ｉ等の反射率の低い金属が用いられる。上層金属
層２３ａに用いられるこれらの金属は、この表示電極基
板の作製プロセスに於いて使用されるエッチャント等に
対する耐性が比較的大きい。従って、下層金属層１３ａ
を上層金属層２３ａで覆うことにより、表示電極基板の
作製プロセスに於て下層金属層１３ａがエッチャント等
によって損傷を受けるのを防止することができる。

上層金属層２３ａ上には上層金属層２３ａ上の表面を陽
極酸化して得られるＴａ２０５等からなる絶縁膜１８が
形成され、更にこの表示電極基板の全面に、ＳＩＮ、、
５ｉｎ２、Ａｌ２Ｏ３等からなる絶縁膜１９が２０００
〜１００００人の厚さに形成されている。従って、予備
配線３ａとソースバス配線１とは、２層の絶縁膜１８及
び１９を挟んで交差している。ソースバス配線１が形成
された表示電極基板上の全面には、保護膜２０及び配向
膜２１が形成されているが、第１Ｂ図では記載を省略し
である。尚上記では予備配線３ａとソースバス配線１と
の交差部について説明したが、予備配線３ｂとソースバ
ス配線１との交差部も同様の構成を有している。

この表示電極基板のソースバス配線１に断線が生じた場
合の修正方法は、前述と同様である。第３Ａ図に示すよ
うにソースバス配線１ｂに断線部５が生じている場合に
は、不良ソースバス配線１ｂと予備配線３ａとが、交差
部５ａにレーザ光を照射することによって電気的に接続
される。同様に、不良ソースバス配線１ｂと予備配線３
ｂとが、交差部５ｂにレーザ光を照射することによって
電気的に接続される。レーザ光照射により、これらの交
差部５ａ及び５ｂでは、予備配線３ａ及び３ｂ並びに不
良ソースバス配線１ｂが溶融されると同時に、絶縁膜１
８及び１９の絶縁破壊が行われる。

予備配線３ａは、ソースバス配線１ｂとの交差部では上
層金属層２３ａのみからなる単層構造を有しているので
、予備配線３ａの層厚は大きくなることはない。従って
、予備配線３ａはレーザ光照射によって容易に溶融され
得る。また、上層金属層２３ａを構成するＴａ５Ｔｉ、
Ｎ１等の金属は照射されるレーザ光の波長に対して低い
反射率を有しているので、比較的低い出力のレーザ光に
よって、上層金属層２３ａは容易に溶融される。

従って、予備配線３ａと不良ソースバス配線１ｂとを確
実に接続することができる。

更に、前述の回路基板上に於て、予備配線３ａ及び３ｂ
に接続された２つの接続用配線が互いに電気的に接続さ
れる。このように３１所で電気的接続を行うことにより
、不良ソースバス配線１ｂの断線部５０両端の部分が、
回路基板上の接続用配線を介して電気的に接続される。

本実施例の予備配線３ａは、ソースバス配線１との交差
部以外の部分では低抵抗の下層金属層ｌ３ａを有してい
るので、このようにして修正を行っても修正後の不良ソ
ースバス配線の電気抵抗を殆ど増大させることな（断線
部分を修正することができる。

本実施例では予備配線３ａ及び３ｂは全てのソースバス
配線１と交差しているが、ソースバス配線１の一部にの
み交差する構成としてもよい。また、本実施例では予備
配線３ａ及び３ｂはソースバス配線１に交差して設けら
れているが、ゲートバス配線２に交差するように設けて
もよい。更に、ケートハス配線２及びソースバス配線ｌ
のそれぞれに交差する予備配線を設けた構成とすること
もできる。

また、本実施例ではＴＰＴを用いたアクティブマトリク
ス型液晶表示装置について説明したが、本発明はこれに
限定されるものではない。本発明はＭ　Ｉ　Ｍ　（Ｍｅ
ｔａｌ−ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−ｍｅｔａｌ）素子１ダイ
オード、バリスタ等のスイッチング素子を用いた広範囲
の表示装置にも適用することができる。更に、表示媒体
として、薄膜発光層、分散型ＥＬ発光層、プラズマ発光
体等を用いた各種の表示装置に適用することができる。

（発明の効果） 本発明のマトリクス型表示装置は、低出力のエネルギー
照射によって溶融させることができる予備配線を有して
いる。しかも予備配線の抵抗値が小さいので、表示装置
の大型化が進んでも抵抗値を増大させることなくバス配
線の断線を確実に修正することができる。従って、本発
明によれば表示装置の歩留りが向上し、コストダウンが
可能となる。

４　　　　　　の　　　　な９Ｉ！ 第１Ａ図は本発明のマトリクス型表示装置に用いられる
表示電極基板を透明基板側から見た平面図、第１Ｂ図は
第１Ａ図のＰ−Ｐ線に沿った断面図、第２Ａ図はマトリ
クス型表示装置の改良例に用いられる表示電極基板を透
明基板側から見た平面図、第２Ｂ図は第２Ａ図のＱ−Ｑ
線に沿った断面図、第３Ａ図は従来の表示電極基板の概
略平面図、第３Ｂ図は第３Ａ図の表示電極基板に接続さ
れるドライバフィルムの平面図である。

１、ｌａ、ｌｂ・・・ソースバス配線、２・・・ゲート
バス配線、３ａ、３ｂ・・・予備配線、５・・・断線部
、５ａ、５ｂ・・・交差部、１３ａ・・・上層金属層、
１６・・・透明基板、１７・・・ベースコート膜、１８
．１９・・・絶縁膜、２３ａ・・・上層金属層。

Ｉｊｌｆ！１］Ａ区

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、それぞれ一方向に列をなして縦横に配線された走査
   線及び信号線と、該走査線及び該信号線に囲まれたそれ
   ぞれの領域にマトリクス状に配された絵素電極と、該走
   査線及び該信号線の列の少なくとも一方の列の少なくと
   も一部の線の両端部のそれぞれに於て該一部の線と絶縁
   膜を介して交差する予備配線と、を備え、 該予備配線が、該一部の線との交差部では単層構造を有
   し、該交差部以外の部分では２層構造を有するマトリク
   ス型表示装置。